存儲信息的硬碟使用的是硬磁性材料。
硬磁性材料也就是永磁體指磁化後能長久保持磁性的材料 常見的有高碳鋼，鋁鎳鈷合金，鈦鈷合金 還應用於磁記錄，如錄音磁帶，錄象磁帶，電腦磁碟粉等。
軟磁性材料指磁化後，不能保持原有的磁性。如軟鐵，硅鋼，鐵鎳合金等。用來製造變壓器，電磁鐵等。
硬磁性材料的特點是：
1）具有較大的矯頑力，典型值Hc=104～106A/m。
2）磁滯回線較粗，具有較高的最大磁能積(BH)max。
3）剩磁很大。
4）這種材料充磁後不易退磁，適合做永久磁鐵。
5） 硬磁性材料如碳鋼、鋁鎳鈷合金和鋁鋼等。
矯頑磁力大，這意味著磁滯回線包圍的面積較大，磁滯特性非常明顯。把硬磁性材料放在外磁場中充磁後，若將外磁場撤除，仍然能保留較強的磁性，並且這種剩餘磁性不易被消除。
⑵ 為什麼當前計算機內存儲器使用的是一種具有信息存儲能力的磁性材料 這句話是錯的
因為一般常用的微型計算機的存儲器有磁芯存儲器和半導體存儲器，微型機的內存都採用半導體存儲器,
而現在磁芯存儲器已被微型集成電路塊上的半導體存儲器所取代
半導體存儲器就是用半導體集成電路完成的
我們也知道計算機存儲的時候只有0和1,為什麼呢?因為半導體集成電路是將晶體管，二極體等等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯，「集成」在一塊半導體單晶片上，從而完成特定的電路或者系統功能。
說簡單點就像控制開關一樣,所以並不是將信息存儲到什麼磁性材料上
⑶ 磁存儲技術的磁存儲信息
在磁存儲中信息的記錄與讀出原理是磁致電阻效應。磁致電阻磁頭的核心是一片金屬材料，其電阻隨磁場變化而變化。磁頭採用分離式設計，由感應磁頭寫，磁致電阻磁頭讀。
1．1記錄過程在硬磁碟中寫入信息，採用的是感應式薄膜磁頭，即用的是高磁感應強度的薄膜材料加平板印刷工藝的磁頭結構。磁頭縫隙小於0．1um，切向記錄長度小於0．076um。磁頭寬度較大，道間距也較大，道密度和位密度有很大差別， 目的是為了使磁頭場具有較大的均勻區，減小介質不均勻磁化帶來的雜訊。目前硬碟記錄中的位間距已經很小，進一步增大記錄密度，除提高材料性能外，主要是採用先進製造技術按比例縮小縫隙長度和磁軌寬度。較窄的磁軌和較小的縫隙將使記錄磁場變小。此外，提高記錄介質的各向異性常數，就能提高介質的矯頑力，改善高密度記錄時的熱穩定性。
1．2讀出過程讀出過程採用巨磁電阻GMR(GianMagneto Resistance)磁頭，包括磁性自旋閥(MagneticSpin Valve)與磁性隧道結(Magnetic Tunnel Junction)結構。磁性自旋閥結構為三明治式，即在兩個低矯頑力磁性層中間夾一個非磁性材料層。其中一個磁性層被另外一層反鐵磁層(FeMn等)所固定，稱為固定層，另一磁性層為自由層。磁性隧道結結構與磁性自旋閥相似，差別為有一層超薄的「絕緣」非磁性材料(AI203等)分割磁性自由層和固定層。在目前的各種高性能硬磁碟驅動器中，巨磁電阻磁頭應用較廣的是以電流方向在平面內的CIP(Current．In．Plane)型磁頭，尤其是採用納米氧化層的CIP．GMR薄膜，面記錄密度可達200Gb/in2。進一步研製電流垂直於平面的巨磁電阻薄膜CPP—GMR。採用CPP．GMR磁頭和垂直記錄技術，可實現300Gb/in2的記錄密度。
隧道型磁電阻磁頭TMR有望成為下一代高密度讀出元件的一種磁頭。2007年9月，美國Seagate公司採用隧道結磁頭的第四代DB35系列產品，硬碟容量已達1TB。
⑷ 計算機存儲介質一磁碟用的是哪種磁性材料為什麼
根據存儲元件的性能及使用方法不同，存儲器有各種不同的分類方法。
1.按存儲介質分類
作為存儲介質的基本要求，必須具備能夠顯示兩個有明顯區別的物理狀態的性能，分別用來表示二進制的代碼0和1。另一方面，存儲器的存取速度又取決於這種物理狀態的改變速度。目前使用的存儲介質主要是半導體器件和磁性材料，用半導體器件組成的存儲器稱為半導體存儲器。用磁性材料做成的存儲器稱為磁表面存儲器，例如磁碟存儲器和磁帶存儲器。
2.按存取方式分類
如果存儲器中任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關，這種存儲器稱為隨機存儲器。半導體存儲器和磁芯存儲器都是隨機存儲器。如果存儲器只能按某種順序來存取，也就是說存取時間和存儲單元的物理位置無關，這種存儲器稱為順序存儲器。例如，磁帶存儲器就是順序存儲器。一般來說，順序存儲器的存取周期較長。磁碟存儲器是半順序存儲器。
3.按存儲器的讀寫功能分類
有些半導體存儲器存儲的內容是固定不變的，即只能讀出而不能寫入，因此這種半導體存儲器稱為只讀存儲器 (ROM)。既能讀出又能寫入的半導體存儲器，稱為隨機存儲器 (RAM)。
4.按信息的可保存性分類
斷電後信息即消失的存儲器，稱為非永久記憶的存儲器。斷電後仍能保存信息的存儲器，稱為永久性記憶的存儲器。磁性材料做成的存儲器是永久性存儲器，半導體讀寫存儲器RAM是非永久性存儲器。
5.按串、並行存取方式分類
目前使用的半導體存儲器大多為並行存取方式，但也有以串列存取方式工作的存儲器，如電耦合器件 (CCD)、串列移位寄存器和鎳延遲線構成的存儲器等。
6.按在計算機系統中的作用分類
根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、緩沖存儲器、控制存儲器等