1. 華為5G隨行WIFI Pro深度拆解，裡面這用料做工絕了，真是厲害
5G技術的成熟以及商用使得很多手機品牌商紛紛推出自家的5G手機，即便如此，最早一批5G手機也不過是在去年中旬發布。對於手機還能用或者剛入手新款非5G手機的小夥伴來說，重新花錢買新款5G手機的意願很小，華為為此推出了華為5G隨行WIFI Pro移動路由器。
HUAWEI華為5G隨行WiFi Pro E6878-370機型設計精緻，插入5G SIM卡即可實現5G信號向高速WiFi轉換，非5G手機、平板、筆記本電腦等設備也能享受5G高速網速。此外還支持小電流充電，充當應急電源。對於這款 科技 感十足的產品，我們就對其進行拆解，看看其內部如何設計。
一、華為5G隨行WiFi Pro外觀培模咐
產品採用白色硬紙質包裝盒，正面印有產品外觀圖以及華為5G隨行WiFi Pro字樣。
包裝盒底部印有產品的基本信息：產品名稱：5G無線數據終端；型號：E6878-370；顏色：陶瓷白。
紙盒採用天地蓋設計，背面印有產品四大功能描述信息。
包裝盒內除了華為5G隨行WIFI Pro外，還有40W SuperCharge充電器、數據線和使用說明書。
USB-A to USB-C數據線兩頭做了抗彎折處理，並設計有5A字樣，可過5A大電流，線身整體光滑無毛刺。
充電器輸入端外殼上標注產品參數信息：型號HW-100400C01；輸入100-240V 50/60Hz 1.2A；輸出5V/2A、9V/2A、10V/4A Max；華為技術有限公司製造。充電器已經通過了3C認證和VI級能效認證。
充電器輸出頂面配有USB-A介面，白色膠芯，旁邊凹印HUAWEI品牌。
華為5G隨行WIFI Pro機身扁平修長，邊角設計圓潤不硌手，機身正面一端配有1.45英寸LCD顯示屏，另一端印有HUAWEI品牌和5G字碼灶樣。
機身側面配有電源鍵、Menu鍵和SIM卡槽。
SIM卡槽有塑料板進行保護，小板子上印有SIM卡放入方向提示標識。
開機後如果沒有插入SIM卡，會提示用戶插入卡並重啟設備。
正常操作開機配純後，首先會顯示5G歡迎界面——Welcome to 5G。
菜單界面上有返回、恢復出廠、數據漫遊、小電流充電選項，這時候Menu鍵對應「下一個」功能，電源鍵對應「OK」確認功能。
正確操作後即可實現5G信號向高速WiFi轉換，非5G手機、平板、筆記本電腦等設備也能享受5G高速網速。
機身底部印有產品名稱、型號等信息，並且已經通過了CE認證和3C認證。
頂部配有1A1C兩個介面，支持最大40W有線輸入以及18W或22.5W輸出，電池容量8000mAh。除此之外還支持反向有線/無線充電。
使用ChargerLAB POWER-Z KT001檢測USB-A口的輸出協議，顯示支持DCP、QC2.0和FCP協議。
此外通過電壓誘騙操作，選擇Huawei SCP選項，可以使A口以5V電壓輸出。
A口支持華為 FCP協議。
A口支持華為 SSCP協議。
使用該表沒有檢測到USB-C口支持的輸出協議。
產品凈重約為281g。
二、華為5G隨行WIFI Pro拆解
將機身頂面外殼拆下，外殼上布滿小固定柱和卡扣，機身兩側還貼有黑色雙面膠貼紙，產品封裝的很牢固。
LCD顯示屏放置在塑料槽里。
機身中心位置放置無線充電線圈，線圈緊密繞制。
靠近無線充電線圈位置貼有金屬銅箔貼紙。
線芯焊點飽滿，做工扎實。
將另一面的外殼也拆下，黑色塑料板中心設計有凹槽用來放置電芯。
機身殼對應電芯位置貼有泡棉來保護電芯。
塑料板兩端貼有1、2、3、4四個天線，圓孔內有固定螺絲。
1號貼紙天線上印有SX05MIM01字樣。
2號貼紙天線上印有SX11 M2+HB+B32字樣。
3號貼紙天線上印有SX03B32字樣。
4號貼紙天線上印有SX09M2+LB字樣。
鋰離子聚合物電芯特寫，貼紙上印有相關參數信息型號：HB896487ECW額定容量：7800mAh/29.79Wh典型容量：8000mAh/30.56Wh額定電壓：3.82V充電限制電壓：4.4V電池19年11月4日生產，已經通過了CE認證、俄羅斯GOST-R認證、PSE認證、KC認證。
電芯另一面特寫，ATL 電池，電池厚4.3mm，寬63mm，長83mm，均壓3.82V。
拆掉螺絲取出塑料板，中板採用鋁合金金屬材料，兩邊注塑工藝，底下的PCB板上所有的晶元都覆蓋有屏蔽罩，還貼有石墨導熱貼散熱。
電芯通過這根排線和PCB板連接。
PCB板中心是三塊較大的屏蔽罩，上面貼有黑色導熱貼紙，板子兩端同樣有A、B貼片天線。
A號天線上印有SX11MAIN字樣。
B號天線上印有SX07SUB字樣。
拆掉PCB板上的金屬屏蔽罩，部分晶元上貼有導熱墊幫助導熱。
靠近USB-A口的兩顆NMOS管，用於介面切換，PSMN4R2-30MLD，來自NEXPERIA。
屏蔽罩里還有四顆MOS管。
華為海思 Hi6422 PMIC。
聖邦微 SGM66055 升壓IC，2.2MHz工作頻率，超低靜態電流，同步整流升壓，5V固定輸出，內置開關管，採用WLCSP1.21mm超小封裝。
聖邦微 SGM66055 詳細資料。
華為海思 Hi6526 PMIC。
華為海思 Hi6421 PMIC。
絲印6563G。
MXIC旺宏MX30UF4G18AB，4Gbit SLC 快閃記憶體，用於存儲系統及固件。
旺宏MX30UF4G18AB資料信息。
華為海思 Hi9500 巴龍5000 5G SOC，WiFi終端內部PCB面積足夠，沒有採用手機內部的POP疊層封裝，控製成本，內存獨立焊接在左側。巴龍5000 5G多模晶元支持NSA和SA兩組組網架構，這款5G無線終端支持1.65Gbps usb3.0 Type-C連接理論峰值速度和867Mbps WiFi連接理論峰值速度，讓非5G的手機、平板、筆記本電腦也能享受到5G高速。
SK hynix海力士H9HCNNNBKMAL，LPDDR4內存。
絲印6H11和6H12晶元。
華為海思 Hi6365 射頻收發器。
四顆小晶元。
絲印13H9。
切開邊緣的屏蔽罩，內部是無線充電主控和充電功率管。
Richtek立錡 RT3181C無線發射器解決方案，其內部集成H橋功率級和電流檢測放大器，為LP-A11線圈方案優化，外置功率級可以支持高功率輸出，支持MP-A5/MP-A11方案，支持可編程的溫度保護和風扇轉速控制，這款無線終端支持15W無線充電輸出。
立錡RT3181C資料信息。
四顆PSMN4R2-30MLD，來自NEXPERIA，NMOS管，用於無線充電功率輸出。
PCB板正面一覽。
將旁邊的金屬屏蔽罩也拆開，裡面是三顆大晶元。
立錡一體式USB-PD和雙向PWM Buck-Boost控制器RT7885，除具備升降壓控制功能，還集成USB PD協議識別和MCU，集成度高，可減少外置元件數量。同時，立錡RT7885內置電荷泵，可驅動低成本的NMOS，支持1到4串鋰電池充電，非常適合移動電源使用。
立錡RT7885資料信息。
另外兩顆晶元同樣來自立錡，型號RT9612B，同步整流降壓半橋驅動器，配合無線充電主控 RT3181C，用於無線充電功率級MOS管驅動。
立錡 RT9612B資料信息。
四顆白色NPO諧振電容。
板子正面的晶元上同樣使用金屬殼覆蓋。
華為 海思 Hi1151 無線控制晶元，用於5G信號轉換成WiFi熱點連接。
LCD顯示屏排線特寫。
C口母座外套有金屬殼加固，金屬殼上印有E9ASA。
SIM卡槽貼片焊接，金屬殼上印有985B。
絲印2HZ。
全部拆解完畢，來張全家福。
充電頭網拆解總結
HUAWEI華為5G隨行WIFI Pro配備8000mAh大容量電池，5G高負荷狀態下可持續工作10小時，機子支持22.5W反向有線充和15W反向無線充，並附帶有一個華為40W超級快充充電器。該產品通過巴龍5000晶元可將5G信號向高速WiFi轉換，實現5G雙模全網通，非5G手機、平板、筆記本電腦等設備也能享受到快於4G 10倍的網速。無需更換手機，這款便攜移動路由器就能帶你暢享5G時代，同時還可作為路由器連接，零流量傳輸大文件。
充電頭網通過拆解了解到，機子內部搭載華為海思 Hi9500 巴龍5000 5G SOC核心晶元，並使用了Hi6421/Hi6422/Hi6526 PMIC、Hi1151無線控制晶元和Hi6365 射頻收發器。此外還採用海力士和旺宏存儲晶元，以及立錡無線充解決方案。
機子電路板上的晶元全部覆蓋有金屬屏蔽罩，避免干擾，主要發熱晶元上還貼有導熱墊幫助導熱；電芯放置在凹槽里，凹槽區域採用鋁合金材質，幫助電芯散熱；無線充電線圈繞制緊密，線芯焊接牢固。這款產品整體做工優秀。
2. pram放u盤可以嗎pram是什麼東東
你所說的是program這個文件夾鍵廳吧。一般安裝文件默認就是C:\program
可以安裝到U盤，但是不推薦，因為U盤和硬碟的讀寫畢悶速度不一樣，可能導致安裝在U盤里的文件出現假死或者其他症狀。
建議你安裝一個優化博士，讓工程師幫你遠程維護看看吧。說不定手亮彎真的有什麼病毒或者惡意軟體哦。
3. SDRM PSRAM SRAM PRAM各與各的區別是什麼
1、SDRAM，即Synchronous DRAM（同步動態隨機存儲器），曾經是PC電腦上最為廣泛應用的一種內存類型，即便在今天SDRAM仍舊還在市場佔有一席之地。既然是「同步動態隨機存儲器」，那就代表著它的工作速度是與系統匯流排速度同步的。SDRAM內存又分為PC66、PC100、PC133等不同規格，而規格後面的數字就代表著該內存最大所能正常工作系統匯流排速度，比如PC100，那就說明此內存可以在系統匯流排為100MHz的電腦中同步工作。x0dx0a x0dx0a與系統攔蠢匯流排速度同步，也就是與系統時鍾同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數據存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鍾脈沖期由數據請求使用，因此數據可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM採用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM介面，帶寬為64位。SDRAM不僅應用在內存上，在顯存上也較為常見。x0dx0a2、x0dx0aPSRAM具有一個單晶體管的DRAM儲存格，與傳統具有六個晶體管的SRAM儲存格或是四個晶體管與two-load resistor SRAM 儲存格大不相同，但它具有類似SRAM的穩定介面，內部的DRAM架構給予PSRAM一些比low-power 6T SRAM優異的長處，例如體積更為輕巧，售價更具競爭力。目前在整體SRAM市場中，有90%的製造商都在生產PSRAM組件。在過去兩年，市場上重要的SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。 x0dx0a x0dx0a編輯本段PSRAM與SRAM的比較：基本原理PSRAM就是偽SRAM，內部的內存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的介面跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的介面跟SRAM的介面是一樣的。 x0dx0a容量PSRAM容量有4Mb,8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量腔衡仔要高很多的，速度支持突發模式，並不是很慢，Hynix，Fidelix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等廠家都有供應，價格只比相同容量的SDRAM稍貴一點點，比SRAM便宜很多。 x0dx0a x0dx0a編輯本段主要應用PSRAM主要應用於手機，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費電子產品與SRAM(採用6T的技術)相比,PSRAM採用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O介面與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。目前智能手機基本採用256MB以上的PSRAM，很多採用512MB。比較於SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對於要求有一定緩存容量的很多攜帶型產品是一個理想的選擇。 x0dx0a x0dx0a編輯本段目前發展現狀：東芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四伍汪版的標准介面規范，也稱之為CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用於移動RAM的通用規范。三家公司將各自生產與銷售自家產品，產品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用規范，將堆棧多晶元封裝(MCP)通用介面規范共享給包括快閃記憶體和SRAM在內的移動設備。隨後，他們在2002、2003和2004年分別對其進行了修訂，增加了頁面模式和突發模式等規格。COSMORAM Rev. 4為Pseudo SRAM增加了雙速率突發(DDR突發)模式。x0dx0a3、SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積。x0dx0a4、x0dx0aPRAM是韓國三星公司推出的一款存儲器，相比普通的DRAM和快閃記憶體，PRAM具有高速低功耗的特點。如果發展順利的話，預計PRAM將從2007年起逐步取代快閃記憶體，成為下一代存儲器產品中的主導力量。 x0dx0a x0dx0aPRAM內存可在晶元供電中斷時保存數據，與普通快閃記憶體的工作原理相同。但PRAM寫入數據的速度要比快閃記憶體塊30倍，其壽命周期也將至少提高十倍。 x0dx0a x0dx0aITRI可能不是第一家銷售PRAM內存產品的商家。全球最大晶元製造商三星公司在去年發布了512MB新內存原型，並有望在明年早些時候上市銷售。但ITRI其他公司有可能以更大的內存容量和不同功能來擊敗三星。 x0dx0a x0dx0a其他晶元製造商也在積極開發相變內存，其中有英特爾公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半導體公司、Hynix半導體公司和Ovonyx。 x0dx0a x0dx0a台積電和ITRI也在開發磁性隨機儲存內存技術（MRAM)，雙方已經獲得了與此有關的40多項專利。台積電有可能在明年底或2009年早期向客戶銷售MRAM。 x0dx0a x0dx0a新晶元運用了 "垂直電極" 及 "3D 晶體管結構" 兩項技術，讓晶元的尺寸縮小，同時在寫入新數據時，也不必先將舊資料復寫。著眼於 Samsung 日前發表的 32GB NAND 內存還是屬於 40 奈米製程，就長期來看，PRAM 也將比 NAND 更省成本。 x0dx0a x0dx0aIBM 和幾家內存模塊大廠合作，包括 Qimonda AG、台灣的旺宏電子（Macronix International），在固態內存（non-volatile memory）上頭，有了相當大的進展。 x0dx0a x0dx0aPRAM（Phase-Change RAM），這個在將來的將來可能取代快閃記憶體（將來用來取代傳統硬碟）的男人，不僅僅是在 Samsung 的大本營默默的蟄伏，以 IBM 為首的研究團隊，更是在速度上硬是壓下了 Samsung 先前發表的 30x 讀寫速度，一舉推到了 500x ~ 1000x，並且電力也只需要ㄧ半，壽命（重復寫入的次數）也大大的延長（以上皆是相較於一般快閃記憶體）,IBM還是強大啊,硬碟到PRAM一路都是IBM在唱主角.
4. 紫光國微行業分析,002049行業分析
近來，科技板塊表現突出，相關個股的上漲很多，市場上的投資者也將目光投向了科技板塊。今天我們就來具體講講科技板塊中細分行業，特種集成電路行業的領頭羊--紫光國微。
在開始分析紫光國微前，給大家分享我排好名次的特種集成電路行業龍頭股名單，點擊即可獲得： 寶藏資料：特種集成電路行業龍頭股一覽表
一、從公司角度來看
公司介紹：紫光國微是國內特種集成電路老大，主營集成電路晶元設計與銷售，壓電石英晶體元器件的開發、生產與銷售，LED藍寶石襯底材料生產和銷售。此公司生產的產品主要有SIM卡晶元、銀行IC卡晶元、存儲器、匯流排器件等。
大家瀏覽完了紫光國微的基本情況，下面了解一下紫光國微公司有什麼優勢，適不適合投資呢？
亮點一：擁有創新技術以及眾多的知識產權
公司在創新技術方面有很突出的表現，建立了單片及組件匯流排產品的設計、驗證和測試平台，現場可編程技術與系統集成晶元被結合，現已成功研發了具備現場可編程功能的高性能系統集成產品；通過多年的努力開發實踐之下，公司在集成電路的設計和產業化方面積累了很多的經驗，在智能安全晶元、特種集成電路等核心產品領域，人才和知識產權優勢超越業內，擁有多項發明專利，讓產品核心競爭力的提升確立了堅固的基礎。
亮點二：突出的市場渠道與品牌優勢
公司積累的客戶資源也是十分雄厚的，與全球各大行業客戶形成緊密合作，產品在全球各地的市場上都有賣。並且與智慧連接、智慧金融等方面廠商開展長遠的戰略配合，晶元生態系統越來越發展強大，品牌知名度和影響力一直在提高。 將來，公司將不斷注重市場需求，抓住物聯網、工業互聯網、汽車電子以及數字貨幣等方面快速進展的機會，發揚技術、人才方面的優勢，把不一樣的產品與服務提供，與此同時在產業鏈上下游市場上進行了積極開拓，在獲得資本市場力量幫助的情況下，達成了公司戰略發展的目標，不斷地在行業內學習與探索，使自己變得更強大。
篇幅有規定，更多關於紫光國微的深度報告和風險提示，學姐已經整合到這篇研報里了，直接戳這里就可以了： 【深度研報】紫光國微點評，建議收藏！
一、從行業角度來看
科技板塊成長性很強，處在一條景氣度十足的賽道上。作為科技板塊的細分行業，特種集成電路廣泛地應用在現代軍事武器中，美國的科技封鎖、我國的政策支持以及國防信息化的需求牽引為我國特種集成電路產業提供更好的發展環境。因為資質、技術、市場等都屬於該行業的多重壁壘，競爭格局基本穩定；下游智能晶元的需求空間非常大，這也給國產提供了充分的替代空間，行業內還有非常充足的發展餘地。紫光國微子藉助其多年技術的積累、充足的產品線、涉及面廣的市場布局，有希望在國產化的大背景下，使市場優勢地位更加穩固，從而在行業的發展當中優先獲得紅利。
綜合而言，本人認為紫光國微現在已經屬於特種集成電路行業里的龍頭老大，能夠在這個行業轉變的關頭，趁著時代較好，迎來高速發展。不過文章還是存在滯後性的，比較好奇紫光國微未來行情的話，戳一下這個鏈接就可以了，會有專業的投顧為你提供診股的幫助，能夠知道紫光國微現在行情是不是在一個買入或賣出的好時機：【免費】測一測紫光國微還有機會嗎？
應答時間：2021-09-09，最新業務變化以文中鏈接內展示的數據為准，請點擊查看
5. PH25Q80B是什麼晶元
Flash存儲晶元，一般被研發電子工程師用來存儲大數據，以保證程序的順利進行；常用的型號包括25Q80，25Q16，25Q32等等；其電路圖符號與PCB封裝如下圖所示：
Flash存儲晶元的品牌匯總：
1，國產品牌：上海復旦微，北京兆易創新，上海新茂，北京芯盈速騰，寧波時代全芯，珠海歐比特，深圳輝芒微，上海聚辰，上海芯澤，四川豆萁，上海普冉，上海芯火，珠海博雅，上海高通，深圳航順，深圳華之美，東芯半導體，深圳芯天下，合肥恆爍，上海華虹摯芯，深圳明月微，珠海創飛芯，蘇州諾存微，深圳友台，廣東華冠，福建晉華，武漢鑫鑫等等
2，港台品牌：台灣榆木，台灣旺宏，AMIC聯笙，台灣創瑞，Winbond華邦，ESMT晶豪，台灣群聯，台灣類比，Innodisk宜鼎，台灣茂矽等等；
3，日韓品牌：日本東芝，韓國JSC濟州，三星，SK Hynix海力士等等；
4，歐美品牌：ISSI芯成，Micron鎂光，Cypress賽普拉斯，ON安森美，Microchip微芯，仙童，TI德州儀器，SST冠捷等等；
其中市場主流的Flash存儲晶元品牌包含鎂光，海力士，華邦，芯天下，輝芒等等；采購與研發電子工程師可以根據實際的項目設計需要以及成本的控制選擇最優的性價比品牌，以滿足采購BOM費用以及方案的設計需求；
Flash存儲晶元一般關注的參數：
空間：如8M，16M；
電壓：如2.7V~3.6V；
類型：如Nor Flash；
壽命：如100K次擦寫；
封裝：如SOIC-8；
Flash存儲晶元的市場價格因品牌及其型號不同而有所區別：
台灣華邦 W25Q80DVSSIG SOIC-8 市場參考價 1.72RMB/PCS；
北京兆易創新 GD25Q80CSIG SOP-8 市場參考價 3.76RMB/PCS；
珠海博雅 BY25Q32BSSIG SOP-8 市場參考價 1.58RMB/PCS；
關於Flash存儲晶元，晶元哥簡單就分享到這了，關於具體在采購與研發國產中遇到的問題，可以在評論區留言，晶元哥會力所能及的幫助小夥伴們解決；另外希望晶元哥的分享能帶來一些工作上的益處，在電子元器件與晶元領域從事的人可以關注晶元哥，每天分享如何在采購上降低成本以及如何在研發上
6. 拆解報告：JBL CHARGE4沖擊波藍牙音箱
JBL是哈曼卡頓旗下的一個音頻品牌，作為美國的一個老牌的音頻廠商，JBL擁有從原材料開發到喇叭單元的設計和生產，再到音箱的設計和生產等一系列工序。旗下音頻產品服務范圍非常廣泛，涵蓋專業領域和民用級別，在各種音頻領域都能看到其身影。
此次我愛音頻網為大家帶來了JBL CHARGE4沖擊波4代無線藍牙音箱，這款產品在外觀上延續了上代產品的設計，圓柱形的造型，整體被編織網布包裹。配置上採用50*90mm賽道揚聲器，最大輸出功率提升到了30W；充電介面升級為Type-C，續航時間達到了20h，並且可以充當充電寶使用；還支持IPX7防水，以及多台串聯功能。今天來看下這款音箱產品的內部構造吧~
一、JBL CHARGE4 開箱
包裝盒採用了橫向的設計，左上角有JBL品牌LOGO；右上角有產品名稱：CHARGE4；中間區域為產品外觀渲染圖；左下方有藍牙標志，右下方20h續航標識。
背面左側有JBL品牌LOGO，20h續航、IPX7防水、充電寶功能、多台串聯四項產品特點。右側有「PLAY AND CHARGE ENDLESSLY」產品slogan，產品名稱：CHARGE4，以及產品充電寶功能展示。
底部有公司部分信息介紹、藍牙介紹和眾多認證標志信息。
側邊有產品外觀渲染圖和兼容性說明，可無線連接超過100台兼容JBL Connet+的揚聲器。
音箱正面外觀一覽，有JBL品牌LOGO。
音箱背面外觀一覽。充電介面防塵塞上印有CHARGE4產品名稱。
音箱底部外觀一覽，有5顆指示燈，腳墊採用橡膠材質，並做了斜紋防滑處理。
音箱側面振膜上有JBL標志LOGO。
另外一側是JBL品牌LOGO。
音箱上JBL品牌LOGO特寫。
包歲春裝盒內還有Type-C USB線、安全說明書、快速指南和保修卡。
Type-C USB線特寫。
USB-A介面上壓印JBL品牌LOGO。
充電線USB-A介面採用了雙面盲插的設計，不分正反，均可使用。
Type-C 介面特寫，非滿針。
線材介面有較厚的密封防塵塞防護，可以起到防水效果。
線材介面防塵塞蓋背面印有產品名稱：JBL CHARGE4，以及各種認證信息和注意事項等。
介面依次為Type-C充電介面，3.5mm音頻線介面和USB供電口。
音箱兩側防護橡膠採用半透明材質。
我愛音頻網採用ChargerLAB POWER-Z KT002攜帶型電源測試儀JBL CHARGE4 進行快充測試，檢測USB-A口不支持快充協議。
我愛音頻網採用ChargerLAB POWER-Z KM001C 對JBL CHARGE4藍牙音箱進行有線充電測試，充電功率約13.45W。
二、JBL CHARGE4 拆解
來到拆解部分，首先撬開圖中編織網格布包裹的出音孔蓋板。
卸掉外部殼體拆解一覽。
功能按鍵內部結構特寫。
JBL標志內側特寫。
音箱內部腔體正面一覽，有橢圓形全頻喇叭單元。
音箱內部腔體背面一覽，腔體周圍與外殼交接處均設置有緩沖海綿墊。
緩沖海綿墊特寫。
頂部振膜蓋板通過螺絲和卡扣的方式固定。
線材介面蓋板採用卡扣的方式與主體固定乎兄耐。
卸掉螺絲解開卡扣，取掉兩端振膜蓋板單元。塵族
振膜蓋板外側特寫。
內側兩個端面都是低頻輻射單元。
腔體內部結構一覽，首先看到主板上兩顆較大的插座。主板右側有螺絲固定。右邊插座連接電池，左邊插座連接充/放電副板。
另外一端腔體內部結構一覽，可以看到全頻喇叭單元的接線端子。
取掉底部腳墊蓋板結構，內部是透明塑料防水殼。
蓋板內側可循環利用標志，2020年9月生產，PC+TPU材質。
電量顯示指示燈導光結構特寫。
蓋板邊緣位置設置有海綿包裹，提升防水性能。
腔體上還有透明蓋板防護。
指示燈小板通過膠水固定在透明蓋板上。
小板背面有與主板連接的排線插座，排線有泡棉包裹，防止共振產生雜音。
卸掉排線，透明蓋板結構一覽。
小板背面是排線介面和指示燈限流電阻。
正面有6顆LED指示燈，5顆相同顏色用於顯示電量，還有一顆不同顏色的藍牙連接指示燈。
透明蓋板與殼體交接處設置有密封橡膠墊。
從腔體內取出電池。
電池組兩端有海綿包裹防護。
導線也有海綿包裹。
可充電鋰離子電池組型號：IAA011NA，充電限制電壓：4.2V，執行標准：GB 31241-1014，標稱電壓：3.6V，額定容量：7500mAh/27.0Wh，製造商：博科能源系統（深圳）有限公司。
電池組底部海綿墊覆蓋。
掀開海綿墊，內部還有塑料墊片保護。
撕掉外層藍色保護膜，圓柱形鋰離子電池上信息特寫。
撕掉頂部海綿貼，電池組由三節18650電池並聯組成，鎳片規整、點焊牢固。
另外一端特寫。
電池組上有電路保護板，保護板被泡棉膠覆蓋。
撕掉絕緣貼，電池保護板固定在塑料絕緣支架內部，細節好評。
電路保護板正面元器件一覽，輸出線焊點膠水加固。
1.5mΩ貼片電阻，用於電池輸出電流檢測。
絲印AJ014的電路保護IC。
6顆絲印4422E 的NMOS管，用於電池保護。
揚聲器單元正面特寫。
揚聲器單元與腔體交界處也有橡膠密封墊。
揚聲器外觀一覽。
揚聲器T鐵特寫，貼有二維碼標簽。
取出線材介面單元，小板通過排線與主板連接。
卸掉排線取出小板，蓋板內側有密封保護蓋，雙層防護。
輸入小板與蓋板由多顆螺絲固定。
腔體上交接處同樣做了密封墊。
分離蓋板與輸入小板。
輸入小板正面一覽，過孔焊接有Type-C充電介面、3.5mm音頻線介面和USB供電口。
輸入小板背面僅有過孔焊接焊點。
蓋板與PCB之間還有防塵防水雙面泡棉膠做密封，且介面有TVS和ESD保護。
Type-C充電介面焊接在單獨的一塊PCB板上。
功能按鍵緩沖墊通過雙面膠固定。
揭掉膠水固定的功能按鍵緩沖墊，拆解一覽。
功能按鍵上覆蓋的硅膠防護墊內側結構特寫。
功能按鍵小板正面一覽。
小板上微動按鍵特寫。
小板上還有多顆LED指示燈，為電源鍵和藍牙連接鍵提供光源。
絲印2TY的三極體。
組件結構交接處緩沖墊特寫。
主板正面一覽，邊緣有海綿墊防護。
主板背面一覽，大面積露銅加錫散熱。
藍牙天線通過同軸線與主板連接，連接器打膠水加固。
薄膜藍牙天線來自South star南星，型號：CHARGE4-BT。
兩顆4R7濾波電感，用於數字功放輸出濾波，和濾波電容通過白膠固定。
兩顆1R5合金升壓電感特寫。
兩顆潤石RS622低雜訊運算放大器。參數定義適中，並提供超低的輸入偏置電流，最大程度降低對信號源的影響，適合處理音頻信號的預防大、音頻信號檢測、包絡檢測、馬達驅動電流檢測等應用場景。
主要參數特性：單位增益帶寬7MHz； 輸入失調電壓典型值0.7mV，可修調至最大值為0.5mV（S622xP系列）； 輸入偏置電流低至1pA（典型值）；低輸入雜訊：7.5nV Hz@10KHz，11nV Hz@1KHz ；相位裕度62 ；每通道耗電低至600µA；軌對軌輸入/輸出；電源紋波抑制比PSRR 93dB； 共模抑制比CMRR 92dB； 壓擺率3.7V/us； 工作電壓范圍2.5V~5.5V；工作溫度范圍滿足-40 C~125 C。
據我愛音頻網拆解了解到，JBL FLIP5 音樂萬花筒藍牙音箱也採用了這顆運算放大器晶元。
潤石RS622詳細資料圖。
絲印LG和KL3的三極體。
絲印UBB的IC。
微盟D3TG穩壓IC。
TI德州儀器 PCM5121音頻立體聲DAC，具有 PCM 介面和固定音頻處理功能。PCM512x 器件屬於單片 CMOS 集成電路系列，由立體聲數模轉換器 (DAC) 和附加支持電路組成，提供 2.1 VRMS 中央接地輸出以及外部靜音電路。
TI德州儀器 PCM5121詳細資料圖。
主板上焊接郵票小板，用於藍牙連接。郵票板上有眾多IC，主控晶元上貼有絲印二維碼標簽。
絲印SP2的IC。
絲印Fb的IC。
絲印MF的IC。
絲印661E01的IC。
Macronix旺宏 MX25U6435F 存儲器，容量8MB，用於存儲固件及連接信息。
Macronix旺宏 MX25U6435F 詳細資料。
絲印9MB的IC。
Qualcomm高通 QCC5125 低功耗藍牙音頻SoC，支持藍牙5.0，支持aptX音頻解碼。具有低功耗，高品質的無線音頻等特點。專為主流藍牙音箱，立體聲耳機和真正的無線耳塞設計。
高通 QCC5125採用四核處理器體系結構，雙核32位處理器應用子系統；雙核Qualcomm Kalimba DSP音頻，嵌入式ROM + RAM和外部Q-SPI快閃記憶體；支持aptX，aptX HD，aptX自適應技術；集成電池充電器，支持內部模式（最大200 mA）和外部模式（最大1.8 A）。
絲印HY4C的三極體。
AWINIC艾為電子 AW9523B LED驅動晶元 ，I2C介面，支持16路呼吸燈。16路LED為共陽恆流驅動，每路具備256步線性調光功能。
AO3401 PMOS管。
TI德州儀器 TPA3128D2 是具有低空閑功率損耗的雙通道 30W 差分模擬輸入 D 類放大器，具有延長藍牙/無線揚聲器和其他電池供電音頻系統的電池壽命的特點，支持4.5-26V工作電壓，支持可編程的功率限制。
TI德州儀器 TPA3128D2詳細資料圖。
微盟S2TG穩壓IC。
台灣松木 ME4435 P通道邏輯增強型功率場效應晶體管，採用高單元密度、DMOS溝道技術製造。專門為減小導通電阻而設計的，適合於低電壓應用。
台灣松木 ME4435詳細資料圖。
MPS MP3431 高效率全集成同步升壓晶元，為數字功放供電，最高輸出電壓可達16V，支持30W輸出，最高40W峰值輸出。
MPS MP3431 詳細資料。
絲印VLBUF的矽力傑 SY7065A，內置開關管的同步整流升壓IC，用於USB-A口5V輸出。
矽力傑 SY7065A 詳細資料。
絲印CA4KH的IC。
TI德州儀器 TPS2546 具有 CDP/SDP 自動切換功能的 USB 充電埠控制器和具有負載檢測功能的 2.5A 電源開關，用於USB-A口輸出保護。
TI德州儀器 TPS2546詳細資料圖。
MPS MP2624 電源管理IC，用於內置電池充電管理，並且支持路徑管理。
MPS MP2624 詳細資料。
JBL CHARGE4沖擊波無線藍牙音箱拆解全家福。
三、我愛音頻網總結
JBL CHARGE4 無線藍牙音箱在外觀設計上依舊延續了前代的設計，繼承了家族式的設計語言。圓柱形的外觀，大面積編織網布包裹，橫向的立式方式，左右兩側均有輻射振膜，振膜上有JBL標志性LOGO，整體觀感較為簡約，並極具辨識度。擁有的眾多配色，豐富了這款產品的個性化選擇。
內部結構配置上，做工精良，細節到位。組件之間通過插座連接，腔體交接處均做了密封膠墊緩沖防護。配置上採用最大輸出功率30W的揚聲器單元，搭配左右兩個低頻輻射振膜單元，提升低頻量感；並配備了德州儀器 TPA3128D2 D類放大器和PCM5121 音頻數字處理器，以及兩顆最大程度降低對信號源的影響的潤石RS622低雜訊運算放大器，有效保證音質效果。
充電介面由上代的Micro-USB更換為了Type-C，電池容量提升到了7500mAh，為音箱提供長達20h的持久續航；電池配備有電路保護板，保護板固定在塑料絕緣支架內部，保護板上有電路保護IC和NMOS管；並且配備有USB-A介面，支持充電寶功能，可為手機、平板等移動設備應急充電。
主控晶元採用了高通 QCC5125 低功耗藍牙音頻SOC，支持藍牙5.0，具有低功耗，高品質的無線音頻等特點；MPS MP3431 高效率全集成同步升壓晶元，為數字功放供電；矽力傑 SY7065A同步整流升壓IC，用於USB-A口5V輸出；TI德州儀器 TPS2546 USB 充電埠控制器用於USB-A口輸出保護；MPS MP2624 電源管理IC，用於內置電池充電管理；以及旺宏 MX25U6435F 存儲器，艾為電子 AW9523B LED驅動器，松木 ME4435 P通道邏輯增強型功率場效應晶體管等。
7. 求助，170em bios吹下來了。但是只有2M的。官網上下的是6M的
MX25L8006EMX25L1606E•狀態寄存器功能•電子識別 - JEDEC的1個位元組的製造商的ID和2位元組的設備ID - RES指令為1個位元組的設備ID - REMS為1位元組的製造商ID，1位元組的設備ID的命令•支持發現的記憶能力（DMC）簽署硬體特點•包裝 - 16引腳SOP（300MIL），MX25L1606E的唯一 - 8引腳SOP（採用150mil） - 8引腳SOP（200mil） - 8引腳PDIP（300MIL） - 8 - 土地WSON（6x5mm） - 8：土地USON（4x4mm的） - 無鉛器件符合RoHS標准概述該設備的功能一個串列外設介面和軟體協議，允許操作一個簡單的3線匯流排。三個匯流排信號是一個時鍾輸入（SCLK），串列數據輸入（SI），和一個串哪或行數據輸出（SO）。串列訪問該設備已啟卜腔用CS＃輸入。當它是在雙輸出讀模式下，SI引腳SO引腳成為SIO0數據輸出引腳。該器件可提供整個晶元的順序讀操作。編程/擦除命令發出後，自動編程/擦除演算法，編程/擦除和驗證規定田間頁面或扇區/塊的位置將被執行。程序執行命令位元組的基礎上，頁面的基礎，或字連續編程模式和擦除命令的基礎是執行部門，或塊或整個晶元基礎。為了容易地提供用戶介面，包括一個狀態寄存器以指示狀態的晶元。讀狀態通過WIP位，可發出命令來檢測編程或擦除操作型緩衫的完成狀態。先進的安全功能增強了保護和安全功能，請參閱「安全功能」部分更多的細節。時，該設備不運行和CS＃高，它被置於待機模式。該器件採用旺宏電子公司專有的存儲單元，能可靠地保存存儲器的內容，甚至在典型的 10萬次編程和擦除周期。
8. 台灣旺宏MXIC存儲品牌的代理商有哪些
旺宏（香港）有限公司深圳代表處
謝浩緯 / 總經理
深圳市福田區車公廟天安數碼城創新科技廣場A座1401室
業務專線: +86-755-8343-3585
(上班時間: 8:30~18:00 GMT+8 )
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9. 史上最全的半導體產業鏈全景！
導 讀 ( 文/ ittbank 授權發布 )
集成電路作為半導體產業的核心，市場份額達83%，由於其技術復雜性，產業結構高度專業化。隨著產業規模的迅速擴張，產業競爭加劇，分工模式進一步細化。
目前市場產業鏈為IC設計、IC製造和IC封裝測試。
○ 在核心環節中，IC設計處於產業鏈上游，IC製造為中游環節，IC封裝為下游環節。
○ 全球集成電路產業的產業轉移，由封裝測試環節轉移到製造環節，產業鏈里的每個環節由此而分工明確。
○ 由原來的IDM為主逐漸轉變為Fabless+Foundry+OSAT。
▲全球半導體產業鏈收入構成佔比圖
① 設計：
細分領域具備亮點，核心關鍵領域設計能力不足。從應用類別(如：手機到 汽車 )到晶元項目(如：處理器到FPGA)，國內在高端關鍵晶元自給率幾近為0，仍高度仰賴美國企業；
② 設備：
自給率低，需求缺口較大，當前在中端設備實現突破，初步產業鏈成套布局，但高端製程/產品仍需攻克。中國本土半導體設備廠商只佔全球份額的1-2%，在關鍵領域如：沉積、刻蝕、離子注入、檢測等，仍高度仰賴美國企業；
③ 材料：
在靶材等領域已經比肩國際水平，但在光刻膠等高端領域仍需較長時間實現國產替代。全球半導體材料市場規模443 億美金，晶圓製造材料供應中國佔比10%以下，部分封裝材料供應佔比在30%以上。在部分細分領域上比肩國際領先，高端領域仍未實現突破；
④ 製造：
全球市場集中，台積電占據60%的份額，受貿易戰影響相對較低。大陸躋身第二集團，全球產能擴充集中在大陸地區。代工業呈現非常明顯的頭部效應，在全球前十大代工廠商中，台積電一家占據了60%的市場份額。此行業較不受貿易戰影響；
⑤ 封測：
最先能實現自主可控的領域。封測行業國內企業整體實力不俗，在世界擁有較強競爭力，長電+華天+通富三家17 年全球整體市佔率達19%，美國主要的競爭對手僅為Amkor。此行業較不受貿易戰影響。
一、設計
按地域來看，當前全球IC 設計仍以美國為主導，中國大陸是重要參與者。2017 年美國IC設計公司占據了全球約53%的最大份額，IC Insight 預計，新博通將總部全部搬到美國後這一份額將攀升至69%左右。台灣地區IC 設計公司在2017 年的總銷售額中佔16%，與2010年持平。聯發科、聯詠和瑞昱去年的IC 銷售額都超過了10 億美元，而且都躋身全球前二十大IC 設計公司之列。歐洲IC 設計企業只佔了全球市場份額的2%，日韓地區Fabless 模式並不流行。
與非美國海外地區相比，中國公司表現突出。世界前50 fabless IC 設計公司中，中國公司數量明顯上漲，從2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈現迅速追趕之勢。2017 年全球前十大Fabless IC 廠商中，美國占據7 席，包括高通、英偉達、蘋果、AMD、Marvell、博通、賽靈思；中國台灣地區聯發科上榜，大陸地區海思和紫光上榜，分別排名第7 和第10。
2017 年全球前十大Fables s IC 設計廠商
（百萬美元）
然而，盡管大陸地區海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美滿電子在中國區營收佔比達50%以上，國內高端 IC 設計能力嚴重不足。可以看出，國內對於美國公司在核心晶元設計領域的依賴程度較高。
自中美貿易戰打響後，通過「中興事件」和「華為事件」我們可以清晰的看到，核心的高端通用型晶元領域，國內的設計公司可提供的產品幾乎為0。
大陸高端通用晶元與國外先進水平差距主要體現在四個方面：
1）移動處理器的國內外差距相對較小。
紫光展銳、華為海思等在移動處理器方面已進入全球前列。
2）中央處理器(CPU) 是追趕難度最大的高端晶元。
英特爾幾乎壟斷了全球市場，國內相關企業約有 3-5 家，但都沒有實現商業量產，多仍然依靠申請科研項目經費和政府補貼維持運轉。龍芯等國內 CPU 設計企業雖然能夠做出 CPU 產品，而且在單一或部分指標上可能超越國外 CPU，但由於缺乏產業生態支撐，還無法與佔主導地位的產品競爭。
3）存儲器國內外差距同樣較大。
目前全球存儲晶元主要有三類產品，根據銷售額大小依次為：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在內存和快閃記憶體領域中，IDM 廠韓國三星和海力士擁有絕對的優勢，截止到2017年，在兩大領域合計市場份額分別為75.7%和49.1%，中國廠商競爭空間極為有限，武漢長江存儲試圖發展 3D Nand Flash(快閃記憶體)的技術，但目前僅處於 32 層快閃記憶體樣品階段，而三星、英特爾等全球龍頭企業已開始陸續量產 64 層快閃記憶體產品；在Nor flash 這個約為三四十億美元的小市場中，兆易創新是世界主要參與廠家之一，其他主流供貨廠家為台灣旺宏，美國Cypress，美國美光，台灣華邦。
4）FPGA、AD/DA 等高端通用型晶元，國內外技術懸殊。
這些領域由於都是屬於通用型晶元，具有研發投入大，生命周期長，較難在短期聚集起經濟效益，因此在國內公司層面發展較為緩慢，甚至有些領域是停滯的。
總的來看，晶元設計的上市公司，都是在細分領域的國內最強。比如2017 年匯頂 科技 在指紋識別晶元領域超越FPC 成為全球安卓陣營最大指紋IC 提供商，成為國產設計晶元在消費電子細分領域少有的全球第一。士蘭微從集成電路晶元設計業務開始，逐步搭建了晶元製造平台，並已將技術和製造平台延伸至功率器件、功率模塊和MEMS 感測器的封裝領域。但與國際半導體大廠相比，不管是高端晶元設計能力，還是規模、盈利水平等方面仍有非常大的追趕空間。
二、設備
目前，我國半導體設備的現況是低端製程實現國產替代，高端製程有待突破，設備自給率低、需求缺口較大。
關鍵設備技術壁壘高，美日技術領先，CR10 份額接近80%，呈現寡頭壟斷局面。半導體設備處於產業鏈上游，貫穿半導體生產的各個環節。按照工藝流程可以分為四大板塊——晶圓製造設備、測試設備、封裝設備、前端相關設備。其中晶圓製造設備占據了中國市場70%的份額。再具體來說，晶圓製造設備根據製程可以主要分為8 大類，其中光刻機、刻蝕機和 薄膜沉積設備這三大類設備占據大部分的半導體設備市場。同時設備市場高度集中，光刻機、CVD 設備、刻蝕機、PVD 設備的產出均集中於少數歐美日本巨頭企業手上。
中國半導體設備國產化率低，本土半導體設備廠商市佔率僅佔全球份額的1-2%。
關鍵設備在先進製程上仍未實現突破。目前世界集成電路設備研發水平處於12 英寸7nm，生產水平則已經達到12 英寸14nm；而中國設備研發水平還處於12 英寸14nm，生產水平為12 英寸65-28nm，總的來看國產設備在先進製程上與國內先進水平有2-6 年時間差；具體來看65/55/40/28nm 光刻機、40/28nm 的化學機械拋光機國產化率依然為0，28nm化學氣相沉積設備、快速退火設備、國產化率很低。
三、材料
半導體材料發展歷程
▲各代代表性材料主要應用
▲第二、三代半導體材料技術成熟度
細分領域已經實現彎道超車，核心領域仍未實現突破，半導體材料主要分為晶圓製造材料和封裝材料兩大塊。晶圓製造材料中，矽片機硅基材料最高佔比31%，其次依次為光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板佔比最高，為40%，其次依次為引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。
日美德在全球半導體材料供應上佔主導地位。各細分領域主要玩家有：矽片——Shin-Etsu、Sumco，光刻膠——TOK、Shipley，電子氣體——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引線架構——住友金屬，鍵合線——田中貴金屬、封裝基板——松下電工，塑封料——住友電木。
（1）靶材、封裝基板、CMP 等，我國技術已經比肩國際先進水平的、實現大批量供貨、可以立刻實現國產化。已經實現國產化的半導體材料典例——靶材。
（2）矽片、電子氣體、掩模板等，技術比肩國際、但仍未大批量供貨的產品。
（3）光刻膠，技術仍未實現突破，仍需要較長時間實現國產替代。
四、製造
晶圓製造環節作為半導體產業鏈中至關重要的工序，製造工藝高低直接影響半導體產業先進程度。過去二十年內國內晶圓製造環節發展較為滯後，未來在國家政策和大基金的支持之下有望進行快速追趕，將有效提振整個半導體行業鏈的技術密度。
半導體製造在半導體產業鏈里具有卡口地位。製造是產業鏈里的核心環節，地位的重要性不言而喻。統計行業里各個環節的價值量，製造環節的價值量最大，同時毛利率也處於行業較高水平，因為Fabless+Foundry+OSAT 的模式成為趨勢，Foundry 在整個產業鏈中的重要程度也逐步提升，可以這么認為，Foundry 是一個卡口，產能的輸出都由製造企業所掌控。
代工業呈現非常明顯的頭部效應 根據IC Insights 的數據顯示，在全球前十大代工廠商中，台積電一家占據了超過一半的市場份額，2017 年前八家市場份額接近90%，同時代工主要集中在東亞地區，美國很少有此類型的公司，這也和產業轉移和產業分工有關。我們認為，中國大陸通過資本投資和人才集聚，是有可能在未來十年實現代工超越的。
「中國製造」要從下游往上游延伸，在技術轉移路線上，半導體製造是「中國製造」尚未攻克的技術堡壘。中國是個「製造大國」，但「中國製造」主要都是整機產品，在最上游的「晶元製造」領域，中國還和國際領先水平有很大差距。
在從下游的製造向「晶元製造」轉移過程中，一定要涌現出一批技術領先的晶圓代工企業。在晶元貿易戰打響之時，美國對我國製造業技術封鎖和打壓首當其沖，我們在努力傳承「兩彈一星」精神，自力更生艱苦創業的同時，如何處理與台灣地區先進企業台積電、聯電之間的關系也會對後續發展產生較大的蝴蝶效應。
五、封測
當前大陸地區半導體產業在封測行業影響力為最強，市場佔有率十分優秀，龍頭企業長電 科技 /通富微電/華天 科技 /晶方 科技 市場規模不斷提升，對比台灣地區公司，大陸封測行業整體增長潛力已不落下風，台灣地區知名IC 設計公司聯發科、聯詠、瑞昱等企業已經將本地封測訂單逐步轉向大陸同業公司。封測行業呈現出台灣地區、美國、大陸地區三足鼎立之態，其中長電 科技 /通富微電/華天 科技 已通過資本並購運作，市場佔有率躋身全球前十（長電 科技 市場規模位列全球第三），先進封裝技術水平和海外龍頭企業基本同步，BGA、WLP、SiP 等先進封裝技術均能順利量產。
封測行業我國大陸企業整體實力不俗，在世界擁有較強競爭力，美國主要的競爭對手為Amkor 公司，在華業務營收佔比約為18%，封測行業美國市場份額一般，前十大封測廠商中，僅有Amkor 公司一家，應該說貿易戰對封測整體行業影響較小，從短中長期而言，Amkor 公司業務取代的可能性較高。
封測行業位於半導體產業鏈末端，其附加價值較低，勞動密集度高，進入技術壁壘較低，封測龍頭日月光每年的研發費用占收入比例約為4%左右，遠低於半導體IC 設計、設備和製造的世界龍頭公司。隨著晶圓代工廠台積電向下游封測行業擴張，也會對傳統封測企業會構成較大的威脅。
2017-2018 年以後，大陸地區封測（OSAT）業者將維持快速成長，目前長電 科技 /通富微電已經能夠提供高階、高毛利產品，未來的3-5 年內，大陸地區的封測企CAGR增長率將持續超越全球同業。