① 內存的顆粒識別，詳解
您好，現在內存顆粒主要有以下廠家的產品：
samsung(三星),elpida（爾必達）,hynix,（現代）nanya,（藍牙）infineon，（英飛凌）
在內存顆粒上都會有用激光蝕刻上去的相應的logo,您可以看得到，具體各個廠家的產品編碼序列號的意思可以參考下面的內容：
DDR SDRAM：
HYNIX DDR SDRAM顆粒編號：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整個DDR
SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要
參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。
顆粒編號解釋如下：
1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。
2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）
3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &
VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M
4K刷新；56：256M
8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆芯
片）
6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU
＝MCP（UTC））
12．封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）
13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2
-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））
由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數
字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤
其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少
。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR200）
註：有的編碼沒有那麼長，但幾個根本的數字還是有的
LGS的內存可以說是目前市場上見到的最多，也是最廣泛的內存了，所以LGS應該
首先排第一位。
LGS的內存編碼規則：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定義：
1、GM代表LGS公司。
2、72代表SDRAM。
3、V代表3V電壓。
4、內存單位容量和刷新單位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：
128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、數據帶寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、晶元組成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般為1
8、產品系列：從A至F。
9、功耗：空白則是普通，L是低功
10、封裝模式：一般為T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[
一說15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
二、HY（現代HYUNDAI）
現代是韓國著名的內存生產廠，其產品在國內的佔用量也很大。
HY的編碼規則：
HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定義：
1、HY代表現代。
2、一般是57，代表SDRAM。
3、工藝：空白則是5V，V是3V。
4、內存單位容量和刷新單位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K
刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。
5、數據帶寬：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。
6、晶元組成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般為0
8、產品線：從A－D系列
9、功率：空白則為普通，L為低功耗。
10、封裝：一般為TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3）
，10：10NS，12： 12NS，15：15NS
三、SEC（三星SAMSUNG）
做為韓國著名的電器廠商，三星的重要性不必多說，在內存方面，三星的產量雖
然不及上兩者大，但是三星一直專注於高品質、高性能的產品。三星的標識不是
很容易的就可以讀出來，而且三星的產品線較全，所以品種非常多，此處僅供普
通SDRAM參考。
SEC編碼規則：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此處編碼一般均為4。
2、數據帶寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
3、一般均為S
4、這個數乘以S前邊的位數就是內存的容量。
5、一般均為0
6、晶元組成：2：2BANK，3：4BANK
7、I／O界面：一般為0
8、版本號
9、封裝模式：一般為T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。
四、MT（MICRON美凱龍）
美凱龍是美國著名的計算機生產商，同時也是一家計算機設備製造商，其內存的
產品聞名全美國，被廣泛的機器所採用。美凱龍內存的品質優異，但價格較韓國
的產品略高。
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、MT代表美凱龍MICRON
2、48代表SDRAM。
3、一般為LC：普通SDRAM
4、此數與M後位數相乘即為容量。
5、一般為M
6、位寬：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
7、AX代表write Recovery(twr)，A2則代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封裝模式。
9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X為從A到E：讀取的周期分別是：
333，323，322， 222，222，所以D和E較好），10：10NS
10、如有L則為低功耗，空白則為普通。
五、HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微電子生產廠，其內存雖然在市場上佔有量不大，但品質還
是不錯的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立。
2、52代表SDRAM，51則為EDO
3、容量
4、位寬：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般為5
6、產品系列：A－F
7、功耗：L為低耗，空白則為普通
8、TT為TSOP封裝模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
六、SIEMENS（西門子）
西門子是德國最大的產業公司，其產品包羅萬向，西門子的電子產品也是歐洲最
大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西門子的內存產品多為台灣的OEM廠商製造的
，產品品質還算不錯。
HYB39S XX XX 0 X T X －X
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HYB代表西門子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位寬：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般為0
6、產品系列
7、一般為T
8、L為低耗，空白為普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本專業的計算機及外部設備製造商，他的內存產品主要是供應OEM商，
市場上僅有少量零售產品。
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100標準的多為F，普通的內存為1
3、容量
4、位寬：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
5、晶元組成：22：2BANK，42：4BANK
6、產品系列
7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3
），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
八、TOSHIBA（東芝）
東芝是日本著名的電器製造商，其在高端領域也有產品，例如計算機產品及通訊
衛星等等。TOSHIBA的內存產品在市場上見到的不多。
TC59S XX XX X FT X－XX
1 2 3 4 5 6 7 8
1、TC代表東芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
4、位寬：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
5、產品系列：A－B
6、FT為TSOP封裝模式
7、空白為普通，L為低功耗
8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
九、MITSUBISHI（三菱）
三菱是日本的一家汽車製造公司，因其多元化發展，所以在IT業和家電業也有產
品，三菱的微集成電路技術不同一般，所以其在內存領域也佔有一席之地，因為
速度、品質優異，而成為INTEL的PII／PIIICPU的緩存供應商。普通SDRAM方面，
因為較貴，所以市場上少見。
M2 V XX S X 0 X TP－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、M2代表三菱產品
2、I／O界面。一般為V
3、容量
4、一般為S，說明是SDRAM
5、位寬：2：4位，3：8位，4：16位
6、一般為0
7、產品系列
8、TP代表TSOP封裝
9、速度：
8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。
10、空白為普通，L為低耗。
② 東芝thnsnk128gvn8固態硬碟使用的是什麼顆粒
這個型號是東芝OEM產品，不在零售市場銷售，實際使用的是支持QSBC糾錯的東芝主控搭配東芝自家15nm 2D TLC快閃記憶體。個人購買固態硬碟的話推薦選東芝3D快閃記憶體的TR200 240G。