⑴ 長江存儲召開市場合作夥伴年會 趙偉國稱發展集成電路決心不變
中證網訊（記者 吳科任）1月16日，以「新十年，芯夢想，新格局」為主題，長江存儲在北京召開市場合作夥伴年會。「2020年是存儲器黃金十年新的開始。隨著5G、AI、大數據、物聯網、雲計算等技術的發展，存儲器市場需求將呈現指數級增長。」長江存儲董事長、紫光集團董事長兼首席執行官趙偉國說，「中國市場為集成電路發展提供了資本縱深、市場縱深和人才縱深；紫光、長存有實力、有能力，更有對發展中國存儲器、集成電路產業不變的決心。」
持續擴大產能
市場研究機構Counterpoint研究總監James Yan認為：「4G與5G共存階段帶來的對更大存儲和吞吐量的需求。長江存儲的加入，讓消費電子終端廠商，尤其是手機廠商在元器件采購層面獲得更多自由度，讓廠家把更多的精力放在市場渠道和產品設計中。」
長江存儲成立於2016年7月，總部位於湖北武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案。公司發展迅速，2017年至2019年，長江存儲陸續推出32層、64層3D NAND快閃記憶體晶元及存儲器解決方案。
值得一提的是，長江存儲是全球唯一掌握Xtacking架構3D NAND快閃記憶體技術的廠商。該技術可實現在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的邏輯工藝，從而讓NAND能獲取更快的I/O介面速度及更多的操作功能。當兩片晶圓各自完工後，只需一個處理步驟既可通過數百萬根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合，合二為一。
共建產業生態
會上，長江存儲向早期在市場布局和生態合作上發揮關鍵價值的企業頒發榮譽獎項。年度市場表現獎授予江波龍電子和群聯電子，年度市場潛力獎授予威剛 科技 、國科微和憶聯，年度生態夥伴獎授予群聯電子和慧榮 科技 ，年度潛力夥伴獎授予聯芸 科技 和美滿電子 科技 。
長江存儲首席執行官楊士寧認為，「自長江存儲量產64層3D NAND快閃記憶體到現在，市場總體給予了正面積極的評價，這令我們感到欣慰，背後更離不開合作夥伴的深度配合及在終端市場的歷練。長江存儲的技術創新和質量可靠是通過與合作夥伴一起規模化量產贏得的，依靠各自研發、測試團隊的共同努力，來之不易。」
江波龍電子董事長蔡華波表示：「合作中，我們感受到長江存儲產品技術更新速度快、國際化的管理，讓我們對長江存儲的合作充滿信心和期望。隨著長江存儲的快速進展，未來幾年，全球存儲市場將出現中國存儲的力量。」
群聯電子董事長潘健成表示：「通過群聯自有技術與IP，整合長江存儲創新的Xtacking技術的3D NAND快閃記憶體，協助擴大市場的應用與普及率。長江存儲與群聯不僅是NAND原廠與主控廠的關系，更是技術、產品、應用及市場等全方位的長期夥伴關系。」
聯芸 科技 副總經理李國陽表示：「在與長江存儲的深度合作中，我們通過復雜應用場景深入了解長江存儲3D NAND的特性。經過大規模持續壓力測試，長江存儲64層3D NAND快閃記憶體可靠性、穩定性、性能均可與國際同類產品相媲美，充分證明了其技術水平及產品成熟度，完全達到國際主流NAND廠商水平，讓我們滿懷期待。」
國科微副總裁康毅提到：「通過將長江存儲3D NAND快閃記憶體導入國科微固態硬碟，我們一起為用戶提供更領先的存儲解決方案。展望2020年，國科微將進一步深化與長江存儲的全方面合作，承擔更多的產業發展責任，為促進我國存儲產業的繁榮發展貢獻更多的力量。」
⑵ 長江存儲是國企還是私企
長江存儲不是國企，公司性質為其他有限責任公司。該公司於2016年7月26日在武漢東湖新技術開發區登記成立。其是一家專注於3DNAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業，是中國首款3DNAND快閃記憶體是設計製造商。主要經營范圍：半導體集成電路科技領域內的技術開發、集成電路及相關產品的設計、研發、測試、封裝、製造與銷售，貨物進出口、技術進出口、代理進出口。武漢長江存儲不是國企。長江存儲，即長江存儲科技有限責任公司，於2016年07月26日成立，總部在武漢市東湖開發區。長江存儲科技有限責任公司的公司類型為非自然人投資或控股的法人獨資企業。長江存儲科技有限責任公司的登記機關為武漢東湖新技術開發區，注冊資本為3860000萬元人民幣。長江存儲科技有限責任公司的法定代表人事趙偉國，股東為長江存儲科技控股有限責任公司。長江存儲科技有限責任公司的經營范圍：半導體集成電路科技領域內的技術開發；集成電路和相關產品的設計、研發、測試、封裝、製造和銷售；貨物進出口、技術進出口、代理進出口（不含國家禁止或限制進出口的貨物或技術）。2017年，長江存儲科技有限責任公司成功設計並製造了中國首批NAND快閃記憶體晶元。長江存儲科技有限責任公司在武漢、上海、北京等地設有研發中心，為消費者提供NAND快閃記憶體解決方案。2014年10月，3DNAND項目在武漢新芯啟動；2015年6月，9層3DNAND測試晶元通過了電器性能驗證。
