1. 固態硬碟啟動失敗
方法/步驟
檢查BIOS設置
如果bios里關於固態硬碟的設置不正確，用GHOST的方式安裝系統後，也會造成無法從固態硬碟啟動。
1）開機後根據不同機型按del鍵或按F2或F10或F12，進入BIOS設置。
2）找到固態硬碟的設置項，通常是devices菜單下的ata drive setup項。
3）設置固態硬碟開啟為enable。
4）在startup菜單boot設置中設置固態硬碟為第一啟動盤。
5）按F10保存設置並重新啟動電腦。
在使用分區軟體檢查時，切忌不要隨意對硬碟進行重新分區，會造成硬碟數據丟失。
注意事項
2. 電腦開機cpu和dram燈來回閃怎麼搞電腦黑屏
解決辦法如下：
1）關閉總電源，將主板上面的bios電池取下來，放置一會再接回去。
2）主板上面只保留一顆cpu（包括風扇），一條內存，一張顯卡，接電源和顯示器開機試試宏吵叢能否啟動。
3）若可以，在將周邊設備一個一個加上去，看看加裝哪一個設蔽櫻備導致此問題。
4）若還是不能開機，你手上有其他平台，可以將顯卡，內存拿過去交叉測試一下。再不行就將主板帶至服務中心檢測維修。造成這種情況的原因主要是計算機在啟動時讀取內存讀取失敗，因此導致計算機無法啟動。如果還有其他問題就只能去咨詢專業的維修人員了。開不了機是與您關機前的不當操作有關系吧？比如：玩游戲、看視頻、操作大的東西、使用電腦時間長造成的卡引起的吧？或下載了不合適的東西、或刪除了系統文件、或斷電關機等，故障不會無緣無故的發生吧？
確實不可以碰李就重裝系統吧，如果自己重裝不了，到維修那裡找維修的人幫助您。如果用什麼方法都開不了機，這是突然關機，造成了磁碟受損引起的，一個是扣出主板電池放一下電，一個是放一段時間在開機試試，還是不可以就修修去吧。
一個是放半天或一天有時會自己恢復，另一個就是重裝系統了。
3. PC中的問題
內存方面的東西，自己看吧
AGP(Accelerated Graphics Port) －圖形加速介面
Intel開胡絕發的用於提高圖形處理速度的介面。它可以讓圖形的數據流直接在顯卡主控晶元和內存之間通信，不必經過顯存。
Access Time－存取時間
RAM 完成一次數據存取所用的平均時間（以納秒為單位）。存取時間等於地址設置時間加延遲時間（初始化數據請求的時間和訪問准備時間）。
Address-地址
就是內存每個位元組的編號。目的是按照該編號准確地到該編號的內存去存取數據。
ANSI (American National Standards Institute)
美國國家標准協會 - 一個專門開發非官方標準的非贏利機構，其目的在於提高美國工業企業的生產率和國際競爭力。
ASCII （American Standard Code for Information Interchange）
美國信息互換標准晌枝代碼--將文本編碼為二進制數的一種方法。 ASCII 編碼體系採用了8位二進制數的256種組合，來映射鍵盤的所有按鍵。用於數據處理系統，數據通訊系統及相應設備中進行信息交換。ASCII字元集由控制字元和圖形字元組成。
Async SRAM-非同步靜態內存
一種較為陳舊的SRAM，通常用來做電腦上的Level 2 Cache。
BSB (Backside Bus)
後端匯流排- CPU 和 L2 cache 之間的數據通道。
Bandwidth－帶寬
1、 傳輸數據信息的能力。信息交換的形式多種多樣，可以通過但根電線，也可以通過匯流排或信道的並行線。一言以蔽之，就是單位時間內數據的移動量，通常用位/ 秒、位元組/秒或赫茲（周/秒）表示。
2、 內存的數據帶寬：一般指內存一次能處理的數據寬度，也就是一次能處理若干位的數據。30線內存條的數據帶寬是8位，72線為32位，168線可達到64位。
Bank （參照memory bank）－內存庫
在內存行業里，Bank至少有三種意思，所以一定要注意。
1、 在SDRAM內存模組上，"bank 數"表示該內存的物理存儲體的數量。（等同於"行"/Row）
2、 Bank還表示一個SDRAM設備內部的邏輯存儲庫的數量。（現在通常是4個bank）。
3、 它還表示DIMM 或 SIMM連接插槽或插槽組，例如bank 1 或 bank A。這里的BANK是內存插槽的計算單位（也叫內存庫），它是電腦系統與內存之間數據匯流排的基本工作單位。只有插滿一個BANK，電腦才可以正常開機。舉個例子，奔騰系列的主板上，1個168線槽為一個BANK，而2個72線槽才能構成一個BANK，所以72線內存必須成對上。原因是，168線內存的數據寬度是64位，而72線內存是32位的。主板上的BANK編號從BANK0開始，必須插滿BANK0才能開機，BANK1以後的插槽留給日後升級擴充內存用，稱做內存擴充槽。
Bank Schema －存儲體規劃
一種圖解內存配置的方法。存儲體規劃由若干用來表示電腦主板上的內存插槽的行或列組成。行表示獨立的插槽；列代表bank數。
Base Rambus －初級的Rambus內存
第一代的Rambus內存技術，1995年面市。
Baud －波特
1、 表示通訊速率的一種單位，等於每秒傳輸一個碼元。
2、 在非同步傳輸中，表示調制速率的一種單位，相當於每秒一個單位間隔。
BGA (Ball Grid Array)－球狀引腳柵格陣列封裝技術
這是最近幾年開始流行的高密度表面裝配封裝技術。在封裝的底部，引腳都成球狀並排列成一個類似於格子的圖案，由此命名為BGA。目前的主板控制晶元組多採用此類封裝技術，材料多為陶瓷。
Binary －二進制
把數字或信息表示為若干bit的一種編碼規則。二進制（也叫base 2）中，所有數字都是由1和0這兩個數字的組合來表示。
BIOS (Basic Input-Output System) －基本輸入/輸出系統
啟動時自動載入的例行程序，用來為計算機褲謹姿的各種操作做准備。
Bit－位、比特
計算機所能處理信息的最小單位。因為是二進制，所以一個bit的值不是1就是0。
BLP－底部引出塑封技術
新一代內存晶元封裝技術，其晶元面積與封裝面積之比大於1：1.1，符合CSP封裝規范。此類內存晶元不但高度和面積小，而且電氣特性也得到了提高。
Buffer－緩沖區
一個用於存儲速度不同步的設備或優先順序不同的設備之間傳輸數據的區域。通過緩沖區，可以使進程之間的相互等待變少，從而使從速度慢的設備讀入數據時，速度快的設備的操作進程不發生間斷。
Buffered Memory－帶緩沖的內存
帶有緩存的內存條。緩存能夠二次推動信號穿過內存晶元，而且使內存條上能夠放置更多的內存晶元。帶緩存的內存條和不帶緩存的內存條不能混用。電腦的內存控制器結構，決定了該電腦上帶緩存的內存還是上不帶緩存的內存。
BEDO (Burst EDO RAM) －突發模式EDO隨機存儲器
BEDO內存能在一個脈沖下處理四個內存地址。形象地說，它一次可以傳輸一批數據。匯流排的速度范圍從50MHz 到 66MHz (與此相比，EDO內存速度是33MHz，FPM內存的速度是25MHz)。
Burst Mode－突發模式
當處理器向一個獨立的地址發出數據請求時，引發的數據區塊（連續的一系列地址）高速傳輸現象
Bus－匯流排
計算機的數據通道，由各種各樣的並行電線組成。CPU、內存、各種輸入輸出設備都是通過匯流排連接的。
Bus Cycle－匯流排周期
主存和CPU之間的一次數據交流。
Byte－位元組
信息量的單位，每八位構成一個位元組。位元組是一個用於衡量電腦處理信息量的常用的基本單位；幾乎電腦性能和技術規格的各個方面都用位元組數或其若干倍數來衡量（例如KB，MB）。
Cacheability－高速緩存能力
主板晶元組的高速緩存能力，是指主存能夠被L2 Cache所高速緩存的最大值。比方說，TX晶元組的主板由於L2 Cache對主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以當CPU讀取64MB之後的內存時無法使用高速緩存，系統性能就無法提高了。
Cache Memory－高速緩存存儲器
也叫cache RAM，在CPU旁邊或附帶在CPU上的一小塊高速內存(一般少於 1M聯系著CPU和系統內存。Cache memory 為處理器提供最常用的數據和指令。Level 1 cache也叫主高速緩存 (primary cache)， 是離CPU最近的高速緩存，容量只有8KB~6KB，但速度相當快。Level 2 cache 也叫次高速緩存(secondary cache)，是離CPU第二近的高速緩存，通常焊接在主板上，容量一般為64KB~1MB，速度稍慢。
CAS (Column Address Strobe)－列地址選通脈沖
在內存的定址中，鎖定數據地址需要提供行地址和列地址，行地址的選通由RAS控制，列地址的選通由CAS決定。
CL（CAS Latency ）－列地址選通脈沖時間延遲
CL反應時間是衡定內存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令後的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內存標准中，這個數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對於內存廠商的晶元及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是一個不可不察的因素。
CDRAM （Cache DRAM）－快取動態隨機存儲器
同EDRAM（Enhanced DRAM）
Checksum－檢驗和，校驗和
在數據處理和數據通信領域中，用於校驗目的的一組數據項的和。這些數據項可以是數字或在計算檢驗和過程中看作數字的其它字元串。
參考Parity（校驗）
Chipset－晶元組
把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽連接到CPU的外部控制邏輯電路，通常是兩個或兩個以上的微晶元，故稱做晶元組。晶元組通常由幾個控制器構成，這些控制器能夠控制信息流在處理器和其他構件之間的流動方式。
Chip-Scale Package (CSP)－晶元級封裝
薄晶元封裝，其電路連接通常是採用BGA（球狀引腳格狀陣列）。這種封裝形式一般用於RDRAM（匯流排式動態內存）和 flash memory（快閃記憶體）。
Compact Flash－緊湊式快閃記憶體
一種結構輕小的存儲器，用於可拆卸的存儲卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作電壓低，掉電後數據不丟失。應用范圍包括：數碼相機、行動電話、列印機、掌上電腦、尋呼機，以及錄音設備。
Concurrent Rambus－並發式匯流排式內存
Rambus內存的第二代技術產品。Concurrent Rambus內存一般用於圖形工作站、數碼電視、視頻游戲機。
Continuity RIMM (C-RIMM)－連續性匯流排式內存模組
一種不帶內存晶元的直接匯流排式內存模組（Direct Rambus）。C-RIMM 為信號提供了一個連續的通道。在直接匯流排式內存系統中，開放的連接器必須安裝C-RIMM。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomctor）－互補金屬氧化物半導體
用於晶體管的一種半導體技術，結合了N型與P型晶體管的優勢，現在主要用於電腦晶元，如存儲器、 處理器等。
CPU (Central Processing Unit)－中央處理單元
計算機晶元的一種，其主要職能是解釋命令和運行程序。CPU也叫處理器（processor）或微處理器（microprocessor）。
Credit Card Memory －信用卡內存
主要用於膝上型電腦和筆記本電腦的一種內存。其外型尺寸猶如一個信用卡，因此而得名。
CSRAM
同Pentium II Xeron匹配的一種高速緩存，容量為512KB。
DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 雙數據輸出同步動態存儲器。
DDR SDRAM 從理論上來講，可以把RAM的速度提升一倍，它在時鍾的上升沿和下降沿都可以讀出數據。
Desktop－台式機，桌上型電腦
Die－模子，晶元顆粒
DIME （Direct Memory Execution）
直接內存執行功能
DIMM（Dual-In line Memory Mole）－雙邊接觸內存模組
形象的說：內存條正反兩面金手指是不導通的，如常見的有100線、168線、200線內存（long Dimm）和72線、144線（SO-Dimm）。DIMM一般有64位帶寬，並且正反面相同位置的引腳不同；而SIMM一般只有32位帶寬，需要兩條兩條同時使用，一般通過72線金手指與主板相連。
Direct Rambus－直接匯流排式隨機存儲器
Rambus 技術的第三代產品，它為高性能的PC機提供了一種全新的DRAM 結構。現在的SDRAM在64-bit的寬頻匯流排上速度只有100MHz；與此相對照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其數據傳輸速度可高達800MHz 。
DIP (Dual In-line Package)－雙列直插式封裝，雙入線封裝
DRAM 的一種元件封裝形式。DIP封裝的晶元可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷電路板的小孔上。在內存顆粒直接插在主板上的時代，DIP 封裝形式曾經十分流行。 DIP還有一種派生方式SDIP（Shrink DIP,緊縮雙入線封裝），它比DIP的針腳密度要高6六倍。
Direct RDRAM－直接匯流排式動態隨機存儲器
該設備的控制線和數據線分開，帶有16位介面、帶寬高達800 MHz，效率大於90% 。一條Direct RDRAM 使用兩個8-bit 通道、工作電壓2.5V ，數據傳輸率可達到1.6 GBps 。 它採用一個分離的8位匯流排（用於地址和控制信號），並拓寬了8到16位或9到18位數據通道，時鍾達到400 MHz ，從而在每個針（pin）800Mbps的情況下（共計1.6 GBS）使可用數據帶寬最大化。
DMA （Direct Memory Access）－直接內存存取
通常情況下，硬碟光碟機等設備和內存之間的數據傳輸是由CPU來控制的。但在DMA模式下，CPU只須向DMA控制器下達指令，讓DMA控制器來處理數的傳送，數據傳送完畢再把信息反饋給CPU。這樣，CPU的負擔減輕了，數據傳輸的效率也有所提高。
DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－動態隨機存儲器
最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM 必須隔一段時間刷新（refresh）一次。如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。
Dual Independent Bus (DI－雙重獨立匯流排
英特爾開發的一種匯流排結構，因為它通過兩個分開的匯流排（前端匯流排和後端匯流排）訪問處理器，所以DIB能提供更大的帶寬。奔騰II電腦就有DIB匯流排。
ECC（Error Correcting Code）－錯誤更正碼，糾錯碼
ECC是用來檢驗存儲在DRAM中的整體數據的一種電子方式。ECC在設計上比parity更精巧，它不僅能檢測出多位數據錯誤，同時還可以指定出錯的數位並改正。通常ECC每個位元組使用3個Bit來糾錯，而parity只使用一個Bit。
ECC另有一種解釋是Error Checking & Correction ,既錯誤檢查與更正。
帶ECC的內存比普通SDRAM內存多1、2個晶元，價格很昂貴，一般用在工作站或伺服器上。
EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－擴展數據輸出動態存儲器
有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的讀取方式取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，從而提高了工作效率（約比傳統的DRAM快15~30%）。
EDO內存一般為72線（SIMM），也有168線（DIMM），後者多用於蘋果公司的Macintosh電腦上。
EDRAM (Enhanced DRAM)－增強型動態隨機存儲器
動態隨機存儲器的一種，內部集成2 或 8 Kbit靜態隨機存儲器（SRAM，Static Random Access Memmory），用於緩存讀取過的信息。如果下次讀取的數據在SRAM內，則直接輸出以加快讀取速度，否則再到DRAM內尋找。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用（Plug & Play）介面卡中，用來存放硬體設置數據；防止軟體非法拷貝的"硬體鎖"上面也能找到它。
EISA (Extended ISA)－擴展工業標准結構
將附加卡（例如視頻卡、內置式MODEM等）連接到PC機主板的一種匯流排標准。EISA有一個32位的數據通道，使用能夠接受ISA卡的連接器。不過，EISA卡只能與EISA系統匹配。EISA匯流排的操作頻率比ISA高得多，並且能夠提供比ISA快得多的數據吞吐率。
EMI （Electron-Magnetic Interference）－電磁干擾
任何產生電磁場的電子設備都會或多或少地產生雜訊場，干擾其附近的電子設備，這種現象就叫做電磁干擾。
EMS（Expanded Memory Specification）－擴充內存規范
這是由AST、Intel、微軟公司共同開發的一種能讓DOS突破640KB定址范圍的規范，可以讓DOS對640KB甚至1M之間的地址進行頁面式的訪問。需要有專用的驅動管理程序支持，如EMM386.EXE
EOS (ECC on SIMM)
IBM公司的一種數據完整性檢測技術，它的一個明顯特徵就是在SIMM（單邊接觸內存模組）上帶有檢測數據完整性的ECC（自動檢錯碼）晶元。
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可編程只讀存儲器
一種可以重復利用的可編程晶元。其內容始終不丟失，除非您用紫外線擦除它。一般給EPROM 編程或擦除內容時，需要用專用的設備。
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增強型同步動態內存
Enhanced Memory Systems, Inc 公司開發的一種SDRAM，帶有一個小型的靜態存儲器。在嵌入式系統中， ESDRAM代替了昂貴的SRAM （靜態隨機存儲器），其速度與SRAM相當，但成本和耗電量卻比後者低得多。
Even Parity－偶校驗
一種來檢測數據完整性的方法。與奇校驗相反，8個數據位與校驗位加起來有偶數個1。具體參考Odd Parity奇校驗。
FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期隨機存儲器
東芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在開發的一種內存技術。開發FCRAM 的目的不是用來做PC機的主存，而是用在某些特殊的設備：例如一些高端伺服器、列印機，還有一些遠程通訊的交換系統。
Fast-Page Mode－快速翻頁模式
一種比較老的DRAM。與比它還早的頁面模式內存技術相比，它的優勢是在訪問同一行的數據時速度比較快。
Firmware－固件，韌件
簡單地說，就是含有程序的存儲器，負責管理所附裝置的底層數據和資源。
Flash Memory－閃爍存儲器，快閃記憶體
閃爍存儲器在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息，但是數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位。區塊大小一般由256K到20MB。FLASH這個詞最初由東芝因為該晶元的瞬間清除能力而提出。源於EPROM，快閃記憶體晶元價格不高，存儲容量大。快閃記憶體正在成為EPROM的替代品，因為它們很容易被升級。快閃記憶體被用於PCMCIA卡，PCMCIA快閃記憶體檔，其它形式硬碟，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果快閃記憶體或其它相關的衍生技術能夠在一定的時間內清除一個位元組，那將導致永久性的（不易失）RAM的到來。
Form Factor－形態特徵
用來描述硬體的一些技術規格，例如尺寸、配置等。比方說，內存的形態特徵有：SIMM（單邊）, DIMM（雙邊）, RIMM（匯流排式）, 30線, 72線, and 168線。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻頁動態存儲器
一種改良型的DRAM，一般為30線或72線內存。
若CPU所需的地址在同一行內，在送出行地址後，就可以連續送出列地址，而不必再輸出行地址。一般來講，程序或數據在內存中排列的地址是連續的，那麼輸出行地址後連續輸出列地址，就可以得到所需數據。這和以前DRAM存取方式相比要先進一些（必須送出行地址、列地址才可讀寫數據）。
FSB (Frontside Bus)-前端匯流排
在CPU和內存之間的數據通道。
Gigabyte /GB－吉(咖)位元組
約為10億位元組，准確的數值為1,0243 (1,073,741,824) 位元組。
Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位
約為10億位，准確的數值為1,0243 (1,073,741,824) bit。
Heat Spreader－散熱片
覆蓋在電子設備上的用於散熱的外殼，多為鋁製品。
Heat Sink－散熱片
CPU上常用的散熱部件，一般為鋅合金製造。
HY （Hyundai）－韓國現代電子公司
Hyper Page Mode DRAM
同EDO DRAM
IC (Integrated Circuit)－集成電路
半導體晶元上的電路（有時也被稱為晶元或微晶元）由成千上萬個微小電阻、電容、晶體管組成。半導體晶元通常封裝在塑料或者陶瓷的外殼中，導線引腳露在外面。
特殊的IC 根據其作用可以分為線性晶元和數字晶元。
主要的內存IC廠商代號：
代 號
廠商英文名
廠商中文名
代 號
廠商英文名
廠商中文名
KM
SamSung
三星
TC
Toshiba
東芝
LH
Sharp
夏普
MN
Panasonic
松下
HM
Hitachi
日立
HY
Hyundai
現代
M5M
Mitsubishi
三菱
GM
LG_Semicon
金星
MCM
Motorola
摩托羅拉
MSM
OKI
沖電子
MT
Micron
邁克龍
MB
Fujitsu
富士通
TMS
TI
德州儀器
AAA
NMB
1
uPD
NEC
日電
2
3
4
Interleaving －交叉存取技術
加快內存速度的一種技術。舉例來說，將存儲體的奇數地址和偶數地址部分分開，這樣當前位元組被刷新時，可以不影響下一個位元組的訪問。
IT (Information Technology)－信息技術
IT行業，指與計算機、網路和通信相關的技術。
JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council）
電子元件工業聯合會。JEDEC是由生產廠商們制定的國際性協議，主要為計算機內存制定。工業標準的內存通常指的是符合JEDEC標準的一組內存。
Kilobit －千位
約為一千位，准確數值是 210 (1,024) 位。
Kilobyte－千位元組
約為一千位元組，准確數值是 210 (1,024) 位元組。
KingHorse－香港駿一電子公司
香港駿一電子集團有限公司始創於一九九四年一月，公司草創初期主要從事電腦機箱、電源、顯示器、鍵盤、主機板等電腦配件在大陸的銷售業務。經過幾年的整合，香港駿一以Kinghorse為品牌，專業從事台式計算機、筆記本、伺服器、工作站以及計算機外圍設備特種內存產品的研發、生產、銷售，在香港及大陸均設有OEM廠家，並致力於中國信息產業的發展而努力。
Kingmax－勝創公司
成立於1989年的勝創科技有限公司是一家名列中國台灣省前200強的生產企業（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內存模組的引領生產廠商。除台灣省內的機構之外，勝創科技在全球四大洲擁有9個辦事處，公司在美國、中國、澳大利亞和荷蘭擁有超過390名員工。
Kingston－金仕頓科技公司
金仕頓科技公司是一家設計和生產用於PC機、伺服器、工作站、筆記本、路由器、列印機、和其他一些電子設備內存、處理器的公司。該公司於1987年由杜紀川和孫大衛先生創立，現在已經發展成產品超過2000種、年銷售額超過16億美圓的公司。
Latch－鎖存（數據）
鎖存器：電子學中的一種電路,可維持所承擔的位置或狀態,直到由外部手段將其復位到它前一種狀態。SRAM就是用鎖存器製作的。
L1 (Level 1 Cache) －一級高速緩存
也叫 primary cache，L1 Cache是在處理器上或離處理器最近的一小塊高速存儲器。 L1 Cache 為處理器提供最常用的數據和指令。
L2(Level 2 Cache)－二級高速緩存
也叫 secondary cache，L2 Cache 是離處理器較近（通常在主板上）的一小塊高速存儲器。L2 Cache為處理器提供最常用的數據和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升級。
LGS （Goldstar）－金星
主要內存生產廠家
Logic Board－主板
同 Motherboard。
Mask ROM
生產固件時，先製造一顆含有原始數據的ROM作為模板，然後大批生產內容完全相同的ROM。這種方法大批量生產的ROM就叫做Mask ROM
MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK動態內存
MDRAM是MoSys公司開發的一種VRAM（視頻內存），它把內存劃分為32KB的一個個BANK（存儲庫），這些BANK可以單獨訪問，每個儲存庫之間以高於外部的數據速度相互連接。其最大特色是具有"高性能、低價位"特性，最大傳輸率高達666MB/S，一般用於高速顯卡。
Megabit －兆位
約為一百萬位，准確數值是1,0242 (1,048,576)位。
Megabyte－兆位元組
約為一百萬位元組，准確數值是1,0242 (1,048,576)位元組。
Memory －存儲器，記憶體，內存
一般指電腦的RAM（random access memory）隨機存儲器，其主要用途是讀取程序和臨時保存數據；最為常見的內存晶元是DRAM。這一術語有時也用來指所有的用來存儲數據的電子設備。
Memory Bank－存儲體，〔記憶庫〕
由一些地址相鄰的存儲單元組成的一種存儲塊，其大小由所在的計算機決定。比方說，32位的CPU必須使用一次能提供32位信息的memory bank。一個bank可能由一個或多個內存模組構成。
Memory Bus－內存匯流排
從CPU到內存擴展槽的數據匯流排。
Memory Controller Hub (MCH)－內存控制中心
Intel 8xx（例如820或840）晶元組中用於控制AGP、CPU、內存（RDRAM）等組件工作的晶元。
Memory Translator Hub (MTH)－內存轉譯中心
一種內存介面，通過它可以使Intel 820晶元組的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM內存。
Micro BGA (μBGA)－縮微型球狀引腳柵格陣列封裝
Tessera, Inc. 公司開發的的一種BGA 晶元封裝技術，主要用於高頻工作的RDRAM。這種技術能把晶元尺寸做得更小，提高了散熱性，使內存條的數據密度增大了。
MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司
Motherboard－主板
也叫logic board、main board或 computer board，是計算機系統的主體部分。電腦的CPU、內存、輸入輸出介面和擴展槽等大部分硬體都安裝在主板上面。
Ms (millisecond) －毫秒
千分之一秒。
Multi-Way Interleaved
多重交錯式內存存取結構，巫毒卡2代所採取的一種技術。
Nanosecond (ns)－納秒,〔末秒,毫微秒〕
十億分之一（10-9）秒。 內存的數據存取時間以納秒為單位。
Nibble －半位元組, 四位位元組
Non-Composite
蘋果電腦的內存術語，表示一種採用了新技術的內存條。該內存條上的晶元顆粒很少，但數據密度卻非常高。Non-composite 內存條比 composite 內存條工作更可靠，但價格也相對很高。
Odd Parity－奇校驗
校核數據完整性的一種方法，一個位元組的8個數據位與校驗位（parity bit ）加起來之和有奇數個1。校驗線路在收到數後，通過發生器在校驗位填上0或1，以保證和是奇數個1。因此，校驗位是0時，數據位中應該有奇數個1；而校驗位是1時，數據位應該有偶數個1。如果讀取數據時發現與此規則不符，CPU會下令重新傳輸數據。
Page mode－頁面模式
現在該技術已經被淘汰。在頁面模式下，每次訪問DRAM的同一行的每一列時，都會十分迅速。（參考FPM）
Parity：（Even / Odd）－奇偶校驗
也叫Parity Check，在每個位元組（Byte）上加一個數據位（Data Bit）對數據進行檢查的一種冗餘校驗法。它是根據二進制位元組中的"0"或"1"的數目是奇數還是偶數來進行校驗的。在二進制位元組中增加了一個附加位，用來表示該位元組中的"0"或"1"的數目是奇數還是偶數。經過傳輸或存儲後，再計算一次校驗和（Checksum），如果與附加位一致，證明傳輸或存儲中沒有錯誤。
奇偶校驗位主要用來檢查其它8位（1 Byte）上的錯誤，但是它不象ECC（Error Correcting Code錯誤更正碼），parity只能檢查出錯誤而不能更正錯誤。奇偶校驗的致命弱點是檢查出錯誤後無法斷定錯在哪一位，容易死機，所以現在很少用了。取而代之的是ECC。
PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突發式靜態內存
屬於Level 2 Cache，多用於486後期及Pentium以上的主板。
PC100
JEDEC 和Intel制定的一種SDRA
4. 固態硬碟啟動失敗
掛兩塊是能進哪塊就進哪塊，進去後找一個啟動菜單恢復工具，吧兩個系統的啟動菜單都恢復到啟動菜單，在啟動菜單設置固態硬碟的那個系統的為第一啟動項，搞定。
固態硬碟（Solid State Disk或Solid State Drive，簡稱SSD），又稱固態驅動器，是用固態電子存儲晶元陣列製成的硬碟。
固態硬碟，因為台灣的英語里把固體電容稱為Solid而得名。SSD由控制單元和存儲單元（FLASH晶元、DRAM晶元）組成。
固態硬碟在介面的規范和定義、功能及使用方法上與普通硬碟的完全相同，在產品外形和尺寸上基本與普通硬碟一致（新興的U.2，M.2等形式的固態硬碟尺寸和外形與SATA機械硬碟完全不同）。
被廣泛應用於軍事、車載、工控、視頻監控、網路監控、網路終端、電力、醫療、航空、導航設備等諸多領域。
晶元的工作溫度范圍很大，商規產品（0~70℃）工規產品（-40~85℃）。雖然成本較高，但是正在普及至DIY市場。
由於固態硬碟的技術與傳統硬碟的技術不同，所以產生了不少新興的存儲器廠商。廠商只需購買NAND顆粒，再配適當的控制晶元，編寫主控制器代碼，就製造了固態硬碟。
新一代的固態硬碟普遍採用SATA-2介面、SATA-3介面、SAS介面、MSATA介面、PCI-E介面、M.2介面、CFast介面、SFF-8639介面和NVME/AHCI協議。 [1]
分類
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分類方式：
固態硬碟的存儲介質分為兩種，一種是採用快閃記憶體（FLASH晶元）作為存儲介質，另外一種是採用DRAM作為存儲介質。最新還有英特爾的XPoint顆粒技術。
基於快閃記憶體的固態硬碟：
基於快閃記憶體的固態硬碟（IDEFLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：採用FLASH晶元作為存儲介質，這也是通常所說的SSD。它的外觀可以被製作成多種模樣，例如：筆記本硬碟、微硬碟、存儲卡、U盤等樣式。這種SSD固態硬碟最大的優點就是可以移動，而且數據保護不受電源控制，能適應於各種環境，適合於個人用戶使用。壽命較長，根據不同的快閃記憶體介質有所不同。SLC快閃記憶體普遍達到上萬次的PE，MLC可達到3000次以上，TLC也達到了1000次左右，最新的QLC也能確保300次的壽命，普通用戶一年的寫入量不超過硬碟的50倍總尺寸，即便最廉價的QLC快閃記憶體，也能提供6年的寫入壽命。可靠性很高，高品質的家用固態硬碟可輕松達到普通家用機械硬碟十分之一的故障率。
基於DRAM類：
基於DRAM的固態硬碟：採用DRAM作為存儲介質，應用范圍較窄。它仿效傳統硬碟的設計，可被絕大部分操作系統的文件系統工具進行卷設置和管理，並提供工業標準的PCI和FC介面用於連接主機或者伺服器。應用方式可分為SSD硬碟和SSD硬碟陣列兩種。它是一種高性能的存儲器，理論上可以無限寫入，美中不足的是需要獨立電源來保護數據安全。DRAM固態硬碟屬於比較非主流的設備。 [1]
基於3D XPoint類
基於3D XPoint的固態硬碟：原理上接近DRAM，但是屬於非易失存儲。讀取延時極低，可輕松達到現有固態硬碟的百分之一，並且有接近無限的存儲壽命。缺點是密度相對NAND較低，成本極高，多用於發燒級台式機和數據中心。
發展歷程
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1956年，IBM公司發明了世界上第一塊硬碟。
1968年，IBM重新提出「溫徹斯特」（Winchester）技術的可行性，奠定了硬碟發展方向。
1970年，StorageTek公司(Sun StorageTek)開發了第一個固態硬碟驅動器。
1984年，東芝發明快閃記憶體。
1989年，世界上第一款固態硬碟出現。
2006年3月，三星率先發布一款32GB容量的固態硬碟筆記本電腦，
2007年1月，SanDisk公司發布了1.8寸32GB固態硬碟產品，3月又發布了2.5寸32GB型號。
2007年6月，東芝推出了其第一款120GB固態硬碟筆記本電腦。
2008年9月，憶正MemoRight SSD的正式發布，標志著中國企業加速進軍固態硬碟行業。
2009年，SSD井噴式發展，各大廠商蜂擁而來，存儲虛擬化正式走入新階段。
2010年2月，鎂光發布了全球首款SATA 6Gbps介面固態硬碟，突破了SATAII介面300MB/s的讀寫速度。
2010年底，瑞耐斯Renice推出全球第一款高性能mSATA固態硬碟並獲取專利權。 [1]
2013年，三星推出VNand 3D快閃記憶體。
5. DRAM的存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失是什麼意思
存儲器分兩種,dram和NADA Flash.
DRAM指DDRx晶元.上電後是一直在刷新,頻率很快.所以開機後內存的信息一直在.關機後就丟失數判核據了.
手機電腦的存儲器是另一種存儲器叫NADA FLASH,關機掉電後信息是不會丟失虧迅的,可以當硬碟使用來保存數掘空掘據
6. 我的電腦總是提示內存出錯，請問是不是內存壞了如果是怎麼才能看出來是內存壞了
系統報「內存出錯」有三種情況，分別由不同原因造成。一是開機自檢時報「內存出錯」，引起該故障的原因主要是內存條或內存控制器的硬體故障；二是在CMOS中設置了啟動系統時不自檢1M以上內存，而在運行應用程序時系統報「內存出錯」，引起該故障的原因可能是內存條或內存控制器的硬體故障，也可能是軟體故障；三是開機自檢通過，進入DOS或Windows平台，在運行應用程序時報「內存出錯」，引起該故障的原因主要升漏是軟體故障。
對於由軟體故障造成的內存出錯，可按下列步驟檢查和處理：
1.如果是在DOS環境下運行應用程序時報「內存出錯」，則懷疑是否是內存分配出錯，檢查伏笑鋒DOS與運行的應用程序是否沖突，並作出相應的處理。一般可通過重新啟動系統或重新編寫系統配置文件來解決，對應用程序的問題則可通過相應的修改來解決。
2.如果是在Windows環境下運行應用程序時報「內存出錯」，則懷疑是否是由應用程序非法訪問存儲器造成的，一般可通過清除內存駐留程序，減少活動窗口，調整配置程序或重新安裝系統和應用程序來解決。 3.如果問題只是在運行一特殊的應用程序才出現，可能是由該軟體造成的。
4.用KILL或KV300＋檢測系統是否帶有病毒，有則殺毒。 007電腦資訊
硬體故障造成的內存出錯比較常見，CMOS設置錯誤、內存條接觸不良、內存條安裝組合錯誤、內存條硬體損壞、內存控制器出錯等均會造成內存出錯，一般可按下列步驟檢查和處理：
1.由於開機自檢即顯示「內存出錯」，首先進入CMOS設置，檢查CMOS中關於內存條的參數設置是否正確，是否與內存條的配置情況相符；比如，如果設置的內存讀寫周期或內存讀寫等待時間小於內存條實際值，則應增大內存讀寫周期或者增加內存讀寫等待時間。
2.如果故障仍存在，檢查內存條與內存插座槽之間接觸是否良好，並作出相應的處理。
3.如果故障仍未排除，檢查內存條的安裝組合是否正確。 一般主板的存儲器安裝插座分為幾個體(Bank)，每個體中有二至四個存儲器安裝插座，可安裝二至四個存儲器條。由於72線的內存條一次可以提供32位有效數據（30線內存條已淘汰，在此不予討論），對於Pentium類CPU，其數據線為64位，要一次能存取64位數據，就必須同時安裝兩個72線內存條，所以586級微機的主機板，一般必須按偶數安裝72線內存條，即一次應安裝2條或4條72線SIMM存儲器條。如果主板上的內存條插座是168線的，由於168線的內存條一次就可以提供64位有效數據，所以只安裝一條也能正常工作。安裝內存條時應注意以下幾點：
·對大多數PC機來說,不能在同一個Bank內將容量不同的SIMM條混插在一起。很多PC機都可安裝不同容量的SIMM條，但裝在同一組Bank中的所有SIMM條必須具有相同的容量。
·對於很多PC機來說，若把不同速度的SIMM條混插在一起，即使它們的容量相同，也會帶來麻煩。例如，計算機中已有運行速度為60ns(納秒)的16MB內存，如果在主板的空閑內存槽中再插入速度為70ns的SIMM條，系統就有可能會拒絕引導或在啟動後不久就陷於崩潰。對於某些微機來說，若把速度低的SIMM條放至第一組，則可解決速度混合問題，計算機會按最低速度存取。
·對於大多數PC機來說，必須將一組中的所有插槽都插滿，或者將一組全部置空(當然第一組不行)，在一組插槽中不能只插一部分內存條。
·PC機可接受的內存大小有一個上限(最大值可從PC機說明書中找到。若沒有說明書，唯一的方法就是從實踐中找到最大值了)。
·SDRAM是新一代的動態存儲器，又稱為同步動態存儲器或同步DRAM。雖然有不少主板支持SDRAM與EDO內存混合安裝，但是最好還是不要混用。原因是SDRAM只能在3.3V電壓下工作，而EDO內存則多數在5V電壓下工作。雖然主機板上對DIMM和缺晌SIMM分別供電，但它們的數據線總是要連在一起的，如果SIMM(72線內存)與DIMM(168線SDRAM)混用，盡管開始系統可以正常工作，但在使用一段時間後，可能會造成SDRAM的數據輸入端被損壞。當然，如果你的SDRAM是適合寬電壓(3V～5V)工作的產品，就不會出現這種損壞情況。
4.如果故障還未解決，則用替換法檢查內存條是否已損壞，並作出相應的處理。
5.如果以上措施均不能奏效，則懷疑主板或控制晶元有問題，可送專業人員檢修。
7. coreDRAM文件不能保存．系統提示臨時驅動器或輸出驅動器可能已滿
把臨時文件都刪掉，或孝塵者更改緩存儲存路徑友瞎。
那試下這樣
打開巧告禪CD ,按ctrl+j——工具區——內存——把主磁碟與輔磁碟選其它位置。
8. 有關DRAM（動態隨機存取存儲器）的問題
為什麼它要隨時進行更新？
而為什麼SRAM可以不用更新？
這會因為他們的設計工作原理決定了他們工作時的特性
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態隨機存儲器"。。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM 必須隔一段時間刷新（refresh）一次。如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。 DRAM用於通常的數據存取。我們常說內存有多大，主要是指DRAM的容量
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，譯成中文叫做同步內存，
它的最大特點是與外頻同步。在內存脈沖控制下工作，取消了內存訪問的等待時間（因為
內存工作頻率與系統外頻相同，不象EDO DRAM及FPM DRAM需要等待若干時鍾周期才能進行內存的訪問），減少了數據傳輸的延遲時間，從而提高系統性能。
9. rma內存不足是什麼意思
那個是ram
不是rma
手機的ram不能存儲軟體的
手機ram
ram相當於運行只存內存，ram高會使手機在進行多任務時運行更流暢，以及使用多種軟體後仍能保持的流暢。
ram（random
access
memory）隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間賀尺使用的程序。
按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（static
ram,sra筏范摧既詆煥搓唯撣瀝m)和動態隨機存儲器（dynamic
ram,dram)。ram是讀寫存儲器，是程序運行時臨時存放數據的，是動態存放的，慶拍輪每次開機，都會重新不同。所謂的內存管理，就是關閉不需要運行的程序，釋放掉他佔用的內存。因為和內存卡相比，內存速度較快，價格較貴，容量較小，資源有限，相當於系統運行時的數據動態譽信緩沖區。