㈠ 存儲器的基本結構原理
存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同
存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器
結構
存儲器結構在MCS - 51系列單片機中，程序存儲器和數據存儲器互相獨立，物理結構也不相同。程序存儲器為只讀存儲器，數據存儲器為隨機存取存儲器。從物理地址空間看，共有4個存儲地址空間，即片內程序存儲器、片外程序存儲器、片內數據存儲器和片外數據存儲器，I/O介面與外部數據存儲器統一編址
存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。
主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。
指示每個單元的二進制編碼稱為地址碼。尋找某個單元時，先要給出它的地址碼。暫存這個地址碼的寄存器叫存儲器地址寄存器(MAR)。為可存放從主存的存儲單元內取出的信息或准備存入某存儲單元的信息，還要設置一個存儲器數據寄存器(MDR)
㈡ 長電科技——半導體晶元封裝和設計龍頭企業
長電 科技 是全球領先的集成電路製造和技術服務提供商，提供全方位的晶元成品製造一站式服務，包括集成電路的系統集成、設計模擬、技術開發、產品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統級封裝測試、晶元成品測試並可向世界各地的半導體客戶提供直運服務。
通過高集成度的晶圓級（WLP）、2.5D/3D、系統級（SiP）封裝技術和高性能的倒裝晶元和引線互聯封裝技術，長電 科技 的產品、服務和技術涵蓋了主流集成電路系統應用，包括網路通訊、移動終端、高性能計算、車載電子、大數據存儲、人工智慧與物聯網、工業智造等領域。長電 科技 在全球擁有23000多名員工，在中國、韓國和新加坡設有六大生產基地和兩大研發中心，在逾22個國家和地區設有業務機構，可與全球客戶進行緊密的技術合作並提供高效的產業鏈支持。
隨著市場對攜帶型移動數據訪問設備的需求快速增長，市場對功能融合和封裝復雜性的要求也在提升。同時對更高集成度，更好電氣性能、更低時延，以及更短垂直互連的要求，正在迫使封裝技術從 2D 封裝向更先進的 2.5D 和 3D 封裝設計轉變。為了滿足這些需求，各種類型的堆疊集成技術被用於將多個具有不同功能的晶元集中到越來越小的尺寸中。
長電 科技 積極推動傳統封裝技術的突破，率先在晶圓級封裝、倒裝晶元互連、硅通孔(TSV)等領域中採用多種創新集成技術，以開發差異化的解決方案，幫助客戶在其服務的市場中取得成功。
3D 集成技術正在三個領域向前推進：封裝級集成、晶圓級集成和硅級集成。
• 封裝級集成
利用常規的焊線或倒裝晶元工藝進行堆疊和互連，以構建傳統的堆疊晶元和堆疊封裝結構，包括：
堆疊晶元 (SD) 封裝 ，通常在一個標准封裝中使用焊線和倒裝晶元連接，對裸片進行堆疊和互連。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。
層疊封裝(PoP) ，通常對經過全面測試的存儲器和邏輯封裝進行堆疊，消除已知合格晶元 (KGD) 問題，並提供了組合 IC 技術方面的靈活度。倒裝晶元 PoP 選項包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。
封裝內封裝 (PiP) ，封裝內封裝 (PiP) 通常將已封裝晶元和裸片堆疊到一個 JEDEC 標准 FBGA 中。經過預先測試的內部堆疊模塊 (ISM) 接點柵格陣列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探測合格晶元 (KGD)，通過線焊進行堆疊和互連，然後模塑形成一個與常規FBGA封裝相似的 CSP。
3D 晶圓級集成 (WLP) 使用再分布層和凸塊工藝來形成互連。晶圓級集成技術涵蓋創新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 選項，包括：
嵌入式晶圓級 BGA(eWLB) - 作為一種多功能的扇出型嵌入式晶圓級 BGA 平台，eWLB 靈活的重建製造工藝可以降低基板的復雜性和成本，同時在一系列可靠、低損耗的 2D、2.5D 和 3D 解決方案中實現高性能、小尺寸和非常密集的互連。長電 科技 的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解決方案包括多個嵌入式無源和有源元器件，提供面對背、面對面選項，以及單面、1.5 面、雙面超薄 PoP 配置。對於需要全 3D 集成的應用，長電 科技 的面對面 eWLB PoP 配置通過 eWLB 模塑層，在應用處理器和存儲器晶元之間提供直接的垂直互連，以實現高帶寬、極細間距的結構，其性能不遜色於 TSV 技術。
包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一種創新的 FIWLP 封裝，採用扇出型工藝，也稱為 FlexLine 方法，來構建這種創新、可靠的包封 WLCSP 封裝。
WLCSP - 標准晶圓級 CSP 封裝。隨著各種工藝技術的發展，例如低固化溫度聚合物、將銅材料用於凸塊下金屬化 (UBM) 和 RDL，我們可以實現更高的密度，提高 WLCSP 封裝的可靠性。
在真正的 3D IC 設計中，目標是將一個晶元貼合在另一個晶元上，兩者之間沒有任何間隔（無中介層或基材）。目前，「接近 3D」的集成通常也稱為 2.5D 集成，其實現方法是使用薄的無源中介層中的硅通孔 (TSV)，在封裝內部連接晶元。晶元之間的通信通過中介層上的電路進行。FOWLP 工藝還可以產生一種被稱為2.5D eWLB的創新過渡技術，在這種技術中，使用薄膜扇出型結構來實現高密度互連。長電 科技 的硅級集成產品組合包括：
2.5D / 擴展 eWLB - 長電 科技 基於 eWLB 的中介層可在成熟的低損耗封裝結構中實現高密度互連，提供更高效的散熱和更快的處理速度。3D eWLB 互連（包括硅分割）是通過獨特的面對面鍵合方式實現，無需成本更高的 TSV 互連，同時還能實現高帶寬的 3D 集成。基於 eWLB 的中介層簡化了材料供應鏈，降低了整體成本，為客戶提供了一個強大的技術平台和路徑，幫助客戶將器件過渡到更先進的 2.5D 和 3D 封裝。
MEOL集成的2.5D封裝 - 作為首批在2.5D 封裝領域擁有成熟 MEOL TSV 集成經驗的 OSAT 之一，長電 科技 在這個新興互連技術領域扮演著重要角色，專注於開發經濟高效的高產量製造能力，讓 TSV 成為具有商業可行性的解決方案。長電 科技 還與眾多的客戶、研究機構和領先代工廠開展協作，為集成式 3D 封裝解決方案開發有效的商業模式。
2.5/3D集成技術圓片級與扇出封裝技術系統級封裝技術倒裝封裝技術焊線封裝技術MEMS與感測器
長電 科技 為以下封裝選項提供晶圓級技術：
• eWLB（嵌入式晶圓級球柵陣列）
• eWLCSP（包封晶圓級晶元尺寸封裝）
• WLCSP（晶圓級晶元尺寸封裝）
• IPD（集成無源器件）
• ECP（包封晶元封裝）
• RFID（射頻識別）
當今的消費者正在尋找性能強大的多功能電子設備，這些設備不僅要提供前所未有的性能和速度，還要具有小巧的體積和低廉的成本。這給半導體製造商帶來了復雜的技術和製造挑戰，他們試圖尋找新的方法，在小體積、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。長電 科技 在提供全方位的晶圓級技術解決方案平台方面處於行業領先地位，提供的解決方案包括扇入型晶圓級封裝 (FIWLP)、扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)、集成無源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封晶元封裝 (ECP)、射頻識別 (RFID)。
突破性的 FlexLineTM 製造方法
我們的創新晶圓級製造方法稱為 FlexLineTM 方法，為客戶提供了不受晶圓直徑約束的自由，同時實現了傳統製造流程無法實現的供應鏈簡化和成本的顯著降低。FlexLine 製造方法是不同於常規晶圓級製造的重大範式轉變，它為扇入型和扇出型晶圓級封裝提供了很高的靈活性和顯著的成本節省。
FlexLine方法，為客戶提供了不受晶圓直徑約束的自由，同時實現了傳統製造流程無法實現的供應鏈簡化和成本的顯著降低。
用於 2.5D 和 3D 集成的多功能技術平台
FlexLine方法，為客戶提供了不受晶圓直徑約束的自由，同時實現了傳統製造流程無法實現的供應鏈簡化和成本的顯著降低。
半導體公司不斷面臨復雜的集成挑戰，因為消費者希望他們的電子產品體積更小、速度更快、性能更高，並將更多功能集成到單部設備中。半導體封裝對於解決這些挑戰具有重大影響。當前和未來對於提高系統性能、增加功能、降低功耗、縮小外形尺寸的要求，需要一種被稱為系統集成的先進封裝方法。
系統集成可將多個集成電路 (IC) 和元器件組合到單個系統或模塊化子系統中，以實現更高的性能、功能和處理速度，同時大幅降低電子器件內部的空間要求。
什麼是系統級封裝？
系統級封裝 (SiP) 是一種功能電子系統或子系統，包括兩個或更多異構半導體晶元（通常來自不同的技術節點，針對各自的功能進行優化），通常搭載無源元器件。SiP 的物理形式是模塊，根據最終應用的不同，模塊可以包括邏輯晶元、存儲器、集成無源器件 (IPD)、射頻濾波器、感測器、散熱片、天線、連接器和/或電源晶元。
先進 SiP 的優勢
為了滿足用戶提高集成度、改善電氣性能、降低功耗、加快速度、縮小器件尺寸的需求，以下幾大優勢促使業界轉向先進的SiP 解決方案：
• 比獨立封裝的元器件更薄/更小的外形尺寸
• 提高了性能和功能集成度
• 設計靈活性
• 提供更好的電磁干擾 (EMI) 隔離
• 減少系統佔用的PCB面積和復雜度
• 改善電源管理，為電池提供更多空間
• 簡化 SMT 組裝過程
• 經濟高效的「即插即用」解決方案
• 更快的上市時間 (TTM)
• 一站式解決方案 – 從晶圓到完全測試的 SiP 模塊
應用
當前，先進的 SiP 和微型模塊正被應用於移動設備、物聯網 (IoT)、可穿戴設備、醫療保健、工業、 汽車 、計算和通信網路等多個市場。每種先進 SiP 解決方案的復雜程度各不相同，這取決於每種應用需要的元器件的數量和功能。
以下是高級 SiP 應用的一些示例：
根據應用需求和產品復雜度，我們提供多種先進 SiP 配置，從帶有多個有源和無源元件、通過倒裝晶元、引線鍵合和SMT進行互連的傳統2D 模塊，到更復雜的模塊，如封裝內封裝 (PiP)、層疊封裝 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解決方案。先進的SiP 模塊配置 (2D/2.5D/3D) 針對特定終端應用進行定製，旨在充分發揮它們的潛在優勢，包括性能、成本、外形尺寸和產品上市時間 (TTM)。
在倒裝晶元封裝中，硅晶元使用焊接凸塊而非焊線直接固定在基材上，提供密集的互連，具有很高的電氣性能和熱性能。倒裝晶元互連實現了終極的微型化，減少了封裝寄生效應，並且實現了其他傳統封裝方法無法實現的晶元功率分配和地線分配新模式。
長電 科技 提供豐富的倒裝晶元產品組合，從搭載無源元器件的大型單晶元封裝，到模塊和復雜的先進 3D 封裝，包含多種不同的低成本創新選項。長電 科技 的豐富倒裝晶元產品組合包括：
FCBGA 和 fcCSP 都使用錫球來提供第二級 (BGA) 互連。
顛覆性的低成本倒裝晶元解決方案：fcCuBE
長電 科技 還提供名為「fcCuBE 」的創新低成本倒裝晶元技術。fcCuBE 是一種低成本、高性能的先進倒裝晶元封裝技術，其特點是採用銅 (Cu) 柱凸塊、引線焊接 (BOL) 互連以及其他增強型組裝工藝。顧名思義，fcCuBE 就是採用銅柱、BOL 和增強工藝的倒裝晶元。fcCuBE 技術適用於各種平台。自 2006 年獲得首個與 fcCuBE 相關的創新 BOL 工藝專利以來，長電 科技 投入大量資金，將這一變革性技術發展成為引人注目的倒裝晶元解決方案，廣泛應用於從低端到高端的移動市場以及中高端消費和雲計算市場的終端產品。
fcCuBE 的優勢是推動來自成本敏感型市場，如移動和消費類市場，以及網路和雲計算市場的客戶廣泛採用這種封裝，因為在這些市場上，布線密度和性能的增加是必然趨勢。fcCuBE 的獨特 BOL 互連結構可擴展到非常細的凸塊間距，實現高 I/O 吞吐量，同時緩解與應力相關的晶元與封裝之間的交互作用 (CPI)，而這種現象通常與無鉛和銅柱凸塊結構相關。這對於中高端的網路和消費類應用而言尤其重要。
長電 科技 提供全方位一站式倒裝晶元服務
憑借在晶圓級封裝、晶圓探針和最終測試方面的強勁實力，長電 科技 在為客戶提供全方位一站式服務方面獨具優勢。長電 科技 提供從涉及到生產的全方位一站式倒裝晶元服務，包括高速、高引腳數的數字和射頻測試。
焊線形成晶元與基材、基材與基材、基材與封裝之間的互連。焊線被普遍視為最經濟高效和靈活的互連技術，目前用於組裝絕大多數的半導體封裝。
長電 科技 的多種封裝方法都採用焊線互連：
銅焊線
作為金線的低成本替代品，銅線正在成為焊線封裝中首選的互連材料。銅線具有與金線相近的電氣特性和性能，而且電阻更低，在需要較低的焊線電阻以提高器件性能的情況下，這將是一大優勢。長電 科技 可以提供各類焊線封裝類型，並最大程度地節省物料成本，從而實現最具成本效益的銅焊線解決方案。
層壓封裝
基於層壓的球柵陣列 (BGA) 互連技術最初推出的目的是滿足高級半導體晶元不斷增長的高引線數要求。BGA 技術的特點是將引線以小凸塊或焊球的形式置於封裝的底面，具有低阻抗、易於表面安裝、成本相對較低和封裝可靠性高等特點。長電 科技 提供全套的基於層壓的 BGA 封裝，包括細間距、超薄、多晶元、堆疊和熱增強配置。
除了標准層壓封裝之外，長電 科技 還提供多種先進堆疊封裝選項，包括一系列層疊封裝 (PoP) 和封裝內封裝 (PiP) 配置。
引線框架封裝
引線框架封裝的特點是晶元包封在塑料模塑復合物中，金屬引線包圍封裝周邊。這種簡單的低成本封裝仍然是很多應用的最佳解決方案。長電 科技 提供全面的引線框架封裝解決方案，從標准引線框架封裝到小巧薄型熱增強封裝，包括方形扁平封裝 (QFP)、四邊/雙邊無引腳、扁平封裝 (QFN/DFN)、薄型小外型封裝 (TSOP)、小外形晶體管 (SOT)、小外形封裝 (SOP)、雙內聯封裝 (DIP)、晶體管外形 (TO)。
存儲器器件
除了增值封裝組裝和測試服務之外，長電 科技 還提供 Micro-SD 和 SD-USB 這兩種格式的存儲卡封裝。Micro-SD 是集成解決方案，使用 NAND 和控制器晶元，SD-USB 則是裸片和搭載 SMT 元器件的預封裝晶元。長電 科技 的存儲卡解決方案採用裸片級別組裝、預封裝晶元組裝，或者兩者結合的方式。
全方位服務封裝設計
我們在晶元和封裝設計方面與客戶展開合作，提供最能滿足客戶對性能、質量、周期和成本要求的產品。長電 科技 的全方位服務封裝設計中心可以幫助客戶確定適用於復雜集成電路的最佳封裝，還能夠幫助客戶設計最適合特定器件的封裝。
2.5/3D集成技術圓片級與扇出封裝技術系統級封裝技術倒裝封裝技術焊線封裝技術MEMS與感測器
MEMS and Sensors
隨著消費者對能夠實現感測、通信、控制應用的智能設備的需求日益增長，MEMS 和感測器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成為一種非常關鍵的封裝方式。MEMS 和感測器可廣泛應用於通信、消費、醫療、工業和 汽車 市場的眾多系統中。
感測器
感測器是一種能夠檢測/測量物理屬性，然後記錄並報告數據和/或響應信號的裝置或系統。感測器通常組裝在模塊中，這些模塊能夠基於模擬或感測器饋送信號來作出響應。感測器有很多不同的類型和應用，例如壓力感測器、慣性感測器、話筒、接近感測器、指紋感測器等
微機電系統 (MEMS)
MMEMS 是一種專用感測器，它將機械和電氣原件通過分立或模塊方式組合起來。MEMS是典型的多晶元解決方案，例如感應晶元與專用集成電路 (ASIC) 配對使用。MEMS 器件可以由機械元件、感測器、致動器、電氣和電子器件組成，並置於一個共同的硅基片上。在消費、 汽車 和移動應用中使用基於 MEMS 的感測器具備一些優勢，包括體積小、功耗低、成本低等。
集成一站式解決方案
憑借我們的技術組合和專業 MEMS 團隊，長電 科技 能夠提供全面的一站式解決方案，為您的量產提供支持，我們的服務包括封裝協同設計、模擬、物料清單 (BOM) 驗證、組裝、質量保證和內部測試解決方案。長電 科技 能夠為客戶的終端產品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解決方案。我們的創新集成解決方案能夠幫助您的企業實現 MEMS 和感測器應用的尺寸、性能和成本要求。
1. 嵌入式晶圓級球柵陣列 (eWLB) - 單晶元、多晶元和堆疊的層疊封裝配置
2. 晶圓級晶元尺寸封裝 (WLCSP) - 非常小的單晶元
3. 倒裝晶元晶元尺寸封裝 (fcCSP)- 單晶元或多晶元的倒裝晶元配置
4. 細間距球柵陣列 (FBGA) - 單晶元或多晶元配置
5. 接點柵格陣列 (FBGA) - 單晶元或多晶元配置
6. 四邊扁平無引腳 (FBGA) - 單晶元或多晶元配置
長電 科技 提供全方位一站式倒裝晶元服務
憑借在晶圓級封裝、晶圓探針和最終測試方面的強勁實力，長電 科技 在為客戶提供全方位一站式處理方面獨具優勢。長電 科技 提供從設計到生產的全方位一站式倒裝晶元服務，包括高速、高引腳數的數字和射頻測試。
全方位一站式解決方案的優勢
• 縮短產品上市時間
• 提升整體流程效率
• 提高質量
• 降低成本
• 簡化產品管理
長電 科技 位於中國、新加坡、韓國和美國的全球特性分析團隊，致力於為全球客戶提供先進的封裝表徵服務，確保客戶擁有高質量、高性能、可靠和高性價比的封裝設計，以滿足他們的市場需求。
晶圓凸塊技術可以在半導體封裝中提供顯著的性能、外形尺寸和成本優勢。晶圓凸塊是一種先進的製造工藝，在切割之前就在半導體晶圓表面形成金屬焊球或凸塊。晶圓凸塊實現了器件中的晶元與基材或印刷電路板之間的互連。焊球的成分和尺寸取決於多種因素，例如半導體器件的外形尺寸、成本以及電氣、機械和熱性能要求。
長電 科技 在晶圓凸塊的眾多合金材料和工藝方面擁有豐富的經驗，包括採用共晶、無鉛和銅柱合金的印刷凸塊、錫球和電鍍技術。我們的晶圓凸塊產品包括 200mm 和 300mm 晶圓尺寸的晶圓凸塊和再分配，以提供完整的一站式先進倒裝晶元封裝和晶圓級封裝解決方案。
長電 科技 的認證質量測試中心，提供多種可靠性試驗，包括環境可靠性測試、使用壽命可靠性測試、板級可靠性試驗，和全方位的故障分析服務。
封測市場高景氣，公司治理和業務協同不斷強化，業績實現高速增長： 公司 2020 年歸母凈利潤同比+1371.17%，業績實現高速增長，主要得益 於公司進一步深化海內外製造基地資源整合、提高營運效率、改善財務 結構，大幅度提高了經營性盈利能力。2020 年，公司海外並購的新加坡 星科金朋實現營業收入 13.41 億美元，同比增長 25.41%，凈利潤從 2019 年的虧損 5,431.69 萬美元到 2020 年的盈利 2,293.99 萬美元，實現全面 扭虧為盈。另外，收購後，子公司長電國際利用星科金朋韓國廠的技術、 廠房等新設立的長電韓國工廠（JSCK）在 2020 年實現營業收入 12.35 億美元，同比增長 64.97%；凈利潤 5,833.49 萬美元，同比增長 669.97%。 2021 年第一季度，公司業績延續高增長趨勢，歸母凈利潤同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，凈利率 5.76%，同比+3.41pct。
公司可為客戶提 供從設計模擬到中後道封測、系統級封測的全流程技術解決方案，已成 為中國第一大和全球第三大封測企業。公司產能全球布局，各產區的配 套產能完善，隨著產能利用率的持續提升，公司生產規模優勢有望進一 步凸顯，同時，各產區互為補充，各具技術特色和競爭優勢，完整覆蓋 了低、中、高端封裝測試領域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封裝等先進封 裝領域優勢明顯。公司聚焦 5G 通信、高性能計算、 汽車 電子、高容量 存儲等關鍵應用領域，大尺寸 FC BGA、毫米波天線 AiP、車載封測方 案和 16 層存儲晶元堆疊等產品方案不斷突破，龍頭地位穩固。
用戶資源和 高附加價值產品項目，加強星科金朋等工廠的持續盈利能力。目前，公 司國內工廠的封測服務能力持續提升，車載涉安全等產品陸續量產，同 時，韓國廠的 汽車 電子、5G 等業務規模不斷擴大，新加坡廠管理效率 和產能利用率持續提升，盈利能力穩步改善。隨著公司各項業務和產線 資源整合的推進，公司盈利能力有望持續提升，未來業績增長動能充足。
㈢ 存儲器的原理是什麼
存儲器講述工作原理及作用
介紹
存儲器(Memory)是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器;在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等;在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器(內存)和輔助存儲器(外存),也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
2.按存取方式分類
(1)隨機存儲器(RAM)：如果存儲器中任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間與存儲單元的物理位置無關，則這種存儲器稱為隨機存儲器(RAM)。RAM主要用來存放各種輸入/輸出的程序、數據、中間運算結果以及存放與外界交換的信息和做堆棧用。隨機存儲器主要充當高速緩沖存儲器和主存儲器。
(2)串列訪問存儲器(SAS)：如果存儲器只能按某種順序來存取，也就是說，存取時間與存儲單元的物理位置有關，則這種存儲器稱為串列訪問存儲器。串列存儲器又可分為順序存取存儲器(SAM)和直接存取存儲器(DAM)。順序存取存儲器是完全的串列訪問存儲器，如磁帶，信息以順序的方式從存儲介質的始端開始寫入(或讀出);直接存取存儲器是部分串列訪問存儲器，如磁碟存儲器，它介於順序存取和隨機存取之間。
(3)只讀存儲器(ROM)：只讀存儲器是一種對其內容只能讀不能寫入的存儲器，即預先一次寫入的存儲器。通常用來存放固定不變的信息。如經常用作微程序控制存儲器。目前已有可重寫的只讀存儲器。常見的有掩模ROM(MROM)，可擦除可編程ROM(EPROM)，電可擦除可編程ROM(EEPROM).ROM的電路比RAM的簡單、集成度高，成本低，且是一種非易失性存儲器，計算機常把一些管理、監控程序、成熟的用戶程序放在ROM中。
3.按信息的可保存性分類
非永久記憶的存儲器：斷電後信息就消失的存儲器，如半導體讀/寫存儲器RAM。
永久性記憶的存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器，如磁性材料做成的存儲器以及半導體ROM。
4.按在計算機系統中的作用分
根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常採用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。
能力影響
從寫命令轉換到讀命令，在某個時間訪問某個地址，以及刷新數據等操作都要求數據匯流排在一定時間內保持休止狀態，這樣就不能充分利用存儲器通道。此外，寬並行匯流排和DRAM內核預取都經常導致不必要的大數據量存取。在指定的時間段內，存儲器控制器能存取的有用數據稱為有效數據速率，這很大程度上取決於系統的特定應用。有效數據速率隨著時間而變化，常低於峰值數據速率。在某些系統中，有效數據速率可下降到峰值速率的10%以下。
通常，這些系統受益於那些能產生更高有效數據速率的存儲器技術的變化。在CPU方面存在類似的現象，最近幾年諸如AMD和 TRANSMETA等公司已經指出，在測量基於CPU的系統的性能時，時鍾頻率不是唯一的要素。存儲器技術已經很成熟，峰值速率和有效數據速率或許並不比以前匹配的更好。盡管峰值速率依然是存儲器技術最重要的參數之一，但其他結構參數也可以極大地影響存儲器系統的性能。
影響有效數據速率的參數
有幾類影響有效數據速率的參數，其一是導致數據匯流排進入若干周期的停止狀態。在這類參數中，匯流排轉換、行周期時間、CAS延時以及RAS到CAS的延時(tRCD)引發系統結構中的大部分延遲問題。
匯流排轉換本身會在數據通道上產生非常長的停止時間。以GDDR3系統為例，該系統對存儲器的開放頁不斷寫入數據。在這期間，存儲器系統的有效數據速率與其峰值速率相當。不過，假設100個時鍾周期中，存儲器控制器從讀轉換到寫。由於這個轉換需要6個時鍾周期，有效的數據速率下降到峰值速率的 94%。在這100個時鍾周期中，如果存儲器控制器將匯流排從寫轉換到讀的話，將會丟失更多的時鍾周期。這種存儲器技術在從寫轉換到讀時需要15個空閑周期，這會將有效數據速率進一步降低到峰值速率的79%。表1顯示出針幾種高性能存儲器技術類似的計算結果。
顯然，所有的存儲器技術並不相同。需要很多匯流排轉換的系統設計師可以選用諸如XDR、RDRAM或者DDR2這些更高效的技術來提升性能。另一方面，如果系統能將處理事務分組成非常長的讀寫序列，那麼匯流排轉換對有效帶寬的影響最小。不過，其他的增加延遲現象，例如庫(bank)沖突會降低有效帶寬，對性能產生負面影響。
DRAM技術要求庫的頁或行在存取之前開放。一旦開放，在一個最小周期時間，即行周期時間(tRC)結束之前，同一個庫中的不同頁不能開放。對存儲器開放庫的不同頁存取被稱為分頁遺漏，這會導致與任何tRC間隔未滿足部分相關的延遲。對於還沒有開放足夠周期以滿足tRC間隙的庫而言，分頁遺漏被稱為庫沖突。而tRC決定了庫沖突延遲時間的長短，在給定的DRAM上可用的庫數量直接影響庫沖突產生的頻率。
大多數存儲器技術有4個或者8個庫，在數十個時鍾周期具有tRC值。在隨機負載情況下，那些具有8個庫的內核比具有4個庫的內核所發生的庫沖突更少。盡管tRC與庫數量之間的相互影響很復雜，但是其累計影響可用多種方法量化。
存儲器讀事務處理
考慮三種簡單的存儲器讀事務處理情況。第一種情況，存儲器控制器發出每個事務處理，該事務處理與前一個事務處理產生一個庫沖突。控制器必須在打開一個頁和打開後續頁之間等待一個tRC時間，這樣增加了與頁循環相關的最大延遲時間。在這種情況下的有效數據速率很大程度上決定於I/O，並主要受限於DRAM內核電路。最大的庫沖突頻率將有效帶寬削減到當前最高端存儲器技術峰值的20%到30%。
在第二種情況下，每個事務處理都以隨機產生的地址為目標。此時，產生庫沖突的機會取決於很多因素，包括tRC和存儲器內核中庫數量之間的相互作用。tRC值越小，開放頁循環地越快，導致庫沖突的損失越小。此外，存儲器技術具有的庫越多，隨機地址存取庫沖突的機率就越小。
第三種情況，每個事務處理就是一次頁命中，在開放頁中定址不同的列地址。控制器不必訪問關閉頁，允許完全利用匯流排，這樣就得到一種理想的情況，即有效數據速率等於峰值速率。
第一種和第三種情況都涉及到簡單的計算，隨機情況受其他的特性影響，這些特性沒有包括在DRAM或者存儲器介面中。存儲器控制器仲裁和排隊會極大地改善庫沖突頻率，因為更有可能出現不產生沖突的事務處理，而不是那些導致庫沖突的事務處理。
然而，增加存儲器隊列深度未必增加不同存儲器技術之間的相對有效數據速率。例如，即使增加存儲器控制隊列深度，XDR的有效數據速率也比 GDDR3高20%。存在這種增量主要是因為XDR具有更高的庫數量以及更低的tRC值。一般而言，更短的tRC間隔、更多的庫數量以及更大的控制器隊列能產生更高的有效帶寬。
實際上，很多效率限制現象是與行存取粒度相關的問題。tRC約束本質上要求存儲器控制器從新開放的行中存取一定量的數據，以確保數據管線保持充滿。事實上，為保持數據匯流排無中斷地運行，在開放一個行之後，只須讀取很少量的數據，即使不需要額外的數據。
另外一種減少存儲器系統有效帶寬的主要特性被歸類到列存取粒度范疇，它規定了每次讀寫操作必須傳輸的數據量。與之相反，行存取粒度規定每個行激活(一般指每個RAS的CAS操作)需要多少單獨的讀寫操作。列存取粒度對有效數據速率具有不易於量化的巨大影響。因為它規定一個讀或寫操作中需要傳輸的最小數據量，列存取粒度給那些一次只需要很少數據量的系統帶來了問題。例如，一個需要來自兩列各8位元組的16位元組存取粒度系統，必須讀取總共32位元組以存取兩個位置。因為只需要32個位元組中的16個位元組，系統的有效數據速率降低到峰值速率的50%。匯流排帶寬和脈沖時間長度這兩個結構參數規定了存儲器系統的存取粒度。
匯流排帶寬是指連接存儲器控制器和存儲器件之間的數據線數量。它設定最小的存取粒度，因為對於一個指定的存儲器事務處理，每條數據線必須至少傳遞一個數據位。而脈沖時間長度則規定對於指定的事務處理，每條數據線必須傳遞的位數量。每個事務處理中的每條數據線只傳一個數據位的存儲技術，其脈沖時間長度為1。總的列存取粒度很簡單：列存取粒度=匯流排寬度×脈沖時間長度。
很多系統架構僅僅通過增加DRAM器件和存儲匯流排帶寬就能增加存儲系統的可用帶寬。畢竟，如果4個400MHz數據速率的連接可實現 1.6GHz的總峰值帶寬，那麼8個連接將得到3.2GHz。增加一個DRAM器件，電路板上的連線以及ASIC的管腳就會增多，總峰值帶寬相應地倍增。
首要的是，架構師希望完全利用峰值帶寬，這已經達到他們通過物理設計存儲器匯流排所能達到的最大值。具有256位甚或512位存儲匯流排的圖形控制器已並不鮮見，這種控制器需要1,000個，甚至更多的管腳。封裝設計師、ASIC底層規劃工程師以及電路板設計工程師不能找到採用便宜的、商業上可行的方法來對這么多信號進行布線的矽片區域。僅僅增加匯流排寬度來獲得更高的峰值數據速率，會導致因為列存取粒度限制而降低有效帶寬。
假設某個特定存儲技術的脈沖時間長度等於1，對於一個存儲器處理，512位寬系統的存取粒度為512位(或者64位元組)。如果控制器只需要一小段數據，那麼剩下的數據就被浪費掉，這就降低了系統的有效數據速率。例如，只需要存儲系統32位元組數據的控制器將浪費剩餘的32位元組，進而導致有效的數據速率等於50%的峰值速率。這些計算都假定脈沖時間長度為1。隨著存儲器介面數據速率增加的趨勢，大多數新技術的最低脈沖時間長度都大於1。
選擇技巧
存儲器的類型將決定整個嵌入式系統的操作和性能，因此存儲器的選擇是一個非常重要的決策。無論系統是採用電池供電還是由市電供電，應用需求將決定存儲器的類型(易失性或非易失性)以及使用目的(存儲代碼、數據或者兩者兼有)。另外，在選擇過程中，存儲器的尺寸和成本也是需要考慮的重要因素。對於較小的系統，微控制器自帶的存儲器就有可能滿足系統要求，而較大的系統可能要求增加外部存儲器。為嵌入式系統選擇存儲器類型時，需要考慮一些設計參數，包括微控制器的選擇、電壓范圍、電池壽命、讀寫速度、存儲器尺寸、存儲器的特性、擦除/寫入的耐久性以及系統總成本。
選擇存儲器時應遵循的基本原則
1、內部存儲器與外部存儲器
一般情況下，當確定了存儲程序代碼和數據所需要的存儲空間之後，設計工程師將決定是採用內部存儲器還是外部存儲器。通常情況下，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此設計工程師必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，人們通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器，因此在預測代碼規模的時候要必須特別小心，因為代碼規模增大可能要求更換微控制器。目前市場上存在各種規模的外部存儲器器件，我們很容易通過增加存儲器來適應代碼規模的增加。有時這意味著以封裝尺寸相同但容量更大的存儲器替代現有的存儲器，或者在匯流排上增加存儲器。即使微控制器帶有內部存儲器，也可以通過增加外部串列EEPROM或快閃記憶體來滿足系統對非易失性存儲器的需求。
2、引導存儲器
在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，設計工程師可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。例如，如果沒有外部的定址匯流排或串列引導介面，通常使用內部存儲器，而不需要專門的引導器件。但在一些沒有內部程序存儲器的系統中，初始化是操作代碼的一部分，因此所有代碼都將駐留在同一個外部程序存儲器中。某些微控制器既有內部存儲器也有外部定址匯流排，在這種情況下，引導代碼將駐留在內部存儲器中，而操作代碼在外部存儲器中。這很可能是最安全的方法，因為改變操作代碼時不會出現意外地修改引導代碼。在所有情況下，引導存儲器都必須是非易失性存儲器。
可以使用任何類型的存儲器來滿足嵌入式系統的要求，但終端應用和總成本要求通常是影響我們做出決策的主要因素。有時，把幾個類型的存儲器結合起來使用能更好地滿足應用系統的要求。例如，一些PDA設計同時使用易失性存儲器和非易失性存儲器作為程序存儲器和數據存儲器。把永久的程序保存在非易失性ROM中，而把由用戶下載的程序和數據存儲在有電池支持的易失性DRAM中。不管選擇哪種存儲器類型，在確定將被用於最終應用系統的存儲器之前，設計工程師必須仔細折中考慮各種設計因素。
㈣ 存儲晶元中字結構方式和位結構方式有什麼不同
字結構方式：一個位元組的8位製作在一塊晶元上，選中晶元可一次性讀/寫8位信息，封裝時引線較多。例如：1K的存儲器晶元由128×8組成，訪問它要7根地址線和8根數據線。
位結構方式：1個晶元內的基本單元作不同字的同一位，8位由8塊晶元組成。優點是晶元封裝時引線少，例如： 1 K存儲器晶元由1024×1組成，訪問它要10根地址線和1根數據線。
㈤ 計算機組成原理(三)存儲系統
輔存中的數據要調入主存後才能被CPU訪問
按存儲介質，存儲器可分為磁表面存儲器（磁碟、磁帶)、磁心存儲器半導體存儲器（MOS型存儲器、雙極型存儲器）和光存儲器（光碟)。
隨機存取存儲器（RAM）：讀寫任何一個存儲單元所需時間都相同，與存儲單元所在的物理位置無關，如內存條等
順序存取存儲器（SAM）：讀寫一個存儲單元所需時間取決於存儲單元所在的物理位置，如磁碟等
直接存取存儲器（DAM）：既有隨機存取特性，也有順序存取特性。先直接選取信息所在區域，然後按順序方式存取。如硬碟等
相聯存儲器，即可以按內容訪問的存儲器（CAM）可以按照內容檢索到存儲位置進行讀寫，「快表」就是一種相聯存儲器
讀寫存儲器—即可讀、也可寫（如：磁碟、內存、Cache）
只讀存儲器—只能讀，不能寫（如：實體音樂專輯通常採用CD-ROM，實體電影採用藍光光碟，BIOS通常寫在ROM中）
斷電後，存儲信息消失的存儲器——易失性存儲器（主存、Cache）
斷電後，存儲信息依然保持的存儲器——非易失性存儲器（磁碟、光碟）
信息讀出後，原存儲信息被破壞——破壞性讀出（如DRAM晶元，讀出數據後要進行重寫）
信息讀出後，原存儲信息不被破壞——非破壞性讀出（如SRAM晶元、磁碟、光碟）
存儲器晶元的基本電路如下
封裝後如下圖所示
圖中的每條線都會對應一個金屬引腳，另外還有供電引腳、接地引腳，故可以由此求引腳數目
n位地址對應2 n 個存儲單元
假如有8k×8位的存儲晶元，即
現代計算機通常按位元組編址，即每個位元組對應一個地址
但也支持按位元組定址、按字定址、按半字定址、按雙字定址
(Dynamic Random Access Memory，DRAM)即動態RAM，使用柵極電容存儲信息
(Static Random Access Memory，SRAM)即靜態RAM，使用雙穩態觸發器存儲信息
DRAM用於主存、SRAM用於Cache，兩者都屬於易失性存儲器
簡單模型下需要有 根選通線，而行列地址下僅需 根選通線
ROM晶元具有非易失性，斷電後數據不會丟失
主板上的BIOS晶元（ROM），存儲了「自舉裝入程序」，負責引導裝入操作系統（開機）。邏輯上，主存由 輔存RAM+ROM組成，且二者常統一編址
位擴展的連接方式是將多個存儲晶元的地址端、片選端和讀寫控制端相應並聯，數據端分別引出。
字擴展是指增加存儲器中字的數量，而位數不變。字擴展將晶元的地址線、數據線、讀寫控制線相應並聯，而由片選信號來區分各晶元的地址范圍。
實際上，存儲器往往需要同時擴充字和位。字位同時擴展是指既增加存儲字的數量，又增加存儲字長。
兩個埠對同一主存操作有以下4種情況：
當出現(3)(4)時，置「忙」信號為0，由判斷邏輯決定暫時關閉一個埠（即被延時），未被關閉的埠正常訪問，被關閉的埠延長一個很短的時間段後再訪問。
多體並行存儲器由多體模塊組成。每個模塊都有相同的容量和存取速度，各模塊都有獨立的讀寫控制電路、地址寄存器和數據寄存器。它們既能並行工作，又能交義工作。多體並行存儲器分為高位交叉編址（順序方式)和低位交叉編址（交叉方式)兩種.
①高位交叉編址
②低位交叉編址
採用「流水線」的方式並行存取（宏觀上並行，微觀上串列）,連續取n個存儲字耗時可縮短為
宏觀上，一個存儲周期內，m體交叉存儲器可以提供的數據量為單個模塊的m倍。存取周期為T，存取時間/匯流排傳輸周期為r，為了使流水線不間斷，應保證模塊數
單體多字系統的特點是存儲器中只有一個存儲體，每個存儲單元存儲m個字，匯流排寬度也為m個字。一次並行讀出m個字，地址必須順序排列並處於同一存儲單元。
缺點：每次只能同時取m個字，不能單獨取其中某個字；指令和數據在主存內必須是連續存放的
為便於Cache 和主存之間交換信息，Cache 和主存都被劃分為相等的塊，Cache 塊又稱Cache 行，每塊由若干位元組組成。塊的長度稱為塊長(Cache 行長)。由於Cache 的容量遠小於主存的容盤，所以Cache中的塊數要遠少於主存中的塊數，它僅保存主存中最活躍的若干塊的副本。因此 Cache 按照某種策略，預測CPU在未來一段時間內欲訪存的數據，將其裝入Cache.
將某些主存塊復制到Cache中，緩和CPU與主存之間的速度矛盾
CPU欲訪問的信息已在Cache中的比率稱為命中率H。先訪問Cache，若Cache未命中再訪問主存，系統的平均訪問時間t 為
同時訪問Cache和主存，若Cache命中則立即停止訪問主存系統的平均訪問時間t 為
空間局部性：在最近的未來要用到的信息(指令和數據)，很可能與現在正在使用的信息在存儲空間上是鄰近的
時間局部性：在最近的未來要用到的信息，很可能是現在正在使用的信息
基於局部性原理，不難想到，可以把CPU目前訪問的地址「周圍」的部分數據放到Cache中
直接映射方式不需要考慮替換演算法，僅全相聯映射和組相聯映射需要考慮
①隨機演算法(RAND):若Cache已滿，則隨機選擇一塊替換。實現簡單，但完全沒考慮局部性原理，命中率低，實際效果很不穩定
②先進先出演算法(FIFO):若Cache已滿，則替換最先被調入Cache的塊。實現簡單，依然沒考慮局部性原理
③近期最少使用演算法(LRU):為每一個Cache塊設置一個「計數器」，用於記錄每個Cache塊已經有多久沒被訪問了。當Cache滿後替換「計數器」最大的.基於「局部性原理」，LRU演算法的實際運行效果優秀，Cache命中率高。
④最不經常使用演算法(LFU):為每一個Cache塊設置一個「計數器」，用於記錄每個Cache塊被訪問過幾次。當Cache滿後替換「計數器」最小的.並沒有很好地遵循局部性原理，因此實際運行效果不如LRU
現代計算機常採用多級Cache，各級Cache之間常採用「全寫法+非寫分配法」；Cache-主存之間常採用「寫回法+寫分配法」
寫回法(write-back)：當CPU對Cache寫命中時，只修改Cache的內容，而不立即寫入主存，只有當此塊被換出時才寫回主存。減少了訪存次數，但存在數據不一致的隱患。
全寫法(寫直通法，write-through)：當CPU對Cache寫命中時，必須把數據同時寫入Cache和主存，一般使用寫緩沖(write buffer)。使用寫緩沖，CPU寫的速度很快，若寫操作不頻繁，則效果很好。若寫操作很頻繁，可能會因為寫緩沖飽和而發生阻塞訪存次數增加，速度變慢，但更能保證數據一致性
寫分配法(write-allocate)：當CPU對Cache寫不命中時，把主存中的塊調入Cache，在Cache中修改。通常搭配寫回法使用。
非寫分配法(not-write-allocate)：當CPU對Cache寫不命中時只寫入主存，不調入Cache。搭配全寫法使用。
頁式存儲系統：一個程序(進程)在邏輯上被分為若干個大小相等的「頁面」， 「頁面」大小與「塊」的大小相同 。每個頁面可以離散地放入不同的主存塊中。CPU執行的機器指令中，使用的是「邏輯地址」，因此需要通「頁表」將邏輯地址轉為物理地址。頁表的作用：記錄了每個邏輯頁面存放在哪個主存塊中
邏輯地址（虛地址）：程序員視角看到的地址
物理地址（實地址）：實際在主存中的地址
快表是一種「相聯存儲器」，可以按內容尋訪，表中存儲的是頁表項的副本；Cache中存儲的是主存塊的副本
地址映射表中每一行都有對應的標記項
主存-輔存：實現虛擬存儲系統，解決了主存容量不夠的問題
Cache-主存：解決了主存與CPU速度不匹配的問題
㈥ 什麼是存儲卡
分類: 電腦/網路 >> 硬體
解析:
現在主要的存儲卡類型很多，主要有小型快閃記憶體卡（CF卡—pact flash），智慧卡（SM卡— *** art media）和記憶棒（MS卡—Memory Stick），xD圖像卡、以及多媒體卡（MMC卡—MultiMedia Card）和安全數字卡（SD卡—Secure Digital）等。下面我們來逐一介紹：
1.CF卡
CF卡是最早推出的存儲卡，也是大家都比較青睞的存儲卡。CF卡得以普及的原因很多，其中比較重要的一點就是物美價廉。比起其他數碼存儲卡，CF卡單位容量的存儲成本差不多是最低的，速度也比較快，而且大容量的CF卡比較容易買到。
我們可以接觸的到CF卡分為CF Type I/CF Type II兩種類型。由於CF存儲卡的插槽可以向下兼容，因此TypeII插槽既可以使CF TypeII卡 又可以使用CF Type I卡；而Type I插槽則只能使用CF Type I卡，而不能使用CF Type II卡，朋友們在選購和使用的時候一定要注意。
2.SD卡
SD卡體積小巧，廣泛應用在數碼相機上，是由日本的松下公司、東芝公司和SanDisk公司共同開發的一種全新的存儲卡產品，最大的特點就是通過加密功能，保證數據資料的安全保密。SD卡在外形上同MultiMedia Card卡保持一致，並且兼容MMC卡介面規范。不過注意的是，在某些產品例如手機上，SD卡和MMS卡是不能兼容的。SD 卡在售價方面要高於同容量的MultiMedia Card卡。
3.MS卡
在5年前，芹態索尼公司生產了它自己的快閃記憶體記憶卡，就是記憶棒—Memory Stick。其應用於索尼公灶首襲司出的數碼產品，掌上電腦、MP3、數碼相機、數碼攝像機等等數碼設備。由Memory Stick所衍生出來的Memory Stick PRO和Memory Stick DUO也是索尼記憶棒向高容量和小體積發展的產物。
4.SM卡
SM卡最早是由東芝公司推出的，它僅僅是將存儲晶元封裝起來，自身不包含控制電路，所有的讀寫操作安全依賴於使用它的設備。盡管由於結構簡單可以做得很薄，在便攜性方面優於CF卡，但兼容性差是其致命之傷，一張SM卡一旦在MP3播放器上使用過，數碼相機就可能不能再讀寫。其市場表現已呈龍鍾之態，不會再有更多新的設備支持它。
5.MMC卡
MMC卡是由Sandisk和西門子於1997年聯手推出的，它普及還沾了點SD卡的光。後來推出的SD卡標准中保留了設備對MMC卡的兼容，就是說雖然使用MMC卡的設備無法使用SD卡，而使用SD卡的設備卻可以毫無障礙地使用MMC卡，在某些時候使得MMC順利成為SD卡的代替品。MMC卡的大小和SD基本一樣，比SD卡要薄一點，不過在讀取速度上還是SD強。因此價格也是MMC比較便宜。
6.xD圖像卡
xD圖像卡是繼上面幾種存儲卡而後生的存儲卡產品，是由富士膠卷和奧林巴斯光學工業為SM卡的後續產品成功開發的產品。它的特點是集體積更小、容量更大於一身，xD圖像卡設計只有一張郵票那麼大，未來圖像存儲能力高達令人驚嘆的8GB。
存儲卡的使用
一般產品用什麼樣的存儲卡也和公司的合作政策有關系。比如有些產品只支持自己公司出的存儲卡隱兄，像Sony和PanaSonic那樣；有些產品則支持多種類型的存儲卡，以更好的方便用戶，博得更多用戶群的喜愛。不過大致也有一定的方向，我們來綜合說說吧：
數碼相機：
1.索尼的數碼相機不用當然就是用自己的存儲卡Memory Stick或者Memory Stick PRO了，這個毫無異議；
2.松下的數碼相機也是用SD卡；
3.佳能以前是用比較廉價的CF卡，不過慢慢地也向體積細小的SD卡靠攏了；
4.在xD卡沒出來以前，奧林巴斯和富士的數碼相機是採用SM卡作為存儲卡的，不過奧林巴斯和富士合作開發出xD卡後，毫無疑問，都一起拋棄了前途昏暗的SM卡，xD卡就自然是它的存儲介質了。
5.柯尼卡美能達在去年開始合並，在合並以前，柯尼卡的數碼相機是採用MS/SD/MMC雙插槽的設計，美能達則是採用SD/MMC卡的，在合並後，柯尼卡美能達的數碼相機都是採用SD/MMC卡為存儲介質。
6.三星是比較後續的數碼相機廠商，因此其對存儲卡並沒有一個很明確的定向使用，有支持SD/MS的，也有支持CF/SD的。
7.至於其他大廠，例如柯達、賓得、卡西歐等品牌都採用的是SD卡作為介質，就不一一解說了，因為基本的方向都是朝著方便輕巧發展，自然是SD卡為主了。
PDA：
1.索尼的PDA還是用自己的存儲卡Memory Stick或者Memory Stick PRO。
2.惠普、DELL、PALMONE等品牌是主要以SD卡為主要的存儲介質，也有SD/CF雙卡設計。
3.華碩、ACER、東芝等品牌也是以CF為主要的存儲介質，也有SD/CF雙卡設計的。
㈦ rl76存儲晶元引腳功能
主要為輸入功能。
rl76存儲晶元引腳功能是，VCC，電源輸入引腳，連接到電源電壓。GND，地引腳，連接到地。RST，復位輸入引腳，用於復位單片機。MOSI，主機輸出從機輸入，用於SPI匯流排。MISO，主機輸入從機輸出，用於SPI匯流排。SCK，時鍾輸入引腳，用於SPI匯流排。SDA，I2C匯流排數據輸入/輸出引腳。SCL，I2C匯流排時鍾輸入引腳。
RL76存儲晶元是一款8引腳SOP封裝的單片機，它是一款低成本的，極小型的，低功耗的單片機。
㈧ U盤封裝方式
U盤封裝一般是指將一些常用、特殊工具以不可更改的方式載入到U盤內，以起到睜鏈歲某些特殊的作喚洞用。
USB-CDRom、USB-HDD和USB-ZIP這三種方式都是U盤封裝方式，但是只有第一種USB-CDRom是封裝後不可更改的，後面的USB-HDD和USB-ZIP都是可以更改的。此外還有USB-HDD2+、USB-HDD+和USB-ZIP+等其他的封裝形式。而你後面說的TSOP、COB、BGA是指晶元封裝形式，悉睜也就是將U盤的存儲晶元或主控晶元以某種特殊的方法焊接固定到U盤主控板上。你可以將TSOP、COB、BGA簡單理解為U盤的製作工藝。