⑴ ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區別是什麼
1、ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之後就丟失數據。
2、RAM分為兩手讓仔大類：SRAM和DRAM。
SRAM為靜態RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。
DRAM為動態RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。RAM價格相比ROM和FLASH要高。
3、LASH存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的滑穗性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。
(1)存儲的分類dram擴展閱讀：
存儲器的概念很廣，在集成電路中畢汪，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。
計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
參考資料：存儲器 網路
⑵ 內存類型中SRAM和DRAM什麼區別
SRAM存儲元件所用和伍MOS管多，占矽片面積大，因而功耗大，集成度低；DRAM存儲元件所用MOS管少，占矽片面積小，因而功耗小，集成度很高悄棚腔；
SRAM採用一個正負反饋觸發器電路來存儲信息，所以只要直流供電電源一直加在電路上，就能一直保持記憶狀態不變，所以無需刷新。DRAM採用電容存儲電荷來存儲信息，會發生漏電現象，所以要使狀態保持不變，必須定時刷新；因為讀操作會使狀態發生改變，故需讀後再生。
SRAM不會因為讀操作而使狀態發生改變，故無需讀後再生，特別是它的讀寫速度快，其存儲原理可看作是對帶時鍾的RS觸發器的讀寫過程。DRAM因為啟衫特別是它的讀寫速度相對SRAM元件要慢的多，其存儲原理可看作是對電容充、放電的過程。
SRAM價格比較昂貴，因而適合做高速小容量的半導體存儲器，如Cache。相比於SRAM、DRAM價格較低，因而適合做慢速大容量的半導體存儲器，如主存。有三種刷新方式：集中、分散和非同步。
(2)存儲的分類dram擴展閱讀：
靜態隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。
⑶ 內存有什麼分類
內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什麼樣的頻率正常工作。那麼內存的分類是什麼?下面跟著我一起來了解下吧。
內存有什麼分類
內存其實是一組或多組具備數據輸入/輸出和數據存儲功能的集成電路。按照其工作原理可分為RAM和ROM兩大類;從功能的角度，又可以分為主存儲器、高速緩沖存儲器(Cache)和 BIOS 存儲器三種。
按工作原理分類
按照內存的工作原理可將內存分為RAM和ROM兩大類。下面分別進行介紹。
(1)RAM
RAM(RandomAccessMemory，隨機存取存儲器)存儲的內容可以通過指令隨機讀寫訪問。RAM由半導體存儲器組成，當系統運行時，將所需的指令和數據從外部存儲器(如硬碟、軟盤、光碟等)調入內存，CPU再從內存中讀取指令或數據進行處理，並將結見存入內存，所以RAM既能讀又能寫。RAM中存儲的數據在關機或斷電後將自動丟失，因而只能在開機運行時存儲數裾。RAM又分靜態存儲器SRAM、動態存儲器DRAM和磁性內存MRAM三種。
&;SRAM
SRAM以雙穩態電路形式存儲數據，這種電路可視為一個開關，對應兩個狀態1和0。由於開關的轉換由電路控制，所以只要電路不動，狀態就不會改變。由於SRAM集成度低、體積大和造價高，從成本和體積考慮，內存不宜全部採用SRAM，但由於晶體管的開關速度很快，因此SRAM的讀巧速度也很快，通常將其作為Cache。
②DRAM
DRAM通過MOS(金屬氧化物半導體)電容存儲電荷來儲存信息，具有結構簡單、集成度高、功耗低、體積小、生產成本低、便於大容量製造的特點，在計算機主存儲器中得以大量應用。
常見的DRAM內存根椐製造工藝和性能參數等各方面的差異，可分為以下幾種。
•SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態隨機存儲器)：採用同步技術，工作頻率與系統的外頻相同，因此在一定程序上提高了性能。隨著其他硬體能力的快速提高，SDRAM逐漸暴露出其弱點，因此將被DDRSDRAM所取代(如圖1所示為SDRAM內存)。
•DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,即雙倍速率同步動態隨機存儲器)：習慣上稱之為DDR，其核心建立在SDRAM的基礎之上，只是在速率和容量上有所提高。DDR本質上並沒有提髙時鍾頻率，但是它可以在時鍾脈沖的上升沿和下降沿同時傳輸數據，因此其速度是標准SDRAM的兩倍(如圖2所示為DDRSDRAM內存)。
•DDR-II：DDR-II內存是DDR-1內存的換代產品，DDR-1I內存最早出現在高端顯卡上，因為品存對傳輸帶寬的需求比較高，因此使用了這種能夠提供更高帶寬的內存。DDR-II和DDR—樣，採用了在時鍾的上升沿和下降沿同時進行數據傳輸的基木方式，但DDR-II內存可進行4bit預讀取，是標准DDR內存的兩倍，這就意味著，DDR-II比DDR的預讀取系統數據速度高兩倍。DDR-II內存頻率從533MHz開始，現在主要有533/667/800MHZ三類產品。DDR-II採用240線DIMM介面標准，因此完全不兼容DDR的184線DIMM介面標准，現有DDR標准介面的主板無法使用DDR-II內存(如圖3所示為DDR-II內存)。
(2)ROM
ROM(Read Only Memory,只讀存儲器)，是一種半導體電路，通過掩模藝一次件製造，使用時只能從中讀取信息而不能寫入信息。ROM的特點是價格高並且容最小，但由於其與有斷電後數據可保持不變的優點，常用於存放一次性寫入的程序或數據，例如，主板上保存BIOS程序的晶元就是ROM存儲器。
ROM存儲器可分為四種，即普通ROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory。早期主板上的BIOS使用的是普通ROM，只能一次性寫入，其中的內容不可改變。其後BIOS使用EPROM製造，即可擦寫可編程只讀存儲器。這種ROM使用紫外線掃描的 方法 擦除和改寫其中的信息。而後開始使用EEPROM製造，即電可擦寫可編程只讀存儲器。這種ROM可以用電子掃描的方法來改變存儲器中的內容。目前，主板上的BIOS多使用Flash Memory製造，簡稱快閃記憶體，這種存儲器可以直接通過調節主板上的電壓來對BIOS進行升級操作。
£按功能分類
內存儲器從功能上可分為主存儲器、Cache和BIOS存儲器。
•主存儲器：是內存中最主要和容量最入的存儲器。它用來存儲計箅機運行過程中的程序和數據，因此其容量越大越好。
•Cache：商速緩沖存儲器，它是位於CPU和主存儲器之間並且容量較小，但速度很快的存儲器。由於CPU運算速度要比內存讀寫速度快很多，閃此如果CPU直接從內存讀取數據或把數據寫入內存時則會花費大最時間，而系統可以把正在執行的指令地址附近的一部分指令或這者數據從主存調入Cache,供CPU在一段時間內使用，這樣就能相對提高CPU的運箅速度。
隨著計算機技術的發展，CPU晶元中也集成了Cache，稱為LI Cache(一級緩存)，其速度高，容量小，一般僅為兒百KB;安裝於主板上的Cache則稱為L2 Cache(二級緩存)，有較大的容量，從256KB到2MB不等;Pentium II以後的CPU則將L2 Cache與CPU內核一起封裝在一隻金屬盒內，或荇直接把L2Cache集成到CPU晶元內(如Celeron CPU)，進而提高速度，因此卞板上的Cache就稱為L3 Cache(三級緩存)。
•BIOS存儲器：它是用來存放BIOS(基木輸入/輸出系統)程序的存儲器，如圖4所示。由於BIOS中的數據和程序非常重要，不允許修改，因此一般情況下都採用ROM型存儲器晶元。
⑷ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
⑸ 存儲器的分類
計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器和輔助存儲器，也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。
⑹ 計算機內存（DRAM）的分類
計算機的內存條是指RAM
DRAM(動態隨機存儲器)屬於RAM
RAM一般分為兩大類型：SRAM(靜態隨機存儲器)和DRAM(動態隨機存儲器)。
DRAM主要製造成計算機中的內存條
當計算機運行時，所需的指令和數據將從外部存儲器(如硬碟、軟盤、光碟等)調入(或者稱為「讀入」)內存中，CPU再從內存中讀取指令或數據進行運算，並將運算結果存入內存中，所以RAM是既能讀又能寫的「隨機存取存儲器」。通常所說的「內存」就是指RAM
⑺ 按存儲內容內存分為哪幾種
經常見到的內存按出現的先後為：EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。
而實際上內存種類很多。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）：
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
⑻ 計算機存儲器的分類
計算機存儲器可以根據存儲能力與電源的關系可以分為以下兩類：
一、易失性存儲器（Volatilememory)是指當電源供應中斷後，存儲器所存儲的數據便會消失的存儲器。主要有以下的類型：
1、動態隨機訪問存儲器，英文縮寫寫作DRAM，一般每個單元由一個晶體管和一個電容組成（後者在集成電路上可以用兩個晶體管模擬）。
特點是單元佔用資源和空間小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般計算機內存即由DRAM組成。在PC上，DRAM以內存條的方式出現，DRAM顆粒多為4位或8位位寬，而載有多個顆粒的單根內存條的位寬為64位。
2、靜態隨機存取存儲器，英文縮寫寫作SRAM，一般每個單元由6個晶體管組成，但近來也出現由8個晶體管構成的SRAM單元。特點是速度快，但單元佔用資源比DRAM多。一般CPU和GPU的緩存即由SRAM構成。
二、非易失性存儲器（Non-volatilememory）是指即使電源供應中斷扮升，存儲器所存儲的數據並不會消失，重新供電後，就能夠讀取存儲橡缺差器中的數據。主要種類如下：
1、只讀存儲器：可編程只讀存儲器、可擦除可規劃式只讀存儲器、電子抹除式可復寫只讀存儲器
2、快閃記憶體
3、磁碟：硬碟、軟盤、磁帶
(8)存儲的分類dram擴展閱讀：
存儲器以二進制計算容量，基本單位是梁皮Byte：
1KiB=1,024B=210B
81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B
1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B
根據電氣電子工程師協會（IEEE1541）和歐洲聯盟(HD60027-2:2003-03)的標准，二進制乘數詞頭的縮寫為「Ki」、「Mi」、「Gi」，以避免與SIUnit國際單位制混淆。
但二進制乘數詞頭沒有廣泛被製造業和個人採用，標示為4GB的內存實際上已經是4GiB，但標示為4.7GB的DVD實際上是4.37GiB。
對於32位的操作系統，最多可使用232個地址，即是4GiB。物理地址擴展可以讓處理器在32位操作系統訪問超過4GiB存儲器，發展64位處理器則是根本的解決方法，但操作系統、驅動程序和應用程序都會有兼容性問題。
⑼ DRAM是什麼
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
dram就是存儲晶元的產業。也就是生產台式、手提、平板電腦和手機等上的內存的相關產業。