❶ 單片機能存儲多大的數據
2M的數據在51單片機內是沒法保存的，只能外部擴展存儲器了。像用AT29C040這樣512KB的ROM需要4片，所以還是建議你考慮一下使用NandFlash吧，比如K9F1208晶元，64MB的容量足夠你用的吧？不過需要注意，K9F1208是3.3V工作的，那你需要使用3.3V的單片機來運行。
❷ 運行內存6g和8g的區別
運行內存6g和8g的區別：
性能：8GB運行內存運行速度快。
數據傳輸速度：8GB系統比6GB系統快。8G在數據傳輸中可以更快的存儲傳輸數據，游戲和軟體的使用將更加順暢。
內存利用率，當軟體頻繁開啟，6G運行內存的利用率會增加。
運行內存的大小直接決定了系統能運行多少程序，運行內存越大，系統運行程序越快。內存的發展與處理器工藝與系統優化程度是密切相關的。 如果處理器性能本身跟不上，或是系統優化效果不佳，就算是配備了更大的內存也是一種資源浪費。
相關信息
存儲陣列中任意位置的存儲單元都能以隨機次序迅速地寫入和讀出數據的存儲器。是計算機保存操作系統、應用程序和用戶數據的地方，與硬碟或其他存儲設備不同，它可以使處理器更為迅速獲得數據，但是關機後在RAM中存儲的數據將全部丟失。
用戶再次開機時，計算機將自動將操作系統和其他文件（通常由硬碟）再次裝載入RAM。RAM類似於人的短期記憶，硬碟類似於人的長期記憶。短期記憶針對當前的工作，可以同時存儲許多數據。長期記憶可被短期記需要刷新。
❸ 運行內存6g和8g的區別
1、性能不同。
8G的運行內存能夠存儲的內容和用於交換的內存更加的充足，運行的速度比6G的內存要快，所以說8G的運行內存比6G的運行內存性能更優越。
2、數據的傳輸速度。
8G的運行內存比6G的內存多出了2G的內存，用於物理頁置換的內存更多，有了富餘的存儲空間，調入內存的數據訪問的速度比在物理存儲上的快，所以數據的傳輸速度更快。
3、內存的利用率。
當運行的程序越來越多時，6G內存的利用率會增加，導致運行的速度變慢，8G的運行內存相較於6G運行內存大額利用率增大。
(3)鐵電存儲器最大多少擴展閱讀：
通常採用隨機存儲器（RAM）來作為運行內存，是電腦內部最重要的的存儲器，用來載入各式各樣的程序與資料以供CPU（中央處理器）直接運行與運用。
由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦運行內存的最主要部分。
運行內存是外存與CPU進行溝通的橋梁，計算機中所有程序的運行都在內存中進行。
運行內存主要有兩種隨機存儲器和只讀存儲器構成，其中的只讀存儲器放計算機的基本程序和數據，如BIOSROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。隨機存儲器（RAM）才是真正的用戶運行時交換的內存。
參考資料來源：網路-內存
❹ 電腦內存6g和8g區別大嗎
根據普通用戶需求，6G和8G內存幾乎沒區別；但對於專業用戶，區別很大。具體區別如下：
1、性能：8g內存性能運行更快。游戲和軟體的使用會更流暢。
2、數據傳輸速度：8GB系統比6GB系統快，在數據傳輸上8g能存能更快的傳輸數據，
3、內存使用率：6g內存的使用率會在頻繁開啟軟體升高使用率導致電腦運行變慢。
(4)鐵電存儲器最大多少擴展閱讀：
電腦內存分類：
1、SRAM：
SRAM（Static RAM）意為靜態隨機存儲器。SRAM數據不需要通過不斷地刷新來保存，因此速度比DRAM（動態隨機存儲器）快得多。但是SRAM具有的缺點是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。
2、RDRAM：
RDRAM是由RAMBUS公司推出的內存。RDRAM內存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運行頻率，性能非常強。然而它是一個非開放的技術，內存廠商需要向RAMBUS公司支付授權費。並且RAMBUS內存的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閑的插槽必須使用終結器。
3、XDR RAM：XDR內存是RDRAM的升級版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是「eXtreme Data Rate」的縮寫。XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內存的應用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機。
4、Fe-RAM：
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。由於數據是通過鐵元素的磁性進行存儲，因此，鐵電存儲器無需不斷刷新數據。其運行速度將會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業界認為是SDRAM的最有可能的替代者。
❺ CPU-Z裡面內存里的DC模式是什麼意思
DC模式意思為、Dual Channel。Dual Channel是關於電腦記憶體的一種技術，最早使用此技術的記憶體是RDRam。
DC模式可理解為「打開雙通道的方式」。一般在CPU-Z中的顯示有灰色不可見、「對稱」、「不對稱」、「單通道+」等方式。DC模式在部分Intel晶元組的主板上是灰色的，原因是Intel的晶元組只支持對稱雙通道同步模式。
(5)鐵電存儲器最大多少擴展閱讀：
在DDR Ram發展中期，內存帶寬開始出現瓶頸。原因是FSB帶寬比內存帶寬大得多，而處理器處理完的數據不能即時轉入內存，造成處理器性能得不到完全發揮。基於此,晶元組廠商引入雙通道內存技術。單條DDR內存是64位元帶寬,而兩條則是雙倍，128位元。內存瓶頸得以緩解。
注:若晶元組只支援單通道內存，就算插入兩條DDR內存也都是單通道內存，不會變成雙通道內存的。
引入雙通道內存技術的第一家晶元組廠商是nVidia。但當時AMD處理器的FSB帶寬不是很大，雙通道內存的效能提升作用輕微。
期後Intel將DDR雙通道內存技術引入，配合Xeon,晶元組名為E7205。它支援DDR266雙通道內存。用DDR的價錢，得到RDRam的效能。而主板廠將之支援Pentium 4。
畢竟是伺服器平台產品,價格比較貴。而SiS的SiS 655出現,使DDR雙通道成了平民化的技術。由於支援DDR333雙通道內存，效能比E7205更高,價錢更低。
而最經典的應該是i865PE了，支援DDR400雙通道內存，800MHz FSB的Pentium 4。 而i915P亦新增支援DDR-II 533雙通道內存。 最新的975X更支援DDR-II 667雙通道內存。
AMD平台方面，nVidia憑nForce 2 Ultra 400支援DDR400雙通道內存，成為當時AMD平台性能最佳的晶元組，更擊敗VIA的皇者地位。隨後AMD的Athlon 64系列處理器亦內建了DDR400雙通道內存控制器。
❻ 誰能給我講講FRAM產品是容量越大越好嗎最好能舉個例子對照著給我講！
FRAM就是鐵電存儲器，運用了鐵電效應，是一種高性能的非易失性存儲器，結合了傳統非易失性存儲器（快閃記憶體和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的優點, 在高速寫入、高耐受力、低功耗和防竄改方面具有優勢。
以富士通的V系列的FRAM產品MB85RC256V為例:
256Kb存儲容量基本能滿足很多領域的要求,不過具體選用多大容量的FRAM要看每種領域的具體要求；1012次的讀寫次數，這個是凸顯它的卓越的讀寫能力的，比較適合需要頻繁更新數據的領域, 1012 次讀寫次數基本上已經能滿足當今所有領域的要求；+85度數據能保存10年，這個應該說是FRAM的一個亮點，比較適合需要長期存儲數據的領域；每一個FRAM都會有電壓范圍，不同電壓范圍適合不同領域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作電壓范圍就比較適合工業控制領域。
當然在這里不能給你一一舉例子，相信隨著你的學習，你會發現FRAM其實是個很簡單的東西，知道原理後，做應用就會變得很容易。
❼ 電阻電容的問題，。幫菜鳥的忙。
電阻一般來說有兩個參數值 一個是電阻值, 一個是功率值.
電阻值就是當這個電阻被接入到電路當的時候,這個電阻的阻值.一般都是明確標出來得.電阻的單位是歐姆 1000歐=1k歐 1000k歐=1m歐 在電路中嚴格遵循歐姆定律的規律.
另外一個值就是功率,這是一個很容易被人們忽略的問題,因為一般的低功率模擬電路 或者數字電路當中的電流通常非常的小,所以電阻的作用一般都是用來分壓的,因為電流相當的小,所以根本不用考慮功率的問題.而在實驗物理或者大功率電路當中經常需要那種大功率的放電電阻,這樣的電阻本身就是個大的用電器,用來把電能量轉化成熱能,這個時候就要考慮電阻的功率了,電阻的功率是指電阻的最大放電功率,比如一個1000w 的放電電阻,表示他的最大轉換功率就是1000w 如果超過了這個功率,那麼很容易燒毀.
所以說你說的那個四分之一瓦,就是電阻兩個基本參數當中的一個而已.
再說偏差,電阻在出廠的時候其真正的電阻值其實並不跟他標簽上標明的數值完全一樣,只要是產品都會有誤差,就是你所說的偏差,根據電阻的用途不同對電阻的偏差大小也不同,比如一般的功率電路當中的電阻誤差大點小點都無所謂,但是比如太空梭,電腦cpu之類的高精度設備當中的電阻就要求精度相當的高,比如他說你的電阻的偏差級別是k的話 那麼他標明是500k的電阻 的真實電阻上下也就相差幾k左右.
具體的電阻符號參數你可以看看這些連接
http://wdx.hnist.cn/dgdz/ShowArticle.asp?ArticleID=1028
http://wiki.keyin.cn/index.php?title=%E7%94%B5%E9%98%BB%E5%99%A8#.E9.98.BB.E5.80.BC.E5.92.8C.E8.AF.AF.E5.B7.AE.E7.9A.84.E6.A0.87.E6.B3.A8.E6.96.B9.E6.B3.95
❽ 胰島素泵哪個牌子的好
相信糖友對胰島素泵並不陌生，作為目前控糖最先進最安全的工具，胰島素泵不僅攜帶方便能增加糖友生活的自由度，而且輸注精確度高，控制血糖很有效，它已逐漸成為糖友控糖首選的工具。
市場上胰島素泵品牌眾多，今天穩糖APP挑選最常見的十大胰島素泵品牌，做簡單介紹，幫助糖友更全面的了解胰島素泵
以下排名不分先後，文中胰島素泵報價皆為廠家定價，不代表實際成交價
1、美敦力胰島素泵
大名鼎鼎的美敦力，目前國內在售最貴的一款胰島素泵就是美敦力722了，廠家定價89800元！！！剩下的兩款美敦力712、美敦力易泵也分別以59800、39800的高價甩出同類胰島素泵一大截。
美敦力胰島素泵輸注精確度可達0.05，基礎率可設48段，雙波、方波輸注...
但是價格確實太貴，很多糖友承擔不起！
2、丹納胰島素泵
丹納胰島素泵的價格比美敦力親民許多，丹納IIS和丹納R泵廠家報價分別是32800和56800，比起美敦力保修4年，丹納胰島素泵的保修時間是6年，功能也包括了大劑量、雙波方波等，輸注精度更厲害了，可精確到0.01。
與美敦力同為進口胰島素泵，丹納胰島素泵的實力不可小覷！
3、羅氏胰島素泵
羅氏胰島素泵已經退出中國，目前中國不售。穩糖APP不建議糖友購買水貨，一來是售後保修難以解決，二來水貨的安全性無法保證。
4、優泵胰島素泵
國產優泵胰島素泵字體大好操作、耗材便宜，是很適合老年糖友的一款胰島素泵，價錢方面比進口胰島素泵便宜很多，優泵PH300 C廠家定價23800元，優泵PH300定價32800元，優泵藍牙版廠家定價39800元。
總體來說，優泵胰島素泵便宜耗材也實惠，功能和使用方面也無可挑剔。
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5、邁世通胰島素泵
邁世通曾經有市面上最便宜的胰島素泵，廠家定價12800（目前停產），新款胰島素泵欲定價33800，不知道比老款新增了哪些功能，至於效果如何一起期待下吧
6、智凱胰島素泵
智凱胰島素泵廠家報價39800，這價格在同類胰島素泵中屬中等水平，它有常規、方波、雙波三種大劑量輸注模式。
7、火鳳凰胰島素泵
火鳳凰胰島素泵在國產胰島素泵屬小眾胰島素泵，火鳳凰廠家報價25700。
8、福尼亞胰島素泵
福尼亞胰島素泵有三款分別是：福尼亞1代定價 23800元，福尼亞4代胰島素泵26800元、福尼亞新二代胰島素泵39800元，輸注准確度可達萬分之五毫升。
9、維凱胰島素泵
維凱也是進口韓國的胰島素泵，但是丹納的市場佔有率太強了，維凱基本處於完全被壓制的狀態，如此一來維凱也退出了中國市場。
10、微泰胰島素泵
微泰胰島素泵自詡是貼敷式的智能泵，據稱廠家報價28800，但是裝葯只能承受200單位，雖然無導管，但是耗材比別的胰島素泵多了個底板，耗材花費甚至比同類國產胰島素泵還貴。
微泰發展時間太短了，如今美敦力已經有閉環胰島素泵，進入中國只是時間的問題，貼敷式智能泵能走多遠，未可知！
胰島素泵是一項長期投入，選擇合適又實惠的胰島素泵能減輕自己的經濟壓力又能控制血糖。關於胰島素泵的操作和最新資訊，可詳詢「穩糖APP
❾ stc單片機讀寫EEPROM，我要寫一個數組，數組很大，怎麼樣能很快的一下就能讀出其中的值，比較快，
有幾點建議：
1.一般的EEPROM有兩種介面：I2C和SPI，並行的反正我沒用過。如果是I2C一般情況下有100KHz和400KHz，當然還有1MHz甚至更高的（例如Ramtron的FM系列鐵電存儲器），所以只要可能，要選擇通訊速率盡量高的EEPROM，或者在不影響通訊成功率的情況下，盡量提高一些通訊速度。方法一適當減小上拉電阻值以提高上下沿變化速度；二是優化底層的驅動代碼，盡量做到能不延時的不延時（通過查看匯編代碼仔細計算時鍾數）。
2.由於EEPROM的共性，一次寫操作完成最後要延時5ms左右讓數據寫入單元中，但是不是每寫一個位元組都要延時呢？不是的。EEPROM可以連續寫，例如16位元組（具體大小要看你的EEPROM型號），這樣就可以寫入16位元組後只延時5ms，不但節省了15個START、STOP和寫地址，還節省了15個5ms，大大加快了寫的過程！
3.雖然EEPROM讀可以不需要延時，但通過連續讀，也可以省去一些I2C匯流排定址的時間。
4.如果你是想寫進EEPROM後立刻讀出，則可能通過小間隔時間連續測試I2C設備是否就緒的方法，而不是延時的方法判斷EEPROM是否已經寫入的晶元，從而又節省一些時間。
5.由於連續寫和連續讀，所以需要一定量的緩沖區，根據你的單片機RAM、數據量、EEPROM可以連續讀、寫的大小合理地選擇緩沖區。
另外.如果你是用STC單片機內部的EEPROM功能，這就不是太好處理了。它實際上是用它內部的Flash來模擬EEPROM，所以帶有一些FLASH的影子在裡面（例如有扇區擦除，只能將1寫成0等）。這方面要快速讀寫可以參照STC的數據表中常式說明進行優化。
❿ 筆記本內存6G和8G有什麼差別
筆記本內存6G和8G區別：
1、性能：8g內存性能運行更快。游戲和軟體的使用將更加順暢。
2、數據傳輸速度：8GB系統比6GB系統快，8g在數據傳輸上可以更快地存儲和傳輸數據。
3、內存使用率：當軟體頻繁開啟時，6G內存的使用率會增加，導致計算機運行緩慢。
(10)鐵電存儲器最大多少擴展閱讀：
電腦內存分類：
1、SRAM：
SRAM（StaticRAM）意為靜態隨機存儲器。
SRAM數據不需要通過不斷地刷新來保存，因此速度比DRAM（動態隨機存儲器）快得多。
但是SRAM具有的缺點是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。
2、RDRAM：
RDRAM是由RAMBUS公司推出的內存。
RDRAM內存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運行頻率，性能非常強。
然而它是一個非開放的技術，內存廠商需要向RAMBUS公司支付授權費。並且RAMBUS內存的另一大問題是不允許空通道的存在，必須成對使用，空閑的插槽必須使用終結器。
3、XDRRAM：
XDR內存是RDRAM的升級版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是「eXtremeDataRate」的縮寫。
XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內存的應用依舊非常有限。比較常見的只有索尼的PS3游戲機。
4、Fe－RAM：
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。
由於數據是通過鐵元素的磁性進行存儲，因此，鐵電存儲器無需不斷刷新數據。其運行速度將會非常樂觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業界認為是SDRAM的最有可能的替代者。