Ⅰ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
Ⅱ 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點
1、隨機存儲器
對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。
2、只讀存儲器
用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。
特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。
3、串列存儲器
它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。
特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
(2)雙級型存儲器集成度擴展閱讀：
半導體存儲器優點
1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。
2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。
3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。
Ⅲ 計算機的存儲器分為
計算機的存儲器分為內存儲器和外存儲器。
計算機的存儲器可分成內存儲器和外存儲器。內存儲器在程序執行期間被計算機頻繁地使用，並且在一個指令周期期間是可直接訪問的。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁碟中讀取信息。
存儲器的主要功能是存放程序和數據。程序是計算機操作的依據，數據是計算機操作的對象。為了實現自動計算，各種信息必須預先存放在計算機內的某個地方，這個地方就是存儲器。
存儲器的主要功能：
存儲器的主要功能就是讀寫，對於隨機存取存儲器、快閃記憶體、先進先出存儲器以及先進後出存儲器來說，主要功能是讀、寫，而對於只讀存儲器來說，主要功能就只有讀，是沒有寫的。存儲器可以是一張卡，也可以是軟盤，可以是活動的，也可以是固定的，可以用於保存圖像。
存儲器按存儲介質分類：
1、半導體存儲器。
存儲元件由半導體器件組成的存儲器稱為半導體存儲器。它的優點是體積小、功耗低、存取時間短。
2、MOS半導體存儲器。
具有高集成度的特點，並且製造簡單，成本低廉，功耗小，故雙極型（叮L)半導體存儲器：具有高速的特點。
3、磁表面存儲器。
磁表面存儲器是在金屬或塑料基體的表面上塗一層磁性材料作為記錄介質，工作時磁層隨載磁體高速運轉，用磁頭在磁層上進行讀、寫操作，故稱為磁表面存儲器。特點：存儲器具有非易失性的特點。
4、光碟存儲器。
光碟存儲器是應用激光在記錄介質（磁光材料）上進行讀、寫的存儲器，它的特點是光碟記錄密度高、耐用性好、可靠性高和可互換性強。
Ⅳ 計算機的存儲器有幾類分別有什麼作用
這個分類，還是要看從哪個角度來說吧。一般常用的微型計算機的存儲器有磁芯存儲器和半導體存儲器。x0dx0a半導體存儲器從使用功能上分，有隨機存儲器 （簡稱 RAM），又稱讀寫存儲器；只讀存儲器（稱為ROM）。x0dx0a1.隨機存儲器x0dx0a隨機存儲器是一種可以隨機讀_寫數據的存儲器，也稱為讀_寫存儲器。RAM有以下兩個特點：一是可以讀出，也可以寫入。讀出時並不損壞原來存儲的內容，只有寫入時才修改原來所存儲的內容。二是RAM只能用於暫時存放信息，一旦斷電，存儲內容立即消失，即具有易失性。 RAM通常由MOS型半導體存儲器組成，根據其保存數據的機理又可分為動態（ Dynamic RAM）和靜態（Static RAM）兩大類。DRAM的特點是集成度高，主要用於大容量內存儲器；SRAM的特點是存取速度快，主要用於高速緩沖存儲器。x0dx0a2．只讀存儲器x0dx0aROM是只讀存儲器，顧名思義，它的特點是只能讀出原有的內容，不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是採用掩膜技術由廠家一次性寫入的，並永久保存下來。它一般 用來存放專用的固定的程序和數據。只讀存儲器是一種非易失性存儲器，一旦寫入信息後，無需外加電源來保存信息，不會因斷電而丟失。
Ⅳ 存儲介質有哪些
軟盤、光碟、DVD、硬碟、快閃記憶體、U盤、CF卡、SD卡、MMC卡、SM卡、記憶棒（Memory Stick）、xD卡。
行的存儲介質是基於快閃記憶體（Nand flash）的，比如U盤、CF卡、SD卡、SDHC卡、MMC卡、SM卡、記憶棒、xD卡等。
對所保存的數據來說，CF卡比傳統的磁碟驅動器安全性和保護性都更高；比傳統的磁碟驅動器及Ⅲ型PC卡的可靠性高5到10倍，而且CF卡的用電量僅為小型磁碟驅動器的5%。
CF卡使用3.3V到5V之間的電壓工作（包括3.3V或5V）。這些優異的條件使得大多數數碼相機選擇CF卡作為其首選存儲介質。
CF卡缺點：
1、容量有限。雖然容量在成倍提高，但仍趕不上數碼相機的像素發展。5百萬像素以上產品已經是流行的高端產品最低規格，而民用主流市場也達到3百萬像素級別。普通民用的JPEG壓縮格式下，容量尚可，但是專業級的TIFF（RAW）格式文件還是放不下幾張圖像數據。
2、體積較大。與其他種類的存儲卡相比，CF卡的體積略微偏大，這也限制了使用CF卡的數碼相機體積，所以現下流行的超薄數碼相機大多放棄了CF卡，而改用體積更為小巧的SD卡。
以上內容參考：網路-存儲介質
Ⅵ 半導體存儲器分為哪兩種
半導體存儲器分為隨機讀寫存儲器和只讀存儲器。
半導體存儲器的分類從製造工藝的角度可把半導體存儲器分為雙極型、CMOS型、HMOS型等；從應用角度上可將其分為兩大類：隨機讀寫存儲器（RAM），又稱隨機存取存儲器；只讀存儲器（ROM）。
1、只讀存儲器（ROM）
只讀存儲器在使用過程中，只能讀出存儲的信息而不能用通常的方法將信息寫入的存儲器，其中又可以分為以下幾種。
掩膜ROM，利用掩膜工藝製造，一旦做好，不能更改，因此只適合於存儲成熟的固定程序和數據。工廠大量生產時，成本很低。
可編程ROM，簡稱PROM，由廠商生產出的空白存儲器，根據用戶需要，利用特殊方法寫入程序和數據，但是只能寫一次，寫入後信息固定的，不能更改。
光擦除PROM，簡稱EPROM，這種存儲器編寫後，如果需要擦除可用紫外線燈製造的擦除器照射20分鍾左右，使存儲器復原用戶可再編程。
電擦除PROM，簡稱EEPROM，顧名思義可以通過電來進行擦除，這種存儲器的特點是能以位元組為單位擦除和改寫，而且不需要把晶元拔下插入編程器編程，在用戶系統即可進行。
Flash Memory，簡稱快閃記憶體。它是非易失性存儲器，在電源關閉後仍能保持片內信息，與EEPROM相比，快閃記憶體存儲器具有成本低密度大的優點。
2、隨機讀寫存儲器（RAM）
分為兩類：雙極型和MOS型兩種。雙極型RAM，其特點是存取速度快，採用晶體管觸發器作為基本存儲電路，管子較多，功耗大，成本高，主要用於高速緩存存儲器（Cache）MOS RAM，其特點是功耗低，密度大，故大多採用這種存儲器。
SRAM：存儲原理是用雙穩態觸發器來做存儲電路，狀態穩定，只要不掉電，信息就不會丟失，優點是不用刷新，缺點是集成度低。DRAM：存儲原理是用電容器來做存儲電路，優點是電路簡單，集成度高，缺點是由於電容會漏電需要不停地刷新。
Ⅶ CMOS和NMOS器件到底有什麼區別雙級型器件和MOS器件呢
MOS器件分為NMOS和PMOS,而CMOS是指互慶銀虧補的MOS管組成的電路，也就是PMOS,NMOS組成,NMOS是指溝道在柵電壓控制下p型襯底反型變成n溝道搏櫻，靠電子的流動
PMOS是指 n型 p溝道，靠空穴的譽神流動
CMOS相比Bipolar，優點就是其功耗低，集成度高等等。當然Bipolar的驅動能力比CMOS強
目前BiCMOS工藝就是結合了CMOS和Bipolar的優點
我業余修家電的，只知道這么多
Ⅷ 雙極型存儲器是干什麼用的
雙極型隨機存儲器指的是用雙極型晶體管構成的隨機存儲器。它在半導體存儲器中是最先研製成功的,用作計算機的緩沖存儲器,使運算速度顯著提高。
雙極型隨機存儲器的速度比磁芯存儲器速度約快 3個數量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使介面大為簡化。雙極型隨機存儲器的製造工藝比 NMOS（見N溝道金屬-氧化物-半導體集成電路）復雜，密度不及 MOS金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器。
在半導體存儲器中,雙極型隨機存儲器發展速度最快,在計算機高速緩沖存儲器、控制存儲器、超高速大型計算機主存儲器等方面仍獲得廣泛應用。超高速發射極耦合邏輯電路隨機存儲器和高集成密度集成注入邏輯電路隨機存儲器已有新的發展。
Ⅸ 半導體存儲器的工作原理與分類
半導體存儲器是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的半導體集成電路組成。下面小編為大家詳細介紹半導體存儲器的相關知識。
半導體存儲器內存的工作原理：
內存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的「動態」，指的是當我們將數據寫入DRAM後，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。
具體的工作過程是這樣的：
一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
半導體存儲器的分類:
半導體存儲器是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶元的則滲半導體集成電路組成。
按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的碧猛信息都會隨之丟失。DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主悔盯橋要用於高速緩存存儲器。
ROM主要用於BIOS存儲器。按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。
半導體存儲器的主要性能指標:
有兩個主要技術指標；存儲容量和存取速度
1、存儲容量
存儲容量是半導體存儲器存儲信息量大小的指標。半導體存儲器的容量越大，存放程序和數據的能力就越強。
2、存取速度
存儲器的存取速度是用存取時間來衡量的，它是指存儲器從接收CPU發來的有效地址到存儲器給出的數據穩定地出現在數據匯流排上所需要的時間。存取速度對CPU與存儲器的時間配合是至關重要的。如果存儲器的存取速度太慢，與CPU不能匹配，則CPU讀取的信息就可能有誤。
3、存儲器功耗
存儲器功耗是指它在正常工作時所消耗的電功率。通常，半導體存儲器的功耗和存取速度有關，存取速度越快，功耗也越大。因此，在保證存取速度前提下，存儲器的功耗越小越好。
4、可靠性和工作壽命
半導體存儲器的可靠性是指它對周圍電磁場、溫度和濕度等的抗干擾能力。由於半導體存儲器常採用VLSI工藝製造，可靠性較高，壽命也較長，平均無故障時間可達數千小時。
5、集成度
半導體存儲器的集成度是指它在一塊數平方毫米晶元上能夠集成的晶體管數目，有時也可以每塊晶元上集成的「基本存儲電路」個數來表徵。
通過以上介紹，對半導體存儲器也是有著很好認識，感謝你停下寶貴的時間來欣賞小編的文章，想了解更多相關知識請繼續關注日隆資訊哦。
Ⅹ 計算機的存儲器可分為哪幾類,各特點
存儲系統可分為內存和外存兩大類。
內存是直接受cpu控制與管理的並只能暫存數據信息的存儲器，外存可以永久性保存信息的存儲器。存於外存中的程序必須調入內存才能運行，內存是計算機工作的舞台。
內存與外存的區別是：內存只能暫存數據信息，外存可以永久性保存數據信息；外存不受cpu控制，但外存必須藉助內存才能與cpu交換數據信息；內存的訪問速度快，外存的訪問速度慢。內存可分為：ram與rom。ram的特點是：可讀可寫，但斷電信息丟失。rom用於存儲bios。外存有：磁碟（軟盤和硬碟）、光碟、u盤（電子盤）
存儲器（memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器是具有「記憶」功能的設備，它採用具有兩種穩定狀態的物理器件來存儲信息，這些器件也稱為記憶元件。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。