㈠ 29f2g08abaea是nand還是nor
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕松升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。
相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
NOR的特點是晶元內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
性能比較
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進襲羨行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。
可*性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可*性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可*性。
壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的拍大拍問題更仿早多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用EDC/ECC演算法。
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可*性。
壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可*的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
㈡ 固態硬碟推薦
SD 固態硬碟(solid state disk)，即固態電子存儲陣列硬碟。由控制單元和固態存儲單元(Flash晶元)組成。其介面的規范和定義、功能及使用方法上與普通硬碟的完全相同，在產品外形和尺寸上也完全與普通硬碟一致。由於固態硬碟比普通硬碟讀寫速度快，質量輕，能耗低以及體積小，因此越來越受到大眾的推崇。今天量產網就為大家總結下哪些固態硬碟好。
金泰克S300 120G固態硬碟特點就是價格便宜，讀寫速度也不錯，讀取能達到450M/S，寫入能到360M/S，比金士頓強，可惜品牌沒人家響，3年質保，以前是MLC快閃記憶體，現在不知道是不是變成TLC了；
採用了鋁合金金屬外殼，正反兩面均塗有磨砂質感塗層，但依 然有較強的金屬質感，並在四個角做了圓潤的處理，避免與身體基礎造成傷害，具有良好的導熱散熱性。
採用了慧榮SM2246EN主控，支持Trim功能、內 建ECC「錯誤檢查和糾正」技術、AES高級加密標准、NCQ原生命令隊列技術以及S.M.A.R.T自我監測技術。採用了4顆編號為 29F64B08NCMFS的英特爾原廠顆粒，單顆容量為64GB，分散在PCB正反兩面各兩顆，組成了256GB的總容量，其中16GB作為OP預留空 間，提升使用壽命。
這款金泰克S300 固態硬碟定位低於S500系列，但從性能的角度來看，表現的非常不錯，具備了和中端產品一較高下的水準。相比老大哥S500系列，S300 固態硬碟的規格進行了全面更新，首先是群聯主控更換為慧榮SM2246EN主控，再者是東芝19nm 顆粒更換為英特爾原廠20nm 快閃記憶體顆粒，其價格成本主要是由東芝顆粒更換成英特爾顆粒而產生的，雖然後者性能略差，但穩定性和壽命還是可圈可點，要知道它可是英特爾原廠顆粒。
㈢ 金華清科半導體新建項目有哪些
1、金華清科半導體新建項目一期建設目標是產出12英寸凳穗晶圓、DRAM、3DNAND快閃記憶體、AI+5G晶元等半導體產品，以及設計和棗態卜建造科研設施、購置設備、人才培養等等。
2、二期建設計劃則會通過擴建以及增加新產線來進一步提升產閉升能和產出質量。
㈣ N97和N97i和N97mini和N900有什麼區別
Nseries系列的第一款觸控手機——Nokia N97
類別：高端全智能手機
上市時間2008年12月2日
上市地點：巴塞羅那
諾基亞N97[1]採用了側滑型QWERTY全鍵盤造型，也是該機最大的特色所在，推開滑蓋之後，能夠看到三排式Q鍵盤設計，導航按鍵安置在Q鍵盤左方，方便配合Q鍵盤操作，機身三圍體積僅為117.2×55.3×15.9毫米重150克，屏幕上採用了一塊3.5英寸640×360像素超大觸摸屏，顯示效果令人滿意。
在拍照上，諾基亞N97仍然採用了500萬像素的卡爾·蔡司認證鏡頭，內置閃光燈，支持數碼變焦和自動對焦，可以拍攝最大為2584×1938像素的照片，有眾多拍攝選項，成像質量出類拔萃。另外FM收音和3.5毫米標准耳機介面也同樣具備。內置的視頻播放器支持MPEG- 4，H.264，AVC，H.263，3GPP，RealVideo8，9，10等格式的橫向全屏播放，配合大屏，觀看效果頗具震撼力。
首款Nseries系列Touch手機
BEIJING TIME 02，DEC，2008對廣大機迷來說是非常令人激動的一天，因為當天來自芬蘭巨人NOKIA CO.LTD在巴塞羅那CCIB召開了一場名為「HEI！JOIN IN」為主題的NOKIA WORLD 2008大會。
本屆大會上，NOKIA官方正式對公眾發布了全新的Nseries系列智能S60旗艦——N97。希望這款手機能給略顯沉悶的S60領域注入新鮮的血液，帶領NOKIA走向新的成功與輝煌。
在實際上，NOKIA N97也是NOKIA歷史上首款採用全觸屏+QWERTY全鍵盤S60智能手機，她的出現不僅僅預示諾基亞全球進駐觸控機行業號角的吹響，同時透露出芬蘭巨人諾基亞帶給人們觸控新體驗的決心。
Nokia N97不但是Nseries系列的新旗艦，江湖地位人稱機皇的他，第一眼看到卻是那麼的平易近人。已經上市的N97國內行貨版現今分為標准零售版與限量版，其兩種版本均有炫白與酷黑的顏色選擇。白色版本高貴典雅，黑色機身顯得更為穩重。據悉，NOKIA官方授權已獨家買斷限量版本的銷路。
眾所周知Nokia 5800XM，其實N97與5800XM看上去相同，系統均慎衫為Symbian OS v9.4 S60 5th Edition操作系統，搭載640x360高解像觸控寬螢幕，單單就從屏幕這一點而言，5800XM的3.2與N97的3.5寸顯然是有些小氣了。N97在待機畫面下，機主可通過主屏WIDGET程序設定實現個性化待機模式，如常用通訊錄人物圖片，天氣預報，新聞播報，股市行情，社交網站內容或是多媒體服務內容等。操作更為快捷。
搭載完整的QWERTY鍵盤
雖然N97已具做簡備觸控螢幕寬胡腔，可利用螢幕輸入文字；但對於N97來說，是遠遠不夠的，在手機上增加一個QWERTY鍵盤，像一個豪華迷你型PC。因為這也是諾基亞設計師的一個設計理念，也是未來手機發展的一個趨勢，鍵盤採用側滑蓋樣式，在抽出滑蓋後，螢幕疑似還可以進一步往上傾斜30角，這是採用人體工程學設計原理，專家分析：「人從30度角看屏幕是最好的一個角度了」。方便用戶打字觀看螢幕，這樣的設計方式十分類似HTC的TyTN II手機。
搭載五百萬像素、超強擴充能力
N97的出現，讓人耳目一新，設備支持拍攝的解析度為2592X1944像素，約500萬像素，支援自動對焦、採用卡爾蔡司認證鏡頭；為了適應寬螢的改變，N97也支援16:9的DVD品質影片錄制，拍下的相片更可即時利用Wi-Fi無線網路（非大陸版本）或是HSDPA上傳到Ovi之類的分享社群網站。
在記憶體擴充方面，N97更是前所未有的海量，已達到頂級標准，相當於5年前的一台PC內存了，手機本身內建容量高達 32GB的內存，然而用戶還是可以繼續利用microSDHC記憶卡擴充容量，最高可擴展至16GB，因此兩者相加，可有48GB的容量可放，容量比部份Netbook還要大。
GPS全球衛星定位系統（Global Positioning System）
該系統由美國政府運營。N97 搭載的全球衛星定位系統，支持A-GPS輔助型全球定位系統，內置的Nokia Maps3.0最新導航地圖（通過升級實現版本擴充）可查詢世界各國城市的景點，導航系統包括駕車與步行間的切換（首次購買送90天的免費使用導航權）。另外，N97也有電子羅盤的功能，可讓你獲知目前方位。無論您身在何處，永遠不會迷失方向。N97的GPS全球定位系統通過第三方軟體，支持SOS緊急救援服務。
[編輯本段]基本參數
上市時間 2008-10
網路制式 GSM 3G(聯通WCDMA) (國行沒有3G)
支持頻段：GSM 850/900/1800/1900 WCDMA 850/900/1900/2100MHz
主屏解析度 360×640像素
主屏顏色 1600萬色
主屏尺寸 3.5英寸
主屏材質 TFT
輸入方式 高端電阻式觸摸屏 手寫輸入 QWERTY鍵盤
操作系統 Symbian S60
用戶界面 S60 V5.0
CPU型號 ARM11
CPU頻率 434MHz
本機內存容量 32768MB （一般顯示為29.9或者30演算法不同）
運行內存 128MB
ROM 256MB
擴展卡 microSD(TF) 支持SDHC高容量存儲卡
電池規格 1500mAh
外觀樣式 側滑蓋
機身顏色 黑 白
產品尺寸 117.2×55.3×15.9mm
產品重量 150.0g
配備卡爾，蔡司認證的攝像頭
攝像頭像素 500萬像素
攝像頭材質 CCD
攝像高級功能 視頻拍攝 雙LED閃光燈 微距拍攝 自動對焦
手機鈴聲 MP3 MIDI
數據傳輸功能 GPS 藍牙 A2DP WiFi （國行沒有WiFi ）
通訊錄 支持 S60標准化名片式通訊錄 名片夾欄: 包括最近的簡訊息、電子郵件、通話記錄、照片和博客更新、還支持微縮圖像
通話功能 通話記錄 視頻通話 免提接聽 語音撥號 來電鈴聲識別 來電大頭貼 情景模式
簡訊彩信 彩信 簡訊群發
娛樂功能 音樂播放 電子書 錄音功能 Java擴展 **播放 FM收音機 游戲
商務功能 記事本 計算器 鬧鍾 世界時鍾 飛行模式 貨幣換算 日歷 電子字典 單位換算 秒錶 定時器 日程表 電子郵件
高級功能 重力感應 距離感應 光線感應
標配 鋰電池(BP-4L 1500mAh) 旅行充電器 數據線 立體聲耳機 CD光碟 皮套 掛繩筆
體積 117.2×55.3×18.3mm
重量 150 克
理論通話時間400分鍾
理論待機時間430小時
【外觀設計】
設計原理 人體工程學設計
屏幕樣式 3度坡面觸摸屏
手機外形 側滑,全鍵盤
機身顏色 白色\黑色
主屏解析度 360×640像素
主屏顏色 1600萬色
主屏材質 TFT ,電阻屏
主屏尺寸 3.5英寸
【娛樂功能】
定時諾基亞 N97普通版(黑色)拍攝 游戲
攝像頭像素 500萬像素
攝像頭類型 內置, 卡爾·蔡司認證鏡頭
攝像頭材質 CMOS
支持自動對焦
ISO調節(可選高、中、低三檔)
支持曝光補償調節
支持對比度調節
數碼變焦
支持銳利度調節
靜止圖像文件格式:JPEG
動態拍攝：
錄制狀態提示
閃光燈 內置 LED雙閃光燈
照片質量 最大支持3264×2488解析度格式
視頻播放 RealPlayer media player ,支持MPEG-4 , H.264/AVC , H.263/3GPP, RealVideo 8/9/10
視頻拍攝 有聲視頻拍攝
音樂播放 內置播放器, 支持WMA、MP3、eAAC+等音頻格式播放(支持後台播放、播放列表編輯、可選預設、加重低音、古典、爵士、流行、搖滾等音樂播放模式、EQ音效調節及循環播放設置) 查看手機耳機報價
FM收音機 支持, FM調頻收音機 （國行不支持FM）
流媒體播放 支持TV-Out電視輸出
Flash播放 第2.0版Flash lite播放器
電視與視頻
透過 3.5 英寸的 16:9 大寬屏或者藉助 TV 輸出埠在電視上觀賞高質量的視頻內容。
利用 照相/攝像機，拍攝高質量的 16:9 視頻。
外出途中也能下載視頻並進行流式播放。
利用 32 GB 的存儲器，隨身攜帶自己喜愛的視頻節目。
輸入法 手寫輸入,全鍵盤輸入
【網路功能】
WAP瀏覽器 支持 WAP2.0執行標准
WWW瀏覽器 xHTML網頁瀏覽器
E-mail內置， 支持SMTP、POP3、IMAP4等郵件協議
重量：150g
屏幕：3.5英寸TFT屏幕力，高清晰度16:，1600萬色顯示能9規格(640x360點)
電池：諾基亞BP-4L電池，1500毫安時
存儲：最高可達48GB，包括機身內置的32GB和最大16GB的microSD擴展卡容量
視頻回放：可播放MPEG-4 / SP和MPEG-4 AVC/H.264/RealVideo/WMV9格式，最高每秒30幀。並支持Flash Lite3.0和Flash視頻播放。
音頻回放：MP3, AAC, eAAC, eAAC+, WMA。
鏡頭：卡爾蔡司
拍攝：最高500萬像素（2584 x 1938 ）
視頻拍攝：VGA尺寸，MPEG-4格式，最高每秒30幀
光圈：F2.8
鏡頭口徑：5.4mm
閃光燈：雙LED補光燈
連接和數據：
1.802.11b/g無線連接
2.MicroUSB數據介面，USB 2.0高速連接
3.3.5mm立體聲介面和電視視頻輸出
4.立體聲藍牙版本2.0，支持A2DP和EDR
5.內置GPS晶元，支持A-GPS系統
而N97i就是增加了3G模塊，可以使用Wifi無線上網罷了，基本一樣，但價格更高。
N97mini
諾基亞N97mini外形方面，整體的設計風格都延續了諾基亞N97的側滑全鍵盤設計。該機配備了3.2英寸1600萬像素的TFT觸摸屏，解析度仍為 360×640像素，內置500萬卡爾蔡司鏡頭，N97mini不僅支持WCDMA網路還支持WiFi無線上網功能，不過機身內存縮小至8GB，支持 MicroSD卡擴展，基本能夠滿足日常使用需求。
與N97那塊著名的BP-4L電池不同，N97mini所採用的BL-4D這塊電池在容量上減少為了1200mAh，而且目前也只有它自己使用這款電池。不過在Wifi和3G全開，24小時持續聯網的情況下，N97mini的電力支撐兩天還是沒有問題的。而且，行貨版的N97mini提供了兩塊BL-4D 電池可以交替，這一點還是比較周到的。
[編輯本段]基本參數
上市日期 2009年09月
手機類型 智能手機；拍照手機；3G手機
手機制式 GSM、WCDMA
支持頻段 GSM 850/900/1800/1900
WCDMAMHz
數據傳輸 GPRS、EDGE、HSDPA
主屏尺寸 3.2英寸
觸摸屏 支持
操作系統 Symbian
機身內存 8GB
存儲卡 最高支持16GBmicro SD(T-Flash)
產品外形
QWERTY全鍵盤
外觀設計 側滑蓋
機身顏色 絢黑 珍珠白
機身特點 和N97比，全鍵盤取消了方向鍵
產品天線 內置
[編輯本段]拍攝專項
攝像頭 內置
攝像頭像素 500萬像素 （港行版為500萬相素，美洲版為300萬相素）
[編輯本段]多媒體娛樂功能
視頻播放 支持
音樂播放 支持
游戲 內置
[編輯本段]基本功能
簡訊(SMS)
彩信(MMS)
免提通話
鬧鍾功能
日歷功能
輸入方式 手寫+鍵盤
網路功能
WAP瀏覽器
參數糾錯
其他功能
GPS功能
待機圖片
計算器
來電鈴聲識別
來電圖片識別
圖形菜單
[編輯本段]外觀設計
帶有傾斜式屏幕的側滑蓋 尺寸：113 x 52.5 x 14.2 毫米 重量（含電池）：138 克 體積：75 立方厘米 其他尺寸及形狀信息：傾斜側滑機構
尺寸：3.2 英寸 解析度：640 x 360 像素 (nHD) 最高支持 1,670 萬色 電阻式觸摸屏 亮度控制 方向感測器 距離感測器 環境光線探測器
可選顏色：
黑色 白色 紅色 限量版18K鍍金（香檳色）
[編輯本段]個性化設置
可定製的主屏幕： 互聯精靈 主題模式 圖標 快捷方式 功能表 可定製的情景模式 鈴聲：mp3, AAC, eAAC, eAAC+, WMA 視頻鈴聲 主題模式 壁紙 屏保 鈴聲 預裝主題模式 可更改顏色主題
[編輯本段]電源管理
BL-4D 1200 毫安時鋰電池 通話時間 (上限)： GSM 430 分鍾 WCDMA 240 分鍾 待機時間 (上限)： GSM 320 小時 WCDMA 310 小時 視頻播放時間 (nHD，最高支持每秒 30 幀)：210 分鍾 視頻錄制時間 (VGA，最高支持每秒 30 幀)：170 分鍾 視頻通話時間 (上限)：120 分鍾 音樂播放時間 (離線模式，上限)：28 小時
[編輯本段]數據應用功能
存儲器
MicroSD 存儲卡插槽，支持熱插拔，最高支持 16 GB 內部存儲器：8 GB
數據網路
CSD HSCSD，最高速度 43.2 kbps GPRS 等級 A，多時隙等級 32，最高下載/上傳速率 107/64.2 kbps WCDMA，最高速度 3.6 Mbps HSDPA，最高速度 3.6 Mbps WLAN IEEE 802.11b/g，最高速度 11Mbps/54MBps TCP/IP 支持 能夠作為數據數據機使用 支持 MS Outlook 的通訊錄、日歷和郵件同步功能 支持 WAPI
工作頻率
四頻 EGSM 850/900/1800/1900 WCDMA 900/1900/2100 可在各 GSM 頻段間自動切換 航班模式
連接功能
藍牙 2.0 版 (支持增強型數據速率) 電視輸出 支持本地和遠程 SyncML 同步 高速 USB 2.0（Micro USB 插孔） 3.5 毫米 AV 插孔
[編輯本段]內置功能
軟體平台和用戶界面
S60 系列第 5 版 Symbian OS 9.4 版 聲控命令 用戶界面自動旋轉 軟體更新
個人信息管理 (PIM)
詳細的聯系人信息 日歷 待辦事項 備忘 錄音器 計算器 時鍾 轉換器
GPS 和導航
內置 GPS 和 A-GPS 接收器 指南針和加速計可確保正確的顯示方向 諾基亞地圖軟體 通過 PC 使用諾基亞地圖載入器應用程序 隨附 10 天的步行與駕車導航許可 (可能因地區而異)* * 隨附 10 天的步行與駕車導航許可。通過「空中傳送」下載地圖可能需要傳輸大量的數據。您的服務提供商可能會收取數據傳輸費。某些特定產品、服務和功能的提供情況可能會因地區而異。請向當地的諾基亞經銷商咨詢進一步詳情及語言選項。產品規格如有變更，恕不另行通知。
現在nokia官網已發布本機用的ovi地圖，可以完全實現免費導航。[1]
[編輯本段]產品測評
諾基亞N97mini與諾基亞N97兩者的變化主要體現在外觀造型及功能配置兩個方面，比如在外觀款式的設計上，該機沒有如諾基亞N97那樣將NOKIA的LOGO設計在屏幕一側，而是回歸了到了以往傳統的位置。同時手機的型號也沒有如過去曝光時的那樣安置在屏幕右上方，而是換成左上方。不僅如此，諾基亞N97mini還對屏幕下方的按鍵布局進行了重新設計，兩個觸控鍵的位置相比過去更均衡。至於在屏幕上方的右上角的前置攝像頭和光線感應器則由過去的橫向排列更改為縱向。而在左上角的距離感應器在造型上也似乎從過去的正方形變成長條設計，以便在手機通話時可以感應手機貼近人臉而關閉屏幕。
諾基亞N97mini還取消了QWERTY標准鍵盤上的方向鍵，並對部分按鍵的位置進行了調整，以期待獲得更便利和快捷的文字輸入方式。同時由於諾基亞N97 mini的部分硬體配置有所縮水，因此在體積方面也自然更迷你一些。其中，諾基亞N97mini的機身尺寸為113×52.5×14.2毫米，與N97所擁有的117.2×55.3×18.3mm的三維尺寸相比顯然更加小巧。至於手機的重量方面，諾基亞N97mini也只有138克，相比諾基亞N97的150克重量無疑更便於攜帶。
至於諾基亞N97mini的機身周邊各功能介面的設計則與諾基亞N97基本上沒有多少不同。比如左邊則仍舊安置著諸多功能介面和按鍵，而在靠近機頂的部分則有立體聲的揚聲器、micro-USB介面和鎖定鍵等。除此之外，與諾基亞N97一樣，該機也在USB介面旁邊設計了一個小小的指示燈，在充電時便會亮起。
諾基亞N97mini也在機身頂部設計了通用的3.5mm耳機介面，讓用戶可以隨意更換音質更好的耳機。有所差異的是，與諾基亞N97的手機掛繩孔相比，這次在諾基亞N97mini之上則進行了重新設計，在安裝方面更為簡便一些。而這也基本上是兩款手機在機身周邊在設計上唯一的不同。[2]
[編輯本段]諾基亞N97mini特性
[3]滑出式全鍵盤
機身按鍵 (S60 鍵、功能表鍵、發送/結束鍵)
觸摸屏
箭頭鍵
專門的拍攝鍵和音量控制鍵 省電模式、環境光線感測器、未拔充電器提醒、高效充電器 AC-10C"
諾基亞N900諾基亞N900是諾基亞公司於2009年8月27日年發布的採用了Maemo 5.0操作系統的3G智能手機。
目錄[隱藏]
簡介
基本信息
基本功能
數據應用功能
拍攝專項
多媒體娛樂功能
[編輯本段]簡介
諾基亞官方宣稱N900為移動電腦。諾基亞N900採用ARM架構，主頻達600MHz，程序內存達到了1GB(其中包括256MB RAM和768MB的虛擬內存)，採用基於Linux的Maemo 5操作系統，並配備3D圖形加速器支持OpenGL ES 2.0。
諾基亞N900是諾基亞繼諾基亞N770，諾基亞N800和諾基亞N810之後推出的第四款基於Linux平台推出的多媒體網路終端，採用側滑設計，擁有一塊3.5英寸的觸摸屏，屏幕解析度達到了WVGA（800x480像素）級別。硬體方面，諾基亞N900裝配了一個OMAP3430的CPU，頻率可達600MHz。N900的攝像頭為500萬像素卡爾·蔡司鏡頭，能拍攝800×480像素AVC/H.264格式的高清視頻。
此外，該款手機的操作系統將採用基於Linux底層平台的Maemo 5 OS，而不是N97上的Symbian S60。Maemo 5版本的系統提供3G網路支持，可隨時隨地通過接入互聯網，並且可以通過Wifi網路進行VoIP通話。
軟體方面，N900支持多任務同時處理，內置Firefox 3瀏覽器，支持Flash 9.4，其他各項功能都和一台成熟的智能手機沒太大區別
目前 由於intel與nokia的合作關系，N900將可能成為最後一台，也是第一台的MAEMO5手機，據分析，將來n900可能升級為基於Arm A8c核心處理器版本的MEEGO
[編輯本段]基本信息
型號 N900
手機類型 智能手機,音樂手機,拍照手機,3G手機
手機制式 GSM,WCDMA
手機頻段 WCDMA(3G),GSM
手機外形 滑蓋
主屏尺寸 3.5英寸
主屏材質 TFT
主屏色彩 彩屏,1600萬色
主屏參數 480×800像素(WVGA),電阻式觸摸屏
內存容量 1GMB ROM,32G NAND
標准配置 BL-5J 1320mAh鋰電池,說明書,充電器,數據線，光碟
外殼顏色 黑色
體積 111×59.7×18.2mm
重量 180克
[編輯本段]基本功能
鈴聲 支持mp3,aac,amr,wma,和弦等格式
通訊錄 分組管理,名片式管理
信息功能 SMS簡訊,MMS簡訊,簡訊群發
E-mail收發 支持E-mail,支持SMTP、POP3、IMAP4等郵件協議
輸入法 QWERTY鍵盤輸入,手寫輸入,英文輸入法
游戲 內置游戲,支持N-GAGE游戲
辦公功能 Office(word、excel、ppt),Adobe PDF
錄音功能 支持錄音功能
主要功能 內置天線,時鍾,內置震動,情景模式,通話時間提示,免提通話,待機圖片,來電圖片識別,來電鈴聲識別,來電防火牆,語音撥號,可換外殼,三防功能,飛行模式,主題模式
附加功能 重力感應功能,鬧鍾,關機鬧鍾,日歷,計算器,日程表,備忘錄,語音備忘錄,世界時鍾,貨幣換算,單位換算,定時器,秒錶,自動鍵盤鎖,自動開關機,名片掃描功能
電子詞典 支持電子詞典
[編輯本段]數據應用功能
藍牙 支持藍牙,藍牙v2.0,支持EDR,A2DP藍牙立體聲
數據業務 GPRS,EDGE,HSDPA
JAVA Java MIDP 2.0,CLDC 1.1
WAP上網 支持wap
WWW瀏覽器 支持WWW瀏覽器
數據線 支持數據線,micro USB介面,USB 2.0,支持免驅U盤功能,3.5mm耳機介面
擴展卡 支持microSDHC卡,支持熱插拔,最大支持16GB擴展
WiFi(WLAN) 支持WiFi,支持802.11 b/g
GPS定位系統 支持GPS,內置GPS導航晶元,支持A-GPS網路輔助導航功能
其它數據功能 內置Modem
[編輯本段]拍攝專項
攝像頭 內置攝像頭,卡爾·蔡司認證鏡頭
攝像頭像素 500萬像素
感測器類型 CMOS感測器
副攝像頭 內置副攝像頭
閃光燈 內置閃光燈,雙LED閃光燈
拍攝模式 可選5種白平衡:自動,陽光,陰天,白熾光,螢光,可選7種情境模式:自動,用戶,微距,運動,夜間,縱向,橫向,夜間縱向
照片質量 支持最大2592×1944解析度照片拍攝
照片特效 可選色調:正常,懷舊,黑白,負片,鮮艷
拍攝特色 數碼變焦,自動對焦
視頻拍攝 有聲視頻拍攝,最大支持800×480像素視頻錄制
[編輯本段]多媒體娛樂功能
多媒體 Flash功能,3.5mm耳機介面,電子書
MP3播放器 支持MP3播放,支持MP3,WMA,ACC等格式
視頻播放 支持視頻播放,支持MPEG4,H.264/AVC,H.263/3GP,RealVideo等格式
Flash播放 支持,Flash 9.4
㈤ 史上最全的半導體產業鏈全景！
導 讀 ( 文/ ittbank 授權發布 )
集成電路作為半導體產業的核心，市場份額達83%，由於其技術復雜性，產業結構高度專業化。隨著產業規模的迅速擴張，產業競爭加劇，分工模式進一步細化。
目前市場產業鏈為IC設計、IC製造和IC封裝測試。
○ 在核心環節中，IC設計處於產業鏈上游，IC製造為中游環節，IC封裝為下游環節。
○ 全球集成電路產業的產業轉移，由封裝測試環節轉移到製造環節，產業鏈里的每個環節由此而分工明確。
○ 由原來的IDM為主逐漸轉變為Fabless+Foundry+OSAT。
▲全球半導體產業鏈收入構成佔比圖
① 設計：
細分領域具備亮點，核心關鍵領域設計能力不足。從應用類別(如：手機到 汽車 )到晶元項目(如：處理器到FPGA)，國內在高端關鍵晶元自給率幾近為0，仍高度仰賴美國企業；
② 設備：
自給率低，需求缺口較大，當前在中端設備實現突破，初步產業鏈成套布局，但高端製程/產品仍需攻克。中國本土半導體設備廠商只佔全球份額的1-2%，在關鍵領域如：沉積、刻蝕、離子注入、檢測等，仍高度仰賴美國企業；
③ 材料：
在靶材等領域已經比肩國際水平，但在光刻膠等高端領域仍需較長時間實現國產替代。全球半導體材料市場規模443 億美金，晶圓製造材料供應中國佔比10%以下，部分封裝材料供應佔比在30%以上。在部分細分領域上比肩國際領先，高端領域仍未實現突破；
④ 製造：
全球市場集中，台積電占據60%的份額，受貿易戰影響相對較低。大陸躋身第二集團，全球產能擴充集中在大陸地區。代工業呈現非常明顯的頭部效應，在全球前十大代工廠商中，台積電一家占據了60%的市場份額。此行業較不受貿易戰影響；
⑤ 封測：
最先能實現自主可控的領域。封測行業國內企業整體實力不俗，在世界擁有較強競爭力，長電+華天+通富三家17 年全球整體市佔率達19%，美國主要的競爭對手僅為Amkor。此行業較不受貿易戰影響。
一、設計
按地域來看，當前全球IC 設計仍以美國為主導，中國大陸是重要參與者。2017 年美國IC設計公司占據了全球約53%的最大份額，IC Insight 預計，新博通將總部全部搬到美國後這一份額將攀升至69%左右。台灣地區IC 設計公司在2017 年的總銷售額中佔16%，與2010年持平。聯發科、聯詠和瑞昱去年的IC 銷售額都超過了10 億美元，而且都躋身全球前二十大IC 設計公司之列。歐洲IC 設計企業只佔了全球市場份額的2%，日韓地區Fabless 模式並不流行。
與非美國海外地區相比，中國公司表現突出。世界前50 fabless IC 設計公司中，中國公司數量明顯上漲，從2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈現迅速追趕之勢。2017 年全球前十大Fabless IC 廠商中，美國占據7 席，包括高通、英偉達、蘋果、AMD、Marvell、博通、賽靈思；中國台灣地區聯發科上榜，大陸地區海思和紫光上榜，分別排名第7 和第10。
2017 年全球前十大Fables s IC 設計廠商
（百萬美元）
然而，盡管大陸地區海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美滿電子在中國區營收佔比達50%以上，國內高端 IC 設計能力嚴重不足。可以看出，國內對於美國公司在核心晶元設計領域的依賴程度較高。
自中美貿易戰打響後，通過「中興事件」和「華為事件」我們可以清晰的看到，核心的高端通用型晶元領域，國內的設計公司可提供的產品幾乎為0。
大陸高端通用晶元與國外先進水平差距主要體現在四個方面：
1）移動處理器的國內外差距相對較小。
紫光展銳、華為海思等在移動處理器方面已進入全球前列。
2）中央處理器(CPU) 是追趕難度最大的高端晶元。
英特爾幾乎壟斷了全球市場，國內相關企業約有 3-5 家，但都沒有實現商業量產，多仍然依靠申請科研項目經費和政府補貼維持運轉。龍芯等國內 CPU 設計企業雖然能夠做出 CPU 產品，而且在單一或部分指標上可能超越國外 CPU，但由於缺乏產業生態支撐，還無法與佔主導地位的產品競爭。
3）存儲器國內外差距同樣較大。
目前全球存儲晶元主要有三類產品，根據銷售額大小依次為：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在內存和快閃記憶體領域中，IDM 廠韓國三星和海力士擁有絕對的優勢，截止到2017年，在兩大領域合計市場份額分別為75.7%和49.1%，中國廠商競爭空間極為有限，武漢長江存儲試圖發展 3D Nand Flash(快閃記憶體)的技術，但目前僅處於 32 層快閃記憶體樣品階段，而三星、英特爾等全球龍頭企業已開始陸續量產 64 層快閃記憶體產品；在Nor flash 這個約為三四十億美元的小市場中，兆易創新是世界主要參與廠家之一，其他主流供貨廠家為台灣旺宏，美國Cypress，美國美光，台灣華邦。
4）FPGA、AD/DA 等高端通用型晶元，國內外技術懸殊。
這些領域由於都是屬於通用型晶元，具有研發投入大，生命周期長，較難在短期聚集起經濟效益，因此在國內公司層面發展較為緩慢，甚至有些領域是停滯的。
總的來看，晶元設計的上市公司，都是在細分領域的國內最強。比如2017 年匯頂 科技 在指紋識別晶元領域超越FPC 成為全球安卓陣營最大指紋IC 提供商，成為國產設計晶元在消費電子細分領域少有的全球第一。士蘭微從集成電路晶元設計業務開始，逐步搭建了晶元製造平台，並已將技術和製造平台延伸至功率器件、功率模塊和MEMS 感測器的封裝領域。但與國際半導體大廠相比，不管是高端晶元設計能力，還是規模、盈利水平等方面仍有非常大的追趕空間。
二、設備
目前，我國半導體設備的現況是低端製程實現國產替代，高端製程有待突破，設備自給率低、需求缺口較大。
關鍵設備技術壁壘高，美日技術領先，CR10 份額接近80%，呈現寡頭壟斷局面。半導體設備處於產業鏈上游，貫穿半導體生產的各個環節。按照工藝流程可以分為四大板塊——晶圓製造設備、測試設備、封裝設備、前端相關設備。其中晶圓製造設備占據了中國市場70%的份額。再具體來說，晶圓製造設備根據製程可以主要分為8 大類，其中光刻機、刻蝕機和 薄膜沉積設備這三大類設備占據大部分的半導體設備市場。同時設備市場高度集中，光刻機、CVD 設備、刻蝕機、PVD 設備的產出均集中於少數歐美日本巨頭企業手上。
中國半導體設備國產化率低，本土半導體設備廠商市佔率僅佔全球份額的1-2%。
關鍵設備在先進製程上仍未實現突破。目前世界集成電路設備研發水平處於12 英寸7nm，生產水平則已經達到12 英寸14nm；而中國設備研發水平還處於12 英寸14nm，生產水平為12 英寸65-28nm，總的來看國產設備在先進製程上與國內先進水平有2-6 年時間差；具體來看65/55/40/28nm 光刻機、40/28nm 的化學機械拋光機國產化率依然為0，28nm化學氣相沉積設備、快速退火設備、國產化率很低。
三、材料
半導體材料發展歷程
▲各代代表性材料主要應用
▲第二、三代半導體材料技術成熟度
細分領域已經實現彎道超車，核心領域仍未實現突破，半導體材料主要分為晶圓製造材料和封裝材料兩大塊。晶圓製造材料中，矽片機硅基材料最高佔比31%，其次依次為光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板佔比最高，為40%，其次依次為引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。
日美德在全球半導體材料供應上佔主導地位。各細分領域主要玩家有：矽片——Shin-Etsu、Sumco，光刻膠——TOK、Shipley，電子氣體——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引線架構——住友金屬，鍵合線——田中貴金屬、封裝基板——松下電工，塑封料——住友電木。
（1）靶材、封裝基板、CMP 等，我國技術已經比肩國際先進水平的、實現大批量供貨、可以立刻實現國產化。已經實現國產化的半導體材料典例——靶材。
（2）矽片、電子氣體、掩模板等，技術比肩國際、但仍未大批量供貨的產品。
（3）光刻膠，技術仍未實現突破，仍需要較長時間實現國產替代。
四、製造
晶圓製造環節作為半導體產業鏈中至關重要的工序，製造工藝高低直接影響半導體產業先進程度。過去二十年內國內晶圓製造環節發展較為滯後，未來在國家政策和大基金的支持之下有望進行快速追趕，將有效提振整個半導體行業鏈的技術密度。
半導體製造在半導體產業鏈里具有卡口地位。製造是產業鏈里的核心環節，地位的重要性不言而喻。統計行業里各個環節的價值量，製造環節的價值量最大，同時毛利率也處於行業較高水平，因為Fabless+Foundry+OSAT 的模式成為趨勢，Foundry 在整個產業鏈中的重要程度也逐步提升，可以這么認為，Foundry 是一個卡口，產能的輸出都由製造企業所掌控。
代工業呈現非常明顯的頭部效應 根據IC Insights 的數據顯示，在全球前十大代工廠商中，台積電一家占據了超過一半的市場份額，2017 年前八家市場份額接近90%，同時代工主要集中在東亞地區，美國很少有此類型的公司，這也和產業轉移和產業分工有關。我們認為，中國大陸通過資本投資和人才集聚，是有可能在未來十年實現代工超越的。
「中國製造」要從下游往上游延伸，在技術轉移路線上，半導體製造是「中國製造」尚未攻克的技術堡壘。中國是個「製造大國」，但「中國製造」主要都是整機產品，在最上游的「晶元製造」領域，中國還和國際領先水平有很大差距。
在從下游的製造向「晶元製造」轉移過程中，一定要涌現出一批技術領先的晶圓代工企業。在晶元貿易戰打響之時，美國對我國製造業技術封鎖和打壓首當其沖，我們在努力傳承「兩彈一星」精神，自力更生艱苦創業的同時，如何處理與台灣地區先進企業台積電、聯電之間的關系也會對後續發展產生較大的蝴蝶效應。
五、封測
當前大陸地區半導體產業在封測行業影響力為最強，市場佔有率十分優秀，龍頭企業長電 科技 /通富微電/華天 科技 /晶方 科技 市場規模不斷提升，對比台灣地區公司，大陸封測行業整體增長潛力已不落下風，台灣地區知名IC 設計公司聯發科、聯詠、瑞昱等企業已經將本地封測訂單逐步轉向大陸同業公司。封測行業呈現出台灣地區、美國、大陸地區三足鼎立之態，其中長電 科技 /通富微電/華天 科技 已通過資本並購運作，市場佔有率躋身全球前十（長電 科技 市場規模位列全球第三），先進封裝技術水平和海外龍頭企業基本同步，BGA、WLP、SiP 等先進封裝技術均能順利量產。
封測行業我國大陸企業整體實力不俗，在世界擁有較強競爭力，美國主要的競爭對手為Amkor 公司，在華業務營收佔比約為18%，封測行業美國市場份額一般，前十大封測廠商中，僅有Amkor 公司一家，應該說貿易戰對封測整體行業影響較小，從短中長期而言，Amkor 公司業務取代的可能性較高。
封測行業位於半導體產業鏈末端，其附加價值較低，勞動密集度高，進入技術壁壘較低，封測龍頭日月光每年的研發費用占收入比例約為4%左右，遠低於半導體IC 設計、設備和製造的世界龍頭公司。隨著晶圓代工廠台積電向下游封測行業擴張，也會對傳統封測企業會構成較大的威脅。
2017-2018 年以後，大陸地區封測（OSAT）業者將維持快速成長，目前長電 科技 /通富微電已經能夠提供高階、高毛利產品，未來的3-5 年內，大陸地區的封測企CAGR增長率將持續超越全球同業。
㈥ 在手機論壇中常可以看到「NAND」，「NAND」是什麼
NAND技術
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技術Flash Memory。這種結構的閃速存儲器適合於純數據存儲和文件存儲，主要作為SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固態盤的存儲介質，並正成為閃速磁碟技術的核心。
NAND技術Flash Memory具有以下特點：（1） 以頁為單位進行讀和編程操作，1頁為256或512B（位元組）；以塊為單位進行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms；而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms。（2） 數據、地址採用同一匯流排，實現串列讀取。隨機讀取速度慢且不能按位元組隨機編程。（3） 晶元尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態存儲器，將很快突破每兆位元組1美元的價格限制。（4） 晶元包含有失效塊，其數目最大可達到3~35塊（取決於存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 Samsung公司在1999年底開發出世界上第一顆1Gb NAND技術閃速存儲器。據稱這種Flash Memory可以存儲560張高解析度的照片或32首CD質量的歌曲，將成為下一代攜帶型信息產品的理想媒介。Samsung採用了許多DRAM的工藝技術，包括首次採用0.15μm的製造工藝來生產這顆Flash。已經批量生產的K9K1208UOM採用0�18μm工藝，存儲容量為512Mb。
UltraNAND
AMD與Fujistu共同推出的UltraNAND技術，稱之為先進的NAND閃速存儲器技術。它與NAND標准兼容：擁有比NAND技術更高等級的可靠性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現出NAND技術的成本優勢；它沒有失效塊，因此不用系統級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。
與DINOR技術一樣，盡管UltraNAND技術具有優勢，但在當前的市場上仍以NAND技術為主流。UltraNAND 家族的第一個成員是AM30LV0064，採用0.25μm製造工藝，沒有失效塊，可在至少104次擦寫周期中實現無差錯操作，適用於要求高可靠性的場合，如電信和網路系統、個人數字助理、固態盤驅動器等。研製中的AM30LV0128容量達到128Mb，而在AMD的計劃中UltraNAND技術Flash Memory將突破每兆位元組1美元的價格限制，更顯示出它對於NOR技術的價格優勢。
3 AND技術
AND技術是Hitachi公司的專利技術。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技術的Flash Memory。AND技術與NAND一樣採用「大多數完好的存儲器」概念，目前，在數據和文檔存儲領域中是另一種占重要地位的閃速存儲技術。
Hitachi和Mitsubishi公司採用0.18μm的製造工藝，並結合MLC技術，生產出晶元尺寸更小、存儲容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用雙密度封裝技術DDP（Double Density Package Technology），將2片512Mb晶元疊加在1片TSOP48的封裝內，形成一片1Gb晶元。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，讀電流為2mA，待機電流僅為1μA，同時由於其內部存在與塊大小一致的內部RAM 緩沖區，使得AND技術不像其他採用MLC的閃速存儲器技術那樣寫入性能嚴重下降。Hitachi公司用該晶元製造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用於智能電話、個人數字助理、掌上電腦、數字相機、攜帶型攝像機、攜帶型音樂播放機等。
4 由EEPROM派生的閃速存儲器
EEPROM具有很高的靈活性，可以單位元組讀寫（不需要擦除，可直接改寫數據），但存儲密度小，單位成本高。部分製造商生產出另一類以EEPROM做閃速存儲陣列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇區結構閃速存儲器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存儲器（Data-Flash Memory）。這類器件具有EEPROM與NOR技術Flash Memory二者折衷的性能特點：（1） 讀寫的靈活性遜於EEPROM，不能直接改寫數據。在編程之前需要先進行頁擦除，但與NOR技術Flash Memory的塊結構相比其頁尺寸小，具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點。（2） 與EEPROM比較，具有明顯的成本優勢。（3） 存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存儲密度可達到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory晶元有試用樣品提供。正因為這類器件在性能上的靈活性和成本上的優勢，使其在如今閃速存儲器市場上仍佔有一席之地。
Small Sector Flash Memory採用並行數據匯流排和頁結構（1頁為128或256B），對頁執行讀寫操作，因而既具有NOR技術快速隨機讀取的優勢，又沒有其編程和擦除功能的缺陷，適合代碼存儲和小容量的數據存儲，廣泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的專利產品，採用SPI串列介面，只能依次讀取數據，但有利於降低成本、增加系統的可靠性、縮小封裝尺寸。主存儲區採取頁結構。主存儲區與串列介面之間有2個與頁大小一致的SRAM數據緩沖區。特殊的結構決定它存在多條讀寫通道：既可直接從主存儲區讀，又可通過緩沖區從主存儲區讀或向主存儲區寫，兩個緩沖區之間可以相互讀或寫，主存儲區還可藉助緩沖區進行數據比較。適合於諸如答錄機、尋呼機、數字相機等能接受串列介面和較慢讀取速度的數據或文件存儲應用。
三、 發展趨勢
存儲器的發展都具有更大、更小、更低的趨勢，這在閃速存儲器行業表現得尤為淋漓盡致。隨著半導體製造工藝的發展，主流閃速存儲器廠家採用0�18μm，甚至0.15μm的製造工藝。藉助於先進工藝的優勢，Flash Memory的容量可以更大：NOR技術將出現256Mb的器件，NAND和AND技術已經有1Gb的器件；同時晶元的封裝尺寸更小：從最初DIP封裝，到PSOP、SSOP、TSOP封裝，再到BGA封裝，Flash Memory已經變得非常纖細小巧；先進的工藝技術也決定了存儲器的低電壓的特性，從最初12V的編程電壓，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V單電壓供電。這符合國際上低功耗的潮流，更促進了攜帶型產品的發展。
另一方面，新技術、新工藝也推動Flash Memory的位成本大幅度下降：採用NOR技術的Intel公司的28F128J3價格為25美元，NAND技術和AND技術的Flash Memory將突破1MB 1美元的價位，使其具有了取代傳統磁碟存儲器的潛質。
世界閃速存儲器市場發展十分迅速，其規模接近DRAM市場的1/4，與DRAM和SRAM一起成為存儲器市場的三大產品。Flash Memory的迅猛發展歸因於資金和技術的投入，高性能低成本的新產品不斷涌現，刺激了Flash Memory更廣泛的應用，推動了行業的向前發展。
㈦ 固態硬碟的mlc和tlc和3dv-nand的區別
MLC可以儲存更多的數據，可降低生產成本，壽命中等，傳輸速度較慢。
TLC傳輸速度更慢，價格便宜，但是壽命短，通常用在U盤或者存儲卡這類移動存儲設備上。
3DNAND快閃記憶體的容量大、性能號、成本低、可靠性都有了保證。
㈧ 讓國內如此瘋狂的 3D NAND快閃記憶體到底是個啥
什麼是3D NAND快閃記憶體？
從新聞到評測，我們對3D NAND快閃記憶體的報道已經非常多了，首先我們要搞懂什麼是3D NAND快閃記憶體。
從2D NAND到3D NAND就像平房到高樓大廈
我們之前見過的快閃記憶體多屬於Planar NAND平面快閃記憶體，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 快閃記憶體，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那麼3D NAND就是高樓大廈，建築面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
3D NAND與2D NAND區別
3D NAND快閃記憶體也不再是簡單的平面內存堆棧，這只是其中的一種，還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結構。
3D NAND快閃記憶體有什麼優勢？
在回答3D NAND快閃記憶體有什麼優勢的時候，我們先要了解平面NAND遇到什麼問題了——NAND快閃記憶體不僅有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的製程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND快閃記憶體跟處理器不一樣，先進工藝雖然帶來了更大的容量，但NAND快閃記憶體的製程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要採取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致於達到某個點之後製程工藝已經無法帶來優勢了。
相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，為了提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高製程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3D NAND快閃記憶體的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可以達到2.8Gb/mm2。
3D NAND快閃記憶體在容量、速度、能效及可靠性上都有優勢
傳統的平面NAND快閃記憶體現在還談不上末路，主流工藝是15/16nm，但10/9nm節點很可能是平面NAND最後的機會了，而3D NAND快閃記憶體還會繼續走下去，目前的堆棧層數不過32-48層，廠商們還在研發64層甚至更高層數的堆棧技術。
四大NAND豪門的3D NAND快閃記憶體及特色
在主要的NAND廠商中，三星最早量產了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND快閃記憶體量產上要落後三星至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND快閃記憶體，Intel本月初才發布了首款3D NAND快閃記憶體的SSD，不過主要是面向企業級市場的。
這四大豪門的3D NAND快閃記憶體所用的技術不同，堆棧的層數也不一樣，而Intel在常規3D NAND快閃記憶體之外還開發了新型的3D XPoint快閃記憶體，它跟目前的3D快閃記憶體有很大不同，屬於殺手鐧級產品，值得關注。
四大NAND豪門的3D NAND快閃記憶體規格及特色
上述3D NAND快閃記憶體中，由於廠商不一定公布很多技術細節，特別是很少提及具體的製程工藝，除了三星之外其他廠商的3D NAND快閃記憶體現在才開始推向市場，代表性產品也不足。
三星：最早量產的V-NAND快閃記憶體
三星是NAND快閃記憶體市場最強大的廠商，在3D NAND快閃記憶體上也是一路領先，他們最早在2013年就開始量產3D NAND快閃記憶體了。在3D NAND路線上，三星也研究過多種方案，最終量產的是VG垂直柵極結構的V-NAND快閃記憶體，目前已經發展了三代V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
三星最早量產了3D NAND快閃記憶體
值得一提的是，三星在3D NAND快閃記憶體上領先不光是技術、資金的優勢，他們首先選擇了CTF電荷擷取快閃記憶體（charge trap flash，簡稱CTF）路線，相比傳統的FG（Floating Gate，浮柵極）技術難度要小一些，這多少也幫助三星佔了時間優勢。
有關V-NAND快閃記憶體的詳細技術介紹可以參考之前的文章：NAND新時代起點，三星V-NAND技術詳解
東芝/閃迪：獨辟蹊徑的BiCS技術
東芝是快閃記憶體技術的發明人，雖然現在的份額和產能被三星超越，不過東芝在NAND及技術領域依然非常強大，很早就投入3D NAND研發了，2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND快閃記憶體簡單堆棧是可以作出3D NAND快閃記憶體的，但製造工藝復雜，要求很高，而東芝的BiCS快閃記憶體是Bit Cost Scaling，強調的就是隨NAND規模而降低成本，號稱在所有3D NAND快閃記憶體中BiCS技術的快閃記憶體核心面積最低，也意味著成本更低。
東芝的BiCS技術3D NAND
東芝和閃迪是戰略合作夥伴，雙方在NAND領域是共享技術的，他們的BiCS快閃記憶體去年開始量產，目前的堆棧層數是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb，預計會在日本四日市的Fab 2工廠規模量產，2016年可以大量出貨了。
SK Hynix：悶聲發財的3D NAND
在這幾家NAND廠商中，SK Hynix的3D NAND最為低調，相關報道很少，以致於找不到多少SK Hynix的3D NAND快閃記憶體資料，不過從官網公布的信息來看，SK Hynix的3D NAND快閃記憶體已經發展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的則是第三代3D NAND快閃記憶體，只不過前面三代產品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動市場，今年推出的第四代3D NAND快閃記憶體則會針對UFS 2.1、SATA及PCI-E產品市場。
SK Hynix的3D NAND快閃記憶體堆棧層數從36層起步，不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND快閃記憶體，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。
Intel/美光：容量最高的3D NAND快閃記憶體
這幾家廠商中，Intel、美光的3D NAND快閃記憶體來的最晚，去年才算正式亮相，不過好菜不怕晚，雖然進度上落後了點，但IMFT的3D NAND有很多獨特之處，首先是他們的3D NAND第一款採用FG浮柵極技術量產的，所以在成本及容量上更有優勢，其MLC類型快閃記憶體核心容量就有256Gb，而TLC快閃記憶體則可以做到384Gb，是目前TLC類型3D NAND快閃記憶體中容量最大的。
美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的
384Gb容量還不終點，今年的ISSCC大會上美光還公布了容量高達768Gb的3D NAND快閃記憶體論文，雖然短時間可能不會量產，但已經給人帶來了希望。
Intel的殺手鐧：3D XPoint快閃記憶體
IMFT在3D NAND快閃記憶體上進展緩慢已經引起了Intel的不滿，雖然雙方表面上還很和諧，但不論是16nm快閃記憶體還是3D快閃記憶體，Intel跟美光似乎都有分歧，最明顯的例子就是Intel都開始採納友商的快閃記憶體供應了，最近發布的540s系列硬碟就用了SK Hynix的16nm TLC快閃記憶體，沒有用IMFT的。
Intel、美光不合的證據還有最明顯的例子——那就是Intel甩開美光在中國大連投資55億升級晶圓廠，准備量產新一代快閃記憶體，很可能就是3D XPoint快閃記憶體，這可是Intel的殺手鐧。
3D XPoint快閃記憶體是Intel掌控未來NAND市場的殺手鐧
這個3D XPoint快閃記憶體我們之前也報道過很多了，根據Intel官方說法，3D XPoint快閃記憶體各方面都超越了目前的內存及快閃記憶體，性能是普通顯存的1000倍，可靠性也是普通快閃記憶體的1000倍，容量密度是內存的10倍，而且是非易失性的，斷電也不會損失數據。
由於還沒有上市，而且Intel對3D XPoint快閃記憶體口風很嚴，所以我們無法確定3D XPpoint快閃記憶體背後到底是什麼，不過比較靠譜的說法是基於PCM相變存儲技術，Intel本來就是做存儲技術起家的，雖然現在的主業是處理器，但存儲技術從來沒放鬆，在PCM相變技術上也研究了20多年了，現在率先取得突破也不是沒可能。
相比目前的3D NAND快閃記憶體，3D XPoint快閃記憶體有可能革掉NAND及DRAM內存的命，因為它同時具備這兩方面的優勢，所以除了做各種規格的SSD硬碟之外，Intel還准備推出DIMM插槽的3D XPoint硬碟，現在還不能取代DDR內存，但未來一切皆有可能。
最後再回到我們開頭提到的問題上——中國大陸現在也把存儲晶元作為重點來抓，武漢新芯科技（XMC）已經在武漢開工建設12英寸晶圓廠，第一個目標就是NAND快閃記憶體，而且是直接切入3D NAND快閃記憶體，他們的3D NAND技術來源於飛索半導體（Spansion），而後者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR快閃記憶體部門合並而來，後來他們又被賽普拉斯半導體以40億美元的價格收購。
2015年新芯科技與飛索半導體達成了合作協議，雙方合作研發、生產3D NAND快閃記憶體，主要以後者的MirrorBit快閃記憶體技術為基礎。不過小編搜遍了網路也沒找到多少有關MirrorBit的技術資料。這兩家公司的快閃記憶體技術多是NOR領域的，3D NAND顯然是比不過三星、SK Hynix及東芝等公司的，有一種說法是MirrorBit的堆棧層數只有8層，如果真是這樣，相比主流的32-48層堆棧就差很遠了，成本上不會有什麼優勢。
㈨ 三星v6nand多少層
三星v6nand共有136層豎行知。根據查詢相關公開信息顯示：三星V6NAND是三星生產的一種快閃記憶體存儲器，採用了該公司自主研發帶早的垂直堆疊技余消術（VerticalNAND），也就是3DNAND的一種。