Ⅰ 移動存儲介質的發展趨勢
趨勢一：各種信息安全技術走向融合
在企業數據安全管理領域，一個最重要的趨勢就是與各種安全技術的集成以及與各種安全產品的整合。移動存儲介質的保密管理已經遠遠超越了設備單點安全的范疇，移動存儲介質泄密防護作為企業信息失泄密防護的重要環節，需要結合企業現有組織結構，並能與現有的企業安全產品相整合，特別是與信息防護和控制系統(IPC)的整合，成為全面信息安全解決方案中的一部分。
一些廠家認識到基於軟、硬體的保密防護的必要性、優點和不足，將單點設備安全和移動存儲介質管理系統結合起來，並推出了軟硬體結合的產品，這類產品的出現是技術融合的產物，它綜合了以上兩類產品的優點，實現了移動存儲介質的數據安全、介質訪問控制，介質使用環境安全、數據擺渡安全等多層次保護，對移動存儲介質進行全生命周期管理。這類產品是迄今為止最全面的移動存儲介質保密管理方案。
趨勢二：基於安全晶元的驗證和加密被越來越多的產品所採用
隨著安全移動存儲設備應用環境的復雜化，簡單地依靠桌面操作系統的單向認證方式，無法抵擋假冒身份，數據攔截等惡意的竊密手段。基於安全晶元的身份認證方式，將大大提高移動存儲設備數據訪問的安全性。在安全移動存儲設備晶元中運行獨立的COS操作系統，通過USBKEY等安全通道進行身份認證，並由COS完成數據的動態加密。這種認證和保密技術是SIM卡、網上銀行等應用認證技術的拓展。
趨勢三：介質的分級保護成為產品的必要功能
國家保密部門在保密制度上做出了明確規定，對信息系統提出了分密級保護的要求，並規定不同密級實體之間的訪問規則，比如高密級移動存儲介質不能在低密級計算機上使用，高密級電子文件不能存儲在低密級存儲設備上。為滿足保密部門這些要求，密級標識和基於主客體密級標識的訪問控製成為移動存儲介質保密管理的必備功能。
趨勢四：安全數據擺渡成為熱門技術
傳統的數據擺渡威脅來自於移動存儲介質在內外網之間的交叉使用。近幾年，病毒(木馬)通過移動存儲介質擺渡來竊取用戶文件，逐漸成為信息安全的焦點問題，如何有效地鑒別用戶和病毒(木馬)行為，通過有效的手段來保證移動存儲介質在內外部網路之間進行數據擺渡的安全，成為移動存儲介質保密管理越來越重要的課題。
趨勢五：審計跟蹤趨向多維度、立體化
移動存儲介質的便攜性決定它需要把傳統的終端數據審核功能拓展到受控的環境之外，系統審計跟蹤需要從簡單一維空間發展到多維空間，實現基於身份、時間，地點、設備、不同安全模式等多維跟蹤。人員操作審計，終端操作審計、設備使用審計，文件跟蹤審計等構成了立體化的審計跟蹤體系。
易產生的安全隱患
隱患1：使用人員安全意識不高，將帶有與工作有關的資料、單位機密文件的移動存儲介質隨意外借或者麻痹大意而丟失，被他人將移動存儲介質中的資料悉數竊取。
隱患2：移動存儲介質在內外網之間直接交互使用，在接入互聯網等網路時，容易被黑客利用高科技手段獲取有用的個人或者公司信息，從而導致一些重要數據或信息的泄密，造成不必要的個人或者集體損失。
隱患3：由於移動介質的不規范使用，使其作為媒介將病毒從外網帶入內網成為了可能，如銀行內部發生了計算機病毒攻擊內網導致網路癱瘓、系統崩潰和數據丟失。
隱患4：由於移動介質的方便性，常常隨身攜帶，造成移動介質震動或跌落使其受損，從而造成數據和信息的丟失。
隱患5：目前市場假貨很多，大多數都是擴容產品，實際容量與標識有很大的出入，往往使存儲的資料丟失，所以，在購買時，一定要買正品。
Ⅱ 信息存儲技術的背景 應用 發展以及趨勢
信息存儲技術作為信息技術的核心之一,一直伴隨著、同時推動著IT業各方面技術的協同發展,是當今IT領域中少數發展最為迅速的熱點之一。紙的發明記載了人類的歷史和文明,現代信息存儲技術則大大超越了紙張記錄的含義。21世紀是數字化和多媒體化的信息時代,現代信息社會和經濟的發展,所產生的信息量每年以指數方式上升,出現了信息爆炸的態勢。據UC Berkley 2001年公布的數據顯示,未來3年內所產生的數據將超過過去4萬年中產生數據的總和,而且93%的新生成的信息為數字形式。當上世紀50年代計算機技術初現時,存儲容量還只是以千位位元組計…http://www.cnki.com.cn/Article/CJFD2006-CXJL200605012.htm
Ⅲ 純國產晶元的翻身之作，平價輕奢的光威M.2 固態硬碟
都說存儲領域，國內的生產廠商一直受制於人，自主可控技術都掌握在國外廠家手中，直到2018年的時候，中國存儲行業完成了研發生產的大變化，國產主控和國產快閃記憶體才開始浮出水面，使得真正意義上的國產SSD成為可能，也拉開了SSD純國產化的序幕。直到2020年，隨著國產化的潮流趨勢和國內自主研發技術的成熟，國內首款真正意義上的100%純國產 「中國芯」光威弈Pro M.2 固態硬碟正式上市，填補了國產SSD技術上的最後一塊空白。
在整個集成電路中，佔比最大的是存儲晶元，它廣泛應用於內存、消費電子、智能終端和固態存儲硬碟等領域，如果沒有晶元的存在，個人電腦、智能手機、數碼消費產品、通信基站、光通信等設備都無法正常運轉，而且隨著人工智慧、大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全相互掛鉤。中國作為最大的集成電路消費國，國內企業的市場佔有率卻很低，基本需要依靠進口才能滿足供需平衡，最主要的DRAM、NAND存儲晶元也基本被美日韓企業壟斷，因為資金和技術上的缺陷，國內的晶元製造企業一直受到壓制。
作為一個數碼發燒友，早期最先使用的硬碟、U盤、內存條等存儲硬體，也都是三星、美光、東芝等海外存儲品牌，放眼望去，偽國產存儲品牌的口碑並不是很理想，往往都是國外品牌占據了市場主導作用，價格也一度水漲船高，個人迫於需求問題也只能被動接受。可以說今時不同往日，目前主流的固態硬碟SSD的核心主控晶元、快閃記憶體晶元和固件演算法，國內企業都已經具備了全部國產化的能力，可以實現大規模量產，能夠完全擺脫國外技術壁壘，做到整條產品供應鏈的全部國產化。
個人在這幾年也一直在關注著國產存儲的發展情況，據悉國內SSD的研發投入一直在增加，生產技術上不斷在攻克，近兩年市面上的國產SSD也開始出現在存儲市場中，與國外品牌形成對立局面，在一定程度上，國外品牌為了打壓國內存儲品牌，降低了長期保持的高價格，當然，國產存儲品牌的高性價比還是給數碼愛好者提供了更多的選擇。
作為國產品牌，Gloway/光威在外包裝上加入了中國元素，以中國紅的色彩加上龍圖騰的設計語言為主要視覺，給人有一種盛氣凌人的霸氣，再仔細看，外包裝盒還有從古至今不同字體的「弈」子，可以說是滿滿的中國氣息。接著我們將視角轉到這條M.2固態硬碟，正面貼上了和外包裝一樣的視覺設計，整體看似小巧，上手之後還有些許分量感，細小的元器件之間相互連接，國產的精湛工藝肉眼可見。為了方便用戶的對電腦硬碟的拆裝，光威弈Pro M.2固態硬碟也單獨為用戶配備了一把小螺絲刀，收到之後就可以直接組裝。不用想著去找什麼工具了。收到之後就可以直接上手。
我選擇的是光威弈Pro固態硬碟 1TB容量，介面的類型為M.2，選擇的它的理由無非就兩個，一個是體積小巧，輕盈便攜，我可以裝在外接的硬碟盒中，隨時隨地都能使用，同時M.2介面的固態硬碟實際的體驗中，有更高的傳輸性能，傳輸速度會比STAT介面高出很多，1TB 的容量可以讓我不用過度擔心日常的存儲問題，畢竟在這個親民的售價上，肯定是要好好享受，平時使用中也能有更好的體驗效果，特別是應對大容量的圖片和視頻，加上一系列的Adobe製作軟體，才能夠更加流暢的運行，提高工作效率。
光威弈Pro M.2固態硬碟在硬體上全國產化之後，基礎配置信息上都能看到Gloway/光威的誠意，在性能上ASSSD總分可達5000分，硬碟介面使用的是比較常見的2280規格，M.2(M KEY)介面，支持PCIe 3.0X4和NVMe1.3協議，在持續讀寫性能上比PCIe 3.0X2高出一半，隨機讀取性能相對更好，積更小同時性能更強的支持NVME協議的M.2介面的SSD符合當今的主流，內存方面採用的是長江存儲基於Xtacking架構的64層 3D NAND，相比傳統3D NAND快閃記憶體架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度，能夠顯著提升產品性能，緩存方面採用的是國內的長鑫廠商，是國內規模最大、技術最先進的DRAM設計製造一體化企業。
重點說到「 中國芯 」，光威弈Pro M.2固態硬碟採用了自主主控憶芯STAR1000P，主控採用新思DesignWare ARC HS38處理多核結構，利用ARC可擴展架構與自定義指令集，提高硬體調度效率：走PCIe 3.0X4通道，支持NVMe 1.3規范，可支持8個內存通道、最大掛載32TB內存容量，兼容市面主流的3D TLC/MLC；理論順序讀寫可達3.5GB/s和3.2GB/s，隨機讀寫600K IOPS；同時，有著極佳的低功耗表現，號稱在全性能模式下僅2W左右；高級特性上，引入了第三代4K LDPC糾錯碼技術，除支持國際AES加密標准以外，也全面支持中國商密（SM2/3/4）安全方案，可以說「中國芯」在性能表現和功耗上都標出了令人滿意的內容。
M.2固態硬碟仔細雖然小巧輕便，傳輸速度快，還是其讀寫壽命還是相當關鍵的。查過資料後得知，目前固態硬碟的快閃記憶體顆粒有 SLC / MLC / TLC /QLC 之分， MLC 由於價格貴，產能少，供貨周期不穩定主要還是用於軍工行業， 在消費級市場是見不到的，而MLC與 TLC其實相差不大，隨著工藝的進步，製程越來越小的情況下，MLC已經被TLC趕超風頭了，體質較好的 TLC 顆粒已經可以幹掉部分 MLC 了。光威弈Pro M.2固態硬碟選擇TLC快閃記憶體顆粒，相比來說足夠日常的使用，它的穩定和壽命都相對比較突出。
作為一款純國產的光威弈Pro M.2固態硬碟，算是國內存儲市場的一個新星出道，從性價比方面自然是不亞於當前的國外品牌，但既然是「新星」，究竟純國產化 「中國芯」光威弈Pro M.2固態硬碟在存儲量、讀寫速度、穩定性、溫度等方面的實際使用中是否品質過關，它的綜合表現又如何？光說不測假把式，想要知道光威弈Pro M.2固態硬碟的性能如何，還是要以實際的軟體測試作為參考。
CrystalDiskMark 簡稱 CDM，是一款比較流行的硬碟性能測試工具，它的體積很小巧，而且界面簡單易於操作，讀寫速度測試傾向於非壓縮演算法，因此它的持續讀寫速度更具有性能鑒別意義，藉此可以比較硬碟性能的優劣。在CrystalDiskMark 1G文件傳輸測試中，默認為非壓縮數據測試，得出光威弈Pro M.2固態硬碟的讀取和寫入分別為3042MB/S和1483MB/S，出現了讀寫差距較大的問題，由於是第一個軟體測試，出來的結果似乎有點不正常，於是我繼續用第二款軟體進行讀寫測試論證。
AS SSD Benchmark是一款專門用於測試 SSD 固態硬碟性能的工具，可以准確測出固態硬碟持續讀寫的性能，還能非常清楚的查看我們固態硬碟的4K是否已經對齊，它的成績顯示可以分為兩種，一種是MB/秒的形式，另一種是IOPS形式，本次測試主要使用這款軟體的4k隨機讀寫功能，測試4K-64K多任務隨機讀寫速度，4KB隨機讀取訪問IOPS是SSD根本性能的直接表徵。光威弈Pro M.2固態硬碟的讀取和寫入分別為2989.72MB/S和2576.35MB/S，4K隨機的讀取和寫入分別為2009.16MB/S和1984.31MB/S，顯示4K已對齊，通過數據體現出持續讀寫速度略低於官方數據值，而4K隨機讀寫速度反而遠超官方數據值，檢測軟體可能也會有些許誤差，但整體而言，光威弈Pro M.2固態硬碟的讀取和寫入性能表現方面還是可以的。
CrystalDiskInfo 簡稱 CDI，它主要的功能不是用於測試性能，作為一款實用的硬碟 健康 診斷工具，可以直觀地檢查硬碟的 健康 狀態、溫度以及更多一些相關的資料。它除了支持一般的機械硬碟之外，也支持 SSD 固態硬碟甚至部分移動硬碟。通過這個軟體可以明顯的看到光威弈Pro M.2固態硬碟介面類型為NVM Express，傳輸模式為PCIe 3.0X4，支持NVM Express 1.3協議，同時也支持S.M.A.R.T.，可以通過硬碟上的監測指令和主機上的監測軟體對磁頭、碟片、馬達、電路的運行情況、 歷史 記錄及預設的安全值進行分析、比較。當出現安全值范圍以外的情況時，就會自動向用戶發出警告，對於不少用戶，特別是商業用戶而言，是非常有必要存在的一個功能，可以通過常用的系統工具(如AIDA32)來查看，並通過這些參數了解硬碟的" 健康 "狀況。
在實際的長時間使用中，SSD會出現發熱問題，大多數的SSD為了控制溫度，往往會通過控制速度，犧牲性能來達到控溫的目的。溫控的好壞，直接會決定這款SSD是否適合入手。光威弈Pro M.2固態硬碟採用石墨散熱貼，能夠有一定的降溫效果，保證持久的高性能傳輸。
以前的國產晶元確實是不盡人意，讓很多國內用戶失去了信心，但我想說的是，一開始總要出現瑕疵這也是正常的，即使是現在的知名海外晶元品牌，也是一步一個腳部把產品做好，剛開始也同樣是會經歷罵聲。現在的國產儲存品牌正在經歷的漫長路程，更是需要我們去理解和支持。不管是基於情懷也好，還是國產芯的綜合表現，我依舊是選擇光威弈Pro M.2 固態硬碟，目前來說，純國產的存儲品牌已經日漸完善，整體的傳輸穩定性和知名品牌實際差距並不大。國產化存儲的出現，也讓我們不用擔心所謂的存儲大廠著火，晶元漲價的問題，在以光威為開頭領銜之作 的M.2固態硬碟來說，也算是為「國產芯」開了一個好頭，讓每個人都是享受到平價輕奢的固態硬碟。在這里也想告訴大家，並不是任何東西越貴越好，合適自己的才是最好的。
Ⅳ 顆粒層的作用是什麼
顆粒層 （stratum granulosum）位於棘細胞層的淺層，由2—3層細念稿胞組成。其厚度隨角化層的厚薄而變化。在角化層薄的部位常無顆粒層。本層細胞排列與皮膚表面相平行，細胞呈梭啟高滑形， 細胞核橢圓形，位於中央，染色較淺，是開始退化的表現。細胞質周邊密布著張力原纖維束，膜被顆粒增多，其內含有 磷脂類、粘多糖等悄臘。隨著顆粒層細胞不斷向淺層推移角化的過程。
顆粒層：被譽為皮膚過敏的遮陽傘。有折射和過濾分解紫外線的作用。長斑都是因為顆粒層受損：一般受損30%，色斑淺，受損90%色斑就很深。
可以提高顆粒層免疫力的產品就是精華，精華素，精華露，所有跟顆粒層里晶樣角質素成分一樣的，所以精華是必不可缺的，甚至越早用越好。
Ⅳ 推進半導體技術發展的五大趨勢
過去幾十年，全球半導體行業增長主要受台式機、筆記本電腦和無線通信產品等尖端電子設備的需求，以及基於雲計算興起的推動。這些增長將繼續為高性能計算市場領域開發新應用程序。
首先，5G將讓數據量呈指數級增長。我們需要越來越多的伺服器來處理和存儲這些數據。2020年Yole報告，這些伺服器核心的高端CPU和GPU的復合年增長率有望達到29%。它們將支持大量的數據中心應用，比如超級計算和高性能計算服務。在雲 游戲 和人工智慧等新興應用的推動下，GPU預計將實現更快增長。例如，2020年3月，互聯網流量增長了近50%，法蘭克福的商業互聯網數據交換創下了數據吞吐量超過每秒9.1兆兆位的新世界紀錄。
第二個主要驅動因素是移動SoC——智能手機晶元。這個細分市場增長雖然沒有那麼快, 但這些SoC在尺寸受限的晶元領域對更多功能的需求，將推動進一步技術創新。
除了邏輯、內存和3D互聯的傳統維度擴展之外，這些新興應用程序將需要利用跨領域的創新。這需要在器件、塊和SoC級別進行新模塊、新材料和架構的改變，以實現在系統級別的效益。我們將這些創新歸納為半導體技術的五大發展趨勢。
趨勢一:摩爾定律還有用，將為半導體技術續命8到10年…
在接下來的8到10年裡，CMOS晶體管的密度縮放將大致遵循摩爾定律。這將主要通過EUV模式和引入新器件架構來實現邏輯標准單元縮放。
在7nm技術節點上引入了極紫外(EUV)光刻，可在單個曝光步驟中對一些最關鍵的晶元結構進行了設計。在5nm技術節點之外(即關鍵線後端(BEOL)金屬節距低於28-30nm時)，多模式EUV光刻將不可避免地增加了晶圓成本。最終，我們希望高數值孔徑(High-NA) EUV光刻技術能夠用於行業1nm節點的最關鍵層上。這種技術將推動這些層中的一些多圖案化回到單圖案化，從而提供成本、產量和周期時間的優勢。
Imec對隨機缺陷的研究對EUV光刻技術的發展具有重要意義。隨機列印故障是指隨機的、非重復的、孤立的缺陷，如微橋、局部斷線、觸點丟失或合並。改善隨機缺陷可使用低劑量照射，從而提高吞吐量和成本。
為了加速高NA EUV的引入，我們正在安裝Attolab，它可以在高NA EUV工具面世之前測試一些關鍵的高NA EUV材料(如掩膜吸收層和電阻)。目前Attolab已經成功地完成了第一階段安裝，預計在未來幾個月將出現高NA EUV曝光。
除了EUV光刻技術的進步之外，如果沒有前沿線端(FEOL)設備架構的創新，摩爾定律就無法延續。如今，FinFET是主流晶體管架構，最先進的節點在6T標准單元中有2個鰭。然而，將鰭片長度縮小到5T標准單元會導致鰭片數量減少，標准單元中每個設備只有一個鰭片，導致設備的單位面積性能急劇下降。這里，垂直堆疊納米薄片晶體管被認為是下一代設備，可以更有效地利用設備佔用空間。另一個關鍵的除垢助推器是埋地動力軌(BPR)。埋在晶元的FEOL而不是BEOL，這些BPR將釋放互連資源路由。
將納米片縮放到2nm一代將受到n-to-p空間約束的限制。Imec設想將Forksheet作為下一代設備。通過用電介質牆定義n- p空間，軌道高度可以進一步縮放。與傳統的HVH設計相反，另一個有助於提高路由效率的標准單元架構發展是針對金屬線路的垂直-水平-垂直(VHV)設計。最終通過互補場效應晶體管(CFET)將標准cell縮小到4T，之後充分利用cell層面上的第三維度，互補場效應晶體管通過將n-場效應晶體管與p-場效應晶體管折疊。
趨勢2: 在固定功率下，邏輯性能的提高會慢下來
有了上述的創新，我們期望晶體管密度能遵循摩爾所規劃的路徑。但是在固定電源下，節點到節點的性能改進——被稱Dennard縮放比例定律，Dennard縮放比例定律（Dennard scaling）表明，隨著晶體管變得越來越小，它們的功率密度保持不變，因此功率的使用與面積成比例；電壓和電流的規模與長度成比例。
世界各地的研究人員都在尋找方法來彌補這種減速，並進一步提高晶元性能。上述埋地電力軌道預計將提供一個性能提高在系統水平由於改進的電力分配。此外，imec還著眼於在納米片和叉片裝置中加入應力，以及提高中線的接觸電阻(MOL)。
二維材料如二硫化鎢(WS2)在通道中有望提高性能，因為它們比Si或SiGe具有更強的柵長伸縮能力。其中基於2d的設備架構包括多個堆疊的薄片非常有前景，每個薄片被一個柵極堆疊包圍並從側面接觸。模擬表明，這些器件在1nm節點或更大節點上比納米片的性能更好。為了進一步改善這些器件的驅動電流，我們著重改善通道生長質量，在這些新材料中加入摻雜劑和提高接觸電阻。我們試圖通過將物理特性(如生長質量)與電氣特性相關聯來加快這些設備的學習周期。
除了FEOL, 走線擁擠和BEOL RC延遲，這些已經成為性能改善的重要瓶頸。為了提高通徑電阻，我們正在研究使用Ru或Mo的混合金屬化。我們預計半鑲嵌(semi-damascene)金屬化模塊可同時改善緊密距金屬層的電阻和電容。半鑲嵌(semi-damascene) 可通過直接模式和使用氣隙作為介電在線路之間(控制電容增加)
允許我們增加寬高比的金屬線(以降低電阻)。同時，我們篩選了各種替代導體，如二元合金，它作為『good old』 Cu的替代品，以進一步降低線路電阻。
趨勢3:3D技術使更多的異構集成成為可能
在工業領域，通過利用2.5D或3D連接的異構集成來構建系統。這些有助於解決內存問題，可在受形狀因素限制的系統中添加功能，或提高大型晶元系統的產量。隨著邏輯PPAC(性能-區域-成本)的放緩，SoC 的智能功能分區可以提供另一個縮放旋鈕。一個典型的例子是高帶寬內存棧(HBM)，它由堆疊的DRAM晶元組成，這些晶元通過短的interposer鏈路直接連接到處理器晶元，例如GPU或CPU。最典型的案例是Intel Lakefield CPU上的模對模堆疊， AMD 7nm Epyc CPU。在未來，我們希望看到更多這樣的異構SOC，它是提高晶元性能的最佳橋梁。
在imec，我們通過利用我們在不同領域(如邏輯、內存、3D…)所進行的創新，在SoC級別帶來了一些好處。為了將技術與系統級別性能聯系起來，我們建立了一個名為S-EAT的框架(用於實現高級技術的系統基準測試)。這個框架可評估特定技術對系統級性能的影響。例如:我們能從緩存層次結構較低級別的片上內存的3D分區中獲益嗎?如果SRAM被磁存儲器(MRAM)取代，在系統級會發生什麼?
為了能夠在緩存層次結構的這些更深層次上進行分區，我們需要一種高密度的晶片到晶片的堆疊技術。我們已經開發了700nm間距的晶圓-晶圓混合鍵合，相信在不久的將來，鍵合技術的進步將使500nm間距的鍵合成為可能。
通過3D集成技術實現異質集成。我們已經開發了一種基於sn的微突起互連方法，互連間距降低到7µm。這種高密度連接充分利用了透硅通孔技術的潛力，使>16x更高的三維互聯密度在模具之間或模具與硅插接器之間成為可能。這樣就大大降低了對HBM I/O介面的SoC區域需求(從6 mm2降至1 mm2)，並可能將HBM內存棧的互連長度縮短至多1 mm。使用混合銅鍵合也可以將模具直接與硅結合。我們正在開發3µm間距的模具到晶圓的混合鍵合，它具有高公差和放置精度。
由於SoC變得越來越異質化，一個晶元上的不同功能(邏輯、內存、I/O介面、模擬…)不需要來自單一的CMOS技術。對不同的子系統採用不同的工藝技術來優化設計成本和產量可能更有利。這種演變也可以滿足更多晶元的多樣化和定製化需求。
趨勢4:NAND和DRAM被推到極限;非易失性存儲器正在興起
內存晶元市場預測顯示，2020年內存將與2019年持平——這一變化可能部分與COVID-19減緩有關。2021年後，這個市場有望再次開始增長。新興非易失性存儲器市場預計將以>50%的復合年增長率增長，主要受嵌入式磁隨機存取存儲器(MRAM)和獨立相變存儲器(PCM)的需求推動。
NAND存儲將繼續遞增，在未來幾年內可能不會出現顛覆性架構變化。當今最先進的NAND產品具有128層存儲能力。由於晶片之間的結合，可能會產生更多的層，從而使3D擴展繼續下去。Imec通過開發像釕這樣的低電阻字線金屬，研究備用存儲介質堆，提高通道電流，並確定控制壓力的方法來實現這一路線圖。我們還專注於用更先進的FinFET器件取代NAND外圍的平面邏輯晶體管。我們正在 探索 3D FeFET與新型纖鋅礦材料，作為3D NAND替代高端存儲應用。作為傳統3D NAND的替代品，我們正在評估新型存儲器的可行性。
對於DRAM，單元縮放速度減慢，EUV光刻可能需要改進圖案。三星最近宣布EUV DRAM產品將用於10nm (1a)級。除了 探索 EUV光刻用於關鍵DRAM結構的模式，imec還為真正的3D DRAM解決方案提供了構建模塊。
在嵌入式內存領域，我通過大量的努力來理解並最終拆除所謂的內存牆，CPU從DRAM或基於SRAM的緩存中訪問數據的速度有多快?如何確保多個CPU核心訪問共享緩存時的緩存一致性?限制速度的瓶頸是什麼? 我們正在研究各種各樣的磁隨機存取存儲器(MRAM)，包括自旋轉移轉矩(STT)-MRAM，自旋軌道轉矩(SOT)-MRAM和電壓控制磁各向異性(VCMA)-MRAM)，以潛在地取代一些傳統的基於SRAM的L1、L2和L3緩存(圖4)。每一種MRAM存儲器都有其自身的優點和挑戰，並可能通過提高速度、功耗和/或內存密度來幫助我們克服內存瓶頸。為了進一步提高密度，我們還在積極研究可與磁隧道結相結合的選擇器，這些是MRAM的核心。
趨勢5:邊緣人工智慧晶元行業崛起
邊緣 AI預計在未來五年內將實現100%的增長。與基於雲的人工智慧不同，推理功能是嵌入在位於網路邊緣的物聯網端點(如手機和智能揚聲器)上的。物聯網設備與一個相對靠近邊緣伺服器進行無線通信。該伺服器決定將哪些數據發送到雲伺服器(通常是時間敏感性較低的任務所需的數據，如重新培訓)，以及在邊緣伺服器上處理哪些數據。
與基於雲的AI(數據需要從端點到雲伺服器來回移動)相比，邊緣 AI更容易解決隱私問題。它還提供了響應速度和減少雲伺服器工作負載的優點。想像一下，一輛需要基於人工智慧做出決定的自動 汽車 。由於需要非常迅速地做出決策，系統不能等待數據傳輸到伺服器並返回。考慮到通常由電池供電的物聯網設備施加的功率限制，這些物聯網設備中的推理引擎也需要非常節能。
今天，商業上可用的邊緣 AI晶元，加上快速GPU或ASIC，可達到1-100 Tops/W運算效率。對於物聯網的實現，將需要更高的效率。Imec的目標是證明推理效率在10.000個Tops /W。
通過研究模擬內存計算架構，我們正在開發一種不同的方法。這種方法打破了傳統的馮·諾伊曼計算模式，基於從內存發送數據到CPU(或GPU)進行計算。使用模擬內存計算，節省了來回移動數據的大量能量。2019年，我們演示了基於SRAM的模擬內存計算單元(內置22nm FD-SOI技術)，實現了1000Tops/W的效率。為了進一步提高到10.000Tops/W，我們正在研究非易失性存儲器，如SOT-MRAM, FeFET和基於IGZO（銦鎵鋅氧化物）的存儲器。
Ⅵ SLC，MLC和TLC三者的區別
一、存儲技術不同
1、SLC：單層單元存儲技術。
2、MLC：多層單元存儲技術。
3、TLC：三層單元存儲技術。
二、特點不同
1、SLC：在每個單元中存儲一個Bit，這種設計提高了耐久性、准確性和性能。
2、MLC：架構可以為每個單元存儲2個Bit。
3、TLC：用於性能和耐久性要求相對較低的消費級電子產品。
三、用處不同
1、SLC：對於企業的關鍵應用程序和存儲服務，SLC是首選的快閃記憶體技術。它的價格最高。
2、MLC：存儲多個Bit似乎能夠很好地利用空間，在相同空間內獲得更大容量，但它的代價是使用壽命降低，可靠性降低。
3、TLC：適合於包含大量讀取操作的應用程序，基於TLC的存儲組件很少在業務環境中使用。
Ⅶ 簡述儲存設備的發展趨勢
市場由國外企業壟斷，國內廠商奮力追趕
存儲晶元是一個高度壟斷的市場，三星、SK海力士、美光，合計占據全球DRAM市場95%左右的份額，NAND
Flash經過幾十年的發展，已經形成了由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩定市場格局。
從中國存儲晶元行業競爭格局來看，市場主要由國外存儲晶元巨頭領導，細分領域也落後於國外及台灣廠商(如NOR
Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內廠商奮力追趕，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距。
其中，兆易創新位列NOR
Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM晶元領域市佔率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲晶元，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術。值得注意的是，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創新集團同時握有中國NOR
Flash與DRAM的自主研發能力，扮演中國半導體發展的重要角色。
——更多數據來請參考前瞻產業研究院《中國存儲晶元行業市場需求與投資前景預測》。
Ⅷ 皮膚生理學一一顆粒層
在前幾篇的文章當中，有分享過皮膚生理學的由外向內分為幾層，也分析了角質層的一些作用。本章內容將顆粒層進行分析
顆粒層是表皮層中的第三層。由3-5層扁平細胞組成，這宴螞廳一層的表皮層包含的細胞看起來像顆粒，而且充滿了角蛋白。
顆粒層可以綜合酸性物質，其中蘭格罕細胞能夠分泌免疫物質，含有晶樣角素，可以曲折陽光，阻擋陽光中的紫外線。晌隱同時顆粒層也有再生的作用。
當顆粒層的吸收、折射、反射、分散、過濾紫外線功能下降，紫外線直接激活黑色素母細胞，產生大量黑色素細胞，隨著新細胞新陳代謝不斷向上推移，色素沉積斑的產生。
之前在資料上查閱一組數據。當顆粒層細胞受損30%時，皮膚會出現暗啞無光；受損物沖50%時，皮膚會出現暗沉；受損70%時，皮膚會出現晦暗，色素堆積；受損90%時，皮膚會出現較深的色斑沉積；
通過此數據，更加清晰顆粒層受損的程度直接影響了健康的皮膚的一些特徵。保護顆粒層，不再受外界刺激，也不在去破壞顆粒層。
不用刺激性護膚品
不亂用葯膏擦臉
不經常去角質
要安全
要營養
注意護膚手法
Ⅸ 揭秘：為什麼手機「存儲容量」最大隻有256GB
現在的智能手機存儲容量越做越大，很早之前，手機能有個8GB、16GB都稱得上頂配，隨著科技的進步，軟體的更新速度不斷加快，手機功能越來越多，用戶對存儲容量的需求量也越來越高。特別是近幾年，手機ROM更是到了瘋狂的256GB(像iPhone
7
Plus、ZenFone
3尊爵、ZenFone
2
Deluxe)。雖然不確定未來會不會有更高的規格，但是很明顯的是256GB會持續很長一段時間。為啥會這樣呢？
一、智能手機為何最大ROM只有256GB？
成本受限
大家都知道容量越大，成本越高。而大部分成本取決於存儲介質(存儲顆粒)，相同容量的情況下，SLC的價格要明顯高於MLC和TLC，雖然容量的提升反映在成本的具體數字上可能僅為幾百一千。但考慮到手機要大規模生產，聚沙成塔這成語相信大家都懂。
TLC=Trinary-Level
Cell，即3bit
per
cell，該類晶元傳輸速度較慢，壽命短，生產成本低。MLC=Multi-Level
Cell，即2bit
per
cell，該類晶元傳輸速度一般，壽命一般。至於SLC=Single-Level
Cell，即1bit
per
cell，這類晶元幾乎只出現在企業級SSD上，成本較高，當然速度和壽命也是三者中最出色的。
存儲顆粒的三種類型
顆粒規格的限制
比較出名的三星、鎂光、現代、東芝這些上游存儲顆粒供應廠商，其顆粒規格現時尚未突破256GB。由於手機不像電腦那樣體積龐大，供應商們通常只能把一顆存儲顆粒裝在小小的手機內，因此手機容量就取決於這顆存儲顆粒的規格。
iPhone
7
nand
flash晶元
手機內部空間限制
手機內部空間寸金尺土，目前還無法做到兩顆存儲顆粒共存，早期的解決方案是插入手機內存卡（TF卡），不過為了輕薄化與傳輸速度，很多手機都取消了拓展內存卡的功能。但慶幸的是如今手機內置容量都比較大，正常用個2~3年不成問題。
TF內存卡
手機更換周期縮短
現在的智能機更新換代速度非常快，一年一換甚至一年兩換的大有人在。之前中央電視台的《東方時空》欄目曾經做過調查，結果表示「52%手機用戶平均一年以內換一部手機」。因此對於消費者來說，夠用就好，太大也用不完。而廠商更是緊貼著用戶的需求進行設計/生產。
大環境下雲存儲的發展
隨著科技進步，網速也越來越快，而現在的4G也逐漸取代了之前的3G，未來的5G也呼之欲出，網速的不斷提升就衍生了一個新的名詞——雲存儲。作為新興的存儲技術，與傳統的購買存儲設備和部署存儲軟體相比，雲存儲有著成本低、見效快、便於管理、方式靈活等優點，在保證數據安全的情況下，很多用戶更願意把數據存在雲端，所以並不需要太多的本地存儲空間。
雲存儲
二、未來發展新趨勢:3D
NAND
什麼是3D
NAND？
3D
NAND的概念其實不難理解：其原理簡單說來就是「堆疊」，目前由英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這么一來，一個MLC的快閃記憶體晶元上就可以增加最高32GB的存儲空間，如果是單個TLC快閃記憶體晶元則可增加48GB。就目前來說3D
NAND快閃記憶體屬於一種新興的快閃記憶體類型，通過把存儲顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND快閃記憶體帶來的限制。
3D
NAND
3D
NAND技術的優點
3D
NAND的亮點在於它採用的是立體、垂直堆疊的方式來提高單顆粒中包含晶元的數量，堆疊層數的提高最終會帶來容量的成倍提升，極大的提高產品的使用壽命；3D
NAND可以提供更高的指令運行效率，使產品的運行性能得以提升；簡化了編程階段，有效減少了產品待機和工作時的能耗。
3D
NAND
目前，三星、SK
Hynix、東芝/閃迪、Intel/鎂光這幾大NAND豪門都已經涉足3D
NAND快閃記憶體了，而武漢新芯科技主導的國家級存儲器產業基地，更是國內首家新建的12寸晶圓廠，投產後直接生產3D
NAND快閃記憶體，可以說未來3D
NAND就是突破移動設備ROM容量的必備技術。
總結：
科技在進步，我們永遠無法預知未來，未來的手機又會發展成啥樣呢？目前，小編還是建議大家購買64GB、128GB的手機更為合適，夠用就好。考慮到用戶需求的問題，相信之後很長一段時間也不會出超過256GB存儲規格的手機。
Ⅹ 打破美日壟斷晶元國產化再獲新突破：128層快閃記憶體晶元進入量產
長期以來，全球的存儲晶元市場份額基本集中在韓國、日本、美國等國家的晶元企業手中，我國在這方面雖然起步比較晚，但是進步速度快，我國存儲晶元「三劍客」之一長江存儲僅僅花了4年時間，就完成了32層3D NAND快閃記憶體晶元到128層3D NAND快閃記憶體晶元的研發。近日，我國在快閃記憶體晶元和固態硬碟領域傳來好消息。
據媒體周四（7月29日）最新報道，國內存儲產品代工企業「嘉合勁威」宣布， 該司旗下 品 牌阿斯加特發布新品AN4 PCle4.0 SSD快閃記憶體顆粒 ，該硬碟 採用的是長江存儲研發的128層3D TLC NAND， 主要的實行方案同樣來自於中企英韌 科技 。
快閃記憶體晶元和SSD固態硬碟之間有什麼樣的聯系呢？NAND快閃記憶體晶元被廣泛採用到SSD固態硬碟、智能手機、平板電腦等電子設備中， 數據統計顯示，2019年，SDD固態硬碟對NAND快閃記憶體晶元的需求佔比達49.6%，此外，2021年，預計SSD固態硬碟全球的出貨量高達3.3億台。 隨著SSD固態硬碟的市場規模越來大，也加速拉動了NAND快閃記憶體晶元的市場需求量。
值得一提的是，雖然，當前硬碟市場仍以PCIe 3.0 SSD為主流，但是技術進步是發展趨勢，隨著更多的高端產品的流出，PCIe 4.0 SSD的呼聲也越來越高，三星、西部數據等快閃記憶體晶元巨頭都推出了PCIe 4.0 SSD固態硬碟。 因此，AN4 PCle4.0 SSD的出現不僅能夠填補我國國產高端 PCle4.0 SSD固態硬碟領域的長期空白， 同時也象徵著我國國產SSD固態硬碟成功邁進高端市場。
另外，有業內人士分析認為，阿斯加特此次發布的新品， 意味著長江存儲研發的128層快閃記憶體晶元已經進入量產階段。由此，該司正式進階到100層以上的高端快閃記憶體晶元賽道，未來有望在快閃記憶體晶元市場上獲得更多的市場份額。
此次，阿斯加特與長江存儲的強強合作，又為我國高端技術突破增添了「功勛章」，成功把我國國產NAND快閃記憶體晶元和SSD固態硬碟推向高端市場。
文 | 張建琳 題 |曾雲梓 圖 | 盧文祥 審 | 呂佳敏