A. 國產存儲晶元開始提速，兩大喜訊接連傳來，實現從0到1突破
全球存儲晶元的格局非常明確，以韓國三星，SK海力士和美國美光這三大巨頭為主，在各大存儲晶元領域中占據核心技術和市場份額的主要優勢。常見的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨頭手中。
但其實國產存儲晶元已經開始提速了，兩大喜訊接連傳來，完成了從0到1的關鍵突破。具體是怎樣的喜訊呢？國產存儲晶元產業格局如何？
存儲晶元的重要性是顯而易見的，手機，電腦設備想要運行文件，存儲數據，那麼存儲晶元將會是不可或缺的存在。
根據存儲晶元種類的不同，賽道競爭程度也不一樣。有些存儲晶元巨頭已經將工藝做到了使用EUV光刻機的程度，而有些企業能在某個細分存儲晶元領域取得一席之地，就已經是很大的突破了。
國外巨頭因為起步時間早，有龐大的資本開支優勢，再加上產業鏈發展完善，取得領先也是能理解的。但後來居上，實現反超的例子也不是沒有，國產存儲晶元傳來兩大喜訊，已經在彎道超車了。具體有怎樣的喜訊呢？
第一大喜訊：昕原半導體建成28/22nm ReRAM生產線
對存儲晶元有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是發展了幾十年的存儲晶元，已經發展出完整的全球化產業鏈，相關的技術，配套設施和人才儲備也十分完善。
可是在人工智慧，雲計算等日益發展迅速的新基建領域， 探索 新型存儲晶元也成為了一種趨勢。而ReRAM這種阻變存儲器就是新型存儲晶元，它的優勢體現在讀取速度快，功耗低，應用范圍廣闊。
昕原半導體就是發展ReRAM存儲晶元的國產公司，其成立於2019年，在今年2月中旬正式傳來消息，建成了中國首條28nm/22nm的ReRAM生產線。
基於這座生產線，昕原半導體可以更快將研究成果落地，補充完善國產存儲晶元產業的生產供應鏈。
值得一提的是，在新型的ReRAM阻變存儲器產業中，入局的玩家還不是很多，而建成相關生產線的企業更是少之又少。放眼國外，昕原半導體的這一生產線建設成果都是領先的。這也意味著，中國已經在ReRAM新型阻變存儲器中把握住了先手機會，未來可期。
第二大喜訊：曝合肥長鑫今年投產17nm製程的DDR5 內存晶元
相較於昕原半導體大力發展新型阻變存儲器，合肥長鑫這家存儲巨頭則在傳統賽道上持續攻克難關。有消息爆料稱，合肥長鑫會在今年投產17nm製程工藝的DDR5內存晶元，成為國內首個參與DDR5內存晶元市場的中國企業。
DDR5是計算機內存規格的晶元，相比於DDR4等前幾代內存條，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是當下主流的高性能，高品質內存晶元。
DDR5的市場份額一直把控在三星、SK海力士、美光這三大巨頭手中，製造出的DDR5被各國客戶爭相下單采購，國內也一直存在DDR5內存晶元的空白。
然而喜訊傳來，消息爆料合肥長鑫會在今年進行DDR5內存晶元的投產，且還是17nm的工藝製程。在這一領域內，17nm已經是非常先進高端的水準了。
若爆料消息無誤，則說明國產DDR5晶元已經迎來有望參與全球市場的發展能力。除了投產DDR5晶元之外，合肥長鑫也一直在努力提升產能，得益於背後資本的支持，合肥長鑫計劃在今年實現每月12萬片晶圓的目標，而2年前合肥長鑫的產能水準還停留在每月4.5萬片。
以上兩個關於國產存儲晶元的喜訊接踵而至，一個是昕原半導體在新型ReRAM阻變存儲器建成生產線，為國產新型存儲晶元產業發展提供更多的可能性。
另一個是合肥長鑫計劃今年投產DDR5內存晶元，在17nm工藝的支持下，將有望拿下DDR5市場的一席之地，打破海外巨頭單一市場壟斷的局面。
不難發現，這兩個喜訊都是實現了從0到1的突破，昕原半導體的ReRAM生產線是國內首條，合肥長鑫投產DDR5也是國內首個參與者，可見國產存儲晶元已經開始提速。
其實不只是這兩大國產存儲晶元巨頭，在其餘的長江存儲，福建晉華等等存儲公司的參與下，構建了如今存儲晶元產業快速破局的格局。他們要麼是興建生產線，要麼加快技術研發突破，齊聚力量之下，相信定能為國產存儲晶元創造全新的未來。
海外巨頭長期耕耘技術研發和產業發展，國產企業要想加速進步，還得一步一個腳印。首先要樹立發展目標，其次包括人才資源，緊接著努力將研究成果落地產業。正所謂一分耕耘一分收獲，希望國產企業的耕耘都能得到應有的收獲。
對國產存儲晶元的兩個喜訊你有什麼看法呢？
B. 存儲晶元大廠集體「越冬」，晶元市場為何走了下坡路
存儲晶元大廠集體“越冬”，晶元市場為何走了下坡路首先是因為受到政策的影響，其次就是我們國內的晶元公司在晶元領域取得了突破性的進展，再者就是很多國家都意識到了應該自主研發晶元，另外就是晶元更新換代的速度很快所以舊的晶元的市場價格往往會大幅度降價，還有就是存儲晶元工廠之間的競爭非常激烈使得他們正在不斷的更新產品。需要從以下四方面來闡述分析存儲晶元大廠集體“越冬”，晶元市場為何走了下坡路。
一、因為受到政策的影響
首先就是因為受到政策的影響 ，對於晶元廠家而言如果受到一些消極的政策影響那麼他們的長期發展就會收到限制不利於他們的一些戰略調整，並且他們的一些營銷策略也會改變。
晶元企業應該做到的注意事項：
應該提升整體的生產效率，並且擴大對應的合作渠道才可以滿足長期利益。
C. 打破美日壟斷晶元國產化再獲新突破：128層快閃記憶體晶元進入量產
長期以來，全球的存儲晶元市場份額基本集中在韓國、日本、美國等國家的晶元企業手中，我國在這方面雖然起步比較晚，但是進步速度快，我國存儲晶元「三劍客」之一長江存儲僅僅花了4年時間，就完成了32層3D NAND快閃記憶體晶元到128層3D NAND快閃記憶體晶元的研發。近日，我國在快閃記憶體晶元和固態硬碟領域傳來好消息。
據媒體周四（7月29日）最新報道，國內存儲產品代工企業「嘉合勁威」宣布， 該司旗下 品 牌阿斯加特發布新品AN4 PCle4.0 SSD快閃記憶體顆粒 ，該硬碟 採用的是長江存儲研發的128層3D TLC NAND， 主要的實行方案同樣來自於中企英韌 科技 。
快閃記憶體晶元和SSD固態硬碟之間有什麼樣的聯系呢？NAND快閃記憶體晶元被廣泛採用到SSD固態硬碟、智能手機、平板電腦等電子設備中， 數據統計顯示，2019年，SDD固態硬碟對NAND快閃記憶體晶元的需求佔比達49.6%，此外，2021年，預計SSD固態硬碟全球的出貨量高達3.3億台。 隨著SSD固態硬碟的市場規模越來大，也加速拉動了NAND快閃記憶體晶元的市場需求量。
值得一提的是，雖然，當前硬碟市場仍以PCIe 3.0 SSD為主流，但是技術進步是發展趨勢，隨著更多的高端產品的流出，PCIe 4.0 SSD的呼聲也越來越高，三星、西部數據等快閃記憶體晶元巨頭都推出了PCIe 4.0 SSD固態硬碟。 因此，AN4 PCle4.0 SSD的出現不僅能夠填補我國國產高端 PCle4.0 SSD固態硬碟領域的長期空白， 同時也象徵著我國國產SSD固態硬碟成功邁進高端市場。
另外，有業內人士分析認為，阿斯加特此次發布的新品， 意味著長江存儲研發的128層快閃記憶體晶元已經進入量產階段。由此，該司正式進階到100層以上的高端快閃記憶體晶元賽道，未來有望在快閃記憶體晶元市場上獲得更多的市場份額。
此次，阿斯加特與長江存儲的強強合作，又為我國高端技術突破增添了「功勛章」，成功把我國國產NAND快閃記憶體晶元和SSD固態硬碟推向高端市場。
文 | 張建琳 題 |曾雲梓 圖 | 盧文祥 審 | 呂佳敏
D. 2022年上市，國產內存晶元實現量產，領先業界平均製程11~21納米
相較於PC端、智能手機晶元製程的更新換代速率， 汽車 、家用電器等傳統晶元製程過渡到尖端晶元製程的時間相對較長。步入2021年後，內存市場迎來了一波升級， 眼下PC端領域已經步入到DDR5時代 。低端的 DDR3內存逐漸被三星、SK海力士淘汰。 但對於國產廠商來說，這是 切入DDR3內存市場的最佳時機 。
2021年11月18日消息 ， 合肥長鑫重拾DDR3業務 ，為 兆易創新代工DDR3內存晶元 。據了解，合肥長鑫為兆易創新代工的DDR3內存晶元採用的是 19納米製程 。這比業界普遍使用的 30~40納米 製程的 DDR3晶元 ， 領先了11~21納米 。
目前合肥長鑫的19納米DDR3內存晶元還處在工廠測試階段， 出貨時間暫定在2022年第一季度，預計2022年下半年，合肥長鑫將增加DDR3內存晶元產能。 可能有些朋友會說，DDR3早已被淘汰了，眼下已經是DDR5時代，兆易創新委託合肥長鑫代工的DDR3內存晶元，用往何處呢？
正如前面所說的，比起PC端、智能手機行業，家電、燈具等利基市場產品所用晶元的更新換代速率較慢。 合肥長鑫為兆易創新代工的DDR3晶元用於家電、燈具當中 ，這些設備對內存晶元的性能、容量要求並不高。更何況合肥長鑫負責代工的DDR3內存晶元採用的是19納米製程，因此能夠滿足大多數智能家居設備的內存需求。
大數字智能時代的到來，各行各業都在朝著信息智能時代過渡，台燈、廚房油煙機、掃地機器人等家用設備對晶元的需求量不斷提高。雖說比起PC端、智能手機等高精尖設備，家電家居的利潤並不高，但「螞蟻再小也是肉」。顯然，相較於手機、PC端，燈具、家電設備的市場規模更大。
為了在短期內實現效益的最大化，三星、SK海力士、美光等內存晶元巨頭，將目光放在了DDR5身上。但DDR5對於大多數家居家電來說，有些性能過剩，容易造成製程浪費。兆易創新瞅准市場空檔期，趁此機會加大對DDR3的市場布局，一定程度上能夠提高兆易創新的營收以及市場競爭力。
當然，對於合肥長鑫來說，重拾DDR3製程，只是為了擴寬公司的業務營收，推動產業產品鏈多元化發展。作為國產存儲晶元巨頭，合肥長鑫採用自主研發技術於2019年實現了DDR4晶元的量產。關於製程更精密，設計難度更高的DDR5、LPDDR5等內存晶元，合肥長鑫不斷加大資金投入力度，爭取破冰技術壁壘。
值得一提的是，另一家國產存儲晶元巨頭，長江儲存於2021年7月29日率先攻堅128層快閃記憶體晶元技術壁壘，成功推出128層堆棧的快閃記憶體晶元。這拉動了我國內存晶元產業的發展。
相較於三星、SK海力士等內存晶元巨頭，雖說我們還與之存在一定的距離，但千里之行，始於足下。相信在長江儲存、合肥長鑫等國產內存晶元廠商的努力下，總有一天我們會實現對三星、SK海力士等內存晶元巨頭的持平、趕超。
對於合肥長鑫重拾DDR3內存晶元業務這件事情，大夥有什麼想說的呢？眼下長江儲存、合肥長鑫等國產內存晶元商不斷破冰技術壁壘，在內存晶元領域中取得了許多不錯的成績。你認為我們能否在內存晶元領域中與國外內存晶元技術實現持平呢？
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E. 國產內存或將突破，中企有望躋身全球第四，明年量產17nm晶元
在DRAM內存晶元領域我國與其他國家一直都存在著較大的差距，中國台灣的南亞 科技 所生產的內存所佔有的市場份額，遠低於其他國家的內存晶元。中國自主生產的優質內存是中國高 科技 產業存在的一個短板之一。這一直都是中國之痛，但如今我國國內自主研發生產的內存終於迎來了新的希望，中國企業合肥長鑫有希望進入全球晶元內存市場的前四，合肥長鑫計劃在明年量產17nm的內存晶元，並有望超越南亞 科技 ，這是一件值得國人共同慶賀的好消息，是中國國產晶元內存的一大進步。
話題討論：國產內存或將突破，中企有望躋身全球第四，明年量產17nm晶元
對中國 科技 領域有一定了解的小夥伴，一定知道在DRAM內存晶元領域占據了壟斷性地位的企業便是來自韓國的企業。三星、SK海力士以及美光這僅僅三家企業就已經占據了全球市場內存晶元領域超過95%的市場份額，排名第四的則是中國台灣的南亞 科技 。雖說是排名第四的企業，但是其所佔有的市場份額卻只有僅僅的3.2%。通過這幾個數字，我們就可以明顯感覺到我國國產內存與外國企業所存在的巨大差距。不過即便如此，即便我國在國產內存領域遠遠落後於他人，我國國內的內存廠商也永不言棄，依舊鍥而不舍地加強進行自主研發。其中，中國合肥的長鑫企業就終於成功實現了DDR內存的量產。
首先先給大家介紹一下這一個後起之秀——合肥長鑫。長鑫企業在2016年的時候成立，長鑫儲存是一家一 體化的儲存器製造商，其擁有了自主設計、研發、生產與銷售DRAM的能力。長鑫存儲的DRAM產品應用領域非常廣泛，在電腦、移動終端和互聯網等領域都能見到他的身影。根據相關報道顯示，如今的長鑫存儲企業依舊在不斷地進行擴產，將有希望超過台灣的南亞 科技 ，成功進入全球內存晶元市場排行榜的第四位。長鑫存儲在默默的積蓄力量，以待成效之日。
在今年的上半年，長鑫存儲就取得了非常優異的成績。長鑫存儲所自主研發的19nm DRAM工藝終於成功上市了，並且其量產也從兩萬片跨越到了四萬片。這是一個非常良好的開端，長鑫存儲的市場份額在不斷提高，其知名度也在不斷的提升，越來越多的人意識到了合肥長鑫的存在。不僅如此根據Digtime公布的消息來看，在今年的年末，長鑫存儲的晶元量產有望增長三倍，也就是12萬片。而12萬片的量產片就足以讓超越產量不足7萬片的南亞 科技 。因此在今年年末，中國企業長鑫 科技 有望進入全球第四。相信短時間內，長鑫存儲在業界的知名度將會又有一個大的提升。
但是就算是有著不錯的成績，但是長鑫存儲在DRAM晶元內存領域與國際市場的三大巨頭三星、SK海力士和美光這三家企業還是有著很懸殊的實力差距。無論在市場份額的佔有上，還是在晶元的製造工藝上都與這三大業界巨頭存在著很大的距離。我們都知道長鑫存儲目前生產的內存晶元主要是19nm，和國際其他企業存在較大的差距，我國晶元內存製造的工藝技術水平落後於其他國外企業足足有大約兩三年的時間。不過，有差距也就有了追趕的動力。據相關人士透露，長鑫存儲在2021年的時候，將實現17nm的內存晶元的量產，我國國產的內存晶元存儲密度又有了一個提升，這就是一種良好的發展態勢。這意味著我國在內存晶元的生產技術上，將會再一次縮小與其他外國企業的距離。
長鑫企業的擴產一直在進行當中。合肥總投資高達2200 億元的集成電路製造基地項目終於在2019年成功啟動。這個項目的佔地面積非常廣，足足達到了15.2平方公里。這個基地一共設立了三大片區，分別是空港國際小鎮、空港集成電路配套產業園以及長興12英寸存儲器晶圓製造基地。如今，合肥已經集結了多達200多家的上下游企業，看來合肥專注於創造一座IC城市。
在這么多家企業當中，長鑫存儲就是其中的黑馬。這個集成電路製造基地項目總投資2200 億元，其中長鑫的12英寸存儲器晶圓製造基地項目就佔了1500億元了。這是安徽合肥單體投資最大的工業項目，可以說創造合肥的 歷史 記錄。正是因為國家對長鑫存儲寄予了厚望，所以才會如此大的資金投入到長鑫存儲的量產當中， 如今的長鑫存儲已經成為了國內晶元內存的領軍企業，大家都對其滿懷期待，相信它也不會讓大家失望。長鑫企業一直在用實際行動證明著自己。
國產內存因為長鑫存儲等內存製造企業的崛起而擁有了希望。根據相關的報導，安徽的半導體行業也將在短時間內進入高速發展的階段，新的低耗能高速率內存產品將在這幾年的推出，各大企業將專注於產品的產業化。各大企業並沒有因為落後於外國企業而氣餒，反正更加充滿干勁。來日方長，我國國產晶元未來的發展還是非常值得期待的。
寫在最後
沒有什麼企業產品是能夠一蹴而就的，特別是在高新 科技 領域，尤其需要時間去發展生長。在我國晶元內存領域空白的那幾年裡，拉開了我國晶元內存生產技術與其他外國企業之間所存在的距離。在這十幾年的時間里，我國一直致力於科學技術的自主研發，我國在 科技 領域的成果大家也有目共睹。 任何事情都不能操之過急，需要一步一個腳印的前進。雖然目前我國在內存晶元領域依舊有著很大的進步空間，但相信在我國企業的不斷努力之下，總有一天我國在這一個領域也會取得耀眼的成績。