可編程存儲器編程

㈠ 可編程的只讀存儲器一定可以改寫嗎

一定可以。可編程和只讀存儲器都是對固定軟體進行改寫的專門軟體。可編程一般指的是可編程式控制制器簡稱PC或PLC是一種數字運算操作的電子系統，核巧專門在工業環境改沖鍵下應用而設計。只讀存儲器（英語：Read-OnlyMemory，簡稱：ROM）。ROM所存數據，一般是裝入整機前事判團先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。

㈡ 存儲器的工作原理 [RAM,ROM,EEPROM存儲器工作原理]

一．基本工作原理 基本工作原理

1、存儲器構造 、 存儲器就是用來存放數據的地方。它是利用電平的高低來存放數據的，也就是說，它存 放的實際上是電平的高、低，而不是我們所習慣認為的 1234 這樣的數字，這樣，我們的一 個謎團就解開了，計算機也沒什麼神秘的嗎。

圖1

圖2 讓我們看圖 1。這是一個存儲器的示意圖：一個存儲器就像一個個的小抽屜，一個小抽 屜里有八個小格子，每個小格子就是用來存放「電荷」的，電荷通過與它相連的電線傳進來 或釋放掉， 至於電荷在小格子里是怎樣存的， 就不用我們操心了， 你可以把電線想像成水管， 小格子里的電荷就像是水，那就好理解了。存儲器中的每個小抽屜就是一個放數據的地方， 我們稱之為一個「單元」 。 有了這么一個構造，我們就可以開始存放數據了，想要放進一個數據 12，也就是

00001100， 我們只要把第二號和第三號小格子里存滿電荷， 而其它小格子里的電荷給放掉就 行了（看圖 2） 。可是問題出來了，看圖 1，一個存儲器有好多單元，線是並聯的，在放入電 荷的時候， 會將電荷放入所有的單元中， 而釋放電荷的時候， 會把每個單元中的電荷都放掉， 這樣的話， 不管存儲器有多少個單元， 都只能放同一個數， 這當然不是我們所希望的， 因此， 要在結構上稍作變化，看圖 1，在每個單元上有個控制線，我想要把數據放進哪個單元，就 給一個信號這個單元的控制線，這個控制線就把開關打開，這樣電荷就可以自由流動了，而 其它單元控制線上沒有信號，所以開關不打開，不會受到影響，這樣，只要控制不同單元的 控制線，就可以向各單元寫入不同的數據了，同樣，如果要某個單元中取數據，也只要打開 相應的控制開關就行了。 2、存儲器解碼 、 那麼， 我們怎樣來控制各個單元的控制線呢？這個還不簡單， 把每個單元的控制線都引 到集成電路的外面不就行了嗎？事情可沒那麼簡單，一片 27512 存儲器中有 65536 個單元， 把每根線都引出來， 這個集成電路就得有 6 萬多個腳？不行， 怎麼辦？要想法減少線的數量。 我們有一種方法稱這為解碼，簡單介紹一下：一根線可以代表 2 種狀態，2 根線可以代表 4 種狀態，3 根線可以代表幾種，256 種狀態又需要幾根線代表？8 種，8 根線，所以 65536 種狀態我們只需要 16 根線就可以代表了。 3、存儲器的選片及匯流排的概念 、 至此，解碼的問題解決了，讓我們再來關注另外一個問題。送入每個單元的八根線是用 從什麼地方來的呢？它就是從計算機上接過來的， 一般地， 這八根線除了接一個存儲器之外， 還要接其它的器件

。這樣問題就出來了，這八根線既然不是存儲器和計算機之間專用的，如 果總是將某個單元接在這八根線上，就不好了，比如這個存儲器單元中的數值是 0FFH 另一 個存儲器的單元是 00H，那麼這根線到底是處於高電平，基閉還是低電平？豈非要打架看誰歷害 了？所以我們要讓它們分離。辦法當然很簡單，當外面的線接到集成電路的引腳進來後，不 直接接到各單元去，中間再加一組開關就行了。平時我們讓開關打開著，如果確實是要向這 個存儲器中寫入數據，或要從存儲器中慧鋒念讀出數據，再讓開關接通就行了。這組開關由三根引 線選擇：讀控制端、寫控制端和片選端。要將數據寫入片中，先選中該片， 然後發出寫信號， 開關就合上了，並將傳過來的數據（電荷）寫入片中。如果要讀，先選中該片，然後發出讀 信號，開關合上，數據就被送出去了。讀前困和寫信號同時還接入到另一個存儲器，但是由於片 選端不同， 所以雖有讀或寫信號，但沒有片選信號， 所以另一個存儲器不會「誤會」 而開門， 造成沖突。 那麼會不同時選中兩片晶元呢？只要是設計好的系統就不會， 因為它是由計算控

制的，而不是我們人來控制的，如果真的出現同時出現選中兩片的情況，那就是電路出了故 障了，這不在我們的討論之列。 從上面的介紹中我們已經看到，用來傳遞數據的八根線並不是專用的，而是很多器件 大家共用的，所以我們稱之為數據匯流排，匯流排英文名為 BUS，總即公交車道，誰者可以走。 而十六根地址線也是連在一起的，稱之為地址匯流排。

二．存儲器的種類及原理： 存儲器的種類及原理： 及原理 1.RAM / ROM 存儲器 1.

ROM 和 RAM 指的都是半導體存儲器，ROM 是 Read Only Memory 的縮寫，RAM 是 Random Access Memory 的縮寫。ROM 在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而 RAM 通常都是在 掉電之後就丟失數據，典型的 RAM 就是計算機的內存。

2. RAM

隨機存取存儲器（RAM）是計算機存儲器中最為人熟知的一種。之所以 RAM 被稱為「隨機 存儲」，是因為您可以直接訪問任一個存儲單元，只要您知道該單元所在記憶行和記憶列的 地址即可。 RAM 有兩大類： 1) 靜態 RAM（Static RAM / SRAM），SRAM 速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設 備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如 CPU 的一級緩沖，二級 緩沖。 2) 動態 RAM （Dynamic RAM / DRAM） DRAM 保留數據的時間很短， ， 速度也比 SRAM 慢，不過它還是比任何的 ROM 都要快，但從價格上來說 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多， 計算機內存就是 DRAM 的。 類似於微處理器， 存儲器晶元也是一種由數以百萬計的晶體管和電容器

構成的集成電路 （IC）。計算機存儲器中最為常見的一種是動態隨機存取存儲器（DRAM），在 DRAM 中晶體 管和電容器合在一起就構成一個存儲單元，代表一個數據位元。電容器保存信息位——0 或 1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，它能讓內存晶元上的控 制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。 電容器就像一個能夠儲存電子的小桶。要在存儲單元中寫入 1，小桶內就充滿電子。要 寫入 0，小桶就被清空。電容器桶的問題在於它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿 電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由 CPU 或是由 內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前能保持 1 值。為此，內

存控制器會先行讀取存儲器中的數據， 然後再把數據寫回去。 這種刷新操作每秒鍾要自動進 行數千次如（圖 3 所示）

圖 3 動態 RAM 存儲單元中的電容器就像是一個漏水的小桶。

它需要定時刷新，否則電子泄漏會使它變為 0 值。

動態 RAM 正是得名於這種刷新操作。 動態 RAM 需要不間斷地進行刷新， 否則就會丟失它 所保存的數據。這一刷新動作的缺點就是費時，並且會降低內存速度。

存儲單元由硅晶片蝕刻而成，位於由記憶列（位線） 和記憶行（字線） 組成的陣列之中。 位線和字線相交，就形成了存儲單元的地址。

圖 4 將位元排列在二維柵格中，就構成了內存。 在上圖中，紅色的存儲單元代表 1 值，而白色的存儲單元代表 0 值。 在演示動畫片中，先選出一個記憶列，然後對記憶行進行充電以將數據寫入指定的記憶列中。

DRAM 工作時會向選定的記憶列（CAS）發送電荷，以激活該記憶列上每個位元處的晶體 管。寫入數據時，記憶行線路會使電容保持應有狀態。讀取數據時，由靈敏放大器測定電容 器中的電量水平。如果電量水平大於 50%，就讀取 1 值；否則讀取 0 值。計數器會跟蹤刷新 序列，即記錄下哪些行被訪問過，以及訪問的次序。完成全部工作所需的時間極短，需要以 納秒（十億分之一秒）計算。存儲器晶元被列為 70 納秒級的意思是，該晶元讀取單個存儲 單元並完成再充電總共需要 70 納秒。 如果沒有讀寫信息的策略作為支持， 存儲單元本身是毫無價值的。 所以存儲單元擁有一 整套由其他類型的專用電路構成的底層設施。這些電路具有下列功能： 判別記憶行和記憶列的地址（行選址和列選址） 記錄刷新序列（計數器） 從存儲單元中讀取、恢復數據（靈敏放大器） 告知存儲單元是否接受電荷（防寫） 內存控制器要執行其他一些任務， 包

括識別存儲器的類型、 速度和容量， 以及檢錯等等。

靜態 RAM 使用了截然不同的技術。 靜態 RAM 使用某種觸發器來儲存每一位內存信息 （有 關觸發器的詳細信息，請查見布爾邏輯的應用） 。存儲單元使用的觸發器是由引線將 4-6 個 晶體管連接而成， 但無須刷新。 這使得靜態 RAM 要比動態 RAM 快得多。 但由於構造比較復雜， 靜態 RAM 單元要比動態 RAM 占據更多的晶元空間。 所以單個靜態 RAM 晶元的存儲量會小一些， 這也使得靜態 RAM 的價格要貴得多。靜態 RAM 速度快但價格貴，動態 RAM 要便宜一些，但速 度更慢。因此，靜態 RAM 常用來組成 CPU 中的高速緩存，而動態 RAM 能組成容量更大的系統 內存空間。

3. ROM

ROM 也分為很多種： 1) 掩膜式 ROM 晶元生產廠家在製造晶元過程中把程序一並做在晶元內部,這就是二次光刻版圖形(掩 膜)。存儲陣列中的基本存儲單元僅由一隻 MOS 管構成，或預設，凡有 MOS 管處表示存儲 0， 反之為 1. 工廠在生產時,根據客戶提供的內容,決定是否布下只 MOS 管. 用戶在生產好後,

是不能改寫的( 難道撬開晶元,加個 MOS 管上去?) 由於集成電路生產的特點， 要求一個批次的掩膜 ROM 必須達到一定的數量 （若十個晶圓） 才能生產，否則將極不經濟。掩膜 ROM 既可用雙極性工藝實現，也可以用 CMOS 工藝實現。 掩膜 ROM 的電路簡單，集成度高，大批量生產時價格便宜。 2) 一次性可編程 ROM（PROM= ROM（PROM=Programmable ROM） ） 允許一次編程 存儲陣列除了三極體之外，還有熔點較低的連線（熔斷絲）串接在每隻存儲三極體的某 一電極上，例如發射極. 編程之前，存儲信息全為 0，或全為 1，編程寫入時，外加比工作 電壓高的編程電壓，根據需要使某些存儲三極體通電，由於此時電流比正常工作電流大，於 是熔斷絲熔斷開路，一旦開路之後就無法恢復連通狀態，所以只能編程一次。如果把開路的 三極體存儲的信息當作 0，反之，存儲的信息就為 1 3) 紫外線擦除可編程 ROM（EPROM= 紫外線擦除可編程 ROM（EPROM=Erasable PROM） ） 用紫外線擦除後編程,並可多次擦除多次編程 FAMOS 管與 MOS 管結構相似，它是在 N 型半導體基片上生長出兩個高濃度的 P 型區，通 過歐姆接觸分別引出漏極 D 和源極 S，在漏源之間的 SiO2 絕緣層中，包圍了一多晶硅材料， 與四周無直接電氣連接，稱之為浮置柵極，在對其編程時，在漏源之間加上編程電壓（高於 工作電壓）時，會產生雪崩擊穿現象，獲得能量的電子會穿過 SiO2 注入到多晶硅中，編程 結束後， 在漏源之間相對感應出的正電荷導電溝道將會保持下來， 如果將漏源之間感應出正 電荷導電溝道的 MOS 管表示存

入 0，反之，浮置柵不帶負電，即漏源之間無正電荷導電溝道 的 MOS 管表示存入 1 狀態 在 EPROM 晶元的上方， 有一圓形石英窗， 從而允許紫外線穿過透明的圓形石英窗而照射 到半導體晶元上，將它放在紫外線光源下一般照射 10 分鍾左右，EPROM 中的內容就被抹掉， 即所有浮置柵 MOS 管的漏源處於斷開狀態，然後，才能對它進行編程輸入 出廠未編程前，每個基本存儲單元都是信息 1, 編程就是將某些單元寫入信息 0 EPROM 是採用浮柵技術生產的可編程存儲器，它的存儲單元多採用 N 溝道疊柵 MOS 管 （SIMOS） ，其結構及符號如圖 12.2.1(a)所示。除控制柵外，還有一個無外引線的柵極，稱 為浮柵。當浮柵上無電荷時，給控制柵（接在行選擇線上）加上控制電壓，MOS 管導通； 而當浮柵上帶有負電荷時，則襯底表面感應的是正電荷，使得 MOS 管的開啟電壓變高，如 圖 12.1.3(b)所示，如果給控制柵加上同樣的控制電壓，MOS 管仍處於截止狀態。由此可見， SIMOS 管可以利用浮柵是否積累有負電荷來存儲二值數據。

（a） 疊柵 MOS 管的結構及符號圖

（b） 疊柵 MOS 管浮柵上積累電子與開啟電壓的關系

圖 6 疊柵 MOS 管

在寫入數據前，浮柵是不帶電的，要使浮柵帶負電荷，必須在 SIMOS 管的漏、柵極 加上足夠高的電壓（如 25V） ，使漏極及襯底之間的 PN 結反向擊穿，產生大量的高能電子。 這些電子穿過很薄的氧化絕緣層堆積在浮柵上， 從而使浮柵帶有負電荷。 當移去外加電壓後, 浮柵上的電子沒有放電迴路，能夠長期保存。當用紫外線或 X 射線照射時，浮柵上的電子形 成光電流而泄放， 從而恢復寫入前的狀態。 照射一般需要 15 至 20 分鍾。 為了便於照射擦除， 晶元的封裝外殼裝有透明的石英蓋板。EPROM 的擦除為一次全部擦除，數據寫入需要通用或 專用的編程器。 ROM（ EPROM） 4) 電擦除可編程 ROM（EEPROM = Electrically EPROM） 加電擦除,也可以多次擦除, 可以按位元組編程。 在 EPROM 基本存儲單元電路的浮置柵 MOS 管 T1 上面再生成一個浮置柵 MOS 管 T2， T2 將 浮置柵引出一個電極，使該電極接某一電壓 VG2，若 VG2 為正電壓，T1 浮置柵極與漏極之間 產生一個隧道效應，使電子注入 T1 浮置柵極，於是 T1 的漏源接通，便實現了對該位的寫入 編程。 用加電方法，進行在線（無需拔下，直接在電路中）擦寫（擦除和編程一次完成）有字

節擦寫、 塊擦寫和整片擦寫方法， 按位元組為單位進行擦除和寫入， 擦除和寫入是同一種操作， 即都是寫入，只不過擦除是固定寫「1」而已，在擦除時，輸入的數據是 TTL 高電平。 EEPROM 在進行位元組改寫之前自動對所要寫入的位元組單元進行

擦除， 只需要像寫普通 CPU RAM 一樣寫其中某一位元組， 但一定要等到 5ms 之後， CPU 才能接著對 EEPROM 進行下一次寫入 操作，因而，以位元組為單元寫入是常用的一種簡便方式。 寫入操作時，首先把待寫入數據寫入到頁緩沖器中，然後，在內部定時電路的控制下把 頁緩沖器中的所有數據寫入到 EEPROM 中所指定的存儲單元，顯然，相對位元組寫入方式，第 二種方式的效率高，寫入速度快。 EEPROM 也是採用浮柵技術生產的可編程存儲器，構成存儲單元的 MOS 管的結構如圖 12.2.2 所示。它與疊柵 MOS 管的不同之處在於浮柵延長區與漏區之間的交疊處有一個厚度 約為 80 埃的薄絕緣層，當漏極接地，控制柵加上足夠高的電壓時，交疊區將產生一個很強 的電場， 在強電場的作用下， 電子通過絕緣層到達浮柵， 使浮柵帶負電荷。 這一現象稱為「隧 道效應」，因此，該 MOS 管也稱為隧道 MOS 管。相反，當控制柵接地漏極加一正電壓，則產 生與上述相反的過程，即浮柵放電。與 SIMOS 管相比，隧道 MOS 管也是利用浮柵是否積累 有負電荷來存儲二值數據的， 不同的是隧道 MOS 管是利用電擦除的， 並且擦除的速度要快得 多。 EEPROM 電擦除的過程就是改寫過程，它是以字為單位進行的。EEPROM 具有 ROM 的非易 失性， 又具備類似 RAM 的功能， 可以隨時改寫 （可重復擦寫 1 萬次以上） 目前， 。 大多數 EEPROM 晶元內部都備有升壓電路。因此，只需提供單電源供電，便可進行讀、擦除/寫操作，為數 字系統的設計和在線調試提供了極大的方便。

圖 7 隧道 MOS 管剖面結構示意圖

圖 8 快閃記憶體存儲單元 MOS 管剖面結構示意圖

5) Flash 快閃記憶體 快速擦寫,但只能按塊編程 快閃記憶體存儲單元的 MOS 管結構與 SIMOS 管類似， 如圖 12.2.3 所示。 但有兩點不同， 一是快閃記憶體存儲單元 MOS 管的源極 N+區大於漏極 N+區， SIMOS 管的源極 N+區和漏極 而 N＋區是對稱的；二是浮柵到 P 型襯底間的氧化絕緣層比 SIMOS 管的更薄。這樣，可以通過 在源極上加一正電壓，使浮柵放電，從而擦除寫入的數據。由於快閃記憶體中存儲單元 MOS 管的源極是連接在一起的，所以不能象 E2PROM 那樣按字擦除，而是類似 EPROM 那樣整片擦 除或分塊擦除。整片擦除只需要幾秒鍾，不像 EPROM 那樣需要照射 15 到 20 分鍾。快快閃記憶體儲 器中數據的擦除和寫入是分開進行的， 數據寫入方式與 EPROM 相同， 需輸入一個較高的電壓， 因此要為晶元提供兩組電源。一個字的寫入時間約為 200 微秒，一般可以擦除/寫入 100 次 以上。 新型的 FLASH，例如 320C3B 等，在常規存儲區域後面還有 128Bit 的特殊加密，其中前 64Bit（8 位元組）是唯一

器件碼（64BitUniqueDeviceIdentifier）,每一片 Flash 在出廠時 已經帶有，並且同一種 Flash 型號不會有相同的編碼，哪怕這個字型檔是全新空白的字型檔。後 來 64Bit 為用戶可編程 OTP 單元 （64BitUserProgrammableOTPCells） ,可以由用戶自用設定， 單只能寫入，不能擦除。

㈢ 什麼叫可編程只讀存儲器

EPROM, 編程是通過熔絲等手段寫到一個邏輯陣列中。沒有聽說過有相關的編譯器

㈣ 存儲系統中的prom是指可編程只讀存儲器

是的。PROM（ProgrammableRead-OnlyMemory，可編程只讀存儲器）是宴棚一種常見的存儲系統組件，通常用於存儲計算機系統中的程序代碼、數據表格等只讀信息。，與傳統的只讀存儲器（ROM）不同，PROM具有可編程性，可以在生產之前或在使用期間通過專門的編程設備對其進行編程操作。編程後的PROM數據將被永久地存儲在晶元內部，無法修改或晌譽則刪除。在計算機系統中，PROM通常被用作存儲系統固件、虛攔引導程序、BIOS（BasicInput/OutputSystem）等重要的系統軟體和配置信息。

㈤ 可編程的只讀存儲器可以改寫

請問你想問可編程的只讀存儲器可以改亮滾首寫嗎？不可以。可編程的只讀存儲器（PROM）是一種只讀存儲器，與傳統的只讀存儲器相敬數比，它可以通過編程備運的方式進行一次性的信息存儲，即只能被寫入一次，之後就不能再被改寫了。

㈥ 可編程只讀存儲器的簡介

分類
1.一次編程只讀存儲器（ROM）可編程只讀存儲器只允許寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元謹游寫入1)， 以實現對返迅其「編程」的目的。PROM的典型產品是「雙極性熔絲結構」，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，並維持一定的時間，原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某些位的效果。另外一類經典的PROM為使用「肖特基二極體」的PROM，出廠時，其中的二極體處於反向截止狀態，還是用大電流的方法將反相電壓加在「肖特基二極體」，造成其永久性擊穿即可。
2.紫外線擦除可編祥世銷程只讀存儲器（EPROM） 能用紫外線擦除原有信息，可以重新寫入新信息。
3.電擦除可編程只讀存儲器（E2PROM）

㈦ 可編程只讀存儲器的原理

PROM的總體結構、工作原理和使用方法都與掩膜ROM相同(見只讀存儲器)。不同的是PROM器件出廠時在存儲矩陣的每個交叉點上均設置了二極體，並且有快速熔斷絲與二極體串連，如圖所示。

用戶可以按照自己的需要寫入數據，即對PROM編程。編程時應將那些不皮豎褲需要保留的二極體上串接的熔絲熔斷。為此，必須在相應的字線與位線之間通以足夠大的脈沖電流。編程工作通常需利用專門的編程器完成。
因為熔絲熔斷後無法恢復，所以這種採用熔絲工藝製作的PROM一經寫入數據後便不能修改。
PROM是成批生產的，當需要的ROM數量較小時，燃簡使用PROM比製作專門的掩膜ROM更經濟，而纖隱且有利於縮短製作周期。

㈧ ROM和EPROM是什麼

ROM是只讀存儲器（Read-Only Memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。

EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明，是一種斷電後仍能保留數據的計算機儲存晶元——即非易失性的（非揮發性）。它是一組浮柵晶體管，被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。

一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見矽片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個唯銀廳窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對准陽光直射一段時間就可以擦除。

(8)可編程存儲器編程擴展閱讀：

ROM的種類：

1、ROM

只讀存儲器（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的存儲器。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。

2、PROM

可編程程序只讀存儲器之內部有行列式的熔絲，是需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但僅能寫錄一次。 PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0， 以實現對其「編程」的目的。

3、EPROM

可抹除可編程只讀存儲器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路搏態曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。

4、OTPROM

一次編程只讀存儲器（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。

5、EEPROM

電子式可抹除可編程只指隱讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。

6、快閃記憶體

快閃記憶體（Flash memory）的每一個記憶胞都具有一個「控制閘」與「浮動閘」，利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進行編程動作。

參考資料來源：

網路-ROM

網路-EPROM