rom和ram存儲原理

❸ 存儲器的工作原理 [RAM,ROM,EEPROM存儲器工作原理]

一．基本工作原理 基本工作原理

1、存儲器構造 、 存儲器就是用來存放數據的地方。它是利用電平的高低來存放數據的，也就是說，它存 放的實際上是電平的高、低，而不是我們所習慣認為的 1234 這樣的數字，這樣，我們的一 個謎團就解開了，計算機也沒什麼神秘的嗎。

圖1

圖2 讓我們看圖 1。這是一個存儲器的示意圖：一個存儲器就像一個個的小抽屜，一個小抽 屜里有八個小格子，每個小格子就是用來存放「電荷」的，電荷通過與它相連的電線傳進來 或釋放掉， 至於電荷在小格子里是怎樣存的， 就不用我們操心了， 你可以把電線想像成水管， 小格子里的電荷就像是水，那就好理解了。存儲器中的每個小抽屜就是一個放數據的地方， 我們稱之為一個「單元」 。 有了這么一個構造，我們就可以開始存放數據了，想要放進一個數據 12，也就是

00001100， 我們只要把第二號和第三號小格子里存滿電荷， 而其它小格子里的電荷給放掉就 行了（看圖 2） 。可是問題出來了，看圖 1，一個存儲器有好多單元，線是並聯的，在放入電 荷的時候， 會將電荷放入所有的單元中， 而釋放電荷的時候， 會把每個單元中的電荷都放掉， 這樣的話， 不管存儲器有多少個單元， 都只能放同一個數， 這當然不是我們所希望的， 因此， 要在結構上稍作變化，看圖 1，在每個單元上有個控制線，我想要把數據放進哪個單元，就 給一個信號這個單元的控制線，這個控制線就把開關打開，這樣電荷就可以自由流動了，而 其它單元控制線上沒有信號，所以開關不打開，不會受到影響，這樣，只要控制不同單元的 控制線，就可以向各單元寫入不同的數據了，同樣，如果要某個單元中取數據，也只要打開 相應的控制開關就行了。 2、存儲器解碼 、 那麼， 我們怎樣來控制各個單元的控制線呢？這個還不簡單， 把每個單元的控制線都引 到集成電路的外面不就行了嗎？事情可沒那麼簡單，一片 27512 存儲器中有 65536 個單元， 把每根線都引出來， 這個集成電路就得有 6 萬多個腳？不行， 怎麼辦？要想法減少線的數量。 我們有一種方法稱這為解碼，簡單介紹一下：一根線可以代表 2 種狀態，2 根線可以代表 4 種狀態，3 根線可以代表幾種，256 種狀態又需要幾根線代表？8 種，8 根線，所以 65536 種狀態我們只需要 16 根線就可以代表了。 3、存儲器的選片及匯流排的概念 、 至此，解碼的問題解決了，讓我們再來關注另外一個問題。送入每個單元的八根線是用 從什麼地方來的呢？它就是從計算機上接過來的， 一般地， 這八根線除了接一個存儲器之外， 還要接其它的器件

。這樣問題就出來了，這八根線既然不是存儲器和計算機之間專用的，如 果總是將某個單元接在這八根線上，就不好了，比如這個存儲器單元中的數值是 0FFH 另一 個存儲器的單元是 00H，那麼這根線到底是處於高電平，基閉還是低電平？豈非要打架看誰歷害 了？所以我們要讓它們分離。辦法當然很簡單，當外面的線接到集成電路的引腳進來後，不 直接接到各單元去，中間再加一組開關就行了。平時我們讓開關打開著，如果確實是要向這 個存儲器中寫入數據，或要從存儲器中慧鋒念讀出數據，再讓開關接通就行了。這組開關由三根引 線選擇：讀控制端、寫控制端和片選端。要將數據寫入片中，先選中該片， 然後發出寫信號， 開關就合上了，並將傳過來的數據（電荷）寫入片中。如果要讀，先選中該片，然後發出讀 信號，開關合上，數據就被送出去了。讀前困和寫信號同時還接入到另一個存儲器，但是由於片 選端不同， 所以雖有讀或寫信號，但沒有片選信號， 所以另一個存儲器不會「誤會」 而開門， 造成沖突。 那麼會不同時選中兩片晶元呢？只要是設計好的系統就不會， 因為它是由計算控

制的，而不是我們人來控制的，如果真的出現同時出現選中兩片的情況，那就是電路出了故 障了，這不在我們的討論之列。 從上面的介紹中我們已經看到，用來傳遞數據的八根線並不是專用的，而是很多器件 大家共用的，所以我們稱之為數據匯流排，匯流排英文名為 BUS，總即公交車道，誰者可以走。 而十六根地址線也是連在一起的，稱之為地址匯流排。

二．存儲器的種類及原理： 存儲器的種類及原理： 及原理 1.RAM / ROM 存儲器 1.

ROM 和 RAM 指的都是半導體存儲器，ROM 是 Read Only Memory 的縮寫，RAM 是 Random Access Memory 的縮寫。ROM 在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而 RAM 通常都是在 掉電之後就丟失數據，典型的 RAM 就是計算機的內存。

2. RAM

隨機存取存儲器（RAM）是計算機存儲器中最為人熟知的一種。之所以 RAM 被稱為「隨機 存儲」，是因為您可以直接訪問任一個存儲單元，只要您知道該單元所在記憶行和記憶列的 地址即可。 RAM 有兩大類： 1) 靜態 RAM（Static RAM / SRAM），SRAM 速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設 備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如 CPU 的一級緩沖，二級 緩沖。 2) 動態 RAM （Dynamic RAM / DRAM） DRAM 保留數據的時間很短， ， 速度也比 SRAM 慢，不過它還是比任何的 ROM 都要快，但從價格上來說 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多， 計算機內存就是 DRAM 的。 類似於微處理器， 存儲器晶元也是一種由數以百萬計的晶體管和電容器

構成的集成電路 （IC）。計算機存儲器中最為常見的一種是動態隨機存取存儲器（DRAM），在 DRAM 中晶體 管和電容器合在一起就構成一個存儲單元，代表一個數據位元。電容器保存信息位——0 或 1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，它能讓內存晶元上的控 制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。 電容器就像一個能夠儲存電子的小桶。要在存儲單元中寫入 1，小桶內就充滿電子。要 寫入 0，小桶就被清空。電容器桶的問題在於它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿 電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由 CPU 或是由 內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前能保持 1 值。為此，內

存控制器會先行讀取存儲器中的數據， 然後再把數據寫回去。 這種刷新操作每秒鍾要自動進 行數千次如（圖 3 所示）

圖 3 動態 RAM 存儲單元中的電容器就像是一個漏水的小桶。

它需要定時刷新，否則電子泄漏會使它變為 0 值。

動態 RAM 正是得名於這種刷新操作。 動態 RAM 需要不間斷地進行刷新， 否則就會丟失它 所保存的數據。這一刷新動作的缺點就是費時，並且會降低內存速度。

存儲單元由硅晶片蝕刻而成，位於由記憶列（位線） 和記憶行（字線） 組成的陣列之中。 位線和字線相交，就形成了存儲單元的地址。

圖 4 將位元排列在二維柵格中，就構成了內存。 在上圖中，紅色的存儲單元代表 1 值，而白色的存儲單元代表 0 值。 在演示動畫片中，先選出一個記憶列，然後對記憶行進行充電以將數據寫入指定的記憶列中。

DRAM 工作時會向選定的記憶列（CAS）發送電荷，以激活該記憶列上每個位元處的晶體 管。寫入數據時，記憶行線路會使電容保持應有狀態。讀取數據時，由靈敏放大器測定電容 器中的電量水平。如果電量水平大於 50%，就讀取 1 值；否則讀取 0 值。計數器會跟蹤刷新 序列，即記錄下哪些行被訪問過，以及訪問的次序。完成全部工作所需的時間極短，需要以 納秒（十億分之一秒）計算。存儲器晶元被列為 70 納秒級的意思是，該晶元讀取單個存儲 單元並完成再充電總共需要 70 納秒。 如果沒有讀寫信息的策略作為支持， 存儲單元本身是毫無價值的。 所以存儲單元擁有一 整套由其他類型的專用電路構成的底層設施。這些電路具有下列功能： 判別記憶行和記憶列的地址（行選址和列選址） 記錄刷新序列（計數器） 從存儲單元中讀取、恢復數據（靈敏放大器） 告知存儲單元是否接受電荷（防寫） 內存控制器要執行其他一些任務， 包

括識別存儲器的類型、 速度和容量， 以及檢錯等等。

靜態 RAM 使用了截然不同的技術。 靜態 RAM 使用某種觸發器來儲存每一位內存信息 （有 關觸發器的詳細信息，請查見布爾邏輯的應用） 。存儲單元使用的觸發器是由引線將 4-6 個 晶體管連接而成， 但無須刷新。 這使得靜態 RAM 要比動態 RAM 快得多。 但由於構造比較復雜， 靜態 RAM 單元要比動態 RAM 占據更多的晶元空間。 所以單個靜態 RAM 晶元的存儲量會小一些， 這也使得靜態 RAM 的價格要貴得多。靜態 RAM 速度快但價格貴，動態 RAM 要便宜一些，但速 度更慢。因此，靜態 RAM 常用來組成 CPU 中的高速緩存，而動態 RAM 能組成容量更大的系統 內存空間。

3. ROM

ROM 也分為很多種： 1) 掩膜式 ROM 晶元生產廠家在製造晶元過程中把程序一並做在晶元內部,這就是二次光刻版圖形(掩 膜)。存儲陣列中的基本存儲單元僅由一隻 MOS 管構成，或預設，凡有 MOS 管處表示存儲 0， 反之為 1. 工廠在生產時,根據客戶提供的內容,決定是否布下只 MOS 管. 用戶在生產好後,

是不能改寫的( 難道撬開晶元,加個 MOS 管上去?) 由於集成電路生產的特點， 要求一個批次的掩膜 ROM 必須達到一定的數量 （若十個晶圓） 才能生產，否則將極不經濟。掩膜 ROM 既可用雙極性工藝實現，也可以用 CMOS 工藝實現。 掩膜 ROM 的電路簡單，集成度高，大批量生產時價格便宜。 2) 一次性可編程 ROM（PROM= ROM（PROM=Programmable ROM） ） 允許一次編程 存儲陣列除了三極體之外，還有熔點較低的連線（熔斷絲）串接在每隻存儲三極體的某 一電極上，例如發射極. 編程之前，存儲信息全為 0，或全為 1，編程寫入時，外加比工作 電壓高的編程電壓，根據需要使某些存儲三極體通電，由於此時電流比正常工作電流大，於 是熔斷絲熔斷開路，一旦開路之後就無法恢復連通狀態，所以只能編程一次。如果把開路的 三極體存儲的信息當作 0，反之，存儲的信息就為 1 3) 紫外線擦除可編程 ROM（EPROM= 紫外線擦除可編程 ROM（EPROM=Erasable PROM） ） 用紫外線擦除後編程,並可多次擦除多次編程 FAMOS 管與 MOS 管結構相似，它是在 N 型半導體基片上生長出兩個高濃度的 P 型區，通 過歐姆接觸分別引出漏極 D 和源極 S，在漏源之間的 SiO2 絕緣層中，包圍了一多晶硅材料， 與四周無直接電氣連接，稱之為浮置柵極，在對其編程時，在漏源之間加上編程電壓（高於 工作電壓）時，會產生雪崩擊穿現象，獲得能量的電子會穿過 SiO2 注入到多晶硅中，編程 結束後， 在漏源之間相對感應出的正電荷導電溝道將會保持下來， 如果將漏源之間感應出正 電荷導電溝道的 MOS 管表示存

入 0，反之，浮置柵不帶負電，即漏源之間無正電荷導電溝道 的 MOS 管表示存入 1 狀態 在 EPROM 晶元的上方， 有一圓形石英窗， 從而允許紫外線穿過透明的圓形石英窗而照射 到半導體晶元上，將它放在紫外線光源下一般照射 10 分鍾左右，EPROM 中的內容就被抹掉， 即所有浮置柵 MOS 管的漏源處於斷開狀態，然後，才能對它進行編程輸入 出廠未編程前，每個基本存儲單元都是信息 1, 編程就是將某些單元寫入信息 0 EPROM 是採用浮柵技術生產的可編程存儲器，它的存儲單元多採用 N 溝道疊柵 MOS 管 （SIMOS） ，其結構及符號如圖 12.2.1(a)所示。除控制柵外，還有一個無外引線的柵極，稱 為浮柵。當浮柵上無電荷時，給控制柵（接在行選擇線上）加上控制電壓，MOS 管導通； 而當浮柵上帶有負電荷時，則襯底表面感應的是正電荷，使得 MOS 管的開啟電壓變高，如 圖 12.1.3(b)所示，如果給控制柵加上同樣的控制電壓，MOS 管仍處於截止狀態。由此可見， SIMOS 管可以利用浮柵是否積累有負電荷來存儲二值數據。

（a） 疊柵 MOS 管的結構及符號圖

（b） 疊柵 MOS 管浮柵上積累電子與開啟電壓的關系

圖 6 疊柵 MOS 管

在寫入數據前，浮柵是不帶電的，要使浮柵帶負電荷，必須在 SIMOS 管的漏、柵極 加上足夠高的電壓（如 25V） ，使漏極及襯底之間的 PN 結反向擊穿，產生大量的高能電子。 這些電子穿過很薄的氧化絕緣層堆積在浮柵上， 從而使浮柵帶有負電荷。 當移去外加電壓後, 浮柵上的電子沒有放電迴路，能夠長期保存。當用紫外線或 X 射線照射時，浮柵上的電子形 成光電流而泄放， 從而恢復寫入前的狀態。 照射一般需要 15 至 20 分鍾。 為了便於照射擦除， 晶元的封裝外殼裝有透明的石英蓋板。EPROM 的擦除為一次全部擦除，數據寫入需要通用或 專用的編程器。 ROM（ EPROM） 4) 電擦除可編程 ROM（EEPROM = Electrically EPROM） 加電擦除,也可以多次擦除, 可以按位元組編程。 在 EPROM 基本存儲單元電路的浮置柵 MOS 管 T1 上面再生成一個浮置柵 MOS 管 T2， T2 將 浮置柵引出一個電極，使該電極接某一電壓 VG2，若 VG2 為正電壓，T1 浮置柵極與漏極之間 產生一個隧道效應，使電子注入 T1 浮置柵極，於是 T1 的漏源接通，便實現了對該位的寫入 編程。 用加電方法，進行在線（無需拔下，直接在電路中）擦寫（擦除和編程一次完成）有字

節擦寫、 塊擦寫和整片擦寫方法， 按位元組為單位進行擦除和寫入， 擦除和寫入是同一種操作， 即都是寫入，只不過擦除是固定寫「1」而已，在擦除時，輸入的數據是 TTL 高電平。 EEPROM 在進行位元組改寫之前自動對所要寫入的位元組單元進行

擦除， 只需要像寫普通 CPU RAM 一樣寫其中某一位元組， 但一定要等到 5ms 之後， CPU 才能接著對 EEPROM 進行下一次寫入 操作，因而，以位元組為單元寫入是常用的一種簡便方式。 寫入操作時，首先把待寫入數據寫入到頁緩沖器中，然後，在內部定時電路的控制下把 頁緩沖器中的所有數據寫入到 EEPROM 中所指定的存儲單元，顯然，相對位元組寫入方式，第 二種方式的效率高，寫入速度快。 EEPROM 也是採用浮柵技術生產的可編程存儲器，構成存儲單元的 MOS 管的結構如圖 12.2.2 所示。它與疊柵 MOS 管的不同之處在於浮柵延長區與漏區之間的交疊處有一個厚度 約為 80 埃的薄絕緣層，當漏極接地，控制柵加上足夠高的電壓時，交疊區將產生一個很強 的電場， 在強電場的作用下， 電子通過絕緣層到達浮柵， 使浮柵帶負電荷。 這一現象稱為「隧 道效應」，因此，該 MOS 管也稱為隧道 MOS 管。相反，當控制柵接地漏極加一正電壓，則產 生與上述相反的過程，即浮柵放電。與 SIMOS 管相比，隧道 MOS 管也是利用浮柵是否積累 有負電荷來存儲二值數據的， 不同的是隧道 MOS 管是利用電擦除的， 並且擦除的速度要快得 多。 EEPROM 電擦除的過程就是改寫過程，它是以字為單位進行的。EEPROM 具有 ROM 的非易 失性， 又具備類似 RAM 的功能， 可以隨時改寫 （可重復擦寫 1 萬次以上） 目前， 。 大多數 EEPROM 晶元內部都備有升壓電路。因此，只需提供單電源供電，便可進行讀、擦除/寫操作，為數 字系統的設計和在線調試提供了極大的方便。

圖 7 隧道 MOS 管剖面結構示意圖

圖 8 快閃記憶體存儲單元 MOS 管剖面結構示意圖

5) Flash 快閃記憶體 快速擦寫,但只能按塊編程 快閃記憶體存儲單元的 MOS 管結構與 SIMOS 管類似， 如圖 12.2.3 所示。 但有兩點不同， 一是快閃記憶體存儲單元 MOS 管的源極 N+區大於漏極 N+區， SIMOS 管的源極 N+區和漏極 而 N＋區是對稱的；二是浮柵到 P 型襯底間的氧化絕緣層比 SIMOS 管的更薄。這樣，可以通過 在源極上加一正電壓，使浮柵放電，從而擦除寫入的數據。由於快閃記憶體中存儲單元 MOS 管的源極是連接在一起的，所以不能象 E2PROM 那樣按字擦除，而是類似 EPROM 那樣整片擦 除或分塊擦除。整片擦除只需要幾秒鍾，不像 EPROM 那樣需要照射 15 到 20 分鍾。快快閃記憶體儲 器中數據的擦除和寫入是分開進行的， 數據寫入方式與 EPROM 相同， 需輸入一個較高的電壓， 因此要為晶元提供兩組電源。一個字的寫入時間約為 200 微秒，一般可以擦除/寫入 100 次 以上。 新型的 FLASH，例如 320C3B 等，在常規存儲區域後面還有 128Bit 的特殊加密，其中前 64Bit（8 位元組）是唯一

器件碼（64BitUniqueDeviceIdentifier）,每一片 Flash 在出廠時 已經帶有，並且同一種 Flash 型號不會有相同的編碼，哪怕這個字型檔是全新空白的字型檔。後 來 64Bit 為用戶可編程 OTP 單元 （64BitUserProgrammableOTPCells） ,可以由用戶自用設定， 單只能寫入，不能擦除。

❹ 斷電後RAM和ROM的區別有哪些

ROM是只讀存儲器，斷電後信息不丟失，比如BIOS晶元就是採用該原理，但是因為不能升級，不能隨意改寫，現在應用的比較少。

RAM是讀寫存儲器，斷電後信息不保留，比如正在運行的軟體，常說的內存指的就是這個。

❺ RAM和ROM的具體的區別是什麼

區別如下：

1、概念

RAM（random access memory）即隨機存儲內存，這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。ROM（Read-Only Memory）即只讀內存，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。

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運行內存

運行內存是指手機運行程序時的內存，也叫RAM（簡稱運存）。而另一個內存是用來存儲東西的內存,就像8G的MP4一樣,它擁有8G的存儲空間,這種內存為一般叫的手機內存。

用電腦比較的話手機的運行內存就是電腦的內存，是不可以作為儲存數據的介質的。

手機的「內存」通常指「運行內存」及「非運行內存」。手機的「運行內存」相當於電腦的內存，即RAM。而手機的「非運行內存」，相當於電腦的硬碟，廠家常直接稱其為手機內存，也就是所謂的ROM。RAM越大，手機能運行多個程序且流暢；ROM越大，就像硬碟越大，能存放更多的數據。

擁有更大的運行內存的話手機可以打開更多的程序，如果本身容量足夠的話並不能提升多少運行程序的速度，只能說更大的運行內存能更好的保證手機的正常運行。

手機的運行內存是指運行程序時存儲或者暫時存儲的地方，而CPU是用來計算的。

❻ 電腦中的RAM和ROM各指的是什麼

RAM：隨機存取存儲器，又稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。

ROM：只讀存儲器的簡稱，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。

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RAM與ROM區別

一、

1、RAM：是由英文Random Access Memory的首字母構成的，意為隨機存儲器（可讀可寫的存儲器），即在正常工作狀態下可以往存儲器中隨時讀寫數據。根據存儲單元工作原理的不同，RAM又可分為靜態存儲器（SRAM）和動態存儲器(DRAM)。RAM的特點：

（1）可讀可寫；

（2）給存儲器斷電後，裡面存儲的數據會丟失。

我們經常說的內存，比如計算機的內存，手機的內存，包括CPU里用橋瞎的高速緩存，都屬於RAM這類存儲器。

RAM屬於內部存儲器，計算機C盤屬於外部存儲器,ROM只是其中敏岩空的一部分。

2、ROM是棗敗由英文Read only Memory的首字母構成的，意為只讀存儲器。顧名思義，就是這樣的存儲器只能讀，不能像RAM一樣可以隨時讀和寫。

ROM的特點：

（1）只允許在生產出來之後有一次寫的機會，數據一旦寫入則不可更改。

（2）存儲器掉電後裡面的數據不丟失，可以存放成百上千年。

此類存儲器多用來存放固件，比如計算機啟動的引導程序，手機、MP3、MP4、數碼相機等一些電子產品的相應的自帶程序代碼，這種用戶可以通過刷機方式讀寫ROM。

二、

RAM是應用程序、操作系統的運行內存，關機會被清空的臨時性存儲器。

ROM是COMPACT DISC激光唱片，光碟也屬於這種(如：電腦系統光碟，ghost版一般都可以直接在光碟上引導並啟動winPE操作系統)。

綜上所述，ROM指的是計算機（包括手機）的文件內存，RAM指的是用了運行系統及應用程序的臨時性存儲器，比如手機的操作系統、一些應用程序如游戲等。

❼ 手機的ROM，RAM是各自存放什麼所謂「運行內存」和「機身內存」究竟有什麼區別

ROM是機身內存，存儲沒搭斗你的照片，歌曲，和安裝的各種應用。

RAM是運行內存，從手機開機就一直佔用著的，每一個應用的運行都會佔用運行內存。

一、ROM 是 ROM image（只讀內存鏡像）的簡稱，常用於手機定製系統玩家的圈子中。

1、智能手機配置中的ROM指的是 EEProm (電擦除可寫只讀存儲器)，類似於計算機的硬碟，一般手機刷機的過程，就是將只讀內存鏡像（ROM image）寫入只讀內存（ROM）的過程。

2、智能手機的ROM指的是其存儲空間，一般是由UFS等快閃記憶體製作，其硬體不是只讀的，所謂只讀是指軟體層面對系統分區的讀寫許可權設置。

二、RAM 是 （random access memory，RAM）又稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。

1、存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。

2、按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（英文：Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM)。

3、當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。

4、手機開機RAM就承載著系統文件的運行，所以佔用著內存，每運行一個軟體或進行一個操作都會進行內存的數據讀寫，會產生緩存文件。也就是我們常說的運行時間上了手機造成卡頓的原因，這個時候只要我們重啟手機清空RAM內存就可以讓手機更順暢

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運行內存是指手機運行程序時的內存，也叫RAM（簡稱運存）。而另一個內存是用來存儲東西的內存,就像8G的MP4一樣,它擁有8G的存儲空間,這種內存為一般叫的手機內存。

用電腦比較的話手機的運行內存就是電腦的內存，是不可以作為儲存數據的介質的。

手機的「內存」通常指「運行內存」及「非運行內存」。手機的「運行內存」相當於電腦的內存，即RAM。而手機的「非運行內存」，相當於電腦的硬碟，廠家常直接稱其為手機內存，也就是所謂的ROM。RAM越大，手機能運行多個程序且流暢；ROM越大，就像硬碟越大，能存放更多的數據。

擁有更大的運行內存的話手機可以打開更多的程序，如果本身容量足夠的枯磨話並不能提升多少運行程序的速度，只能說更大的運行內存能更好的保證手機的正常運行。

手機的運行內存是指運行程序時存儲或者暫枝戚時存儲的地方，而CPU是用來計算的。

❽ 什麼是ROM和RAM的工作原理

PC機在工作中，電源突然中斷，則ROM中的信息全部不丟失。

RAM是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操虛譽作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。

這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（英文：Static RAM，SRAM）和動態隨機存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM）。

(8)rom和ram存儲原理擴展閱讀：

只讀存儲器（皮譽森Read-Only Memory，ROM）以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入後就固定下來，即使切斷電源，信息也不會丟失，所以又稱為固定存儲器。ROM所存數據通常是裝入整機前寫入的，整機工作過程中只能讀出，不像隨燃畝機存儲器能快速方便地改寫存儲內容。

ROM所存數據穩定 ，斷電後所存數據也不會改變，並且結構較簡單，使用方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。

❾ RAM和ROM的功能是什麼，特點與不同之處是什麼

隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。

ROM為只讀存儲器，除了固定存儲數據、表格、固化程序外，在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。

1、構造不同：RAM指的是隨機存儲內存。而ROM屬於只讀內存，是一種固態半導體存儲器。

2、用途不同：RAM和ROM分別對應電腦的內存和硬碟設備，內存（RAM）負責應用程序的運行和數據交換，而硬碟（ROM）就是一個存儲空間，存儲著許多靜態文件包括視頻，照片，音樂，軟體等。

3、存儲原理不同：

ROM只能讀信息，不能寫信息，它的內容在計算機關閉時被保存。RAM可以讀或寫任何存儲單元。當計算機關閉時，過程中的信息不再保存。它需要等待啟動，需要重新載入。

(9)rom和ram存儲原理擴展閱讀

RAM由存儲矩陣、地址解碼器、讀/寫控制器、輸入/輸出、片選控制等幾部分組成。

（1）存儲矩陣。如圖所示，RAM的核心部分是一個寄存器矩陣，用來存儲信息，稱為存儲矩陣。

（2）地址解碼器。地址解碼器的作用是將寄存器地址所對應的二進制數譯成有效的行選信號和列選信號，從而選中該存儲單元。

（3）讀/寫控制器。訪問RAM時，對被選中的寄存器進行讀操作還是進行寫操作，是通過讀寫信號來進行控制的。

（4）輸入/輸出。RAM通過輸入/輸岀端與計算機的CPU交換數據，讀出時它是輸岀端，寫入時它是輸入端，一線兩用。

（5）片選控制。由於受RAM的集成度限制。一台計算機的存儲器系統往往由許多RAM組合而成

❿ rom和ram的區別是什麼 rom和ram的主要區別是

在手機中，ram是指手機的運行內存，簡稱為運存。對於手機看性能來說，除了看手機處理器就是看運行內存了，運行內存越大手機配置越好。而手機rom是指手機存儲器，比如部分機型支持外置的SD卡就屬於rom范疇，可以用來存儲文檔、圖片、音樂、照片、視頻等等。rom越大手機告做可以存儲的東西就越枯歲大。