① 半導體存儲器分為哪兩種
半導體存儲器分為隨機讀寫存儲器和只讀存儲器。
半導體存儲器的分類從製造工藝的角度可把半導體存儲器分為雙極型、CMOS型、HMOS型等；從應用角度上可將其分為兩大類：隨機讀寫存儲器（RAM），又稱隨機存取存儲器；只讀存儲器（ROM）。
1、只讀存儲器（ROM）
只讀存儲器在使用過程中，只能讀出存儲的信息而不能用通常的方法將信息寫入的存儲器，其中又可以分為以下幾種。
掩膜ROM，利用掩膜工藝製造，一旦做好，不能更改，因此只適合於存儲成熟的固定程序和數據。工廠大量生產時，成本很低。
可編程ROM，簡稱PROM，由廠商生產出的空白存儲器，根據用戶需要，利用特殊方法寫入程序和數據，但是只能寫一次，寫入後信息固定的，不能更改。
光擦除PROM，簡稱EPROM，這種存儲器編寫後，如果需要擦除可用紫外線燈製造的擦除器照射20分鍾左右，使存儲器復原用戶可再編程。
電擦除PROM，簡稱EEPROM，顧名思義可以通過電來進行擦除，這種存儲器的特點是能以位元組為單位擦除和改寫，而且不需要把晶元拔下插入編程器編程，在用戶系統即可進行。
Flash Memory，簡稱快閃記憶體。它是非易失性存儲器，在電源關閉後仍能保持片內信息，與EEPROM相比，快閃記憶體存儲器具有成本低密度大的優點。
2、隨機讀寫存儲器（RAM）
分為兩類：雙極型和MOS型兩種。雙極型RAM，其特點是存取速度快，採用晶體管觸發器作為基本存儲電路，管子較多，功耗大，成本高，主要用於高速緩存存儲器（Cache）MOS RAM，其特點是功耗低，密度大，故大多採用這種存儲器。
SRAM：存儲原理是用雙穩態觸發器來做存儲電路，狀態穩定，只要不掉電，信息就不會丟失，優點是不用刷新，缺點是集成度低。DRAM：存儲原理是用電容器來做存儲電路，優點是電路簡單，集成度高，缺點是由於電容會漏電需要不停地刷新。
② 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點
1、隨機存儲器
對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。
特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。
2、只讀存儲器
用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。
特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。
3、串列存儲器
它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。
特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
(2)三道半導體存儲擴展閱讀：
半導體存儲器優點
1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。
2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。
3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。
③ 外存儲器有哪些
什麼是外存儲器
外存貯器
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在計算機外還有輔助存貯器，又叫外存貯器，簡稱外存。外存貯器有補充內存和長期保存程序、數據及運算結果的作用。外存貯器存貯的內容不能直接供計算機使用，而要先送入內存，再從內存提供給計算機。外存的特點是容量大、能夠長時間保存存貯的內容，存取速度比內存慢。外存貯器通常用磁碟和磁帶。磁碟由金屬圓片組成，在單一面或兩面塗有磁性材料來存貯信息。磁帶的存貯容量比磁碟大，存取速度比磁碟低，適於長期保存不經常使用的程序或數據
外存儲器包括什麼
外存儲器包括
1 軟磁碟存儲器
2 硬磁碟存儲器
3 只讀光碟(CD-ROM)存儲器
電腦外存儲器有什麼種類
外存儲器的作用是可以非常方便地將其中存儲的數據轉移到另一個設備中。
1、外儲存器是指除計算機內存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電後仍然能保存數據。
2、現在常見的外存儲器有硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
常見的外存儲器有哪些?它們各有什麼特點?
磁碟，已淘汰。
光碟，容易存放，價格低，易刮花，容量一般，CD碟600M左右，DVD碟單層4.7G，雙層8.5，BRD是新產品，容量更大，價格不菲。光碟有可刻錄和只讀之分，有一次性刻錄和反復刻錄之別。必需配置光碟機、碟機、刻錄機等其中一樣設備才能使用。
硬碟，存儲、讀寫比較容易，存儲量也較大，價格高，現在市場上幾百元元就能買到1T的產品，但是便攜性比較差，再就是由於硬碟內部是物理結構器件，有磁碟，磁頭，集成電路，電機等器件，也就決定了它的防震性能較差，受到摔打或撞擊後容易形成硬傷。
U盤，又稱快閃記憶體檔，擁有讀寫速度較快，攜帶方便，體積小等優點，容量一般，價格一般，現在普遍使用的是2G，4G，8G等產品，當然還有容量更高的16G，32G，64G等產品，但是價格也就不菲了。
快閃記憶體卡，又稱內存卡，體積小巧，攜帶方便，存儲快，與U盤相似，擔體積更小，容量一般，目前常見的1G，2G，4G，價格一般。按材質分為TF卡、MMS卡（又稱記憶棒）、SD卡、XD卡、MMC卡等。必須配置讀卡器才能使用，現在手機、數碼相機等電子設備都內置有讀卡器。
常見的外存儲器有哪些？他們各有何特點？
外存儲器
外存儲器也稱輔助存儲器，簡稱外存或輔存。外存主要指那些容量比主存大、讀取速度較慢、通常用來存放需要永久保存的或相對來說暫時不用的各種程序和數據的存儲器。
外存儲器設備種類很多，目前微機常用的外存儲器是軟磁碟存儲器、硬磁碟存儲器和只讀光碟(CD-ROM)存儲器
不管是軟磁碟還是硬磁碟存儲器，其存儲部件都是由塗有磁性材料的圓形基片組成的，由一圈圈封閉的同心圓組成記錄信息的磁軌。
磁碟是由許多磁軌組成的，雖然每個磁軌長度不一樣，但每道磁軌的容量都是相同的，因而它們的信息存儲密度不一樣。每個磁軌又被劃分成多個扇區，扇區是磁碟存儲信息的最小物理單位。通常對磁碟進行的所謂格式化操作，就是在磁碟上劃分磁軌和扇區。剛出廠的磁碟上沒有這些劃分，所以必須經過格式化後才能使用。
磁碟的存儲原理是由寫入電路將經過編碼後的"0"和"1"脈沖信號，通過磁頭轉變為磁化電流，使軟盤上生成相應的磁元，這樣便將信息記錄在軟盤上。讀出時，軟盤上的磁元在磁頭上產生感應電壓，再經讀寫電路還原?quot;0"和"1"數字信息，送到計算機中。
1. 軟磁碟存儲器
軟磁碟是一種塗有磁性物質的聚酯塑料薄膜圓盤。由於碟片質地柔軟，故稱為軟盤(flop-py)。為保護軟盤不被沾污和磨損，把它封裝在一個方形保護套中，構成一個整體。
在微機中使用的軟盤按其尺寸可分為 5.25英寸軟盤和3.5英寸軟盤兩種，5.25英寸軟盤現在已很少使用。不管是3.5英寸軟盤還是5.25英寸軟盤，都有兩個比較重要的部分：
讀、寫窗口：軟盤驅動器的讀、寫磁頭通過此窗口，與軟盤的記錄表面接觸，完成數據讀、寫操作。平時不可以用手觸摸，否則軟盤將不能夠使用。
防寫口：是軟盤上保護數據的裝置，可防止數據被誤刪除或防止病毒侵入。
3.5 英寸軟盤的防寫口在磁碟背面，窗口中有一可移動的滑塊。若移動滑動使窗口透光，則磁碟處於防寫狀態，此時只能讀出，不能寫入。當移動滑塊使窗口封閉不透光時，就可對磁碟進行讀、寫操作。
5.25英寸軟盤其側面有一個缺口，如果此缺口被封住，則軟盤上的數據受到了保護，只能讀出數據，不能寫入、刪改，也不會受。如果此缺口未被封住，則軟盤上的數據未受到保護，既可讀出，也可寫入、刪改。
對於軟盤而言，一般每一扇區的存儲容量為512B（位元組）。由此，可計算出常用的5.25英寸軟盤和3.5英寸軟盤的存儲容量：
5.25英寸軟盤容量=2面?80磁軌/面?15扇區/磁軌?512B/扇區
=1228800B（即稱1.2MB）
3.5英寸軟盤容量 =2面?80磁軌/面?18扇區/磁軌?512B/扇區
=1474560B（即稱1.44MB）
除了微機中常用的5.25英寸1.2MB和3.5英寸1.44軟盤外，還有3.5英寸2.88MB的軟盤，以及10MB的軟盤。
2. 硬碟存儲器
硬碟存儲器是一種塗有磁性物質的金屬圓盤，通常由若乾片硬碟片組成碟片組與軟盤不同，硬碟存儲器通常與磁碟驅動器封裝在一起，不能移動，由於一個硬碟往往有幾個讀寫磁頭，因此在使用的過程應注意防止劇烈震動。
與軟盤相比，硬碟的容量要大得多，早期的硬碟，其容量只有10MB、20MB，目前的硬碟容量一般是800MB、10GB、2......>>
常見的外部存儲設備有哪些?
可移動存儲設備包括有： PD光碟機， MO（MagnetoOptical）， 移動硬碟， 大容量軟碟機， 艾美加的Clik和IBM的CF卡式硬碟， FlashRAM， 磁帶機， CDR/CDRW， U盤， 多媒體記憶卡等
什麼是內存儲器，什麼是外存儲器？代表有哪些？
存儲器分為內存儲器（簡稱內存或主存）、外存儲器（簡稱外存或輔存）。外存儲器一般也可作為輸入/輸出設備。計算機把要執行的程序和數據存入內存中，內存一般由半導體器構成。半導體存儲器可分為三大類：隨機存儲器、只讀存儲器、特殊存儲器。
RAM
RAM是隨機存取存儲器（Random Access Memory），其特點是可以讀寫，存取任一單元所需的時間相同，通電是存儲器內的內容可以保持，斷電後，存儲的內容立即消失。RAM可分為動態（Dynamic RAM）和靜態（Static RAM）兩大類。所謂動態隨機存儲器DRAM是用MOS電路和電容來作存儲元件的。由於電容會放電，所以需要定時充電以維持存儲內容的正確，例如互隔2ms刷新一次，因此稱這為動態存儲器。所謂靜態隨機存儲器SRAM是用雙極型電路或MOS電路的觸發器來作存儲元件的，它沒有電容放電造成的刷新問題。只要有電源正常供電，觸發器就能穩定地存儲數據。DRAM的特點是集成密度高，主要用於大容量存儲器。SRAM的特點是存取速度快，主要用於調整緩沖存儲器。
ROM
ROM是只讀存儲器（Read Only Memory），它只能讀出原有的內容，不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是由廠家一次性寫放的，並永久保存下來。ROM可分為可編程（Programmable）ROM、可擦除可編程（Erasable Programmable）ROM、電擦除可編程（Electrically Erasable Programmable）ROM。如，EPROM存儲的內容可以通過紫外光照射來擦除，這使它的內可以反復更改。
特殊固態存儲器
包括電荷耦合存儲器、磁泡存儲器、電子束存儲器等，它們多用於特殊領域內的信息存儲。
此外，描述內、外存儲容量的常用單位有：
①位/比特（bit）：這是內存中最小的單位，二進制數序列中的一個0或一個1就是一比比特，在電腦中，一個比特對應著一個晶體管。
②位元組（B、Byte）：是計算機中最常用、最基本的存在單位。一個位元組等於8個比特，即1 Byte＝8bit。
③千位元組（KB、Kilo Byte）：電腦的內存容量都很大，一般都是以千位元組作單位來表示。1KB＝1024Byte。
④兆位元組（MB Mega Byte）：90年代流行微機的硬碟和內存等一般都是以兆位元組（MB）為單位。1 MB＝1024KB。
⑤吉位元組（GB、Giga Byte）：目前市場流行的微機的硬碟已經達到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等規格。1GB＝1024MB。
⑥太位元組（TB、Tera byte）：1TB＝1024GB。
（三）輸入/輸出設備
輸入設備是用來接受用戶輸入的原始數據和程序，並將它們變為計算機能識別的二進制存入到內存中。常用的輸入設備有鍵盤、滑鼠、掃描儀、光筆等。
輸出設備用於將存入在內存中的由計算機處理的結果轉變為人們能接受的形式輸出。常用的輸出設備有顯示器、列印機、繪圖儀等。
（四）匯流排
匯流排是一組為系統部件之間數據傳送的公用信號線。具有匯集與分配數據信號、選擇發送信號的部件與接收信號的部件、匯流排控制權的建立與轉移等功能。典型的微機計算機系統的結構如圖2-3所示，通常多採用單匯流排結構，一般按信號類型將匯流排分為三組，其中AB（Address Bus）為地址匯流排；DB(Data Bus)為數據匯流排；CB（Control Bus）控制匯流排。
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計算機的常用外存有哪些
按照當前來說，主要包括磁碟（主要包括硬碟、磁帶等）、各類Flash存儲器（例如U盤和各類存儲卡、外置固態硬碟等）、光碟（例如Blu-ray等）。
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外存儲器有什麼作用
外存儲器的作用是可以非常方便地將其中存儲的數據轉移到另一個設備中。
1、外儲存器是指除計算機內存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電後仍然能保存數據。
2、現在常見的外存儲器有硬碟、軟盤、光碟、U盤等。
計算機(電腦)外存儲器都有哪些?
硬碟、光碟、u盤、存儲卡、軟盤等
④ 存儲器可分為哪三類
樓主 您好 很榮幸回答您的問題！
存儲器有很多種分類的。詳情見下文：
按存儲介質分：
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
按存儲方式分
隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。
按存儲器的讀寫功能分
只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
按信息的可保存性分
非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。
按存儲器用途分
根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。
了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常採用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。
我想您要需要的是：高速存儲器，主存儲器，外存儲器！這三類吧！
⑤ 什麼是半導體存儲器
第一、一般常用的微型計算機的存儲器有磁芯存儲器和半導體存儲器，目前微型機的內存都採用半導體存儲器。半導體存儲器從使用功能上分，有隨機存儲器 （Random Access Memory，簡稱 RAM），又稱讀孝改培寫存儲器；只讀存儲器（Read Only Memory，簡稱為ROM）。
1.隨機存儲器（Random Access Memory）
RAM有以下特點：可以讀出，也可以寫入。讀出時並不巧唯損壞原來存儲的內容，只有寫入時才修改原來所存儲的內容。斷電後，存儲內容立即消失，即具有易失性。 RAM可分為動態（ Dynamic RAM）和靜態（Static RAM）兩大類。DRAM的特點是集成度高，主要用於大容量內存儲器；SRAM的特點是存取速度快，主要用於高速緩沖存儲器。
2．只讀存儲器(Read Only Memory)
ROM是只讀存儲器。顧名思義，它的特點是只能讀出原有的內容，不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是採用掩膜技術由廠家一次性寫入的，並永久保存下來。它一般 用來存放專用的固定的程序和數據。不會因斷電而丟失。
3.CMOS存儲器（Complementary Metal Oxide Semiconctor Memory，互補金屬氧殲尺化物半導體內存)
COMS內存是一種只需要極少電量就能存放數據的晶元。由於耗能極低，CMOS內存可以由集成到主板上的一個小電池供電，這種電池在計算機通電時還能自動充電。因為CMOS晶元可以持續獲得電量，所以即使在關機後，他也能保存有關計算機系統配置的重要數據。
⑥ 半導體存儲器分哪兩類各有什麼用途
半導體存儲器
1. 幾個基本概念
1. 數的本質和物理現象。
我們知道，計算機可以進行數學運算，這可令我們非常的難以理解，計算機嗎，我們雖不了解它的組成，但它總只是一些電子元器件，怎麼可以進行數學運算呢？我們做數學題如37+45是這樣做的，先在紙上寫37，然後在下面寫45，然後大腦運算，最後寫出結果，運算的原材料：37、45和結果：82都是寫在紙上的，計算機中又是放在什麼地方呢？為了解決這個問題，先讓我們做一個實驗：
這里有一盞燈，我們知道燈要麼亮，要麼不亮，就有兩種狀態，我們可以用』0』和』1』來代替這兩種狀態，規定亮為』1』，不亮為』0』。現在放上兩盞燈，一共有幾種狀態呢？我們列表來看一下：
狀態
表達
0 0
0 1
1 0
1 1
請大家自已寫上3盞燈的情況000 001 010 011 100 101 110 111
我們來看，這個000，001，101 不就是我們學過的的二進制數嗎？本來，燈的亮和滅只是一種物理現象，可當我們把它們按一按的順序排更好後，燈的亮和滅就代表了數字了。讓我們再抽象一步，燈為什麼會亮呢？看電路1，是因為輸出電路輸出高電平，給燈通了電。因此，燈亮和滅就可以用電路的輸出是高電平還是低電平來替代了。這樣，數字就和電平的高、低聯繫上了。（請想一下，我們還看到過什麼樣的類似的例子呢？（海軍之）燈語、旗語，電報，甚至紅、綠燈）
2. 位的含義：
通過上面的實驗我們已經知道：一盞燈亮或者說一根線的電平的高低，可以代表兩種狀態：0和1。實際上這就是一個二進制位，因此我們就把一根線稱之為一「位」，用BIT表示。
3. 位元組的含義：
一根線可以表於0和1，兩根線可以表達00，01，10，11四種狀態，也就是可以表於0到3，而三根可以表達0-7，計算機中通常用8根線放在一起，同時計數，就可以表過到0-255一共256種狀態。這8根線或者8位就稱之為一個位元組（BYTE）。不要問我為什麼是8根而不是其它數，因為我也不知道。（計算機世界是一個人造的世界，不是自然界，很多事情你無法問為什麼，只能說：它是一種規定，大家在以後的學習過程中也要注意這個問題）
1. 存儲器的工作原理：
1、存儲器構造
存儲器就是用來存放數據的地方。它是利用電平的高低來存放數據的，也就是說，它存放的實際上是電平的高、低，而不是我們所習慣認為的1234這樣的數字，這樣，我們的一個謎團就解開了，計算機也沒什麼神秘的嗎。
圖2
圖3
讓我們看圖2。這是一個存儲器的示意圖：一個存儲器就象一個個的小抽屜，一個小抽屜里有八個小格子，每個小格子就是用來存放「電荷」的，電荷通過與它相連的電線傳進來或釋放掉，至於電荷在小格子里是怎樣存的，就不用我們操心了，你可以把電線想像成水管，小格子里的電荷就象是水，那就好理解了。存儲器中的每個小抽屜就是一個放數據的地方，我們稱之為一個「單元」。
有了這么一個構造，我們就可以開始存放數據了，想要放進一個數據12，也就是00001100，我們只要把第二號和第三號小格子里存滿電荷，而其它小格子里的電荷給放掉就行了（看圖3）。可是問題出來了，看圖2，一個存儲器有好多單元，線是並聯的，在放入電荷的時候，會將電荷放入所有的單元中，而釋放電荷的時候，會把每個單元中的電荷都放掉，這樣的話，不管存儲器有多少個單元，都只能放同一個數，這當然不是我們所希望的，因此，要在結構上稍作變化，看圖2，在每個單元上有個控制線，我想要把數據放進哪個單元，就給一個信號這個單元的控制線，這個控制線就把開關打開，這樣電荷就可以自由流動了，而其它單元控制線上沒有信號，所以開關不打開，不會受到影響，這樣，只要控制不同單元的控制線，就可以向各單元寫入不同的數據了，同樣，如果要某個單元中取數據，也只要打開相應的控制開關就行了。
2、存儲器解碼
那麼，我們怎樣來控制各個單元的控制線呢？這個還不簡單，把每個單元元的控制線都引到集成電路的外面不就行了嗎？事情可沒那麼簡單，一片27512存儲器中有65536個單元，把每根線都引出來，這個集成電路就得有6萬多個腳？不行，怎麼辦？要想法減少線的數量。
我們有一種方法稱這為解碼，簡單介紹一下：一根線可以代表2種狀態，2根線可以代表4種狀態，3根線可以代表幾種，256種狀態又需要幾根線代表？8種，8根線，所以65536種狀態我們只需要16根線就可以代表了。
圖4
3、存儲器的選片及匯流排的概念
至此，解碼的問題解決了，讓我們再來關注另外一個問題。送入每個單元的八根線是用從什麼地方來的呢？它就是從計算機上接過來的，一般地，這八根線除了接一個存儲器之外，還要接其它的器件，如圖4所示。這樣問題就出來了，這八根線既然不是存儲器和計算機之間專用的，如果總是將某個單元接在這八根線上，就不好了，比如這個存儲器單元中的數值是0FFH另一個存儲器的單元是00H，那麼這根線到底是處於高電平，還是低電平？豈非要打架看誰歷害了？所以我們要讓它們分離。辦法當然很簡單，當外面的線接到集成電路的引腳進來後，不直接接到各單元去，中間再加一組開關（參考圖4）就行了。平時我們讓開關打開著，如果確實是要向這個存儲器中寫入數據，或要從存儲器中讀出數據，再讓開關接通就行了。這組開關由三根引線選擇：讀控制端、寫控制端和片選端。要將數據寫入片中，先選中該片，然後發出寫信號，開關就合上了，並將傳過來的數據（電荷）寫入片中。如果要讀，先選中該片，然後發出讀信號，開關合上，數據就被送出去了。注意圖4，讀和寫信號同時還接入到另一個存儲器，但是由於片選端不同，所以雖有讀或寫信號，但沒有片選信號，所以另一個存儲器不會「誤會」而開門，造成沖突。那麼會不同時選中兩片晶元呢？只要是設計好的系統就不會，因為它是由計算控制的，而不是我們人來控制的，如果真的出現同時出現選中兩片的情況，那就是電路出了故障了，這不在我們的討論之列。
從上面的介紹中我們已經看到，用來傳遞數據的八根線並不是專用的，而是很多器件大家共用的，所以我們稱之為數據匯流排，匯流排英文名為BUS，總即公交車道，誰者可以走。而十六根地址線也是連在一起的，稱之為地址匯流排。
2. 半導體存儲器的分類
按功能可以分為只讀和隨機存取存儲器兩大類。所謂只讀，從字面上理解就是只可以從裡面讀，不能寫進去，它類似於我們的書本，發到我們手回之後，我們只能讀裡面的內容，不可以隨意更改書本上的內容。只讀存儲器的英文縮寫為ROM（READ ONLY MEMORY）
所謂隨機存取存儲器，即隨時可以改寫，也可以讀出裡面的數據，它類似於我們的黑板，我可以隨時寫東西上去，也可以用黑板擦擦掉重寫。隨機存儲器的英文縮寫為RAM（READ RANDOM MEMORY）這兩種存儲器的英文縮寫一定要記牢。
注意：所謂的只讀和隨機存取都是指在正常工作情況下而言，也就是在使用這塊存儲器的時候，而不是指製造這塊晶元的時候。否則，只讀存儲器中的數據是怎麼來的呢？其實這個道理也很好理解，書本拿到我們手裡是不能改了，可以當它還是原材料——白紙的時候，當然可以由印刷廠印上去了。
順便解釋一下其它幾個常見的概念。
PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習本，買來的時候是空白的，可以寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。
EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它裡面的內容寫上去之後，如果覺得不滿意，可以用一種特殊的方法去掉後重寫，這就是用紫外線照射，紫外線就象「消字靈」，可以把字去掉，然後再重寫。當然消的次數多了，也就不靈光了，所以這種晶元可以擦除的次數也是有限的——幾百次吧。
FLASH，稱之為閃速存儲器，它和EPROM類似，寫上去的東西也可以擦掉重寫，但它要方便一些，不需要光照了，只要用電學方法就可以擦除，所以就方便許多，而且壽面也很長（幾萬到幾十萬次不等）。
再次強調，這里的所有的寫都不是指在正常工作條件下。不管是PROM、EPROM還是FLASH ROM，它們的寫都要有特殊的條件，一般我們用一種稱之為「編程器」的設備來做這項工作，一旦把它裝到它的工作位置，就不能隨便改寫了。
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⑦ 半導體是怎樣存儲信息的
半導體存儲器(semi-conctor memory)
是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器。
按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。
其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。
主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。
半導體存儲器的兩個技術指標是：存儲容量和存取時間。半導體是通過保持電平存儲數據的。
1 電路中用高電平表示1，低電平表示0；
2 同樣的在存儲介質中，寫入電平值，下次讀出判斷是1/0；
3 存儲介質的存儲利用的是浮柵和襯底間電容效應：電容充電，讀出的值就是高電平。電容放電後，讀出的就是低電平
⑧ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
⑨ 三星(中國)半導體有限公司在那
蘇州有，西安馬上有。
目前三星電子半導體總部已經在中國成立了兩個生產型公司：三星電子（蘇州）半導體有限公司和
蘇州三星電子液晶顯示器有限公司。兩個銷售型公司，分別為：上海三星半導體有限公司和三星半導體（香港）有限公司。
三星電子蘇州半導體工廠第二區位於中國蘇州工業園區內，佔地面積達28萬平米。設置在同一個工業園區內的半導體工廠一區主要包括產品組裝、檢查等三個生產線，而計劃在明年第一季度正式啟動的工廠二區將負責第四個組裝生產線，三星半導體總部在蘇州、杭州成立研究所——三星半導體（中國）研究開發有限公司，對電子零部件（Device）和集成電路（IC）的軟體及硬體設計，電子產品解決方案（Device solution）的研發，半導體封裝技術進行研發
三星半導體西安，將成為在半導體存儲晶元領域非常重要的基地之一。三星電子半導體存儲晶元事業部，具有領先世界最新先進研發與製造DRAM，FLASH等半導體存儲晶元技術能力，並一直引領該行業的研發與生產
⑩ 存儲器可分為哪三類
存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。
一、按存儲介質劃分
1. 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
2. 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
二、按存儲方式劃分
1. 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
2. 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。
三、按讀寫功能劃分
1. 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
2. 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的存儲器。
二、選用各種存儲器，一般遵循的選擇如下：
1、內部存儲器與外部存儲器
一般而言，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此用戶必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，用戶通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器。
2、引導存儲器
在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，用戶可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。
3、配置存儲器
對於現場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(SoC)，可以使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。大多數情況下，FPGA採用SPI介面，但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。
4、程序存儲器
所有帶處理器的系統都採用程序存儲器，但是用戶必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後，用戶才能進一步確定存儲器的容量和類型。
5、數據存儲器
與程序存儲器類似，數據存儲器可以位於微控制器內部，或者是外部器件，但這兩種情況存在一些差別。有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器，但有時不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。
6、易失性和非易失性存儲器
存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電後將丟失數據，而後者在斷電後仍可保持數據。用戶有時將易失性存儲器與後備電池一起使用，使其表現猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。
7、串列存儲器和並行存儲器
對於較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器。這時必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。
8、EEPROM與快閃記憶體
存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器（比如EEPROM和快閃記憶體）組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，並像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。
參考資料來源：網路——存儲器