㈠ 光谷成全球最大光纖光纜研製基地
光谷成全球最大光纖光纜研製基地
引導語：有光，世界才精彩。一年一度的光博會，是武漢光電子產業30年積淀與發展的側寫，從這里，我們能讀到整個光電子產業的發展歷程。
11月5日是本屆光博會展出第二天，記者從會場獲悉，2015年，湖北省電子信息產業主營業務收入突破5000億元，已連續多年增幅保持在20%以上，是全省發展最快的新興產業。
圖為：3C智能製造示範工廠
湖北光電子行業的高速發展，使得作為行業名片的光博會，早已升格為國家級大型科技展會，吸引了來自全球的重量級企業，成為行業盛會。
全國領先 首發三維快閃記憶體
“我們在光谷的項目，代表了全國的最高水平。”在長江存儲展會現場，一位市場部負責人指著正在展出的3DNAND(三維快閃記憶體)告訴記者。
有著中國第一“芯”之稱的長江存儲，肩負著中國布局自主性存儲器的重任——我國存儲器長期以來進口，提升行業研發能力，具有國家戰略意義。“現在全球的存儲器正在經歷2DNAND向3DNAND的升級，我們希望能抓住這一市場機遇。”他透露，由長江存儲生產的3DNAND有望在2018年實現量產，屆時產能可達每月30萬片，將廣泛應用於伺服器、PC、智能終端、物聯網等領域，“到2020年，本項目將貢獻中國晶元製造自產率的8%。”
長江存儲是光谷光電子產業的一個縮影，光谷聚集了全國最為優質的光電子企業，已然成為國家級梯隊選手。現場，華工科技、長飛光纖、楚天激光等本土企業聚集，展示光通信、光製造、物聯網等前沿的技術和產品。
全球聚焦 產業創新高地
2015年，湖北省電子信息產業主營業務收入突破5000億元，成為繼食品、化工、汽車後，我省第四個過5000億的產業。“今年，全球約60%光纜產量來自於中國，長飛已成長為全球第一大光纖和預制棒供應商、全球第二大光纜供應商。”長飛光纖總裁庄丹在光博會首屆世界光纖光纜大會上表示。大會認為，中國成為全球光纖光纜行業的.“四大中心”——研發中心、製造中心、銷售中心、咨詢與服務中心指日可待。
在這背後，武漢光谷的力量功不可沒，數據顯示，光谷已經成為全球最拍迅大的光纖光纜研製基地，光纖光纜國內市場佔有率66%，國際市場佔有率25%，銷量世界第一;是我國最大的光器件研發生產基地，光器件國內市場佔有率60%，國際市場佔有率12%;是我國最大的激光產業基地，激光產業國內市場佔有率連續11年超過50%。“未來應通過對光材料、光感測、光網路、光計算、光服務等領域進行產業鏈上下游匹配協作，實現國內領先的‘光聯萬物’產業生態。”湖北省光電協會副主席單位光電通一位負責人接受記者采訪時表示。
看點一
無人駕駛車開上城區路
坐上汽車，無需司槐賀機，說出目的地，汽車就能自動行駛帶你前往，科幻電影中的無人駕駛汽車已駛入現實世界。本屆光博會上，來自未來的無人駕駛汽車吸引觀眾眼球，記者看到，在無人駕駛汽車展區，一輛比亞迪汽車經過改裝，油門、剎車、轉向都進行了調整，車頂車身都安裝了雷達、相機、導航定位等設備。“通過汽車電腦將感測器搜集的信息進行綜合分析，再下達轉向、加油、剎車等指令，車輛准確地通過彎道、靠邊停車，全程不需要人工操作。”武漢光庭科技有限公司總經理蘇曉聰介紹，無人駕駛可以解決很多問題，未來的交通將更節能，做到零傷亡零事故。
比如在高速公路上，如果採用自動駕駛技術，車輛之間聯動，多輛車在同一車道行駛，前車發現障礙物，可在剎車的同時將狀態傳遞給後車，大大提高車輛運行效率。武漢市民也可以近距離體驗自動駕駛汽車，自動駕駛汽車實現了從封閉高速道路環境到開放城際道路的技術跨越。據悉，今年4月開始，該公司投放10台車每天從光谷廣場開到未來科技城，市民可以通過預約體驗，截至目前已有超過1.3萬人次搭乘。
該公司銷售部長郗彥庭表示，無人駕駛目前還處於一個研發階段，暫未實現商業化。無人駕駛汽車要真正上路，在法律法規、技術成熟度、安全可靠性的確保方面，還有很多課題要解決。
政策支襲明此持將讓武漢無人駕駛汽車產業獲得飛躍發展機會，光博會上，武漢與北京、上海、重慶、杭州、長春一起，正式入圍全國首批六個智能汽車與智慧交通應用示範城市，武漢開發區成為首批入選示範區項目建設的核心區。
看點二
3C智能打造無人工廠
相較於以往更多以單個機器人展示的方式，今年光博會上，華中數控帶來了國家首個3C智能製造示範工廠的一整條示範單元生產線，十餘台機器人手臂上下翻飛頗為壯觀。下達生產指令後，不同分工的機器人在一條流水線上共同完成一個產品的製作與裝配，整條流水線都不需要工人操作。
華中數控相關負責人表示，國家首個3C智能製造示範工廠這一成果，已在廣東一企業投入使用，接到不同產品的訂單時，生產線可以自動排產，在生產過程中還能自動優化流程，不需要人去到加工區域重新設置。在以往強調自動化的基礎上，今年的研究成果更強調智能自動化，並將研發領域從3C推廣到教育、注塑等多個方面，共推工業4.0高速發展。
另一旁的雲機器人展區，三隻巨大的機器人手臂正在吸起一個個小圓球。相關負責人黃先生告訴記者，讓機器人抓取小球是大材小用，其中一台機器人最重可以抓取800公斤貨物，堪稱“大力士”，在物流、汽車製造等諸多領域使用;而一款白色機器手臂則是最新推出的一體機，雖然最重可以抓取165公斤不及“大力士”，但佔用空間最小，不需要櫃機;另一條六軸的機器手臂最靈活，還可以安裝軌道滑動作業。
;㈡ 揭秘：為什麼手機「存儲容量」最大隻有256GB
現在的智能手機存儲容量越做越大，很早之前，手機能有個8GB、16GB都稱得上頂配，隨著科技的進步，軟體的更新速度不斷加快，手機功能越來越多，用戶對存儲容量的需求量也越來越高。特別是近幾年，手機ROM更是到了瘋狂的256GB(像iPhone 7 Plus、ZenFone 3尊爵、ZenFone 2 Deluxe)。雖然不確定未來會不會有更高的規格，但是很明顯的是256GB會持續很長一段時間。為啥會這樣呢？ 一、智能手機為何最大ROM只有256GB？ 成本受限 大家都知道容量越大，成本越高。而大部分成本取決於存儲介質(存儲顆粒)，相同容量的情況下，SLC的價格要明顯高於MLC和TLC，雖然容量的提升反映在成本的具體數字上可能僅為幾百一千。但考慮到手機要大規模生產，聚沙成塔這成語相信大家都懂。 TLC=Trinary-Level Cell，即3bit per cell，該類晶元傳輸速度較慢，壽命短，生產成本低。MLC=Multi-Level Cell，即2bit per cell，該類晶元傳輸速度一般，壽命一般。至於SLC=Single-Level Cell，即1bit per cell，這類晶元幾乎只出現在企業級SSD上，成本較高，當然速度和壽命也是三者中最出色的。 存儲顆粒的三種類型 顆粒規格的限制 比較出名的三星、鎂光、現代、東芝這些上游存儲顆粒供應廠商，其顆粒規格現時尚未突破256GB。由於手機不像電腦那樣體積龐大，供應商們通常只能把一顆存儲顆粒裝在小小的手機內，因此手機容量就取決於這顆存儲顆粒的規格。 iPhone 7 nand flash晶元 手機內部空間限制 手機內部空間寸金尺土，目前還無法做到兩顆存儲顆粒共存，早期的解決方案是插入手機內存卡（TF卡），不過為了輕薄化與傳輸速度，很多手機都取消了拓展內存卡的功能。但慶幸的是如今手機內置容量都比較大，正常用個2~3年不成問題。 TF內存卡 手機更換周期縮短 現在的智能機更新換代速度非常快，一年一換甚至一年兩換的大有人在。之前中央電視台的《東方時空》欄目曾經做過調查，結果表示「52%手機用戶平均一年以內換一部手機」。因此對於消費者來說，夠用就好，太大也用不完。而廠商更是緊貼著用戶的需求進行設計/生產。 大環境下雲存儲的發展 隨著科技進步，網速也越來越快，而現在的4G也逐漸取代了之前的3G，未來的5G也呼之欲出，網速的不斷提升就衍生了一個新的名詞——雲存儲。作為新興的存儲技術，與傳統的購買存儲設備和部署存儲軟體相比，雲存儲有著成本低、見效快、便於管理、方式靈活等優點，在保證數據安全的情況下，很多用戶更願意把數據存在雲端，所以並不需要太多的本地存儲空間。 雲存儲 二、未來發展新趨勢:3D NAND 什麼是3D NAND？ 3D NAND的概念其實不難理解：其原理簡單說來就是「堆疊」，目前由英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這么一來，一個MLC的快閃記憶體晶元上就可以增加最高32GB的存儲空間，如果是單個TLC快閃記憶體晶元則可增加48GB。就目前來說3D NAND快閃記憶體屬於一種新興的快閃記憶體類型，通過把存儲顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND快閃記憶體帶來的限制。 3D NAND 3D NAND技術的優點 3D NAND的亮點在於它採用的是立體、垂直堆疊的方式來提高單顆粒中包含晶元的數量，堆疊層數的提高最終會帶來容量的成倍提升，極大的提高產品的使用壽命；3D NAND可以提供更高的指令運行效率，使產品的運行性能得以提升；簡化了編程階段，有效減少了產品待機和工作時的能耗。 3D NAND 目前，三星、SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/鎂光這幾大NAND豪門都已經涉足3D NAND快閃記憶體了，而武漢新芯科技主導的國家級存儲器產業基地，更是國內首家新建的12寸晶圓廠，投產後直接生產3D NAND快閃記憶體，可以說未來3D NAND就是突破移動設備ROM容量的必備技術。 總結： 科技在進步，我們永遠無法預知未來，未來的手機又會發展成啥樣呢？目前，小編還是建議大家購買64GB、128GB的手機更為合適，夠用就好。考慮到用戶需求的問題，相信之後很長一段時間也不會出超過256GB存儲規格的手機。
㈢ 長江存儲內存條品牌
致鈦是長江存儲旗下的品牌中國存儲晶元產業以投入NANDFlash市場的長江存儲、專注於移動存儲晶元的合肥長鑫以及致力於普通存儲晶元的晉華集成三大企業為主。以三家廠商的進度來看，試產時間預計將在2018年下半年，量產時間可能都在2019年上半年，這預示著2019年將成為中國存儲晶元生產元年。2016年12月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動工，計劃分三個階段，共建三座3D-NANDFlash廠房。第一階段的廠房已2017年9月完成建設，預計2018年兄者第三季度開始鏈沖搬棚塵殲入機台，第四季進行試產，初期投片量不超過1萬片，用於生產32層3D-NANDFlash產品，並預計在自家的64層技術成熟後，再視情況擬定第二、第三期的生產計劃。2022年4月19日，長江存儲科技有限責任公司宣布推出UFS3.1通用快閃記憶體——UC023.
㈣ 快閃記憶體是什麼東西啊
快閃記憶體 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory製造，翻譯成中文就是"閃動的存儲器"，通常把它稱作"快閃記憶體"，簡稱"快閃記憶體"。快閃記憶體檔是一種移動存儲悄臘產品，可用於存儲任何格式數據文件便於隨身攜帶，是個人的「數據移動中心」。快閃記憶體檔採用快閃記憶體存儲介質（Flash Memory）和通用串列匯流排（USB）介面，具有輕巧精緻、使用方便、便於攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特徵，是大家理想的便攜存儲工具.
我們常說的快閃記憶體其實只是一個籠統的稱呼，准確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱，特點是斷電後數據不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。快閃記憶體也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
快閃記憶體的分類
NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；敗稿而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。
這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。
前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟(其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性)，它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。
NAND型快閃記憶體的技術特點
內存和NOR型快閃記憶體的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型快閃記憶體的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到，NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組)。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於數據存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗信息，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到「(512+16)Byte」的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是(512+16)位元組的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到(2048+64)位元組。
NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。
每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條數據線每次傳輸(512+16)bit信息，8條就是(512+16)×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本數據單位是(256+8)×16bit，還是512位元組。
定址時，NAND型快閃記憶體通過8條I/O介面數據線傳輸地址信息包，每包傳送8位地址信息。由於快閃記憶體晶元容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鍾周期。NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的啟枯滑頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要佔用更多的時鍾周期傳輸，因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址周期比其他存儲介質長，因此NAND型快閃記憶體比其他存儲介質更不適合大量的小容量讀寫請求。
決定NAND型快閃記憶體的因素有哪些？
1．頁數量
前面已經提到，越大容量快閃記憶體的頁越多、頁越大，定址時間越長。但這個時間的延長不是線性關系，而是一個一個的台階變化的。譬如128、256Mb的晶元需要3個周期傳送地址信號，512Mb、1Gb的需要4個周期，而2、4Gb的需要5個周期。
2．頁容量
每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量快閃記憶體(4Gb)提高了頁的容量，從512位元組提高到2KB。頁容量的提高不但易於提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512位元組頁容量，隨機讀(穩定)時間12μs，寫時間為200μs；後者為4Gb，2KB頁容量，隨機讀(穩定)時間25μs，寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。
讀取性能：NAND型快閃記憶體的讀取步驟分為：發送命令和定址信息→將數據傳向頁面寄存器(隨機讀穩定時間)→數據傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次)。
K9K1G08U0M讀一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率：512位元組÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷131.1μs=15.6MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組也容量約提高讀性能20%。
寫入性能：NAND型快閃記憶體的寫步驟分為：發送定址信息→將數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面將其和定址周期合並，但這兩個部分並非連續的。
K9K1G08U0M寫一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率：512位元組÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率：2112位元組/405.9μs=5MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組頁容量提高寫性能兩倍以上。
3．塊容量
塊是擦除操作的基本單位，由於每個塊的擦除時間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息佔用的時間可以忽略不計)，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型快閃記憶體的頁容量提高，而每個塊的頁數量也有所提高，一般4Gb晶元的塊容量為2KB×64個頁=128KB，1Gb晶元的為512位元組×32個頁=16KB。可以看出，在相同時間之內，前者的擦速度為後者8倍！
4．I/O位寬
以往NAND型快閃記憶體的數據線一般為8條，不過從256Mb產品開始，就有16條數據線的產品出現了。但由於控制器等方面的原因，x16晶元實際應用的相對比較少，但將來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的晶元在傳送數據和地址信息時仍採用8位一組，佔用的周期也不變，但傳送數據時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16晶元，它每頁仍為2KB，但結構為(1K+32)×16bit。
模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率：2KB位元組÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的晶元，將數據線增加到16條後，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。
5．頻率
工作頻率的影響很容易理解。NAND型快閃記憶體的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達到40MHz，則
K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當然，上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產品線中，可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率目前可達33MHz。
6．製造工藝
製造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間，它們在我們的計算當中佔去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的製造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！目前的實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢，否則4Gb晶元的性能提升更加明顯。
綜合來看，大容量的NAND型快閃記憶體晶元雖然定址、操作時間會略長，但隨著頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的晶元符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由於命令、地址信息佔用操作周期，以及一些固定操作時間(如信號穩定時間等)等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。
1Page=(2K+64)Bytes；1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes；1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11對頁內進行定址，可以被理解為「列地址」。
A12～29對頁進行定址，可以被理解為「行地址」。為了方便，「列地址」和「行地址」分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若干數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型快閃記憶體所謂的「行地址」和「列地址」不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對方便的表達方式而已。為了便於理解，我們可以將上面三維的NAND型快閃記憶體晶元架構圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的「行」、「列」概念就比較直觀了。
㈤ 長江存儲為什麼叫YMTC
因為YMTC是長江存儲的縮寫。
1、大陸首家實現64層3DNAND快閃記憶體量產的內資IDM企業，國家和地方產業基金大力支持發展。
2、長江存儲（縮寫「YMTC」，簡稱「長存」）致力於提供3DNAND快閃記憶體設計、製造和存儲器解決方案的一體化服務，產品廣泛用於移動通信、消費數碼、計算機、伺服器等領域。
㈥ 新基建這一年，產業鏈中最重要的是什麼
2020年1月3日，國務院常務會議確定促進製造業穩增長的措施時，提出「大力發展先進製造業，出台信息網路等新型基礎設施投資支持政策，推進智能、綠色製造」。
2020年3月4日，中共中央政治局常務委員會召開會議，強調「要加大公共衛生服務、應急物資保障領域投入，加快5G網路、數據中心等新型基礎設施建設進度」。
在中央密集部署之下，市場開始熱捧，新型基礎設施建設（以下簡稱新基建）迎來風口。迄今為止，已經將近一年。
在這一年中，無論是信息基礎設施還是融合基礎設施、創新基礎設施，新基建產業鏈條中最重要的一環就是： 存儲 。
很顯然，沒有存儲，無論是5G、雲計算、數據中心還是大數據、人工智慧，都將成為無本之末、無源之水。
事實上，自從世界進入信息時代、數字時代乃至當前的人工智慧時代之後，存儲一直就是最核心、最基礎的支撐技術。
存儲技術：「科幻」未來的必由之路
自從人類步入信息 社會 ，計算和存儲就變的愈發重要起來，計算能力和存儲能力的不斷提升持續拓展著人類的腦力邊界， 社會 生活不再局限於眼前的「苟且」，更多的「詩與遠方」給予了人類無限的遐想。
大數據、人工智慧、自動駕駛、虛擬現實、火星殖民等「天頂星 科技 」逐步由科幻變成現實的過程，讓生活在這個時代的人類無限的憧憬和興奮。所有這些 科技 的實現，無一不是依託更強的算力、更大的存儲。
「運算」+「存儲」構成了人類「科幻」未來的必由之路。
而事實上，從過去到現在，存儲一直是構成了信息技術發展的重要基石之一，各國以及各大公司，在存儲領域的爭斗從未停歇，甚至存儲領域的能力直接影響到了相關國家信息技術發展的進程。
存儲史：也是信息 科技 的爭斗史
翻閱存儲產業的 歷史 ，是一個行業乃至國家信息產業興衰起伏的發展史，從美國、日本、韓國，存儲產業輪番發展與壯大，隨之而來的是存儲晶元技術的飛速進步，與國家信息產業的突飛猛進。
存儲產業的發源地：美國
上世紀50年代，由美國政府牽頭，軍方作為主要采購商，大力發展存儲等集成電路產業，美國一躍成為世界電子信息產業的霸主。藍色巨人IBM、無冕之王Intel都在當時賺到了存儲領域的第一桶金，從而逐漸發展壯大，獨霸一方。
美國IBM公司生產的KeyPunch 031型打孔卡數據記錄裝置
其實，美國IBM公司最早就是靠生產打孔卡數據機起家。1932年，美國IBM公司發明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器 — 磁鼓存儲器，採用電磁感應原理進行數據記錄。磁鼓非常笨重，像個兩三米長的巨型滾筒，但磁鼓的存儲容量也只有幾K而已，售價極其昂貴。
1949年，一個叫王安的中國人，在哈佛大學發明了磁芯存儲器，嗅覺敏銳的IBM公司聞風而來，邀請他擔任技術顧問，並購買磁芯器件。到1956年，王安將磁芯存儲器的專利權，以50萬美元賣給IBM公司。磁芯存儲器是繼磁鼓之後，現代計算機存儲器發展的第二個里程碑。直至1970年代初，世界90%以上的電腦，還在採用磁芯存儲器。
Intel在成立之初，就制定了研製晶體管存儲晶元的方向。1969年，Intel推出了64bit容量的靜態隨機存儲器（SRAM）晶元C3101，1970年10月，推出了首款可以大規模生產的1K 動態隨機存儲器（DRAM）晶元C1103，使得每bit（比特）存儲只要1美分，它標志著DRAM內存時代的到來。到1974年，Intel占據了全球83%的DRAM市場份額。
整個1970年代，存儲的王者是美國的存儲廠商，而到了1980年代，日本廠商的存儲時代到了。
存儲產業大發展：日本崛起
70年代，日本跟隨著美國的發展路徑，通過從美國購買核心技術，舉國發展存儲等電子信息產業，NEC、日立、富士通、爾必達、東芝等企業先後崛起，與美國企業德州儀器，莫斯泰克，美光等大殺一方。
為打破存儲技術壁壘，在1976年，由日本通產省牽頭，以日立（Hitachi）、三菱（Mitsubishi）、富士通（Fujitsu）、東芝（Toshiba）、NEC這五大公司作為骨幹，聯合多家日本研究所，組建「VLSI聯合研發體」，攻堅超大規模集成電路DRAM的技術難關。
到了1980年，日本VLSI聯合研發體宣告完成為期四年的「VLSI」項目，實現了多項研發的成果。各企業的技術整合，保證了DRAM量產良率高達80%，遠超美國的50%，構成了壓倒性的總體成本優勢，從而一舉奠定了當時日本在DRAM市場的霸主地位。
雖然在1980年，日本研製的DRAM產品，只佔全球銷量的30%，美國公司佔到60%。但是到了1985年局勢已經完全倒轉。
日本的經濟也隨著半導體產業的繁榮開始騰飛。
由於日本廉價DRAM的大量傾銷，美光被迫裁員，不得已只得向美國政府尋求幫助。而Intel，連續虧損數個季度，DRAM市場份額僅剩下1%。當時，Intel的年銷售額為15億美元，虧損總額卻高達2.6億美元，被迫關閉了7座工廠，並裁減員工。瀕臨死亡的Intel，被迫全面退出DRAM市場，轉型發展CPU，並由此獲得新生。日本電子企業、 汽車 企業的兇猛攻勢，最終引爆了美日兩國的經濟戰爭。
漁翁得利後發制人：韓國半導體借存儲產業騰飛
日美兩國在存儲晶元領域的競爭，快速拉高了對技術、資金的要求，兩國的經濟戰爭又給了韓國半導體產業發展的機會。
80年代，韓國產業聯盟，四大財閥三星、現代、LG和大宇全力進攻存儲產業。韓國政府全力配合，採取了金融自由化政策，松綁融資環境，讓韓國各個財閥能夠輕易調動資金，投入到存儲產業競爭中。同樣的套路，三星在起步初期從美國和日本購買技術，砸重金扶持自有技術和產業。
1992年三星完成全球第一個64M DRAM研發；1994年三星將研發成本提升至9億美元，1996年三星完成全球第一個1GB DRAM（DDR2）研發。至此，韓國企業在存儲晶元領域一直處於世界領跑者地位。
從1983年三星正式宣布進軍存儲器產業，到1992年末三星超越日本NEC，首次成為世界第一大DRAM內存製造商，三星走過了艱難的10年。
從此之後，三星在其後連續蟬聯了近30年世界第一，韓國的經濟也隨之騰飛，實現了向高 科技 引導型經濟的轉型。韓國持續在存儲晶元領域發力，長期保持著世界第一存儲晶元生產大國的地位。目前全球三大存儲器公司，韓國獨占兩席，最近甚至就連英特爾的3D NAND快閃記憶體業務也都賣給了韓國的SK。
新基建，發力存儲正當時
時間來到21世紀，中國經歷了近30年的改革開放，從一窮二白逐步邁入小康 社會 。新的經濟發展需要新的產業動能驅動，產業升級的窗口期打開了，是中國出場的時候了。2014年，籌備許久的《國家集成電路產業發展推進綱要》和國家大基金先後落地，中國的存儲產業得到了騰飛的助力，徐徐拉開大幕。
存儲是未來新基建的「糧食」，5G基礎設施和數據中心的建設，都離不開存儲。在紫光集團等國內晶元巨頭的帶領下，中國的存儲產業將迎來關鍵的發展階段。
2016年6月13日，合肥長鑫由合肥產投牽頭成立，主攻DRAM方向。
2016年7月26日，紫光集團聯合多方成立長江存儲，首個快閃記憶體生產線在武漢建設，一期投資240億美元，一號廠房於2017年9月封頂。
2017年，紫光集團旗下長江存儲研發成功32層三維快閃記憶體晶元，打破了存儲晶元國產化零的突破；2019年64層快閃記憶體晶元宣布研發成功，
2018年4月11日，長江存儲開始搬入機台設備，在當年4季度量產32層三維快閃記憶體，2019年9月，長江存儲宣布其64層三維快閃記憶體啟動量產。到了2020年4月，長江存儲宣布全球首款128層 QLC三維快閃記憶體研發成功，實現了跨越式的發展，中國存儲技術第一次跟上了世界主流存儲技術步伐。。
在內存DRAM領域，合肥長鑫在2017年開始投資建設DRAM工廠，2019年底宣布DDR4 DRAM和LPDDR4 DRAM晶元研發成功。
長江存儲 X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND
合肥長鑫投資建設DRAM工廠
不過， 現有 壟斷的存儲市場並不歡迎新進的玩家，存儲大廠三星，SK 海力士和美光壟斷了全球90%以上的市場份額，全球存儲大廠的產能規模是國內公司的幾十倍，技術比國內公司領先好幾代，國內公司在資金、規模和技術任何一項都不佔優勢，長途可謂漫漫。
然而，存儲市場巨大，產值巨大，經濟帶動效用巨大。2019年，全球存儲市場超過1000億美金，國內存儲市場超過500億美金，單一月產能10萬片的存儲器製造工廠投資額就需要100億美金，這也決定了存儲產業 「配得上」國家新基建的這樣的規模和力度。
在過去的幾十年裡，中國成為世界上最耀眼的「明星」，取得了舉世無雙的發展。當前，中國的鐵路、公路和基礎設施建設等傳統的「基建」項目在經過幾十年的高速發展後，已經屹立在「世界之巔」。
可以說，我們正從傳統的不斷縮小的「衣食住行等物質需求」向不斷增大的「交流、溝通、計算和存儲等信息需求」轉變。
「傳統基建」靠的是鋼筋+水泥，「新基建」靠的是計算+存儲。新基建，發力存儲正當時。
在當前的市場環境下，在新舊動能切換的關鍵時期，發力存儲產業正當時。
㈦ 長江存儲股東持股比例
新里程集團有限公司、湖北能源集團有限公司、三峽資本控股有限公司、國華人壽保險股份有限公司、武漢城建集團有限公司、湖北洪泰國有資本投資運營集團有限公司、上海海鑫集團有限公司、中國證券金融股份有限公司、中國葛洲壩集團有限公司、湖北鄂旅投創業投資有限公司、湖北長江產業投資集團有限公司
擴展信息:
1.長江存儲(「YMTC」)是一家專注於3DNAND快閃記憶體及內存解決方案的半導體集成電路企業。長江存儲致力於成為可靠的創新型存儲解決方案提供商，向全球合作夥伴提供3DNAND快閃記憶體、嵌入式存儲、移動硬碟、固態硬碟等產品，並推出「智體」品牌。長江存儲科技有限公司於2016年7月26日在武漢東湖新技術開發區注冊成立。法定代表人為趙衛國，經營范圍包括半導體集成電路技術領域的技術開發；集成電路及相關產品的設計等
2.中國存儲晶元行業以投資NAND快閃記憶體市場的長江存儲、專注移動存儲晶元的合肥長信、致力於普通存儲晶元的金華集成為主芹橡。從三家廠商的進度來看，試產時間預計在2018年下半年，量產時間可能在2019年上半年，這預示著2019年將成為中國內存晶元量產元年。長江存儲科技有限公司於2016年7月26日在武漢東湖新運嫌技術開發區注冊成立。法定代表人為趙衛國，經營范圍包括半導體集成電路技術領域的技術開發；集成電路及相關產品的設計等2016年12月底，由長江存儲牽頭的國家存儲基地正式開工，計劃分三個階段建設三個3D-NAND快閃記憶體工廠。廠房一期於2017年9月竣工。預計2018年第三季度遷入機，第四季度進行試生產。初期投資不超過1萬片，用於生產32層3D-NAND快閃記憶體產品。預計第二和第三階段的生產計劃將在64層技術成熟後制定。嫌悄旁
㈧ 快閃記憶體是什麼意思 快閃記憶體的定義和原理
快閃記憶體的優點是讀寫速度快、耐用性高、體積小、重量輕、功耗低、抗震性能好等。同時，快閃記憶體也存在一些缺點，如價格較高、容量受限、壽命有限等。
總之，快閃記憶體是一種非常實用的存儲介質，它的出現極大地改變了數據的存儲方式和讀寫速度，為人們的生活和工作帶來了巨大的便利。
快閃記憶體孫斗的優點是讀寫速度快、耐用性高、體積小、重量輕、功耗低、抗震性能好等。同時，快閃記憶體也存在一些缺點，如價格較高、容量受則羨磨限、壽命有限等。
快閃記憶體的原理是通過電子存儲單元內的電荷狀派纖態來存儲數據。快閃記憶體中的存儲單元被稱為「快閃記憶體單元」，每個快閃記憶體單元都由一個晶體管和一個電容器組成。當需要存儲數據時，晶體管會被激活，並將電荷存儲在電容器中，從而改變電容器的電荷狀態。電荷狀態的改變可以被檢測出來，從而實現數據的讀取和寫入操作。
快閃記憶體的原理是通過電子存儲單元內的電荷狀態來存儲數據。快閃記憶體中的存儲單元被稱為「快閃記憶體單元」，每個快閃記憶體單元都由一個晶體管和一個電容器組成。當需要存儲數據時，晶體管會被激活，並將電荷存儲在電容器中，從而改變電容器的電荷狀態。電荷狀態的改變可以被檢測出來，從而實現數據的讀取和寫入操作。
快閃記憶體是一種常用的存儲介質，也被稱為固態存儲器或快閃記憶體。它是一種非易失性存儲器，可以在斷電後保持數據的存儲狀態，因此被廣泛應用於各類電子設備中，如存儲卡、快閃記憶體檔、固態硬碟等。