❶ STC單片機的FLASH程序存儲器、SRAM位元組、EEPROM有什麼區別與聯系
FLASH程序存儲器存程序，單片機上電後會自動從這里讀代碼開始運行。
SRAM是跑程序時候暫存臨時數據的地方，一般不太大，從128位元組到幾K位元組都有，一掉電數據就沒了。
EEPROM是掉電也不丟數據的存儲器，一般都用來存設置的。你可以一位元組一位元組的把每位元組的8位1任意編寫成0。但這片一般是按扇區為單位，一擦除就是全成1。
STC有的片FLASH也能在跑程序的時候由程序控制擦寫。
(1)航天flash存儲器擴展閱讀：
特點：
EEPROM可單位元組操作更靈活，FLASH存儲量更大些FLASH：只能塊擦除（叫塊擦除更准確吧，原文是BLOCK），舉例說明：比如你用的FLASH的BLOCK是512個位元組（不同的FLASH大小不同），那麼只有擦除過（所有位寫「1」）的BLOCK才能重新寫入。
意思就是只能從「1」寫到「0」，如果要從「0」改到「1」必須整塊擦除，而且擦除時的速度相對寫入和讀出要慢時的速度相對寫入和讀出要慢時的速度相對寫入和讀出要慢很多。FLASH主要用於程序存儲。EEPROM;可以單位元組操作，沒有塊擦除的要求。相對FLASH更為靈活。
❷ flash內存條與ddr的區別
區別1：不同的功耗和發熱：flash快閃記憶體模塊消耗大量的功耗，DDR在成本控制的基礎上降低了能耗和發熱。
區別2：工作頻率較高：flash存儲模塊能耗較高。由於降低了能耗，DDR可以獲得更高的工作頻率，在一定程度上彌補了延遲時間較長的缺點。
區別3：數據處理不一樣：快閃記憶體模塊數據刪除不是基於單個位元組，而是基於固定塊。塊大小通常為256Kb到20MB，快閃記憶體是一種電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）。DDR內存顆粒大多為16M X 32bit，搭配中高端屬顯卡常用的128MB顯存便需8顆較為合適。
區別4：通用性不同：快閃記憶體模塊廣泛應用於大多數電子設備中。由於DDR的針腳和封裝等關鍵特性沒有改變，所以顯卡的顯示核心和公共版本設計相對高端，也比較少見。
(2)航天flash存儲器擴展閱讀：
在嵌入式系統中，內存（SDRAM或DDR）可以作為文件系統的存儲介質。當存儲器斷電時，它不能保持原始數據不變。因此，基於內存的文件系統只能是臨時文件系統，可以用來保存臨時文件，而不是需要永久記錄的文件。其優點是內存中只有動態變化，系統不會產生垃圾。
目前內存中常用的SDRAM和DDR-SDRAM。使用SDRAM需要CPU提供SDRAM介面控制器。使用DDR-SDRAM需要CPU提供DDR-SDRAM介面控制器。兩者最大的區別是DDR-SDRAM至少比SDRAM快一倍，意味著如果讀取一個文件需要兩秒鍾，那麼使用DDR可能需要不到一秒鍾的時間。
Flash是嵌入式系統中最常用的文件系統存儲介質。nor和NAND有兩種類型。也不能直接讀取flash，但寫入是通過塊而不是位元組完成的。而不是直接寫，它需要由命令控制；NAND flash也就是說，它不允許直接讀寫。讀寫都是通過塊來完成的，需要通過命令來控制。
相比之下，nor的讀取速度比NAND快，NAND的單位密度也比nor高，即單個IC NAND flash可以有4GB（位元組）的存儲空間，nor flash最多隻能有1GB（位）。NAND flash通常有壞塊，所以文件系統的設計比較復雜（壞塊需要處理）。應該注意的是，關閉快閃記憶體電源可以防止文件丟失。
❸ c51單片機，通常所說的flash屬於存儲器嗎
flash 屬於存儲器，相當於電腦的硬碟。實際又區分為存儲程序和存儲斷電需要保持的數據的。對於一些新型號的單片機，直接就可以在自己的程序中對 flash 進行讀寫操作，很方便。
❹ 幫忙解釋下solid state storage device 詳細點最好
固態存儲設備
一、固態存儲設備的應用
在航空航天信息處理系統中，大容量固態存儲器有磁泡和半導體盤。其主
要優點是沒有機械運動部件、比磁碟、磁帶存儲器更能承受溫度、振動、沖擊
。90年代初Intel公司推出新型閃速存儲器（Flash Memor
y）後，受到宇航系統及其它抗惡劣環境計算機應用領域高度重視。這種半導
體存儲器是非易失性的，當電源有故障或被切斷後，信息仍保存完整。
閃速存器基本特點是可以電擦除，並且可按位元組重新編程，特別適合用在
實時模擬和電子戰場合。Flash Memory現也譯為快速擦寫存儲器
。
在宇航系統中Flash Memory主要用在以下領域：
（1）數據採集子系統。所採集的數據可以周期性地從晶元中取出，進行
分析、綜合。電擦除後，Flash Memory成為空白晶元，可反復使
用萬次以上。
（2）需要周期性地修改已存儲的代碼和數據表。過去用EPROM（可
擦、可編程只讀存儲器），修改一次代碼耗時15～20分鍾，用Flash
只要一秒左右。擦除和重新編程可在同一系統或同一編程器插座中現場進行。
（3）宇航計算機研製階段（組裝、裝配），用它存放硬體診斷、調試程
序，晶元直接裝焊在電路板上，既可提高系統可靠性，又增加了調試靈活性。
此外，Flash可維修性優異，可通過串列通信口對電路上的晶元直接進行
改寫，可顯著降低維修費用。
（4）固化操作系統，可以比裝在軟盤或硬碟上的操作系統開機等待時間
大大減少，提高系統實時性。
（5）當要求系統關鍵數據安全性時，例如飛行員（領航、駕駛員）攜帶
飛機資料庫中保密信息時，一旦被擊落，要有安全措施或清除掉上述信息。美
國海軍空戰中心信息存儲部門十分強調：要在幾秒鍾內全部清除掉所存信息。
對此磁碟或磁帶機難以勝任。
因此，在航空航天及軍事系統中，Flash具有非易失性、可電擦除、
高密度和快速諸優點。即使價格昂貴，一般也傾向優選此方案。
二、閃速存儲器的基本工作原理
ETOX－Ⅱ（Eprom Tannel OXide）閃速存儲器是
Intel公司推出的典型Flash產品，其工藝是由標準的Cmos E
prom工藝發展而來的，單元結構一樣。兩者差別在於ETOX－Ⅱ的柵極
氧化層較薄，為100～120�，使它具有電擦除功能。而Epron的氧
化層一般為325�。
下面從編程（信息寫入）和擦除原理方面進行分析。
1．編程原理
Flash和Eprom的編程原理相同。控制柵上接＋12V±5％的
編程電村Vpp，漏極（drain）上外加5V電壓，源極（Source
）接地。漏源極間的電場作用使電子空越溝道，在控制柵的高電壓吸引下，這
些自由電子越過氧化導進入浮置柵，（Floating gate），一旦
該柵獲得足夠多的自由電子，源漏極間便形成導電溝道（接通狀態）。信息存
儲在周圍都絕緣的浮置柵上，即使電源切斷，信息仍然保存。
2．擦除原理
Flash的擦除原理和Eprom完全不同。電擦除可編程只讀存儲器
（EEPROM）每位信息可用電來擦除；而紫外（UV）型Eprom（U
VEPROM）是靠紫外光束來「中和」浮置柵上的電荷實現整體擦除的。
Flash備兩種Eprom特點。在源極上施加高電壓Vpp，而控制
柵接地，在這種電場作用下，浮置柵上的電子就越過氧化層進入源極區域，被
外加電源全部中和掉，實現整體擦除。隨著存儲容量增大，Flash也可采
取分區擦除。
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三、Flash存儲器晶元及半導體固態盤產品現狀
美國兩大供應Flash存儲晶元的廠商是Intel和AMD。前者約
佔70％，AMD佔16～30％市場。
Intel公司16Mbits晶元1993年面市，1994年春已推
出單片32Mbits第四代產品。AMD公司將於1994年推出16Mb
its晶元，比商用產品推遲一季度交付軍品晶元。
日本有四家公司生產供應4Mb FlashE〔2〕prom，它們是
東芝、日本電氣（MEC）、三菱電機和日立，分別用512K×8b、25
6K×16b、或512K×6b以及512K×8b組成，可重寫次數10
≥〔4〕次，生產工藝為CMOS、0．7～1．0μm，批量生產時間均為
1992年以後。
從邏輯結構上看，Flash是與或（NOR）邏輯，一般電源電壓是＋
5V、＋12V。1987年東芝推出NAND與非邏輯的Nand Epr
om利用Fowler－Nerdhein隧道進行擦除和重寫，電源電壓只
用單一＋5V。它的位面積僅為Fash的36％，成本比Flash更低。
缺點是讀出時間比Flash約慢10倍，在要求體積緊湊、電源單一、可靠
性高的場合Nand型更有潛在優勢。第一個Flash產品是在美國的日本
公司開發的，但在生產和應用方面美國處於領先地位。
四、現有Flash存在的主要問題
雖然Flash具有電氣整體擦除、高速編程（每個晶元總編程時間仍需
以秒計，每位元組花費10～100μs）、低功耗、抗雜訊、內部命令寄存器
結構可以和微處理器、單機片機微控制器寫入介面兼容，以及比E〔2〕pr
om密度大、價兼、可靠等優點，但仍存在以下缺點和問題：
1．入時間過長（讀出速度可與RAM相當）。不適合在軍事宇航控制系
統中作隨機存儲器，適宜用作只讀存儲器（ROM）。
2．數據傳輸率不高。一般為270KB／S，而溫盤機一般都超過1M
B／S。
3．Flash晶元仍存在極限壽命。過去幾年，寫入一擦除周期已從1
0〔5〕次提高到10〔6〕次。由於晶元的寫入耐疲勞度所限，如果一個扇
區（Sector）被寫入5萬到10萬次，它的氧化層就被磨損。
目前解決上述壽命問題的技術方案有以下三點：
（1）為迴避此問題，Targa Electronics）公司研製
一種IDE（Integrated Device Electronic
s）介面的板級固態盤產品，該產品內裝軟體以保證數據完整性，一旦執行存
取操作就將數據重新安排並且在扇區磁軌上標注出已損壞的扇區號。
（2）Sundisk公司作為Flash盤的最早廠家之一已經較好地
解決了這一問題。它採用了糾錯碼（ECC）技術、磨損調整（Wear－L
eveling）技術，以及動態缺陷管理技術等。
所謂磨損調整技術就像更換汽車輪胎安裝部位那樣，當某一扇區已經寫入
太多次數時，就把基中數據搬移到另一扇區去。
動態降管理技術，必要時把某一已壞的信息位（bit）重新映像到另一
位。Sundisk公司不讓任一位寫入次數超過5萬次，據稱使用具備這些
技術的存儲系統工作100年也不會破壞。盡管Flash有壽命極限問題，
但可以克服。
Sundisk公司稱它不依靠另加軟體就可實現磨損調整功能並且該存
儲系統能和DOS及Windows系統100％全兼容。雖然它主要面向商
用，但已在波音777飛機上安裝使用。
4．在提高可靠性方面存在的問題及改進措施
（1）偶然性的擦除使信息丟失：為此Intel公司1990年在其F
lash晶元中增加了字組保護結構（boot block archit
ecture），它能保持一部分重要代碼不被偶然擦除丟失。
（2）傳統的Flash晶元為實現重新編程需要單獨的外電源＋12伏
電路。為適應軍品寬溫（－55℃～＋125℃）變化，要求＋12伏±5％
嚴格控制允差范圍，這對軍用固態盤存儲系統不合適。為此AND公司於19
93年4月推出一種單一＋5伏電源供電、1Mb Flash晶元，其寫入
次數至少有10萬次。採用這種晶元既提高了可靠性又使寫入周期次數增大。
寫入周期耐疲勞度（Write cycle enrance）指在每
一扇區內可以反復存儲數據的次數。
今後，要求雙電源（＋5，＋12伏）的晶元將漸被淘汰。
5．在模擬硬磁碟（HDD）時，佔用主機CPU時間
傳統的Flash晶元構成存儲器時由主機系統的軟體命令控制，花費C
PU時間。
AMD公司單電源（＋5伏）晶元中已裝入「嵌入式演算法」（Embed
ded algorithm）命令由它給出。
許多固態盤模擬旋轉式HDD時，主要是CPU花費時間在它的I／O端
口上訪問傳統的驅動器。
五、現有抗惡劣環境固態盤
我們將適應寬溫、耐沖擊、抗振動並經過美國軍標質量論證過的各公司產
品型號扼要列於表中，以供參考。
❺ flash一個地址能存多大數據
flash一個地址能存1Kb和2Kb的，也就是1024位元組和2048位元組，一般來說內部flash大的採用2048位元組一頁，內部flash小的採用1024位元組一頁。
flash是存儲晶元的一種，通過特定的程序可以修改裡面的數據。FLASH在電子以及半導體領域內往往表示Flash Memory的意思，即平時所說的「快閃記憶體」，全名叫Flash EEPROM Memory。
flash存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還可以快速讀取數據，使數據不會因為斷電而丟失。
Flash種類：
目前Flash主要有兩種NORFlash和NANDFlash。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NORFLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。
NANDFlash沒有採取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。
以上內容參考網路-Flash
❻ ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區別是什麼
1、ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之後就丟失數據。
2、RAM分為兩大類：SRAM和DRAM。
SRAM為靜態RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。
DRAM為動態RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。RAM價格相比ROM和FLASH要高。
3、LASH存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。
(6)航天flash存儲器擴展閱讀：
存儲器的概念很廣，在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。
計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
參考資料：存儲器 網路
❼ 什麼是閃速存儲器它有哪些特點
90年代INTEL公司發明的一種高密度、非易失性的讀寫半導體存儲器
閃速存儲器的特點
閃速存儲器（Flash Memory）是一類非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關閉後仍能保持片內信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當供電電源關閉時片內信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲器的特點：與EPROM相比較，閃速存儲器具有明顯的優勢——在系統電可擦除和可重復編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲器具有成本低、密度大的特點。其獨特的性能使其廣泛地運用於各個領域，包括嵌入式系統，如PC及外設、電信交換機、蜂窩電話、網路互聯設備、儀器儀表和汽車器件，同時還包括新興的語音、圖像、數據存儲類產品，如數字相機、數字錄音機和個人數字助理（PDA）。