『壹』 U盤的發展史
來歷：一種說法是： U盤使用USB介面，所以叫U盤。
其次呢：國內這種產品是中國深圳朗科公司開發的，申請了專利叫 優盤，後來其他的廠家為了避免版權的問題，使用諧音 U盤。
發展史：追溯快閃記憶體檔發展的歷史，快閃記憶體檔應該是在2000年首次面市，當時全球共有5家企業擁有自有快閃記憶體檔品牌的銷售，這5家主要是以色列的M－system、新加坡Track、朗科優盤、魯文易盤和韓國FlashDriver。但這五家推出的產品是有區別的，M－system、track、優盤以及Flashdriver的第一代快閃記憶體檔在各種操作系統下都必須要安裝驅動程序才可使用，這並沒有實現快閃記憶體檔真正的「移動存儲」的特點，而且當時這些廠家推出的快閃記憶體檔價格非常高，朗科優盤的16M產品就賣到了1000左右。魯文推出的第一代快閃記憶體檔———易盤就具有「無驅」功能。無驅是指用戶除了在Windows98／SE操作系統外，其他的win�dows2000、windowsxp等操作系統下都無需驅動程序，易盤可即插即用，讓用戶真正地實現移動存儲。
隨著無驅型易盤面市，其他品牌也緊接其後，朗科的第二代優盤也推出了無驅功能。隨著消費者對快閃記憶體檔的認知度提高，消費者對快閃記憶體檔功能的需求也日益增多。魯文公司在2002年初就推出了具有「無驅、啟動、硬加密」功能三項功能於一體的「三合一」型易盤。此三合一易盤是指易盤除了具有無驅功能，還具有啟動系統功能，可將易盤做為系統啟動盤來啟動系統，這項功能使得軟盤沒有存在的意義了；值得一提的是「硬加密」功能，此功能使得易盤具有私密性，用戶必須鍵入正確的密碼方可使用易盤，這樣可以防止用戶私密性的資料被其他人竊取。易盤已不僅僅具有存儲功能，而具有了更多的個性化特色。
快閃記憶體萬舸爭流的時代已經到來，迅速擴張的快閃記憶體市場需求和一擁而上瓜分市場份額的廠商群雄割據，新產品和技術層出不窮。今年7月份，魯文存儲推出了集「無驅、啟動、硬加密、防寫、隨身郵、PC鎖、壓縮存儲、保密碟、雙重殺毒」9項功能於一體的「九合一」易盤。快閃記憶體檔在中國的歷史不過區區兩年，她所走過的歷程是一個挖掘、引領用戶需求的道路。最初的研究開發人員，是懷著為用戶提供一個能存儲更大容量工具的初衷，這才有了閃盤的出現；現在，閃盤的功能越來越豐富，價格也開始貼近個人用戶，今後閃盤將向著個性化方向邁進。雖然現在，仍有很多人對閃盤比較陌生，不過有理由相信，只要是符合用戶需求，閃盤的明天必將更好
『貳』 u盤是靠什麼存儲信息的原理是什麼
u盤是靠快閃記憶體晶元存儲信息的.快閃記憶體晶元類似內存晶元,但掉電後仍可保存數據(內存晶元掉電後數據自動消失),快閃記憶體晶元通後控制晶元進行地址定址,一個完整的u盤包括存儲晶元和控制晶元.
『叄』 移動硬碟和u盤的區別
移動硬碟與U盤的區別：體積大小不同、存儲大小不同、價格不同、存儲的原理不同、能耗不同。
一、體積大小不同
U盤的體積很小，重量也很輕，非常適合隨身攜帶；移動硬碟的體積稍大，重要也在500克以上，不好隨身攜帶。
二、存儲大小不同
U盤的存儲空間較小，一般不超過1G，多是幾十上百M；移動硬碟的存儲空間較大，一般都是上百G的。
三、價格不同
U盤的售價一般在100元左右；移動硬碟的售價在300元以上。
四、存儲的原理不同
U盤是以半導體材料(晶元)作為存儲單元，又叫固體存儲器，沒有機械部分。 移動硬碟則是以磁性介質作為存儲器，有機械部分。
五、能耗不同
U盤沒有機械部分，需要提供的能量相比小得多，一般不會超過 100mA，而移動硬碟耗能相對較大，有的時間一個USB口提供的電流不能很好的保證其正常運行。因此移動硬碟一般配的數據線都是可以查兩個USB埠，甚至需要配置專門的電源。這也是有的移動硬碟不正常工作的主要原因。
移動硬碟：
【優點】：容量大；USB介面，存儲方便，移動便攜，價錢相對普通硬碟便宜。
【缺點】：怕摔、磕碰、震動、進水
【壽命】：移動硬碟理論壽命3萬小時以上，正常使用10年沒有問題，一般硬碟一直開機可工作3年。
U盤：
【優點】：迷你小巧，攜帶方便；讀寫方便
【缺點】：小易丟失；容量小，難存儲大數據；傳輸速度慢；
【壽命】：一般採用MLC顆粒的U盤可擦寫1萬次以上，而採用SLC顆粒的U盤使用壽命更是長達10萬次，但U盤不讀寫。
『肆』 u盤是怎麼把數據存儲進去的
U盤設計
「USB快閃記憶體檔」（以下簡稱「U盤」）是基於USB介面、以快閃記憶體晶元為存儲介質的無需驅動器的新一代存儲設備。U盤的出現是移動存儲技術領域的一大突破，其體積小巧，特別適合隨身攜帶，可以隨時隨地、輕松交換資料數據，是理想的移動辦公及數據存儲交換產品。
U盤的結構基本上由五部分組成：USB埠、主控晶元、FLASH（快閃記憶體）晶元、PCB底板、外殼封裝。
U盤的基本工作原理
USB埠負責連接電腦，是數據輸入或輸出的通道；主控晶元負責各部件的協調管理和下達各項動作指令，並使計算機將U盤識別為「可移動磁碟」，是U盤的「大腦」；FLASH晶元與電腦中內存條的原理基本相同，是保存數據的實體，其特點是斷電後數據不會丟失，能長期保存；PCB底板是負責提供相應處理數據平台，且將各部件連接在一起。當U盤被操作系統識別後，使用者下達數據存取的動作指令後，USB移動存儲盤的工作便包含了這幾個處理過程。
通用串列匯流排（Universal serial Bus）是一種快速靈活的介面，
當一個USB設備插入主機時，識別出USB設備是一個支持Bulk-Only傳輸協議的海量存儲設備。這時應可進行Bulk-Only傳輸方式。在此方式下USB與設備之間的數據傳輸都是通過Bulk-In和Bulk-Out來實現的。在這種傳輸方式下，有三種類型數據在USB和設備傳送，它們是命令塊包（CBW），命令執行狀態包（CSW）和普通數據包。CBW是主機發往設備的命令。
格式如下：其中dCBWSignature的值為43425355h,表示當前發送的是一個CBW。
DCBWDataTransferLength：表示這次CBW要傳送數據長度。
BmCBWFlags：表示本次CBW是讀數據還是寫數所BBWCBLength：表示命令的長度。 CBWCB：表示本次命令內容。也即是SCSI命令。
當設備從主機收到CBW塊以後，它會把SCSI命令從CBW中分離出來，然後根據要求執行，執行的結果又以CSW的形式發給主機。 CSW的格式如下：
其中dCSWSignature的值為53425355h,表示當前發送的是一個CSW。 DCSWTag：必須和CBW中dCBWTag一樣。
DCSWDataResie：還要傳送的數據。
BCSWStatue：命令執行狀態，命令正確執行時，為0。
由於USB設備硬體本身的原因，它會使USB匯流排
『伍』 U盤儲存的原理是什麼
U盤，作為我們生活、工作中必不可少移動存儲設備，對我們來說可以說是不可或缺，幫助我們存儲著一些重要的數據文件，但是，這么重要的設備我們對它又了解多少呢?現在讓我們一起去解讀一下U盤的存儲原理吧，讓我們更加熟悉它的工作原理。
快閃記憶體(Flash Memory)盤是一種採用USB介面的無需物理驅動器的微型高容量移動存儲產品，大家都管他叫U盤，是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲)。是SCM(半導體存儲器)的一種。
早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管(MOS)，包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。
RAM(隨機存取存儲)，是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM(動態)和SRAM(靜態)兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM(同步動態RAM)，它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電(刷新)以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存(cache)上。
PROM(可編程ROM)則只能寫入一次，寫入後不能再更改。
EPROM(可擦除PROM)這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。
EEPROM(電可擦除PROM)，用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。
快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的`完整性。
Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。
MSM(磁表面存儲)是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息「0」和「1」。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。
ODM(光碟存儲)和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。