⑴ 存儲器的結構
1cpu的內部
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存儲器結構
存儲器結構
第一層：通用寄存器堆
第二層：指令與數據緩沖棧
第三層：高速緩沖存儲器
第四層：主儲存器（DRAM）
第五層：聯機外部儲存器（硬磁碟機）
第六層：離線外部儲存器（磁帶、光碟存儲器等）
這就是存儲器的層次結構~~~ 主要體現在訪問速度~~~
2工作特點
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存儲器結構
存儲器結構① 設置多個存儲器並且使他們並行工作。本質：增添瓶頸部件數目，使它們並行工作，從而減緩固定瓶頸。
② 採用多級存儲系統，特別是Cache技術，這是一種減輕存儲器帶寬對系統性能影響的最佳結構方案。本質：把瓶頸部件分為多個流水線部件，加大操作時間的重疊、提高速度，從而減緩固定瓶頸。
③ 在微處理機內部設置各種緩沖存儲器，以減輕對存儲器存取的壓力。增加CPU中寄存器的數量，也可大大緩解對存儲器的壓力。本質：緩沖技術，用於減緩暫時性瓶頸。
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
3具體結構分類
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根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲
存儲器結構
存儲器結構單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72PIN或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
存儲器結構
存儲器結構06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，
存儲器結構
存儲器結構投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器)
ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。
4組成元件分類
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ROM內存又分為以下五種：
存儲器結構
存儲器結構1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）
製造商為了大量生產ROM內存，需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然後再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上
存儲器結構
存儲器結構的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）
功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用（PnP）介面中。
5.Flash Memory（快閃記憶體）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。
⑵ 存儲器由哪幾部分組成，如何使用
存儲器由存儲體、地址解碼器和控制電路組成。
1)存儲體是存儲數據信息的載體。由一系列存儲單元組成，每個存儲單元都有確定的地址。存儲單元通常按位元組編址，一個存儲單元為一個位元組，每個位元組能存放一個8位二進制數。就像一個大倉庫，分成許多房間，大倉庫相當於存儲體，房間相當於位元組，房間都有編號，編號就是地址。
2)地址解碼器將CPU發出的地址信號轉換為對存儲體中某一存儲單元的選通信號。相當於CPU給出地址，地址解碼器找出相應地址房間的鑰匙。通常地址是8位或1 6位，輸入到地址解碼器，產生相應的選通線，8位地址能產生28=256根選通線，即能選通256位元組。16位地址能產生216=65536=64K根選通線，即能選通64K位元組。當然要產生65536根選通線是很難想像的，實際上它是分成256根行線和256根列線，256 X 256=65536，合起來能選通65536個存儲單元。
3)存儲器控制電路包括片選控制、讀／寫控制和帶三態門的輸入／輸出緩沖電路。
①片選控制確定存儲器晶元是否工作。
②讀/寫控制確定數據傳輸方向；若是讀指令，則將已被選通的存儲單元中的內容傳送到數據匯流排上；若是寫指令，則將數據匯流排上的數據傳送到已被選通的存儲單元中。
③帶三態門的輸入/輸出緩沖電路用於數據緩沖和防止匯流排上數據競爭。數據匯流排相當於一條車流頻繁的大馬路，必須在綠燈條件下，車輛才能進入這條大馬路，否則要撞車發生交通事故。同理，存儲器的輸出端是連接在數據匯流排上的，存儲器中的數據是不能隨意傳送到數據匯流排上的。例如，若數據匯流排上的數據是「1」(高電平5V)，存儲器中的數據是「0」(低電平OV)，兩種數據若碰到一起就會發生短路而損壞單片機。因此，存儲器輸出埠不僅能呈現「1」和「O」兩種狀態，還應具有第三種狀態「高阻"態。呈「高阻"態時，它們的輸出埠相當於斷開，對數據匯流排不起作用，此時數據匯流排可被其他器件佔用。當其他器件呈「高阻"態時，存儲器在片選允許和輸出允許的條件下，才能將自己的數據輸出到數據匯流排上。
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⑶ prom的基本存儲單元一般由什麼組成
prom的基本存儲單元一般由單程可編程晶元組成。根據查詢相關公開虛衫資料顯示，prom的基本存儲單橋譽桐元通常由單程可編程晶元（敏坦POP）組成，它們包含一個內部可編程式控制制存儲器（PCM），一個內部數據存儲器，一個I、O介面和一個條件控制器。
⑷ 主存儲器的基本組成
主存儲器（英文：Main memory，簡稱：主存）是計算機硬體的一個重要部件。其作用是存放指令和數據，並能由中央處理器（CPU）直接隨機存取。通常分為隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）。
主存儲器一般採用半導體存儲器，與輔助存儲器相比有容量小、讀寫速度快、價格高等特點。計算機中的主存儲器主要由存儲體、控制線路、地址寄存器、數據寄存器和地址解碼電路五部分組成。
從70年代起，主存儲器已逐步採用大規模集成電路構成。用得最普遍的也是最經濟的動態隨機存儲器晶元（DRAM）。1995年集成度為64Mb（可存儲400萬個漢字）的DRAM晶元已經開始商業性生產，16MbDRAM晶元已成為市場主流產品。DRAM晶元的存取速度適中，一般為50~70ns。有一些改進型的DRAM，如EDO DRAM（即擴充數據輸出的DRAM），其性能可較普通DRAM提高10%以上，又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可較EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的後繼產品為SDRAMⅡ（或稱DDR，即雙倍數據速率）的品種已上市。在追求速度和可靠性的場合，通常採用價格較貴的靜態隨機存儲器晶元（SRAM），其存取速度可以達到了1~15ns。無論主存採用DRAM還是SRAM晶元構成，在斷電時存儲的信息都會「丟失」，因此計算機設計者應考慮發生這種情況時，設法維持若干毫秒的供電以保存主存中的重要信息，以便供電恢復時計算機能恢復正常運行。鑒於上述情況，在某些應用中主存中存儲重要而相對固定的程序和數據的部分採用「非易失性」存儲器晶元（如EPROM，快快閃記憶體儲晶元等）構成；對於完全固定的程序，數據區域甚至採用只讀存儲器（ROM）晶元構成；主存的這些部分就不怕暫時供電中斷，還可以防止病毒侵入。
⑸ 存儲器晶元有哪些
問題一：存儲器晶元屬於哪種集成電路？ 存器晶元屬於數字集世衫成電路。
RAM隨機存取存儲器 主要用於存儲計算機運行時的程序和數據，需要執行的程序或者需要處理的數據都必須先裝入RAM內，是指既可以從該設備讀取數據，也可以往裡面寫數據。RAM的特點是：計算機通電狀態下RAM中的數據可以反復使用，只有向其中寫入新數據時才被更新；斷電後RAM中的數據隨之消失。
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積。
ROM只讀存儲器，是指只能從該設備中讀取數據而不能往裡面寫數據的存儲器。Rom中的數據是由設計者和製造商事先編好固化在裡面的一些程序，使用者不能隨意更改。ROM主要用於檢查計算機系統的配置情況並提供最基本的輸入輸出（I/O）程序，如存儲BIOS參數的CMOS晶元。Rom的特點是計算機斷電後存儲器中的數據仍然存在。
PROM （Programmable Read-Only Memory）可編程只讀存儲器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM「一次可編程只讀存儲器」，扮讓是一種可以用程序操作的只讀內存。最主要特徵是只允許數據寫入一次，如果數據燒入錯誤只能報廢。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）晶元可重復擦除和寫入，解決了PROM晶元只能寫入一次的弊端。EPROM晶元有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的數據，完成晶元擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往晶元中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12―24V，隨不同的晶元型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶元。EPROM晶元在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 EPROM晶元在空白狀態時（用紫外光線擦除後），內部的每一個存儲單元的數據都為1（高電平）。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高於普通 EEPROM電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM晶元，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的，EEPROM的壽命是一個廳返局很重要的設計考慮參數。EEPROM的一種特殊形式是快閃記憶體，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。 EEPROM,一般用於即插即用（Plug & Play）。 常用在介面卡中，用來存放硬體設置數據。
Flash Memory，也稱快閃記憶體（F......>>
問題二：晶元儲存器有哪些 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。 按存儲方式分 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。 按存儲器的讀寫功能分 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。 按信息的可保存性分 非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。 永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。 按存儲器用途分 根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。 為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常採用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。 初中的信息題，應該是按照存儲器的讀寫功能分類。 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
問題三：單片機外部存儲器晶元一般有哪些 hm6116,hm6264,hm62512,分別為2k,8k,64k,的並行ram,非常好用且便宜。
問題四：存儲器晶元由哪些電路組成？其作用是什麼 用2k*4的RAM晶元組成32KB的外擴存儲器，共需晶元32片。晶元指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。
問題五：晶元和存儲器有什麼區別？ 晶元其實就是存儲器的一種，屬於只讀存儲器，只是晶元是事先寫入程序或代碼，用以實現某種指令。存儲器一般是指硬碟和U盤，光碟、磁帶等存儲數據的介質，可以存入也取出或刪除數據
問題六：內存晶元廠商有哪些？ 金士頓 威剛 海盜船 三星 金邦科技 芝奇 金泰克 創見 南亞易勝 現代 ThinkPad OCZ 黑金剛 記憶數碼三星，爾必達，力晶，鎂光，東芝，還有些其他的廠家
問題七：請問62512數據存儲器晶元有些什麼型號啊？ 62512就是數據存儲器晶元的型號，你可以到21ic上去搜索SN62512的資料。
62512是指64K的RAM。
問題八：集成電路存儲器是什麼？ 存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。
問題九：電腦pc中有哪些存儲器,內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型,各有什麼 電腦存儲設備分為內存儲器和外存儲器：
內存儲器分為RAM和ROM，其中RAM又叫隨機存儲器，隨電腦關閉裡面的內容回消失，也就是我們裝電腦時常說的「內存」
ROM又叫只讀存儲器，裡面存儲基本出廠數據，不可以改動，電腦關閉時內容不會消失。
外存儲器分為很多
例如硬碟、光碟、軟盤、U盤， 這些都屬於外部存儲設備，即外存儲器
問題十：存儲器的分類 一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期， FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO......>>
⑹ 簡述51單片機片內ram存儲器的構成
我暈 網路就有 不懂你這個 這些都是給你找的 內部RAM：共256個單元，用戶使用前128個單元，用於存放可讀寫數據，後128個單元被專用寄存器佔用。
前128單元具體分為：
1.工作寄存器區：共4個組，每組為8個存儲單元，即00H-07H,08H-0FH,10H-17H,18H-1FH，具體選擇哪一個由程序狀態字（PSW)中的RS1和RS0的組合決定（在此我就不展開了，呵呵……）
2.位定址區：20H-2FH,共16個單元，每一位可以進行位定址（16*8=128個位地址），就是每一個觸發位，就是bit可以定址
3.便箋區：從30H-7FH,共80個單元，用於存放用戶數據或作堆棧區使用。
4.從80H-FFH為專用寄存器佔用，其中還離散的分布SFR（21個特殊功能寄存器 51內部RAM分配：
工作寄存器區 00H--1FH
位定址區 20H--2FH
便箋區 30H--7FH
共128位元組；
片外的80H--FFH為特殊功能寄存器；
⑺ 存儲卡的內部結構是什麼，讀寫數據原理是什麼
動態讀寫存貯器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、價格低在微型計算機中得到極其廣泛地使用。但動態存儲器同靜態存儲器有不同的工作原理。它是靠內部寄生電容充放電來記憶信息，電容充有電荷為邏輯1，不充電為邏輯0。欲深入了解動態RAM的基本原理請點擊。 動態存儲器有多種系列，如61系列、37系列、41系列、21系列等。圖示為2164晶元的引腳圖。將滑鼠指向相應引腳可看到其對引腳功能。它是一個64K 1bit的DRAM晶元，將8片並接起來，可以構成64KB的動態存儲器。
每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU 首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS 鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲廳辯鎮電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定灶褲，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制 器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。
只讀存貯器（ROM）有多種類型。由於EPROM和EEPROM存貯容量大，可多次擦除後重新對它進行編程而寫入新的內容，使用十分方便。尤其是廠家為用戶提供了單獨地擦除器、編程器或插在各種微型機上的編程卡，大大方便了用戶。因此，這種類型的只讀存貯器得到了極其廣泛的應用。7. RAM的工作時序
為保證存儲器准確無誤地工作，加到存儲器上的地址、數據和控制信號必須遵守幾個時間邊界條件。
圖7.1—3示出了RAM讀出過程的定時關系。讀出操作過程如下：
欲讀出單元的地址加到存儲器的地址輸入端；
加入有效的選片信號CS；
在 線上加高電平，經過一段延時後，所選擇單元的內容出現在I/O端；
讓選片信號CS無效，I/O端呈高阻態，本次讀出過程結束。
由於地址緩沖器、解碼器及輸入/輸出電路存在延時，在地址信號加到存儲器上之後，必須等待一段時間tAA，數據才能穩定地傳輸到數據輸出端，這段時間稱為地址存取時間。如果在RAM的地址輸入端已經有穩定地址的條件下，加入選片信號，從選片信號有效到數據穩定輸出，這段時間間隔記為tACS。顯然在進行存儲器讀操作時，只有在地址和選片信號加入，且分別等待tAA和tACS以後，被讀單元的內容才能穩定地出現在數扮粗據輸出端，這兩個條件必須同時滿足。圖中tRC為讀周期，他表示該晶元連續進行兩次讀操作必須的時間間隔。
寫操作的定時波形如圖7.1—4所示。寫操作過程如下：
將欲寫入單元的地址加到存儲器的地址輸入端；
在選片信號CS端加上有效電平，使RAM選通；
將待寫入的數據加到數據輸入端；
在 線上加入低電平，進入寫工作狀態；
使選片信號無效，數據輸入線回到高阻狀態。
由於地址改變時，新地址的穩定需要經過一段時間，如果在這段時間內加入寫控制信號（即 變低），就可能將數據錯誤地寫入其他單元。為防止這種情況出現，在寫控制信號有效前，地址必須穩定一段時間tAS，這段時間稱為地址建立時間。同時在寫信號失效後，地址信號至少還要維持一段寫恢復時間tWR。為了保證速度最慢的存儲器晶元的寫入，寫信號有效的時間不得小於寫脈沖寬度tWP。此外，對於寫入的數據，應在寫信號tDW時間內保持穩定，且在寫信號失效後繼續保持tDH時間。在時序圖中還給出了寫周期tWC，它反應了連續進行兩次寫操作所需要的最小時間間隔。對大多數靜態半導體存儲器來說，讀周期和寫周期是相等的，一般為十幾到幾十ns。
ddr一個時鍾周期內穿2次數據
ddr2一個時鍾周期傳4次
所以相同頻率下ddr2的帶寬是ddr的2倍
⑻ 內部存儲器包括哪些
內部存儲器包括：RAM （隨機存儲器）和 ROM（只讀存儲器）。
內存(Memory)是計算機的重要部件，也稱內存儲器和主存儲器，它用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟孫攜等外部存儲器交換的數據。它是外存與CPU進行溝通的橋梁，計算機中所有程序的判凱芹運行都在內存中進行，內存性能的強弱影響計算機整體發揮的水平。
只要計算機開始運行，操作系統就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算，當運算完成，掘畢CPU將結果傳送出來。內存的運行決定計算機整體運行快慢。內存條由內存晶元、電路板、金手指等部分組成。
在計算機的組成結構中有一個很重要的部分是存儲器。它是用來存儲程序和數據的部件。對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多。按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港台稱之為記憶體）。
內存又稱主存。它是CPU能直接定址的存儲空間，由半導體器件製成。特點是存取速率快。內存是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。
以上內容參考：網路-內部存儲器
⑼ 存儲器是由哪四部分組成每部分的作用是什麼
存儲器是由存儲體、地址寄存器、地址解碼驅動電路、讀/寫控制邏輯、數據寄存器、讀/寫驅動器等六個部分組成
存儲體是存儲器的核心，是存儲單元的集合體
地址寄存器用於存放CPU訪問存儲單元的地址，經解碼驅動後指向相應的存儲單元。
解碼器將地址匯流排輸入的地址碼轉換成與其對應的解碼輸出線上的高電平或低電平信號，以表示選中了某一單元，並由驅動器提供驅動電流去驅動相應的讀/寫電路，完成對被選中單元的讀/寫操作。
讀/寫驅動器用以完成對被選中單元中各位的讀/寫操作，包括讀出放大器、寫入電路和讀/寫控制電路。
數據寄存器用於暫時存放從存儲單元讀出的數據，或從CPU輸出I/O埠輸入的要寫入存儲器的數據。
讀/寫控制邏輯接收來自CPU的啟動、片選、讀/寫及清除命令，經控制電路綜合處理後，發出一組時序信號來控制存儲器的讀/寫操作。
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⑽ 存儲器的基本結構原理
存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同
存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器
結構
存儲器結構在MCS - 51系列單片機中，程序存儲器和數據存儲器互相獨立，物理結構也不相同。程序存儲器為只讀存儲器，數據存儲器為隨機存取存儲器。從物理地址空間看，共有4個存儲地址空間，即片內程序存儲器、片外程序存儲器、片內數據存儲器和片外數據存儲器，I/O介面與外部數據存儲器統一編址
存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。
主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。
指示每個單元的二進制編碼稱為地址碼。尋找某個單元時，先要給出它的地址碼。暫存這個地址碼的寄存器叫存儲器地址寄存器(MAR)。為可存放從主存的存儲單元內取出的信息或准備存入某存儲單元的信息，還要設置一個存儲器數據寄存器(MDR)