㈠ 請問什麼是fsmc
FSMC(Flexible Static Memory Controller，可變靜態存儲控制器)是STM32系列採用的一種新型的存儲器擴展技術。在外部存儲器擴展方面具有獨特的優勢，可根據系統的應用需要，方便地進行不同類型大容量靜態存儲器的擴展。
STM32是ST(意法半導體)公司推出的基於ARM內核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內核是為低功耗和價格敏感的應用而專門設計的，具有突出的能效比和處理速度。
(1)psram是非易失性存儲器嗎擴展閱讀
FSMC技術優勢：
①支持多種靜態存儲器類型。STM32通過FSMC可以與SRAM、ROM、PSRAM、NOR Flash和NANDFlash存儲器的引腳直接相連。
②支持豐富的存儲操作方法。FSMC不僅支持多種數據寬度的非同步讀/寫操作，而且支持對NOR/PSRAM/NAND存儲器的同步突發訪問方式。
③支持同時擴展多種存儲器。FSMC的映射地址空間中，不同的BANK是獨立的，可用於擴展不同類型的存儲器。當系統中擴展和使用多個外部存儲器時，FSMC會通過匯流排懸空延遲時間參數的設置，防止各存儲器對匯流排的訪問沖突。
④支持更為廣泛的存儲器型號。通過對FSMC的時間參數設置，擴大了系統中可用存儲器的速度范圍，為用戶提供了靈活的存儲晶元選擇空間。
⑤支持代碼從FSMC擴展的外部存儲器中直接運行，而不需要首先調入內部SRAM。
㈡ NAND flash和NOR flash的區別詳解
NAND flash和NOR flash的區別
一、NAND flash和NOR flash的性能比較
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。
2、NAND的寫入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
5、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
二、NAND flash和NOR flash的介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
六、位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用
七、EDC/ECC演算法
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
八、壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
九、易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
十、軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
㈢ 如何選擇最適用的SRAM存儲器
SRAM具有眾多的架構，各針對一種特定的應用。本文旨在對目前市面上現有的SRAM做全面評述，並簡要說明就某些特定用途而言，哪類SRAM是其最佳選擇。 SRAM從高層次上可以劃分為兩個大類：即同步型和非同步型。同步型SRAM採用一個輸入時鍾來啟動至存儲器的所有事務處理（讀、寫、取消選定等）。而非同步型SRAM則並不具備時鍾輸入，且必須監視輸入以獲取來自控制器的命令。一旦識別出某條命令，這些器件將立即加以執行。 同步SRAM家族分類 與某一特定應用相適應的最佳SRAM的選擇取決於多個因素，其中包括功率限制、帶寬要求、密度以及讀/寫操作模式等。可滿足不同系統要求的同步型和非同步型SRAM多種多樣，本文將逐一加以說明。 各種同步型SRAM比較 同步型SRAM於上個世紀80年代後期首度面市，最初是面向具有極高性能的工作站和伺服器中的第二級（L2）高速緩沖存儲器應用。進入上個世紀90年代中期之後，它又在較為主流的應用（包括個人電腦中的第二級高速緩沖存儲器）中尋覓到了自己的用武之地。自那以後，在包括高性能網路在內的眾多應用的設計中，同步型SRAM大行其道（在這些應用中，它們通常被用於數據緩沖器、高速暫存器、隊列管理功能和統計緩沖器）。 同步型SRAM又可以採用多種不同的架構。下文將對某些「主流」的器件做簡要說明。 1：標准同步型SRAM 標准同步型SRAM是被「主流應用」所接納的第一種同步型SRAM。這些器件雖然主要面向PC L2高速緩沖存儲器應用，但也滲透到了非PC應用領域中，比如網路、電信、數字信號處理（DSP）以及醫療和測試設備。其中，標准同步型SRAM具有兩種基本格式：流水線型和直通型。兩者之間的差異是：直通型SRAM僅在輸入端上具有寄存器，當地址和控制輸入被捕獲且一個讀存取操作被啟動時，數據將被允許「直接流」至輸出端。當用戶對初始延遲的重要性考慮超過對持續帶寬的考究時，人們往往優先採用直通型架構。「流水線型」同步SRAM同時擁有一個輸入寄存器和一個輸出寄存器。流水線型SRAM所提供的工作頻率和帶寬通常高於直通型SRAM。因此，在需求較高寬頻，而對初始延遲不是很敏感時，人們常常優先採用流水線型SRAM。 2：NoBLTM（無匯流排延遲）型SRAM 有些應用不允許「等待狀態」。比如網路應用中「等待狀態」有可能對性能產生嚴重的影響。為解決該問題，賽普拉斯公司推出了無匯流排延遲（NoBL）型SRAM。NoBL型SRAM與標准同步型SRAM很相似，但是擁有附加的片上邏輯電路，旨在完全消除標准同步型SRAM系列所需的「等待狀態」。通過消除這些「等待狀態」，此類SRAM能夠實現100[%]的匯流排利用率（絲毫不受讀/寫模式的影響）。該功能極大地改善了存儲器性能，尤其是當存在頻繁的讀/寫操作變換時。 NoBL型SRAM也存在兩種版本：直通型和流水線型。直通型NoBL SRAM始終具有一個單周期偏移，而NoBL流水線型SRAM則保持了一個雙周期偏移。 3：四倍數據速率（QDRTM）型SRAM 盡管推出了NoBL型架構並使性能較之標准同步型SRAM有所改善，但某些系統對性能有著更高的要求。於是，賽普拉斯、Renesas、IDT、NEC和三星等幾家公司聯合開發出了QDR型SRAM。QDR架構旨在滿足那些要求低延遲且所需帶寬明顯高於NoBL型架構提供能力的「高帶寬需求型」系統的需要。 QDR型SRAM與NoBL型SRAM最為顯著的差異之一是前者的讀埠和寫埠是分開的。這些埠可獨立工作，並支持並行的讀和寫事務處理。QDR型 SRAM能夠以DDR傳輸速率（2倍）來支持兩項同時出現的事務處理，四倍數據速率（QDR）的名稱便是由此得來的。 QDR型SRAM具有兩種基本類型：即2字脈沖串和4字脈沖串。這兩種類型之間的差異在於每項事務處理過程中所支持的脈沖串長度。 4：QDR-II型SRAM QDR- II型SRAM與QDR型SRAM相似，但在性能方面進一步提升。與相同頻率的QDR型器件相比，QDR-II型SRAM所產生的總數據有效窗口面積大了 35[%]左右。另外，QDR-II型SRAM產品還比QDR型器件多了一個半延遲周期。這增加的半個時鍾周期可在對初始延遲影響極小的情況下提供高得多的頻率和帶寬。 5：DDR型SRAM 如果QDR型SRAM面向的是具有平衡讀/寫模式的應用，DDR型SRAM架構則主要針對那些需要進行數據流式傳輸（例如，後隨多項寫操作的多項讀操作）、且所需帶寬遠遠高於標准同步型器件或NoBL型器件的應用。DDR型SRAM具有出眾的整體匯流排利用率以及高得多的總帶寬，性能也因此得到了最大限度的提升。 和QDR型SRAM一樣，DDR型SRAM也有兩種格式：即2字脈沖串和4字脈沖串。究竟選擇哪一種取決於所需的數據顆粒度以及存儲器的數據匯流排寬度。 各種非同步型SRAM比較 第二大類SRAM為非同步型SRAM。那些不具備時鍾輸入的SRAM便是非同步型的。在這些器件中，讀操作和寫操作將在器件接收到指令之後立即被啟動。 採用非同步型SRAM最大的優點之一是它們擁有長達幾十年的使用歷史並已為人們所充分了解。由於非同步型SRAM已經面市很久了，因此許多標准處理器都包含了業已配備非同步型SRAM介面的存儲控制器，從而最大限度地減少了所需的設計工作量。非同步型SRAM的典型存取時間為8ns（或更長）。因此，它們一般應用於時鍾頻率為100MHz（或更低）的系統中。非同步型SRAM可被進一步劃分為兩種主要類別：即快速非同步型SRAM和低功耗非同步型 SRAM（MoBLTM）。 1：快速非同步型SRAM 存取時間為35ns（或更短）的非同步型SRAM可被歸類為「快速」非同步型SRAM。這些存儲器通常應用於老式系統中，且功耗較高（1/2W或更高是司空見慣的）。其典型應用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業應用中的緩沖存儲器。 2：MoBLTM低功耗非同步型SRAM 有些應用（例如行動電話）對功耗的關注程度要超過對性能的關注程度。因此，製造商（比如賽普拉斯公司）推出了功耗極低的SRAM系列。賽普拉斯的 MoBL（意指「更長的電池使用壽命」）低功耗非同步型SRAM產品庫匯集了多款典型存取時間約為40ns（或更長）並專為實現低功耗而優化的器件。典型待機功耗可低至10μW（或更低），而運行功耗則可低至30mW（或更低）。這些器件的存儲密度各異，從64Kb到16Mb一應俱全。 偽SRAM（亦即PSRAM） 如果需要16Mb以上的存儲密度，則PSRAM（或稱偽PSRAM）是一種可行的解決方案。所謂偽SRAM是指一種具有一個DRAM存儲器內核和一個「SRAM型」介面的存儲器件。由於PSRAM使用了一個DRAM內核，因而也需要進行周期性的刷新，以便保存數據。但不同的是，標准DRAM的刷新控制是在器件外部進行的，而PSRAM則具有一個「隱式」刷新電路，這使得它們能夠被容易地用作其他非同步型SRAM的存儲密度升級型器件。 結論 在選擇SRAM時，您會面對眾多的選擇方案。在某些場合，選擇是有限的。許多已經確立了自己穩固地位的處理器都包含了支持特殊SRAM架構的存儲控制器。新型處理器的設計則更靈活。為了決定最佳的可選方案，至關重要的是確定存儲器子系統（即兆比特每秒、初始延遲、運行功耗、待機功耗、成本等等）的優先順序以及系統的工作特性（讀/寫操作模式、工作頻率等等）。 網路應用往往具有接近50/50的讀/寫模式，它適合於採用QDR系列的解決方案。其他應用（甚至是同一個系統內的功能電路）則往往具有不平衡的讀/寫模式，這就適合於採用公共I/O架構，包括標准同步型、NoBL型和DDR型。
㈣ 比較動態存儲器dram和靜態存儲器sram的異同點
SRAM中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。
SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。 內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「 內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保 持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM