當前位置:首頁 » 服務存儲 » 寄存器存儲量大
擴展閱讀
webinf下怎麼引入js 2023-08-31 21:54:13
堡壘機怎麼打開web 2023-08-31 21:54:11

寄存器存儲量大

發布時間: 2023-06-09 11:26:51

① 單片機內部哪種存儲器容量最大

Flash存儲慎鍵器容量最大。Flash存儲團納器通常用於存儲單片機程序代碼,因此容量越大,則可以存儲更復雜的程序,實現更多的功能,現在市場上常見的單片機Flash存儲器容量可以達到幾MB甚至十幾MB以上。存儲容量是指存儲器可以容納的二進制信息量用存儲器中存儲地址寄存器MAR的編址數與存塌孝沒儲字位數的乘積表示。

② 寄存器cache、主存儲器、光碟、磁帶的存儲容量的大小比較

寄存器cache 128K-8M
光碟 650M-16G
主存儲器 1-8G
磁帶 一般用得少

③ 請問一下,主存,緩存,寄存器,光碟的存儲速度和存儲容量大小

C
存取速度:寄存器 > Cache > 內存 > 硬碟 > 光碟 > 軟盤

具體點說:內存可達數至數十GB/s,硬碟可達幾十MB/s ~ 數百MB/s,光碟最高約25MB/s(18倍DVD,藍光DVD先不算),軟盤一般只有數十KB/s。
寄存器屬於CPU的一個組成部分而緩存只是集成到CPU封裝內完全是和CPU獨立的器件。另外二者速度相差很大,寄存器存取速度最快 其次緩存最後是內存。三者容量上的關系就像飯碗、飯鍋和米缸的關系,容量越大級別越低,速度越慢與CPU的聯系越不密切

④ 什麼是寄存器的容量衡量存儲器容量的單位是什麼

介紹一些最新的RAM技術詞彙
CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器
CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器
DRAM-Dynamic RAM——動態存儲器
EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態存儲器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數據模式靜態存儲器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數據模式視頻存儲器
FPM-Fast Page Mode——快速頁模式
FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態存儲器
SRAM-Static RAM——靜態存儲器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器
VRAM-Video RAM——視頻存儲器
WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優於VRAM)
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態存儲器
SGRAM-Signal RAM——單口存儲器

2.存儲器有哪些主要技術指標

存儲器是具有「記憶」功能的設備,它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進制數碼「0」和「1」,這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯,半導體觸發器、MOS電路或電容器等。位(bit)是二進制數的最基本單位,也是存儲器存儲信息的最小單位,8位二進制數稱為一個位元組(Byte),可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元,大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。為了區分存儲體內的存儲單元,必須將它們逐一進行編號,稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應,且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。

根據存儲器在計算機中處於不同的位置,可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部,直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間,程序的數據放在主存儲器內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM),裡面存放一次性寫入的程序或數據,僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數據掉電後就會丟失,而掉電後ROM中的數據可保持不變。因為結構、價格原因,主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器,如磁碟、光碟等。存儲器的特性由它的技術參數來描述。

存儲容量:存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾十M位元組左右;輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。

存取周期:存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入,是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔,稱為取數時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。

存儲器的可靠性:存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長,表示可靠性越高,即保持正確工作能力越強。

性能價格比:性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標,對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器,要求容量極大,而對緩沖存儲器則要求速度非常快,容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標。

SDARM能成為下一代內存的主流嗎

快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經過去。隨著高效內存集成電路的出現和為優化Pentium晶元運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯晶元組的支持,人們越來越傾向於採用擴展數據輸出(EDO)DRAM。EDO DRAM採用一種特殊的內存讀出電路控制邏輯,在讀寫一個地址單元時,同時啟動下一個連續地址單元的讀寫周期。從而節省了重選地址的時間,使存儲匯流排的速率提高到40MHz。也就是說,與快頁內存相比,內存性能提高了將近15%~30%,而其製造成本與快頁內存相近。但是EDO內存也只能輝煌一時,其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以後市場上主流CPU的主頻將高達200MHz以上。為優化處理器運行效能,匯流排時鍾頻率至少要達到66MHz以上。多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統對內存的要求也越來越高,為緩解瓶頸,只有採用新的內存結構,以支持高速匯流排時鍾頻率,而不至於插入指令等待周期。這樣,為適應下一代主流CPU的需要,在理論上速度可與CPU頻率同步,與CPU共享一個時鍾周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區別,SRAM的全寫是Static RAM即靜態RAM,速度雖快,但成本高,不適合做主存)應運而生,與其它內存結構相比,性能價格比最高,勢必將成為內存發展的主流。

SDRAM基於雙存儲體結構,內含兩個交錯的存儲陣列,當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據的同時,另一個已准備好讀寫數據。通過兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz,與中檔Pentium同步,存儲時間高達5~8ns,可將Pentium系統性能提高140%,與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性能百分之幾十的CPU相比,換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。在去年初許多DRAM生產廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內存條,但其成本較高。現在每一個內存生產廠家都在擴建SDRAM生產線。預計到今年底和1998年初,隨著64M SDRAM內存條的大量上市,SDRAM將占據主導地位。其價格也將大幅下降。

但是SDRAM的發展仍有許多困難要加以克服,其中之一便是主板核心邏輯晶元組的限制。VX晶元組已開始支持168線SDRAM,但一般VX主板只有一條168線內存槽,最多可上32M SDRAM,而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板晶元組TX將更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板晶元組TX將更好的支持SDRAM。

SDRAM不僅可用作主存,在顯示卡專用內存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說,數據帶寬越寬,同時處理的數據就越多,顯示的信息就越多,顯示質量也就越高。以前用一種可同時進行讀寫的雙埠視頻內存(VRAM)來提高帶寬,但這種內存成本高,應用受很大限制。因此在一般顯示卡上,廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市,帶寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限,要達到更高的1600×1200的解析度,而又盡量降低成本,就只能採用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。SDRAM也將應用於共享內存結構(UMA)——一種集成主存和顯示內存的結構。這種結構在很大程度上降低了系統成本,因為許多高性能顯示卡價格高昂,就是因為其專用顯示內存成本極高,而UMA技術將利用主存作顯示內存,不再需要增加專門顯示內存,因而降低了成本。

什麼是Flash Memory存儲器

介紹關於閃速存儲器有關知識近年來,發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言,Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點,又有很高的存取速度,而且易於擦除和重寫,功耗很小。目前其集成度已達4MB,同時價格也有所下降。由於Flash Memory的獨特優點,如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS,會使得BIOS升級非常方便。Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點,但它是機電設備,有機械磨損,可靠性及耐用性相對較差,抗沖擊、抗振動能力弱,功耗大。因此,一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高,價格降低,使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准,可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡,一種稱為Flash存儲器卡,此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體,在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡,此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容,可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大,價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高,重量輕,但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。(文章來源:硬體時空)

⑤ 寄存器和此CPU緩存有何區別寄存器有多大容量

寄存器屬於CPU的一個組成部分而緩存只是集成到CPU封裝內完全是和CPU獨立的器件。另外二者速度相差很大,寄存器存取速度最快 其次緩存最後是內存。三張容量上的關系就像飯碗、飯鍋和米缸的關系,容量越大級別越低,速度越慢與CPU的聯系越不密切。寄存器分通用寄存器 標志寄存器 堆棧寄存器等完成CPU的加法運算,緩存是緩沖存儲器,屬於靜態電路存儲器。 對於寄存器的容量: 16位寄存器組 16位CPU所含有的寄存器有 4個數據寄存器(AX、BX、CX和DX) 2個變址和指針寄存器(SI和DI) 2個指針寄存器(SP和BP) 4個段寄存器(ES、CS、SS和DS) 1個指令指針寄存器(IP) 1個標志寄存器(Flags) 32位寄存器組 32位CPU除了包含了先前CPU的所有寄存器,並把通用寄存器、指令指針和標志寄存器從16位擴充成32位之外,還增加了2個16位的段寄存器:FS和GS。 32位CPU所含有的寄存器有 4個數據寄存器(EAX、EBX、ECX和EDX) 2個變址和指針寄存器(ESI和EDI) 2個指針寄存器(ESP和EBP) 6個段寄存器(ES、CS、SS、DS、FS和GS) 1個指令指針寄存器(EIP) 1個標志寄存器(EFlags)