❶ 用rom做解碼器，說明該如何去做
ROM的電路結構主要包括三部分：地址解碼器，存儲矩陣，輸出緩沖器。如圖24-1-2所示。
ROM的結構圖
圖中地址解碼器有n個輸入，它的輸出W0、W1、……、Wn-1共有N=2n個，稱為字線(或稱選擇線)。字線是ROM矩陣的輸入，ROM矩陣有M條輸出線，稱為位線。字線與位線的交點，即是ROM矩陣的存儲單元，存儲單元代表了ROM矩陣的容量，所以ROM矩陣的容量等於W×D。輸出緩沖器的作用有兩個，一是能提高存儲器的帶負載能力，二是實現對輸出狀態的三態控制，以便與系統的匯流排聯接。
ROM的工作原理
圖24-1-3是一個說明ROM結構和工作原理的電路，ROM矩陣的存儲單元是由N溝道增強型MOS管構成的，MOS管採用了簡化畫法。它具有2位地址輸入碼，即4條字線W0、W1、W2、W3，有4位數據輸出，即4條位線D0、D1、D2、D3，共16個存儲單元。地址解碼器相當最小項解碼器，其輸入A1、A0稱為地址線。二位地址代碼A1A0能給出4個不同的地址。每輸入一個地址，地址解碼器的字線輸出W0~W3中將有一根線為高電平，其餘為低電平。即
當字線W0~W3某根線上給出高電平信號時，都會在位線D3~D0四根線上輸出一個4位二進制代碼。輸出端的緩沖器不但可以提高帶負載能力，還可以將輸出的高、低電平變換為標準的邏輯電平。如果作為輸出緩沖器的反相器是三態門，還可以通過使能端
實現對輸出的三態控制。
(a) ROM存儲矩陣 (b) ROM矩陣中一條字線的分解圖
圖24-1-3 MOS 管ROM矩陣字線和位線關系
圖24-1-3中4×4=16個存儲單元，即跨接在字線和位線上的MOS管，MOS管的柵極接字線，源極接地。MOS管是否存儲信息用柵極是否與字線相連接來表示，如果MOS管存儲信息，該MOS管的柵極與字線連接，該單元是存「1」；如果該MOS管不存儲信息，則柵極與字線斷開，該單元是存「0」。根據圖24-1-2，例如，當輸入一個地址碼[A1A0]=00時，字線W0被選中（高電平），其他為低電平，則該字線上信息就從相應的位線上讀出，[D3D2D1D0]=0101。ROM全部4個地址內的存儲內容見表24-1中。
當給定地址代碼後，經解碼器譯成W0~W3中某一字線上的高電平，使接在這根字線上的MOS管導通，並使與這些MOS管漏極相連的位線為低電平，經輸出緩沖器反相後，在數據輸出端得到高電平，輸出為1。將圖24-1-3(a)中與位線D0相連的各字線的有關部分畫在圖24-1-2(b)中，顯然
每一個邏輯式是一個或門，即位線與字線間的邏輯關系是或邏輯關系，位線與地址碼A1、A2之間是與或邏輯關系。最小項解碼器相當一個與矩陣，ROM矩陣相當或矩陣，整個存儲器ROM是一個與或矩陣。
ROM存儲器的兩個矩陣一般與矩陣是不可編的，而或矩陣是可編的。編程時一般要通過專門的編程器，採用一定的編程工具軟體進行，以決定存儲單元的MOS管是否接入。不過存儲單元上使用的MOS管是一種特殊的MOS管，將在下面介紹。
集成只讀存儲器
在集成只讀存儲器中，最常用的是EPROM，EPROM有2716、2732、2764、27158等型號。存儲容量分別為2k×8、4k×8、8k×8、16k×8個單元，(型號27後面的數字即為以千計的存儲容量)。下面以EPROM2716為例說明它的六種工作方式，見表24-2。它管腳引線如圖24-1-4所示，共有24個管腳，除電源(VCC)和地(GND)外，A10～A0為地址解碼器輸入端，數據輸出端有8位，既它有211條字線，8條位線，存儲容量為211×8。
是
為低電平起作用片選端，
等於高電平時2716為高阻，與匯流排脫離，晶元不工作。PD/PGM為低功耗與編程信號，其作用是在兩次讀出的等待時間內降低器件的功率損耗，既當PD/PGM為「1」時，輸出為高阻。在編程時需要在PD/PGM端加編程脈沖，同時要在電源端加較高的編程電壓。
EPROM擦除需專用設備，寫入時需要較高的電壓，更改存儲的數據不太方便。而E2PROM在寫數據時不需要升壓，用電擦除所需時間也很短（幾十毫秒），型號如2815/2816和58064等。
EPROM2716管腳圖
❷ 鎖存器，觸發器，寄存器和緩沖器的區別
1、鎖存器把信號暫存以維持某種電平狀態，只有在有鎖存信號時輸入的狀態被保存到輸出，直到下一個鎖存信號。通常只有0和1兩個值。
2、觸發器具有兩個自行保持的穩定工作狀態，根據不同的輸入信號可以置成0或1的狀態，輸入信號消失後，觸發器保持獲得的新狀態不變。
3、寄存器是用來暫存數碼的，它由觸發器和控制門電路組成。
4、緩沖器又稱三態門，是寄存器的一種，輸出既可以是一般二值邏輯電路，即正常的高電平（邏輯1）或低電平（邏輯0），又可以保持特有的高阻抗狀態。
(2)存儲矩陣輸出緩沖器擴展閱讀
應用：
1、鎖存器多用於集成電路中，在數字電路中作為時序電路的存儲元件，在某些運算器電路中有時採用鎖存器作為數據暫存器。
封裝為獨立的產品後也可以單獨應用，數據有效延遲於時鍾信號有效。這意味著時鍾信號先到，數據信號後到。使用鎖存器來區分開單片機的地址和數據，8051系列的單片機用的比較多。
2、可將寄存器內的數據執行算術及邏輯運算；存於寄存器內的地址可用來指向內存的某個位置，即定址；可以用來讀寫數據到電腦的周邊設備。
3、如果你的設備埠要掛在一個匯流排上，必須通過三態緩沖器。因為在一個匯流排上同時只能有一個埠作輸出，這時其他埠必須在高阻態，同時可以輸入這個輸出埠的數據。
所以你還需要有匯流排控制管理，訪問到哪個埠，那個埠的三態緩沖器才可以轉入輸出狀態。這是典型的三態門應用。
❸ 256 8位存儲器的字線和位線各有多少條
2^8=256，有8根地址線，256根字線，8根地址線和位線。
存儲矩陣是存放信息的主體，它由許多存儲單元排列組成。每個存儲單元存放一位二值代碼(0
或 1)，若干個存儲單元組成一個「字」(也稱一個信息單元)。
地址解碼器有n條地址輸入線A0~An-1，2n條解碼輸出線W0~W2n-1，每一條解碼輸出線Wi稱為「字線」，它與存儲矩陣中的一個「字」相對應。因此，
每當給定一組輸入地址時，解碼器只有一條輸出字線Wi被選中，該字線可以在存儲矩陣中找到一個相應的「字」，並將字中的m位信息Dm-1~D0送至輸出緩沖器。讀出Dm-1~D0的每條數據輸出線Di也稱為「位線」，每個字中信息的位數稱為「字長」。
❹ 什麼是字線和位線
如圖，在MOS管中，漏極所接線是位線而柵極所接線就是字線。字線為高電平時T管導通，字線為低電平時則截止。
訪問SRAM時，字線（Word Line）加高電平，使得每個基本單元的兩個控制開關用的晶體管M，與M開通，把基本單元與位線（Bit Line）連通。位線用於讀或寫基本單元的保存的狀態。雖然不是必須兩條取反的位線，但是這種取反的位線有助於改善雜訊容限。
(4)存儲矩陣輸出緩沖器擴展閱讀：
SRAM一般由五大部分組成，即存儲單元陣列、地址解碼器（包括行解碼器和列解碼器）、靈敏放大器、控制電路和緩沖/驅動電路。存儲陣列中的每個存儲單元都與其它單元在行和列上共享電學連接。
通過輸入的地址可選擇特定的字線和位線，字線和位線的交叉處就是被選中的存儲單元，每一個存儲單元都是按這種方法被唯一選中，然後再對其進行讀寫操作。
有的存儲器設計成多位數據如4位或8位等同時輸入和輸出，這樣的話，就會同時有4個或8個存儲單元按上述方法被選中進行讀寫操作。