① 長江存儲屬於什麼級別的公司
長江存儲不是上市公司。
長江存儲科技有限責任公司成立於2016年7月，總部位於「江城」武漢， 是一家專注於3D NAND快閃記憶體設團念計製造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作夥伴供應3D NAND快閃記憶體晶圓及顆粒， 嵌入式存儲晶元以及消費級、企業級固態硬碟等產品和解決方案，廣泛應用於移動通信、消費數碼、計算機、伺服器及數據中心等領域。截至目前，長江存儲已在武漢、上海、北京等地設有研發中心，全球共有員工6000餘人，其中研發工程技術人員4000餘人。通過不懈努力和技術創新，長江存儲致力於成為全球領先的NAND快閃記憶體解決方案提供商。
【拓展資料】
世界晶元生產商：
一、英特爾
英特爾是一家成立於1968年的個人計算機零件和CPU製造商，擁有50年的市場領導歷史，在1971年推出第一個微處理器，就為世界帶來了計算機和互聯網的革命，主要領域在半導體、微處理器、晶元組、板卡、系統及軟體等，位於福布斯2019全球企業2000強排行榜第44位，在2019年第一季度半導體市場以158億美元營收排在第一位，也是世界三大晶元生產商之首。
二、三星
三星是全球著名的跨國企業集團，三星電子作為旗下最大的子公司，主要領域涉及到IT解決方案、生活家電、無線、網路、半導體及LCD事業等燃或塌，在1983年研製64K動態隨機存儲器成為了當時世界半導體領導者，之後在移動設備領域一直處在領先地位，也是智能手機市場份額最多的企業。
三、高通
高通公司是全球知名的移動設備和處理器製造商，旗下的驍龍處理器是業界最為領先的移動智能設備處理器，向多家製造皮圓商提供技術支持，在國內基本除了華為使用自己的研製的麒麟處理器外，小米、oppo、vivo等大部分手機製造商都會搭載驍龍處理器，也是知名的世界品牌500強之一。
四、超威
美國超威半導體AMD，也是知名的顯卡製造商，涉及CPU、顯卡、主板電腦硬體設備等領域，在計算機顯卡領域和英偉達占據大半市場，但近年來似乎有所下降。
五、美光
美光也是世界十大晶元公司之一，也是世界最大的半導體儲存及影像產品製造商之一，在全球擁有兩萬六千多名員工，在國內北京和深圳都營銷辦事處。
② 只讀存儲器和隨機存儲器的主要特點
只讀存儲器的特點是用戶只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM裡面固化了一個基本輸入/輸出系統，稱為BIOS（基本輸入輸出系統）。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。
隨機儲存器的特點是在儲存器的數據被讀取和斜入式，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。但隨機儲存器具有易失性，當電源關閉時RAM不能保留數據。
而且隨機存儲器對環境的靜電荷極其的銘感，靜電會干擾儲存器內電容器的電荷，導致數據丟失，甚至是燒壞電路。隨機存儲器幾乎是所有訪問設備寫入和讀取速度最快的，並且現代的隨機存取存儲器以來電容器去存儲數據。
(2)隨機存儲公司擴展閱讀：
只讀存儲器工作原理
地址解碼器根據輸入地址選擇某條輸出(稱字線)，由它再去驅動該字線的各位線，以便讀出字線上各存儲單元所儲存的代碼。
隨機存儲器的組成
RAM電路由地址解碼器、存儲矩陣和讀寫控制電路三部分組成。
存儲矩陣由觸發器排列而成，每個觸發器能存儲一位數據(0或1)。通常將每一組存儲單元編為一個地址，存放一個「字」。
每個字的位數等於這一組單元的數目。存儲器的容量以「字數×位數」表示。地址解碼器將每個輸入的地址代碼譯成高(或低)電平信號，從存儲矩陣中選中一組單元，使之與讀寫控制電路接通。在讀寫控制信號的配合下，將數據讀出或寫入。
只讀存儲器種類
可編程只讀存儲器
可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。
用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。 PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。
ROM
只讀內存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。
在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
③ 隨機存儲是什麼意思
問題一：隨機存取和非隨機存取分別是什麼意思？有啥區別？ 隨機存友坦取斗告告就是直接存取，可以通過下標直接訪問的那種數據結構，與存儲位置無關，例如數組。
非隨機存取就是順序存取了，不能通過下標訪問了，只能按照存儲順序存取，與存儲位置有關，例如鏈表。
問題二：隨機存儲器是什麼意思？
問題三：為什麼說數組中的元素是隨機存儲的?對於數組來說隨機存儲的意思是什麼? 比如 數組a[10]有a[0]....a[9]共10個元素
你可以 a[0],a[1],a[5]這樣在數組的任意一個位置讀和寫，就叫可以隨機存儲
「隨機存儲」和「順序存儲」向對
像隊列、棧、文本之類的結構只能順序存儲，不能直接在任意位置讀寫。
問題四：考研計算機組成原理：隨機存儲方式、隨機訪問、隨機存取是什麼區別 隨機存取：隨機是指存取時間與存儲單元的物理位置無關，存取是指寫入與讀出操作，計算機中的主存如RAM採用這種方式，故稱為隨機存儲器；
隨機訪問側重在訪問，一般理解為讀操作。因為ROM是只讀存儲器，所以可以像RAM一樣隨機訪問，但不能隨機存取；
隨機存儲可以理解為等同於隨機存取，只有RAM可以；
RAM與ROM都屬於內存，也稱主存；CD-ROM是第一代光碟存儲器，只能讀出，不能寫入，屬於外部存儲器的一種，也成輔助存儲器，它採用激光蝕刻的方法記錄信息；從存取方式上來看，與磁碟（軟盤、硬碟）有相同的屬性，屬於直接存取方式。
問題五：RAM隨機存儲器是什麼意思？ RAM 內存斷電後數據丟失
ROM CD-ROM斷電後數據任然能保存只讀就是只能讀取不能寫入
問題六：隨機存取的隨機存儲用途 SRAM：靜態隨機存取存儲器採取多重晶體管設計，通常每個存儲單元使用4-6隻晶體管，但沒有電容器。SRAM主要用於緩存。DRAM：動態隨機存取存儲器中每個存儲單元由配對出現的晶體管和電容器構成，需要不斷地刷新。FPM DRAM：快速頁模式動態隨機存取存儲器是最早的一種DRAM。在存儲器根據行列地址進行位元定位的全程中，FPM DRAM必須處於等待狀態，數據讀取之後才能開始處理下一位數據。向二級緩存的最高傳輸速率約為176MB每秒。EDO DRAM：擴展數據輸出動態隨機存取存儲器在處理前一位數據的過程中無需全程等待，就可以開始處理下一位數據。只要前一位數據的地址定位成功，EDO DRAM就開始為下一位數據定址。它比FPM快5%左右。向二級緩存的最高傳輸速率約為264MB每秒。SDRAM：同步動態隨機存取存儲器利用了爆發模式的概念，大大提升了性能。這種模式在讀取數據時首先鎖定一個記憶行，然後迅速掃過各記憶列，與此同時讀取列上的位元數據。之所以有這種設計思想，是因為多數時候CPU請求的數據在內存中的位置是相鄰的。SDRAM比EDO RAM快5%左右，已成為當今台式機內存中應用最廣的一種。向二級緩存的最高傳輸速率約為528MB 每秒。DDR SDRAM：雙倍速率同步動態RAM與SDRAM相似，但帶寬更高，即速度更快。向二級緩存的最高傳輸速率約為1064MB每秒。（133兆赫茲DDR SDRAM）。RDRAM：Rambus動態隨機存取存儲器同先前的DRAM體系有著根本性的區別。由Rambus公司設計的RDRAM採用了Rambus直插式內存模組（RIMM），在外形尺寸和引腳構造方面類似於標準的DIMM。RDRAM與眾不同之處在於它採取一種特殊的高速數據匯流排設計，稱為Rambus信道。RDRAM內存晶元在並行模式下工作頻率可達800兆赫（數據速率1600兆位元組）。由於操作速率很高，RDRAM產生的熱量要大大多於其他類型的晶元。為了驅散多餘的熱量，Rambus晶元配有散熱器，這種散熱器看上去就像是又長又薄的圓片。正如DIMM有其小外形版本一樣，生產商還為筆記本電腦設計了小外形RIMM。信用卡內存：信用卡內存是一種享有專利權的獨立DRAM內存模組，使用時要將其插入筆記本電腦的特製長槽中。PCMCIA內存卡：另一種用於筆記本空明電腦的獨立DRAM內存模組，這種內存卡不享有專利權，只要系統匯流排能與內存卡設置相互匹配，即可用於各種筆記本電腦。CMOS RAM：CMOS RAM這一術語是指用於電腦和其他設備中的一種小容量存儲器，用來存儲硬碟設置等信息――有關詳細信息，請查見《計算機基本知識》一文。這種內存需要一個小型電池來供電，以維持存儲器的內容。VRAM：視頻RAM，亦稱多埠動態隨機存取存儲器（MPDRAM），為顯示適配器和3D加速卡所專用。所謂「多埠」是指VRAM通常會有兩個獨立的訪問埠，而非單一埠，允許CPU和圖形處理器同時訪問RAM。VRAM位於圖形卡上，且種類繁多，其中很多享有專利權。VRAM的大小往往能決定顯示器的解析度和色深度。VRAM還可以用來保存一些圖形專用信息，例如3D幾何數據和質素圖。真正的多埠VRAM往往價格不菲，因而當今的圖形卡使用SGRAM（同步圖形RAM）作為替代品。兩種顯存性能相差無幾，而SGRAM價格更為便宜。
問題七：物流中隨機存儲是什麼意思 10分 一般都是沒有固定的倉罰號 新的小而且少用的不多的產品在入倉後會隨機根據電腦指定一個倉位號！而產生的存儲！
問題八：隨機存儲器所謂的隨機是指什麼？ 隨機存儲器所謂的隨機是相對於順序存儲器來說的，順序存儲器只能按某種順序來存取數據,存取時間和存儲單元的物理位置有關，隨機存儲器任何存儲單元的內容都能被隨機存取數據償且存取時間和存儲單元的物理位置無關，相對來說，隨機存儲器比順序存儲器在存儲形式上更靈活隨意，所以就叫隨機存儲器。
問題九：c語言的數組隨機存取是什麼意思 隨機存取需要和順序存取做一下比較，比較之後就明白了
比如給你一列縱隊的人，讓你找到位置為5的人，第一種方法是你從第一個位置開始一個一個往後找，直到找到位置為5的位置，這樣的就是順序存取
而如果你已經知道5的位置，不需要經過前面的四個位置直接到達位置為5的位置，那麼這樣的就是隨機存取
④ 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力
長鑫是內存，長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失，快閃記憶體斷電數據依然在，技術層面，快閃記憶體技術難度更高！另外長鑫是買的國外底層技術，然後升級優化發展，發展有一定局限性，且與世界一流水平有2-3代的差距！而長存完全自主研發，技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看，內存技術有天花板，需求市場幾乎停止增長，而快閃記憶體技術革新空間很大，市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大！
兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲；長江存儲以研發可寫存儲。
長江存儲屬於國家隊，合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來，長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別，而長江存儲還需時日。
另外，眾所周知，玩存儲晶圓是個燒錢項目，風險變數極大，所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢，是國家傾盡全力打造的存儲之都；合肥近幾年靠集成晶元（京東方）實實在在是掙到百千億的，夾持國家科學中心名頭不可小覷！
綜敘，潛力誰大不好說，一個是小獅子，逐漸霸氣側漏想挑戰王位；一個是小老虎，虎虎生威欲佔山為王！
沖出重圍千億起步，強敵環伺巨頭統治。
存儲晶元的前景如何展望？
合肥長鑫，成立於2016年5月， 專注於DRAM領域 ，整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元，19nm8GbDDR4已實現量產，產能已達到2萬片/月，預計2020年一季度末達4萬片/月，三期完成後產能為36萬片/月， 有望成為全球第四大DRAM廠商。
長江存儲，成立於2016年7月， 專注於3DNANDFlash領域 ，整體投資額240億美元，目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據，2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月，到2020年底有望擴產至7萬片/月，2023年目標擴產至30萬片/月產能， 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。
最近利基型內存（Specialty DRAM）的價格大漲，我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼？
Dynamic Random Access Memory，縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器，作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂，聽不懂沒關系，你只需要知道，它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存，計算機、手機中得有它，你可能沒聽說過DRAM，但你一定知道內存條， 沒錯，DRAM的最常見出現形式就是內存條。
近幾年的全球DRAM市場，呈現巨頭壟斷不變，市場規模多變的局面。
全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光，分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。
2019年市場銷售額為620億美元，同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一，中國佔比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場，手機/移動端佔比40%，伺服器佔比34%。
總結來說，巨頭壟斷，使得中國企業沒有議價權，DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域，但未來隨著數據向雲端轉移，市場會逐步向伺服器傾斜。
未來，由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化，微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後，製造難度越來越高，廠商對工藝的定義已不再是具體線寬，而是要在具體製程范圍內提升技術，提高存儲密度。
當前供需狀況，由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期，國內DRAM企業發展得到有利發展。
合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司，都在各自的賽道中沖刺，希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。
看哪家產品已經銷售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥長鑫優勢明顯
合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力？快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節，都是要在國外壟斷企業口裡奪食，如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言，合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。
這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域，長江存儲以NAND FLAH領域，而且投資都相當巨大，都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外，還有湖北地方產業基金，另外還有國家集成電路產業投資基金的介入，顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主，從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。
不管時快閃記憶體還是內存，目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷，價格的漲跌幾乎都已經被操縱，國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光，NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等，包括其他晶元一起，國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金，並且一直往上攀升。
這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域，但短時間之內要改變這種態勢還很難，一個是技術實力落後，另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右，況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放，在市場應用上的差距就更為懸殊。
從市場應用上來看，各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展，內存的應用地方相當多，甚至不可缺少，這帶來極大的需求量。相對而言，快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點，但需求同樣龐大。
國外三星、海力士等處於極強的強勢地位，而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾，相信這兩家未來都有不錯的前景，一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。
更多分享，請關注《東風高揚》。
理論上說長江存儲潛力更大，技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距，另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。
市場來說長鑫的dram內存價值更大。
但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的，所以誰錢多誰潛力大。
合肥長鑫是國產晶元的代表企業，主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元，目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊，員工總數超過 2700 人，核心技術人員超過 500。
長江存儲成立於2016年7月，總部位於武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人，其中資深研發工程師約 2200人，已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功，且進入加速擴產期，目前產能約 7.5 萬片/月，擁有業界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
存儲晶元行業屬於技術密集型產業，中國存儲晶元行業起步晚，缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。
誰先做出產品誰就有潛力，兩家現在主要方向也不一樣，一個nand一個dram，也得看技術和頂級玩家三星的差距
當然是長江存儲更有潛力，長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台，是國家存儲產業基地，長鑫買的外國專利授權，發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域，而長鑫卻沒有可能進入nand領域。
⑤ 長鑫存儲技術有限公司員工主要是中國人還是外國人
長鑫存儲技術有限公司員工主要是中國人。根據查詢相關信息顯示，長鑫存儲技術有限公司員工一共有2000人，1800人是中國人。長鑫集電(北京)存儲技術有限公司有北京戶口。北京戶口指標，企業文化模範踐行獎，企業文化榜樣團隊獎，閃耀之敬神凳星。長鑫存儲的事業開始於2016年，專業從事動態隨機存取存儲晶元的研發、生產和銷售，目前12英寸晶圓廠已建成投產。產品廣泛應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現亮旅實和物聯網等領域，市場瞎啟需求巨大並持續增長。公司自成立以來，以技術為核心，加強管理體系的建設。
⑥ 隨機存取存儲器詳細資料大全
隨機存取存儲器 （英語： R andom A ess M emory，縮寫： RAM ），也叫 主存 ，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。[1]它可以隨時讀寫（刷新時除外，見下文），而且速度很快，通常作為作業系統或其他正在運行中的程式的臨時數據存儲介質。
主存（Main memory）即計算機內部最主要的存儲器，用來載入各式各樣的程式與數據以供CPU直接運行與運用。由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般計算機主存的最主要部分。2014年生產計算機所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。
基本介紹
- 中文名 ：隨機存取存儲器
- 外文名 ：random aess memory
- 存儲原理 ：由觸發器存儲數據
- 單元結構 ：六管NMOS或OS構成
- 簡稱 ：RAM
特點
隨機存取 所謂「隨機存取」，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問（Sequential Aess）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放作業系統、各種應用程式、數據等。 易失性 當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。 靜態隨機存取存儲器 對靜電敏感 正如其他精細的積體電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。 訪問速度 現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。 筆記本電腦記憶體 需要刷新（再生） 現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電後代表1(二進制)，未充電的代表0。由於電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態，然後按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。類別
根據存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態RAM和動態RAM。 靜態隨機存儲器(SRAM) 靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。 動態隨機存儲器(DRAM)動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由於柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等於0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。通常把這種操作稱為「刷新」或「再生」，因此DRAM內部要有刷新控制電路，其操作也比靜態RAM復雜。盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構能做得非常簡單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產品。
組成
RAM電路由地址解碼器、存儲矩陣和讀寫控制電路三部分組成，如圖所示。 圖1 存儲矩陣由觸發器排列而成，每個觸發器能存儲一位數據(0或1)。通常將每一組存儲單元編為一個地址，存放一個「字」；每個字的位數等於這一組單元的數目。存儲器的容量以「字數×位數」表示。地址解碼器將每個輸入的地址代碼譯成高(或低)電平信號，從存儲矩陣中選中一組單元，使之與讀寫控制電路接通。在讀寫控制信號的配合下，將數據讀出或寫入。區別
唯讀存儲器
ROM-read only memory唯讀存儲器 ①簡單地說，在計算機中，RAM 、ROM都是數據存儲器。RAM 是隨機存取存儲器，它的特點是易揮發性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲器(一次寫入，反復讀取)，它的特點與RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫三種類型。舉個例子來說也就是，如果突然停電或者沒有保存就關閉了檔案，那麼ROM可以隨機保存之前沒有儲存的檔案但是RAM會使之前沒有保存的檔案消失。 動態隨機存取存儲器記憶體
在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程式和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱記憶體儲器（簡稱記憶體），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質或光碟，像硬碟，軟碟，磁帶，CD等，能長期保存信息，並且不依賴於電來保存信息，但是由機械部件帶動，速度與CPU相比就顯得慢的多。記憶體指的就是主機板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，並用其存儲數據的部件，存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程式，它的物理實質就是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的積體電路，記憶體只用於暫時存放程式和數據，一旦關閉電源或發生斷電，其中的程式和數據就會丟失。 從一有計算機開始，就有記憶體。記憶體發展到今天也經歷了很多次的技術改進，從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，記憶體的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。今天，伺服器主要使用的是什麼樣的記憶體呢？IA架構的伺服器普遍使用的是REGISTEREDECCSDRAM。 快速周期隨機存取存儲器 既然記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程式，那麼它是怎麼工作的呢？我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體（即DRAM），動態記憶體中所謂的「動態」，指的是當我們將數據寫入DRAM後，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行記憶體刷新操作。具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因。刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1/2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。存儲單元
靜態存儲單元（SRAM） ●存儲原理：由觸發器存儲數據 ●單元結構：六管NMOS或OS構成 ●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache ●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大 ●常用的SRAM集成晶片：6116(2K×8位)， 6264 (8K×8位)， 62256 (32K×8位)，2114(1K×4位) 動態存儲單元（DRAM） ●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之後：單管基本單元） ●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作 ●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2 ms ）。 ●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低 ●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用於作主存儲器。 盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產品。