1. 內存條的發展史！
內存發展史
在了解內存的發展之前，我們應該先解釋一下幾個常用詞彙，這將有助於我們加強對內存的理解。
RAM就是RandomAccessMemory（隨機存貯器）的縮寫。它又分成兩種StaticRAM（靜態隨機存貯器）和DynamicRAM（動態隨機存貯器）。
SRAM曾經是一種主要的內存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存數據不丟失。它以雙穩態電路形式存儲數據，結構復雜，內部需要使用更多的晶體管構成寄存器以保存數據，所以它採用的矽片面積相當大，製造成本也相當高，所以現在只能把SRAM用在比主內存小的多的高速緩存上。隨著Intel將L2高速緩存整合入CPU（從Medocino開始）後，SRAM失去了最大應用需求來源，還好在行動電話從模擬轉向數字的發展趨勢中，終於為具有省電優勢的SRAM尋得了另一個需求成長的契機，再加上網路伺服器、路由器等的需求激勵，才使得SRAM市場勉強得以繼續成長。
DRAM，顧名思義即動態RAM。DRAM的結構比起SRAM來說要簡單的多，基本結構是一隻MOS管和一個電容構成。具有結構簡單、集成度高、功耗低、生產成本低等優點，適合製造大容量存儲器，所以現在我們用的內存大多是由DRAM構成的。所以下面主要介紹DRAM內存。在詳細說明DRAM存儲器前首先要說一下同步的概念，根據內存的訪問方式可分為兩種：同步內存和非同步內存。區分的標準是看它們能不能和系統時鍾同步。內存控制電路（在主板的晶元組中，一般在北橋晶元組中）發出行地址選擇信號（RAS）和列地址選擇信號（CAS）來指定哪一塊存儲體將被訪問。在SDRAM之前的EDO內存就採用這種方式。讀取數據所用的時間用納秒錶示。當系統的速度逐漸增加，特別是當66MHz頻率成為匯流排標准時，EDO內存的速度就顯得很慢了，CPU總要等待內存的數據，嚴重影響了性能，內存成了一個很大的瓶頸。因此出現了同步系統時鍾頻率的SDRAM。DRAM的分類FPDRAM：又叫快頁內存，在386時代很流行。因為DRAM需要恆電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失。它的刷新頻率每秒鍾可達幾百次，但由於FPDRAM使用同一電路來存取數據，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度並不是很快。另外，在DRAM中，由於存儲地址空間是按頁排列的，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會佔用CPU額外的時鍾周期。其介面多為72線的SIMM類型。EDODRAM：EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外擴充數據模式存儲器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，其介面方式多為72線的SIMM類型，但也有168線的DIMM類型。EDODRAM這種內存流行在486以及早期的奔騰電腦上。當前的標準是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步於系統時鍾頻率的。SDRAM內存訪問採用突發（burst）模式，它和原理是，SDRAM在現有的標准動態存儲器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鍾同步所有的地址數據和控制信號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。在功能上，它類似常規的DRAM，也需時鍾進行刷新。可以說，SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而適應高速系統的需要的呢？我們知道，原先我們使用的動態存儲器技術都是建立在非同步控制基礎上的。系統在使用這些非同步動態存儲器時需插入一些等待狀態來適應非同步動態存儲器的本身需要，這時，指令的執行時間往往是由內存的速度、而非系統本身能夠達到的最高速率來決定。例如，當將連續數據存入CACHE時，一個速度為60ns的快頁內存需要40ns的頁循環時間；當系統速度運行在100MHz時(一個時鍾周期10ns)，每執行一次數據存取，即需要等待4個時鍾周期！而使用SDRAM，由於其同步特性，則可避免這一時。SDRAM結構的另一大特點是其支持DRAM的兩列地址同時打開。兩個打開的存儲體間的內存存取可以交叉進行，一般的如預置或激活列可以隱藏在存儲體存取過程中，即允許在一個存儲體讀或寫的同時，令一存儲體進行預置。按此進行，100MHz的無縫數據速率可在整個器件讀或寫中實現。因為SDRAM的速度約束著系統的時鍾速度，它的速度是由MHz或ns來計算的。SDRAM的速度至少不能慢於系統的時鍾速度，SDRAM的訪問通常發生在四個連續的突發周期，第一個突發周期需要4個系統時鍾周期，第二到第四個突發周期只需要1個系統時鍾周期。用數字表示如下：4-1-1-1。順便提一下BEDO（BurstEDO）也就是突發EDO內存。實際上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因為Intel的晶元組支持SDRAM，由於INTEL的市場領導地位幫助SDRAM成為市場的標准。
DRAMR的兩種介面類型DRAM主要有兩種介面類型，既早期的SIMM和現在的標准DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryMole的簡寫，即單邊接觸內存模組，這是486及其較早的PC機中常用的內存的介面方式。在更早的PC機中（486以前），多採用30針的SIMM介面，而在Pentium中，應用更多的則是72針的SIMM介面，或者是與DIMM介面類型並存。DIMM是DualIn-LineMemoryMole的簡寫，即雙邊接觸內存模組，也就是說這種類型介面內存的插板的兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，但由於是雙邊的，所以一共有84×2=168線接觸，故而人們經常把這種內存稱為168線內存，而把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。DRAM內存通常為72線，EDO-RAM內存既有72線的，也有168線的，而SDRAM內存通常為168線的。新的內存標准在新的世紀到來之時，也帶來了計算機硬體的重大改變。計算機的製造工藝發展到已經可以把微處理器（CPU）的時鍾頻率提高的一千兆的邊緣。相應的內存也必須跟得上處理器的速度才行。現在有兩個新的標准，DDRSDRAM內存和Rambus內存。它們之間的競爭將會成為PC內存市場競爭的核心。DDRSDRAM代表著一條內存逐漸演化的道路。Rambus則代表著計算機設計上的重大變革。從更遠一點的角度看。DDRSDRAM是一個開放的標准。然而Rambus則是一種專利。它們之間的勝利者將會對計算機製造業產生重大而深遠的影響。
RDRAM在工作頻率上有大幅度的提升，但這一結構的改變，涉及到包括晶元組、DRAM製造、封裝、測試甚至PCB及模組等的全面改變，可謂牽一發而動全身。未來高速DRAM結構的發展究竟如何？
Intel重新整裝再發的820晶元組，是否真能如願以償地讓RDRAM登上主流寶座？PC133SDRAM：PC133SDRAM基本上只是PC100SDRAM的延伸，不論在DRAM製造、封裝、模組、連接器方面，都延續舊有規范，它們的生產設備相同，因此生產成本也幾乎與PC100SDRAM相同。嚴格來說，兩者的差別僅在於相同製程技術下，所多的一道「篩選」程序，將速度可達133MHz的顆粒挑選出來而已。若配合可支持133MHz外頻的晶元組，並提高CPU的前端匯流排頻率（FrontSideBus）到133MHz，便能將DRAM帶寬提高到1GB/sec以上，從而提高整體系統性能。DDR-SDRAM：DDRSDRAM（DoubleDataRateDRAM）或稱之為SDRAMⅡ，由於DDR在時鍾的上升及下降的邊緣都可以傳輸資料，從而使得實際帶寬增加兩倍，大幅提升了其性能／成本比。就實際功能比較來看，由PC133所衍生出的第二代PC266DDRSRAM（133MHz時鍾×2倍數據傳輸＝266MHz帶寬），不僅在InQuest最新測試報告中顯示其性能平均高出Rambus24.4％，在Micron的測試中，其性能亦優於其他的高頻寬解決方案，充份顯示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。DirectRambus-DRAM：RambusDRAM設計與以往DRAM很大的不同之處在於，它的微控制器與一般內存控制器不同，使得晶元組必須重新設計以符合要求，此外，數據通道介面也與一般內存不同，Rambus以2條各8bit寬（含ECC則為9bit）的數據通道（channel）傳輸數據，雖然比SDRAM的64bit窄，但其時鍾頻率卻可高達400MHz，且在時鍾的上升和下降沿都能傳輸數據，因而能達到1.6GB／sec的尖峰帶寬。
各種DRAM規格之綜合比較數據帶寬：從數據帶寬來看，傳統PC100在時鍾頻率為100MHz的情況下，尖峰數據傳輸率可達到800MB／sec。若以先進0.25微米線程製造的DRAM，大都可以「篩選」出時鍾頻率達到133MHz的PC133顆粒，可將尖峰數據傳輸率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及晶元組能配合，就可提高整體系統性能。此外，就DDR而言，由於其在時鍾上升和下降沿都能傳輸數據，所以在相同133MHz的時鍾頻率下，其尖峰數據傳輸將可大幅提高兩倍，達到2.1GB／sec的水準，其性能甚至比現階段Rambus所能達到的1.6GB／sec更高。
傳輸模式：傳統SDRAM採用並列數據傳輸方式，Rambus則採取了比較特別的串列傳輸方式。在串列的傳輸方式之下，資料信號都是一進一出，可以把數據帶寬降為16bit，而且可大幅提高工作時鍾頻率（400MHz），但這也形成了模組在數據傳輸設計上的限制。也就是說，在串接的模式下，如果有其中一個模組損壞、或是形成斷路，便會使整個系統無法正常開機。因此，對採用Rambus內存模組的主機板而言，便必須將三組內存擴充插槽完全插滿，如果Rambus模組不足的話，只有安裝不含RDRAM顆粒的中繼模組（ContinuityRIMMMole；C-RIMM），純粹用來提供信號的串接工作，讓數據的傳輸暢通。模組及PCB的設計：由於Rambus的工作頻率高達400MHz，所以不管是電路設計、線路布局、顆粒封裝及記憶模組的設計等，都和以往SDRAM大為不同。以模組設計而言，RDRAM所構成的記憶模組稱之為RIMM（RambusInMemoryMole），目前的設計可採取4、6、8、12與16顆等不同數目的RDRAM顆粒來組成，雖然引腳數提高到了184隻，但整個模組的長度卻與原有DIMM相當。另外，在設計上，Rambus的每一個傳輸信道所能承載的晶元顆粒數目有限（最多32顆），從而造成RDRAM內存模組容量將有所限制。也就是說，如果已經安裝了一隻含16顆RDARM顆粒的RIMM模組時，若想要再擴充內存，最多隻能再安裝具有16顆RDARM的模組。另外，由於RDARM在高頻下工作將產生高溫，所以RIMM模組在設計時必須加上一層散熱片，也增加了RIMM模組的成本。
顆粒的封裝：DRAM封裝技術從最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。從現在主流SDRAM的模組來看，除了勝創科技首創的TinyBGA技術和樵風科技首創的BLP封裝模式外，絕大多數還是採用TSOP的封裝技術。
隨著DDR、RDRAM的陸續推出，將內存頻率提高到一個更高的水平上，TSOP封裝技術漸漸有些力不從心了，難以滿足DRAM設計上的要求。從Intel力推的RDRAM來看，採用了新一代的μBGA封裝形式，相信未來DDR等其他高速DRAM的封裝也會採取相同或不同的BGA封裝方式。盡管RDRAM在時鍾頻率上有了突破性的進展，有效地提高了整個系統性能，但畢竟在實際使用上，其規格與現階段主流的SDRAM有很大的差異，不僅不兼容於現有系統晶元組而成了Intel一家獨攬的局面。甚至在DRAM模組的設計上，不僅使用了最新一代的BGA封裝方式，甚至在電路板的設計上，都採取用了8層板的嚴格標准，更不用說在測試設備上的龐大投資。使得大多數的DRAM及模組廠商不敢貿然跟進。
再說，由於Rambus是個專利標准，想生產RDRAM的廠商必須先取得Rambus公司的認證，並支付高額的專利費用。不僅加重了各DRAM廠商的成本負擔，而且它們擔心在制定未來新一代的內存標准時會失去原來掌握的規格控制能力。
由於RIMM模組的顆粒最多隻能為32顆，限制了Rambus應用，只能用在入門級伺服器和高級PC上。或許就PC133而言，在性能上無法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技術後，其數據帶寬可達到2.1GB／sec，不僅領先Rambus所能達到的1.6GB／sec標准，而且由於其開放的標准及在兼容性上遠比Rambus高的原故，估計將會對Rambus造成非常大的殺傷力。更何況台灣在威盛與AMD等聯盟的強力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼風喚雨，也成了未知數。至少，在低價PC及網路PC方面，Rambus的市場將會很小。
結論：盡管Intel採取了種種不同的策略布局及對策，要想挽回Rambus的氣勢，但畢竟像Rambus這種具有突破性規格的產品，在先天上便存在有著諸多較難克服的問題。或許Intel可以藉由更改主機板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM與RDRAM共同存在的過渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式來解決技術面上的問題。但一旦涉及規模量產成本的控制問題時，便不是Intel所能一家獨攬的，更何況在網路趨勢下的計算機應用將愈來愈趨於低價化，市場需求面是否對Rambus有興趣，則仍有待考驗。 在供給方面，從NEC獨創的VCMSDRAM規格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大廠對Rambus支持態度已趨保守的情況來看，再加上相關封裝及測試等設備上的投資不足，估計年底之前，Rambus內存模組仍將缺乏與PC133甚至DDR的價格競爭力。就長遠的眼光來看，Rambus架構或許可以成為主流，但應不再會是主導市場的絕對主流，而SDRAM架構（PC133、DDR）在低成本的優勢，以及廣泛的應用領域，應該會有非常不錯的表現。相信未來的DRAM市場，將會是多種結構並存的局面。
具最新消息，可望成為下一世代內存主力的RambusDRAM因晶元組延遲推出，而氣勢稍挫的情況之下，由全球多家半導體與電腦大廠針對DDRSDRAM的標准化，而共同組成的AMII（、）陣營，則決定積極促進比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600與PC2100DDRSDRAM規格的標准化，此舉使得RambusDRAM與DDRSDRAM的內存主導權之爭，邁入新的局面。全球第二大微處理器製造商AMD，決定其Athlon處理器將採用PC266規格的DDRSDRAM，而且決定在今年年中之前，開發支持DDRSDRAM的晶元組，這使DDRSDRAM陣營深受鼓舞。全球內存業者極有可能將未來投資的重心，由RambusDRAM轉向DDRSDRAM。
綜上所述，今年DDRSDRAM的發展勢頭要超過RAMBUS。而且DDRSDRAM的生產成本只有SDRAM的1.3倍，在生產成本上更具優勢。未來除了DDR和RAMBUS外還有其他幾種有希望的內存產品，下面介紹其中的幾種：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步鏈接內存)：SLDRAM也許是在速度上最接近RDRAM的競爭者。SLDRAM是一種增強和擴展的SDRAM架構，它將當前的4體（Bank）結構擴展到16體，並增加了新介面和控制邏輯電路
。SLDRAM像SDRAM一樣使用每個脈沖沿傳輸數據。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel「虛擬信道」是加裝在內存單元與主控晶元上的內存控制部分之間，相當於緩存的一類寄存器。使用VC技術後，當外部對內存進行讀寫操作時，將不再直接對內存晶元中的各個單元進行讀寫操作，而改由VC代理。VC本身所具有的緩存效果也不容小覷，當內存晶元容量為目前最常見的64Mbit時，VC與內存單元之間的帶寬已達1024bit。即便不考慮前/後台並列處理所帶來的速度提升，光是「先把數據從內存單元中移動到高速的VC中後再由外部進行讀寫」這一基本構造本身就很適於提高內存的整體速度。每塊內存晶元中都可以搭載復數的VC，64Mbit的產品中VC總數為16個。不但每個VC均可以分別對應不同的內存主控設備（MemoryMaster，此處指CPU、南橋晶元、各種擴展卡等等），而且在必要時，還可以把多個VC信道捆綁在一起以對應某個佔用帶寬特別大的內存主控設備。因此，在多任務同時執行的情況下，VC-SDRAM也能保證持續地進行高效率的數據傳輸。VC-SDRAM還有一個特點，就是保持了與傳統型SDRAM的管腳兼容，廠家不需要重新進行主板布線設計就能夠使主板支持它。不過由於它與傳統型SDRAM控制方式不同，因此還需要得到控制晶元組的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的晶元組有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。
2. 內存是什麼
內存是主板上重要的部件之一，它是存儲CPU與外圍設備溝通的數據與程序的部件。在主機中，內存所存儲的數據或程序有些是永久的，有些是暫時的，所以內存就有不同形式的功能與作用，而且存儲數據的多少也關系著內存的容量大小，傳送數據的快慢也關系著內存的速度，這些都跟內存的種類與功能有關。現將內存重要的分類介紹如下：
內存的品牌
內存有許多不同的品牌，這些不同的品牌載入於主板上，它們的排列組合就關系著主板的性能和整個系統的穩定性。除了CPU、主板外，內存是一個關鍵的部件。每家廠商對於內存的規格、容量以及電路的特性都有不同的要求，所以對於在主板上使用的內存是否有不良的反應都應留意，尤其是高容量、高速度、新規格的內存，在選用時更應注意其特性，現將世界各國生產內存的廠商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代號：MN
NEC（日本電器）代號：MC
Mitsubishi（三菱）代號： MH
Fujitsu （富士通）代號：MB
Hitachi（日立）代號： HM
Toshiba （東芝）代號： TMM
OkI（沖電氣）代號：MSM
Sharp（夏普）代號： LH
Sanyo（三洋）代號：LC
Seiko（精工）代號：SRM
Sony（索尼）代號：CXK
★美國系列： Motorola （摩托羅拉）代號：MCM
NS（國民半導體）代號： NS
TI（ ?菀瞧鰨┐�牛?TMS
Micron（美光）代號：MT
AMD（美國超微）代號： AM
Performance 代號：P
IDT（艾迪特）代號：IDT
★歐洲系列：Semens（德國西門於）代號：Semens
SGS（義大利湯拇遜）代號：T
★台灣系列：聯華 代號： UMC
茂矽 代號：Mosel（MX）
德基 代號： Texas
矽成 代號：Is
華邦 代號：Winboard
華撇隆 代號：HMC
★韓國系列： Samsung（三星）代號：KM
Goldstar（金星）代號： GOldStar
Hyundai（ 韓國現代）代號： HY
兩種內存新技術動態
為了充分挖掘內存中更多的性能，幾種內存新技術正進入高檔微機。這些新內存的特點是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,擴充數據輸出）DRAM是一種*作效率更高的單周期內存，它在CAS周期處延遲數據的滯留，因為可維持更長的數據有效時間，這樣無需拓寬數據匯流排也增加了帶寬。
EDO內存是目前奔騰機中運用最多的一種內容，這種內存在工作時，允許CPU高效地用上次訪問的尾部覆蓋某次內存訪問的首部；單個內存訪問並沒有更快，但一連串內存訪問的完成時間比標準的快頁模式DRAM要少。
2、同步高速內存
我們常說的高速緩存一般採用非同步SRAM，它的訪問速度相對DRAM來說已大大提高了，但相對CPU來說仍較慢。目前，有一種更新的同步SRAM的高速緩存出現在奔騰機的主板上。例如，在120MHz和更快的奔騰微機的主板上，均採用了Intel的Triton晶元組，該晶元組支持一種稱為流水線突發（pipelined burst）高速緩存的特殊同步高速緩存，其中訪問速度大大地提高。
除了上述兩種新技術外，還有新型的同步DRAM技術和RambusDRAM的系統，這種技術採用25OMHz時鍾速度極快地傳送大批突發數據。
內存的速度
內存的存取速度關系著CPU對內存讀寫的時間，所以不同型號規格的內存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，這些編號後面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。當電腦一啟動時，把BIOS RoM中的程序拷貝至DRAM內，以後CPU直接與較快的DRAM聯絡即可，這就是我們所謂的ShadowRAM。
內存有它不同的規格和速度，在不同電路、不同設備也有不同的單位，現將它的應用說明如下：
ms， Milli Second（毫沙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （納秒）
數據的傳送速度：
以ms為單位，如硬碟的平均存取速度17ms、12ms等。
以us為單位，如DRAM每隔15us更新充電一次。
以ns為單位、如內存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常規內存（Conventional Memory）
常規內存在內存分配表中佔用最前面的位置，從0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共佔640KB的容量。因為它在內存的最前面並且在DOS可管理的內存區，我們又稱之為Low Dos Memory（低DOS內存），或稱為基本內存（Base Memory），使用此空間的程序有BIOS*作系統、DOS*作系統、外圍設備的驅動程序、中斷向量表、一些常駐的程序、空閑可用的內存空間、以及一般的應用軟體等都可在此空間執行。由此可見，在DOS下的應用程序及其*作系統，擠在如此狹窄擁擠的空間里，640KB的容量已經不夠使用，這是因為最早使用的CPU是8088，其定址的地址信號線只有20條線，能夠定址的空間只有lMB，也就是祖先留下的祖產不多，受到先天硬體CPU定址的限制。因此在規劃內存給各個系統以及DOS下的一些套裝應用軟體使用時，在先天內存不足環境下，「省吃儉用」來分配這點內存， MS-DOS可以控制和管理1MB的內存空間，常規內存佔了640KB，其他的384KB保留給BIOS ROM及其他各種擴展卡使用。這640KB的常規內存基本上分兩部分，一部分給各種不同的*作系統程序使用，另一部分給數據、程序的使用。 上位內存（UMB）
3. 如何選擇內存條
256M 正品，有保修
SD系列的－－－－－200以下
DDR266－－－－－230左右
DDR333－－－－－230左右
DDR400－－－－－260左右
DDR533－－－－－300左右
內存是主板上重要的部件之一，它是存儲CPU與外圍設備溝通的數據與程序的部件。在主機中，內存所存儲的數據或程序有些是永久的，有些是暫時的，所以內存就有不同形式的功能與作用，而且存儲數據的多少也關系著內存的容量大小，傳送數據的快慢也關系著內存的速度，這些都跟內存的種類與功能有關。現將內存重要的分類介紹如下：
內存的品牌
內存有許多不同的品牌，這些不同的品牌載入於主板上，它們的排列組合就關系著主板的性能和整個系統的穩定性。除了CPU、主板外，內存是一個關鍵的部件。每家廠商對於內存的規格、容量以及電路的特性都有不同的要求，所以對於在主板上使用的內存是否有不良的反應都應留意，尤其是高容量、高速度、新規格的內存，在選用時更應注意其特性，現將世界各國生產內存的廠商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代號：MN
NEC（日本電器）代號：MC
Mitsubishi（三菱）代號： MH
Fujitsu （富士通）代號：MB
Hitachi（日立）代號： HM
Toshiba （東芝）代號： TMM
OkI（沖電氣）代號：MSM
Sharp（夏普）代號： LH
Sanyo（三洋）代號：LC
Seiko（精工）代號：SRM
Sony（索尼）代號：CXK
★美國系列： Motorola （摩托羅拉）代號：MCM
NS（國民半導體）代號： NS
TI（ ?菀瞧鰨┐�牛?TMS
Micron（美光）代號：MT
AMD（美國超微）代號： AM
Performance 代號：P
IDT（艾迪特）代號：IDT
★歐洲系列：Semens（德國西門於）代號：Semens
SGS（義大利湯拇遜）代號：T
★台灣系列：聯華 代號： UMC
茂矽 代號：Mosel（MX）
德基 代號： Texas
矽成 代號：Is
華邦 代號：Winboard
華撇隆 代號：HMC
★韓國系列： Samsung（三星）代號：KM
Goldstar（金星）代號： GOldStar
Hyundai（ 韓國現代）代號： HY
兩種內存新技術動態
為了充分挖掘內存中更多的性能，幾種內存新技術正進入高檔微機。這些新內存的特點是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,擴充數據輸出）DRAM是一種*作效率更高的單周期內存，它在CAS周期處延遲數據的滯留，因為可維持更長的數據有效時間，這樣無需拓寬數據匯流排也增加了帶寬。
EDO內存是目前奔騰機中運用最多的一種內容，這種內存在工作時，允許CPU高效地用上次訪問的尾部覆蓋某次內存訪問的首部；單個內存訪問並沒有更快，但一連串內存訪問的完成時間比標準的快頁模式DRAM要少。
2、同步高速內存
我們常說的高速緩存一般採用非同步SRAM，它的訪問速度相對DRAM來說已大大提高了，但相對CPU來說仍較慢。目前，有一種更新的同步SRAM的高速緩存出現在奔騰機的主板上。例如，在120MHz和更快的奔騰微機的主板上，均採用了Intel的Triton晶元組，該晶元組支持一種稱為流水線突發（pipelined burst）高速緩存的特殊同步高速緩存，其中訪問速度大大地提高。
除了上述兩種新技術外，還有新型的同步DRAM技術和RambusDRAM的系統，這種技術採用25OMHz時鍾速度極快地傳送大批突發數據。
內存的速度
內存的存取速度關系著CPU對內存讀寫的時間，所以不同型號規格的內存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，這些編號後面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。當電腦一啟動時，把BIOS RoM中的程序拷貝至DRAM內，以後CPU直接與較快的DRAM聯絡即可，這就是我們所謂的ShadowRAM。
內存有它不同的規格和速度，在不同電路、不同設備也有不同的單位，現將它的應用說明如下：
ms， Milli Second（毫沙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （納秒）
數據的傳送速度：
以ms為單位，如硬碟的平均存取速度17ms、12ms等。
以us為單位，如DRAM每隔15us更新充電一次。
以ns為單位、如內存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常規內存（Conventional Memory）
常規內存在內存分配表中佔用最前面的位置，從0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共佔640KB的容量。因為它在內存的最前面並且在DOS可管理的內存區，我們又稱之為Low Dos Memory（低DOS內存），或稱為基本內存（Base Memory），使用此空間的程序有BIOS*作系統、DOS*作系統、外圍設備的驅動程序、中斷向量表、一些常駐的程序、空閑可用的內存空間、以及一般的應用軟體等都可在此空間執行。由此可見，在DOS下的應用程序及其*作系統，擠在如此狹窄擁擠的空間里，640KB的容量已經不夠使用，這是因為最早使用的CPU是8088，其定址的地址信號線只有20條線，能夠定址的空間只有lMB，也就是祖先留下的祖產不多，受到先天硬體CPU定址的限制。因此在規劃內存給各個系統以及DOS下的一些套裝應用軟體使用時，在先天內存不足環境下，「省吃儉用」來分配這點內存， MS-DOS可以控制和管理1MB的內存空間，常規內存佔了640KB，其他的384KB保留給BIOS ROM及其他各種擴展卡使用。這640KB的常規內存基本上分兩部分，一部分給各種不同的*作系統程序使用，另一部分給數據、程序的使用。 上位內存（UMB）
UMB是英文Upper Memory Block的縮寫，是常規內存上面一層的內存（64OKB～1024KB），我們又稱之為DOS高端內存（地址為0A0000H～0FFFFFH）。由於PC的老祖先把DOS使用的內存限定在640KB的框框里，所以大家都想盡辦法要突破640KB的緊箍罩以擺脫640KB的限制，讓DOS的一些程序擺脫640KB藩籬。在DOS可以控制的1MB內存空間中，常規內存佔了640KB，其餘的384KB的上位內存（UMB）保留給BIOS ROM、顯示卡和其他各種擴展卡使用，但是還有一些保留空間未使用，所以在DOS 5.0以上的版本，即有突破640KB的能耐，允許使用常規內存上面的384KB的上位內存UMB（地址0A0000H～OFFFFFlH），但是要超越傳統的640KB，必須有一些條件和*作，其條件和*作如下：
◎386以上的電腦和384KB以上的擴展內存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎CONFIG.SYS設置Devuce=C:＼DOS＼HIMEM.SYS（擴展內存XMS驅動程序）。
◎CONFIG.SYS設置Device=C:＼DOS＼EMM386．EXE， NOEMS（擴充內存EMS模擬驅動程序）。
◎CONFIG.SYS設置DOS=HIGH，UMB。
高端內存區（HMA）
HMA是英文High Memory Area的縮寫。它是1024KB至1088KB之間的64KB內存，稱為高端內存區，其地址為100000H～1OFFEFH或以上，CPU在實地址模式下以Segment:OFFSET（段地址：偏移量）方式來定址，其定址的最大邏輯內存空間為（FFFF：FFFF），即10FFEFH，此已超過8088 CPU的20條線所能定址的lMB的上限，故286CPU的地址線有24條，只要把A20地址信號線的「邏輯門」打開，即可使用此64KB范圍的內存，這段內存乃在實地址模式下。一般說HMA是64KB，其實是指lMB以上至我們現在CPU所能定址的廣大空間4GB，它們都稱為高端內存區（HMA），如何去打開A20地址線（A20Gate，邏輯門）以上的內存，只要在DOS5.0或以上版本中使用擴展內存驅動程序，其*作如下：
在CONFIG設置驅動程序：
◎286以上的電腦和lMB以上的內存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎Device＝c：＼DOS＼HIMEM.SYS（擴展內存XMS驅動程序）。
◎DOS=HIGH
◎打開A20地址線， A20Gate（邏輯門）=1，即可定址lMB內存以上的空間。
◎A20地址線沒有打開， A20 Gate＝O，不能定址lMB內存以上的空間。
◎A20 Gate信號由軟體驅動鍵盤BIOS 8042或晶元組產生。
EMB是英文Extended Memory Block（擴展內存塊）的縮寫，擴展內存是指lMB以上的內存空間，其地址是從100000H開始，連續不斷向上擴展的內存，所以把這種內存稱為
EMB（Extended Memory Block）。擴展內存取決於CPU的定址能力， 286 CPU可定址到16MB, 386 CPU以上至Pentium II CPU可定址到4GB。但是，有些主板上晶元組的實際地址解碼電路並沒有設計為可定址那麼大的地址空間，如286 AT的主板上最大定址空間只到4MB，Pentium系列主板目前的最大擴展內存也只到1GB，距實際CPU的定址空間還有一段距離。對於這些擴展內存，由於超過了DOS的定址范圍，並不能直接被實地址模式的BIOS或DOS*作系統所使用，只能用於存放數據，除非使用了DOS的擴展器（DOSExtender），或使用Windows3.1/Windows 95/Windows NT/OS2等，在保護模式下供不同*作系統使用。要使電腦主機能使用擴展內存，還需要一些擴展內存驅動程序（XMS）來加以驅動和設置，其驅動程序是DOS5.O以上的版本或Windows所附帶的HIMEM.SYS，其在CONFIG.SYS下設置為：
◎Device=C:\DOS\HIMEM.SYS。
◎擴展內存是lMB以上連續的內存。
◎進入擴展內存程序，必須在保護模式下。
◎進入擴展內存，必須先打開CPU的A20邏輯門，使內存定址連續。
◎在主板由鍵盤BIOS 8042的A20邏輯門信號輸出或晶元組來打開。
◎A20邏輯門信號是實地址模式和保護地址模式的切換開關。
◎執行驅動擴展內存，在實地址模式有64KB高端內存的擴展。
◎擴展至頂端的最大內存，對DOS而言，只能存放數據。
擴充內存（EMS）
EMS是英文Expanded Memory Specification（擴充內存規范）的縮寫，是由LOtus／Intel/Microsoft三家公司制訂。擴充內存是利用1MB內存中64KB的內存區，此內存區為連續的4頁，每頁為16KB的實際頁內存，它們映射（Memory Mapping）到EMS卡上廣大空間的邏輯頁內存， EMS 4.0版本驅動程序其映射的內存區為1MB內任意大小的內存，映射的擴充內存空間為32MB，這是另一種擴充內存的方法。一般我們常用比較方便的DOS5．0以上版本，在386 CPU以上有虛擬86和分頁的能力，在EMS Emulator模擬程序的控制下，使用擴展內存的廣大空間來作為映射的內存，其驅動程序和*作如下：
◎主板和CPU為386CPU以上有虛擬86及4KB分頁的能力。
◎使用擴充內存驅動程序（EMS），必須先執行擴展內存驅動程序（EMS）。
◎使用DOS 5.0以上版本，有EMS Emulator擴充內存模擬程序EMM386.EXE的程序來實現主板上擴展內存的映射。即在CONFIG.SYS設置：Device=C:\DOS\EMM386.EXE
◎擴充內存是非連續性的內存，它是用DOS內存的存儲體開關（Bank Switch）分頁切換映射到EMS的內存空間。
閃速存儲器
什麼叫閃速存儲器（Flash Memory），閃速存儲器是目前取代傳統的EPROM和EEPROM的主要非揮發性（永久性）的存儲器，目前大部分586主板的BIOS都使用閃速存儲器，因為閃速存儲器具有以下各項優點：
◎具有較快的速度（70ns-200ns）。
◎有節能的管理（Auto Sleep和Standby），低功率和低工作電壓的功能。
◎更新數據方便，不須清除即可更改數據。
◎可由硬體或軟體來控制數據的保護。
◎在電腦外圍設備和通信設備中廣泛應用。
◎目前586電腦使用容量為1MB（bit）的閃速存儲器，686電腦使用容量為2MB（bit）的閃速存儲器。
DRAM內存
DRAM是英文Dynamic RAM的縮寫，其意思是動態隨機存取內存，它是目前主板上使用的主要內存，因為它的集成度高，較小的體積即可獲得較大的容量，而且價格低，所以是目前最常使用的內存。一般主機的內存容量即為DRAM的容量，雖然DRAM內存有容量大，價格低的優點，但是它也有缺點，主板必須有一個刷新電路與之相配合，對它的存儲數據作刷新的*作，否則它的數據就會消失，因為它內部存儲的數據是靠電容的充電來保存的，而電容會放電，故每隔一段時間就要對DRAM進行刷新。這種刷新*作會影響CPU對DRAM內存存取的效率，DRAM因為是主板主要使用的內存，所以主板在特性和內部的電路也作了一番改進，使之支持不同功能的DRAM。現將DRAM的特點歸納如下：
◎優點：集成度高，相同的體積可獲得較大容量，價格便宜。
◎缺點：主板必須要有一個刷新的電路，這會影響CPU對DRAM內存的存取，影響CPU的工作效率。
◎DRAM使用的系統：
○作為CPU與主要數據的暫時存取的內存。
○作為CPU與外圍設備顯示卡數據的緩沖器或其他家電設備的內存。
SRAM存儲器
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜志存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積，在主板上哪些是SRAM呢？
一種是置於CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS晶元1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128位元組SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。現將它的特點歸納如下：
◎優點，節能、速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，集成度低，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
◎SRAM使用的系統：
○CPU與主存之間的高速緩存。
○CPU內部的L1／L2或外部的L2高速緩存。
○CPU外部擴充用的COAST高速緩存。
○CMOS 146818晶元（RT＆CMOS SRAM）。
PB（Pipeline Burst，流水線突發式）SRAM
提高主機系統性能的方法除了更換速度較快、頻率較高的主板、CPU以及擴充增加一些主存外，就是要使用支持PB SRAM晶元組的主板，什麼叫PB SRAM？它是一種SRAM存儲器，也是一種高速緩存（Cache Memory）。它是主板上使用的速度較快的高速緩存，是一種在材質和電路工藝改進的SRAM。根據測試結果，可以給CPU超頻兩極，較少的費用可以獲得較佳的性能。傳統長方形的非同步SRAM，其工作電壓為5V，為以前486主板所使用，由於速度容量的限制，已無法滿足現在快速CPU的需求，現已淘汰不用。現在的主板都用速度較快，容量較大的同步PB SRAM，其工作電壓為3.3V，其形狀為較大的四方形，一般PB SRAM在主板上有兩種規格。 ○一種是PB SRAM晶元組固定在主板上，一般為256KB或512KB，為現在大部分的主板採用。
○另一種是PB SRAM模塊的方式，插在主板PB SRAM的插槽上，一般我們稱之為COAST（Cache On A stick）插槽，由於主板的品牌和規格不同，它們安裝的方法和注意事項也不盡相同。這種高速緩存在較新的主板上已淘汰不用。度較快，有的傳送速度較慢，其中RAM的速度就比ROM的速度快，主存RAM的速度一般為50至70ns，而ROM的速度則為150至200ns，所以在主機系統的BIOS Setup（BIOS設置程序），就設置有所謂ShadowRAM的*作。電腦啟動時，系統就會把主機系統的BIOSROM或VGA卡上的VideoBIOS ROM程序全部載入DRAM內存中，並且將存儲有這些程序的內存區改為只讀狀態。以後凡是CPU要執行系統BIOS中的程序或Video BIOS中的程序，都會自動轉至速皮較快的Shadow RAM中執行，如此即可加快CPU的處理速度和屏幕圖像的顯示，一般電腦一啟動，系統即會自動將BIOS ROM和Video ROM設置為Shadow的*作，以加快系統的速度。動態DRAM內部的數據是靠電容特性存儲的，但電容會放電，所以使用動態DRAM內存就需要有數據刷新（Refresh）時鍾的電路，在幾個ms之內必須對DRAM完成充電，否則動態DRAM內存內的數據就會因放電而丟失。因此，動態內存內部結構就好像一個會漏水的茶壺，假如不在一個固定的時間去加水添滿的話，裡面的光（數據就會消失）。在PC標準的電路里是每隔15 us即充電一況在4ms之內完成整個充電*作。由於CPU的速度越越快，使得DRAM的速度越來越跟不上CPU的處理速度，所以CPU必須增加兒個等待周期，讓DRAM刷新充電以後再繼續工作，如此勢必影響CPU的工作效率，故在AT時代的主板則有交替（Interleave）刷新DRAM內存的設計，即主板必須至少有兩組存儲休（Bank），當一個存儲體供CPU存取數據時，另一個存儲體就進行數據刷新，如此才不會犧牲CPU的工作效率。另一種方式為DRAM Page Mode（DRAM頁面模式），一般在CPU對DRAM進行讀寫的一個周期中，我們只能對一個地址進行存取，但是，採用頁面模武是將內存的列地址固定，而連續改變內存的行地址，如此可得到一個連續地址的頁區塊內存，而使CPU能夠存取范圍較大的數據，而達到CPU快速存取數據的目的。另外，改進DRAM數據讀寫周期的觸發電路和材質，採用具有較佳節能特性的動態內存，在CMOS的設置中對DRAM的刷?芷誚�幸環�髡��映ざ欣RAM刷新充電的時間周期，減少對CPU*作的干擾，這都是增加CPU工作效率的方法。所以，要使內存系統發揮其性能，一方面是延長刷新的時間，另一方面是改進DRAM本身的電路和材質，提高速度，如此內存才能跟上速度一直在倍增的CPU。 在我們的主板上除了有主要的內存外，還有高速緩存。顧名恩義，高速緩存最主要的目的是提高CPU與內存之間數據的傳送速度，所以高速緩存在電路的設計上，則置於CPU與主存DRAM之間。當CPU從外圍設備讀取數據時，經CPU加以處理，再將數據寫入主存DRAM中，在寫入過程中路經高速緩存，此時會將寫入主存DRAM的地址記錄在TagSRAM（標記SRAM）內，並將剛才寫入主存DRAM中的數據拷貝一份至高速緩存的SRAM內，以備CPU下次就近取用，而不必到較遠的DRAM中讀取，如此即可加快CPU的存取速度。目前主板高速緩存的規格有256KB和512KB兩種容量，購買時應根據當時的價差選購。
主板的高速緩存其容量只有256KB或是512KB，再擴充的容量還是有限的，要把主存幾十MB的數據全部拷貝過來是不可能的，因此高速緩存還是無法取代主存的地位，所以只有把經常要讀寫的數據拷貝到高速緩存內，但是CPU要存取的數據是否在高速緩存內呢？那就涉及到CPU對高速緩存讀寫的命中率（Hit Ratio）當CPU要讀取主存中的數據時，檢查高速緩存系統的Tag SRAM的地址數據，當高速緩存內有一份所需的數據時，高速緩存匯流排的仲裁電路就會將高速緩存系統的大門打，讓CPU直接到高速緩存系統中存取數據， CPU就近取村，即可快速存取所要的數據。但是，假如CPU所要存取的數據並不在高速緩存中時，高速緩存匯流排的仲裁電路就不會將高速緩存至統的大門打開CPU只有跑到比較遠的主存，根據數據的地址去存取所需要的數據了。 Tag SRAM
什麼叫Tag SRAM，即標記的靜態隨機存取存儲器，它是在高速緩存系統中配合高速緩存的附加SRAM，它也是高速緩存，只是用在高速緩存電路中記錄地址數據，當CPU要讀取主存某一個地址中的數據時，會先到高速緩存電路中去尋找，對高速緩存系統的Tag SRAM所記錄的地址數據進行搜尋和對比，當高速緩存內也存有此地址的數據時，高速緩存匯流排的仲裁控制電路即將數據讀取傳回CPU，若對比Tag SRAM記錄的地址數據而找不到此數據的地址時，CPU就會到主存讀取數據。
當CPU要往主存寫入某一個地址的數據時 ，到主存寫入數據，然後再到高速緩存電路，對比高速緩存系統的Tag SRAM所記錄的地址，當高速緩存內也存有此地址的數據時，則更新高速緩存內的數據以保持主存與高速緩存數據的一致性。對比高速緩存系統Tag SRAM所記錄的地址是否為CPU所需讀取數據的地址，對應了高速緩存內數據讀取的機率，即所謂的命中率（Hit Ratio），命中率的多少要看高速緩存容量的大小、電路的設計、以及執行程序數據的內容，這些都與高速緩存的命中率有關。
內存的ECC
什麼叫內存的ECC， ECC是英文Error Check ＆Correct的縮寫，其中文的意思是「差錯檢查與糾正」，是目前功能較強、價格較高的晶元組才支持的功能，如Pentium的8243OHX的晶元組、Pentium II的8244OFX/82440LX／82440BX等晶元組，這些晶元組支持內存ECC校驗功能。
ECC的功能不但使內存具有數據檢查的能力，而且使內存具備了數據錯誤修正的功能，以前奇偶校驗的是8比特（bit）的數據，用一比特的奇偶校驗位來檢查數據的正確性，但是具有ECC功能的內存則用4比特來檢查8比特的數據是否正確。當CPU讀取時，若有一個比特的數據錯誤，則ECC內存會根據原先存在四個比特中的檢測比特，定位那個比特錯誤，而且會將錯誤的數據加以校正。這種DRAM內存在整個系統中較穩定，一般用於區域網絡的文件伺服器，或Internet的伺服器，當然其價格也較貴。
如何進行內存的奇偶校驗
內存的奇偶校驗（Parity Check），在主機系統中，它是對內存和數據讀寫的一種檢查電路，檢查寫到主存的數據與讀取的數據是否相符，假如不符，則通過對CPU強制中斷（NMI）的電路，通知CPU死機。
當CPU把數據寫入主存時，同時也會把數據送到奇偶校驗位產主器/檢查器（74280）來加以計算，74280這個晶元是一個9位的奇偶校驗位產生器，但也是一個檢查器，其實它的主要功能是負責把從CPU輸入到DRAM內存的H信號（高電平信號，即「1」信號）加起來看是偶數個「1」還是奇數個「1」，再從它的Even（偶）或Odd（奇）腳輸出，此輸出的信號就是奇偶校驗位（Parity bit）。當CPU把8個比特的數據寫入主存時，同時經奇偶校驗位產生器加以計算，計算的結果假如是偶數個「1」，則奇偶校驗位為」1」假如是奇數個「1」，則奇偶校驗位（Parity bit）則為L信號（低電平，即」0」信號），把此奇偶校驗位送到第9塊內存晶元暫存起來，也就是說，寫入數據的時候是產生奇偶校驗位（Parity bit），不進行奇偶校驗位的檢查（Parity Check），因為沒有對比檢查的機會，所以寫入時產主的奇偶校驗位可能是「1」，也可能是「0」，在PC AT的電路里，當CPU對主存讀取時，則此8個比特的數據在與剛才第9塊內存晶元所存儲的奇偶校驗位相加起來，所得的答案應該為奇數個「1」（即奇校驗電路的校驗位=「0」），假如是偶數個」1」則啟動奇偶校驗檢查電路，經NMI電路通知CPU死機。所以奇偶校驗位的檢查（Parity Check）是在讀取數據的時候產主，因為只有在讀取的時候，才能對比剛才所寫入內存的數據有沒有錯誤。
奇偶校驗電路可以分兩種檢查，一種是奇校驗檢查，一種是偶校驗檢查，在PC主機電路里是奇校驗檢查，即讀取的時候，奇偶校驗位（Parity bit）的Even輸出應為「0」，假如奇偶校驗位是「1」的話，即產生奇偶校驗位錯誤（Parity Error），然後經NMI電路通知CPU死機，檢查時因每一個奇偶校驗位產生器/檢查器（74280）晶元只能檢查8個比特，看看您的CPU是幾個比特的，則就有幾組74280， Pentium CPU的主機有8個7428O，但現在全部被縮編在晶元組里，故以一組來說明奇校驗與偶校驗檢查的工作原理。
奇校驗檢查：
◎CPU把數據寫入內存時僅產生奇偶校驗位，不作奇偶校驗位檢查。
CPU寫入數據時（8bit），經奇偶校驗位產生器把8個比特（bit）加起來，計算的結果：
○有偶數個「1」，則奇偶校驗位=1。
○有奇數個「1」則奇偶校驗位＝0。
○將奇偶校驗位（Parity bit）存在第9個內存晶元內。
◎CPU讀取內存數據時，此時與剛才寫入數據進行對比，進行奇偶校驗位檢查。
○剛才寫入的數據有偶數個「1」 加上存儲在第9個內存晶元中的奇偶校驗位=「l」，再經奇偶校驗位檢查器和邏輯電路的計算，Even接腳的輸出應為奇數個「1」，即奇偶校驗位為「0」。
○剛才寫入的數據有奇數個「1」加上存儲在第9個內存晶元的奇偶校驗位=「0」，再經奇偶校驗位檢查器和邏輯電路的計算， Even接腳的輸出還是為奇數個「1」， 即奇偶校驗位為「0」。
○所以無論剛才寫入的數據有偶數個「1」還是有奇數個「1」讀取的時候都是為固定的奇數個「1」，假如為偶數的話，則系統產生一連串的*作，通知CPU死機。
◎目前大多數主板都支持沒有奇偶校驗位的DRAM內存，系統的BIOS會鎖定（Disable）奇偶校驗功能，比較新的BIOS會自動檢測主板的DRAM內存是否有奇偶校驗位。
◎奇校驗：D0～D7加起來有奇數個「1」，由74280Even接腳輸出「0」作為校驗位。
◎偶校驗： D0～D7加起來有偶數個「1」，由74280Odd接腳輸出「1」作為校驗位。
◎奇校驗檢查：讀取數據時，D0～D7再加上奇偶校驗位由74280計算結果，如果共有奇數個「1」，則Even接腳輸出「0」，Odd接腳輸出「l」。若為偶數個「1」。則Even接腳輸出「1」， Odd接腳輸出「0」。
◎偶校驗檢查讀取數據時， D0～D7再加上奇偶校驗位由74280計算結果，如果共有偶數個「1」，則Even接腳輸出「1」，Odd接腳輸出「0」。若為奇數個「l」，則Even接腳輸出「0」Odd接腳輸出「1」。
不同主板如何使用無奇偶校驗（Non-Parity）的內存
主板的功能和內存的結構一直在改進，所以在更新或擴充主板和內存的時候，就會碰到主板的CMOS Setup設置程序是否具有設置Parity Check Enable/Disable（偶校驗啟用／禁用）的功能，只有386或486的主機才有這種設置，因為586以上主板的BIOS大部分都已有自動
4. 誰知道計算機方面的英文術語是哪些英文縮寫最好有中文注釋
3GIO（Third Generation InputOutput，第三代輸入輸出技術）
ACR（Advanced Communications Riser，高級通訊升級卡）
ADIMM（advanced Dual In-line Memory Moles，高級雙重內嵌式內存模塊）
AGTL+（Assisted Gunning Transceiver Logic，援助發射接收邏輯電路）
AHCI（Advanced Host Controller Interface，高級主機控制器介面）
AIMM（AGP Inline Memory Mole，AGP板上內存升級模塊）
AMR（Audio／Modem Riser；音效／數據機主機板附加直立插卡）
AHA（Accelerated Hub Architecture，加速中心架構）
AOI（Automatic Optical Inspection，自動光學檢驗）
APU（Audio Processing Unit，音頻處理單元）
ARF（Asynchronous Receive FIFO，非同步接收先入先出）
ASF（Alert Standards Forum，警告標准討論）
ASK IR（Amplitude Shift Keyed Infra-Red，長波形可移動輸入紅外線）
AT（Advanced Technology，先進技術）
ATX（AT Extend，擴展型AT）
BIOS（Basic InputOutput System，基本輸入輸出系統）
CNR（Communication and Networking Riser，通訊和網路升級卡）
CSA（Communication Streaming Architecture，通訊流架構）
CSE（Configuration Space Enable，可分配空間）
COAST（Cache-on-a-stick，條狀緩存）
DASP（Dynamic Adaptive Speculative Pre-Processor，動態適應預測預處理器）
DB Device Bay，設備插架
DMI（Desktop Management Interface，桌面管理介面）
DOT（Dynamic Overclocking Technonlogy，動態超頻技術）
DPP（direct print Protocol，直接列印協議
DRCG（Direct Rambus clock generator，直接RAMBUS時鍾發生器）
DVMT（Dynamic Video Memory Technology，動態視頻內存技術）
E（Economy，經濟，或Entry-level，入門級）
EB（Expansion Bus，擴展匯流排）
EFI（Extensible Firmware Interface，擴展固件介面）
EHCI（Enhanced Host Controller Interface，加強型主機端控制介面）
EISA（Enhanced Instry Standard Architecture，增強形工業標准架構）
EMI（Electromagnetic Interference，電磁干擾）
ESCD（Extended System Configuration Data，可擴展系統配置數據）
ESR（Equivalent Series Resistance，等價系列電阻）
FBC（Frame Buffer Cache，幀緩沖緩存）
FireWire（火線，即IEEE1394標准）
FlexATX（Flexibility ATX，可擴展性ATX）
FSB（Front Side Bus，前端匯流排）
FWH（Firmware Hub，固件中心）
GB（Garibaldi架構，Garibaldi基於ATX架構，但是也能夠使用WTX構架的機箱）
GMCH（Graphics & Memory Controller Hub，圖形和內存控制中心）
GPA（Graphics Performance Accelerator，圖形性能加速卡）
GPIs（General Purpose Inputs，普通操作輸入）
GTL+（Gunning Transceiver Logic，發射接收邏輯電路）
HDIT（High Bandwidth Differential Interconnect Technology，高帶寬微分互連技術）
HSLB（High Speed Link Bus，高速鏈路匯流排）
HT（HyperTransport，超級傳輸）
I2C（Inter-IC）
I2C（Inter-Integrated Circuit，內置集成電路）
IA（Instantly Available，即時可用）
IBASES（Intel Baseline AGP System Evaluation Suite，英特爾基線AGP系統評估套件）
IC（integrate circuit，集成電路）
ICH（InputOutput Controller Hub，輸入輸出控制中心）
ICH-S（ICH-Hance Rapids，ICH高速型）
ICP（Integrated Communications Processor，整合型通訊處理器）
IHA（Intel Hub Architecture，英特爾Hub架構）
IMB（Inter Mole Bus，隱藏模塊匯流排）
INTIN（Interrupt Inputs，中斷輸入）
IPMAT（Intel Power Management Analysis Tool，英特爾能源管理分析工具）
IR（infrared ray，紅外線）
IrDA（infrared ray，紅外線通信介面，可進行區域網存取和文件共享）
ISA（Instry Standard Architecture，工業標准架構）
ISA（instruction set architecture，工業設置架構）
K8HTB（K8 HyperTransport Bridge，K8閃電傳輸橋）
LSI（Large Scale Integration，大規模集成電路）
LPC（Low Pin Count，少針腳型介面）
MAC（Media Access Controller，媒體存儲控制器）
MBA（manage boot agent，管理啟動代理）
MC（Memory Controller，內存控制器）
MCA（Micro Channel Architecture，微通道架構）
MCC（Multilayer Ceramic Capacitor，積層陶瓷電容）
MCH（Memory Controller Hub，內存控制中心）
MDC（Mobile Daughter Card，移動式子卡）
MII（Media Independent Interface，媒體獨立介面）
MIO（Media IO，媒體輸入輸出單元）
MOSFET（metallic oxide semiconctor field effecttransistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）
MRH-R（Memory Repeater Hub，內存數據處理中心）
MRH-S（SDRAM Repeater Hub，SDRAM數據處理中心）
MRIMM（Media-RIMM，媒體RIMM擴展槽）
MSI（Message Signaled Interrupt，信息信號中斷）
MSPCE(Multiple Streams with Pipelining and Concurrent Execution，多重數據流的流水線式傳輸與並發執行）
MT=MegaTransfers（兆傳輸率）
MTH（Memory Transfer Hub，內存轉換中心）
MuTIOL（Multi-Threaded IO link，多線程IO鏈路）
NCQ（Native Command Qu，本地命令序列）
NGIO（Next Generation InputOutput，新一代輸入輸出標准）
NPPA（nForce Platform Processor Architecture，nForce平台處理架構）
OHCI（Open Host Controller Interface，開放式主控制器介面）
ORB（operation request block，操作請求塊）
ORS（Over Reflow Soldering，再流回焊接，SMT元件的焊接方式）
P64H（64-bit PCI Controller Hub，64位PCI控制中心）
PCB（printed circuit board，印刷電路板）
PCBA（Printed Circuit Board Assembly，印刷電路板裝配）
PCI（Peripheral Component Interconnect，互連外圍設備）
PCI SIG（Peripheral Component Interconnect Special Interest Group，互連外圍設備專業組）
PDD（Performance Driven Design，性能驅動設計）
PHY（Port Physical Layer，埠物理層）
POST（Power On Self Test，加電自測試）
PS2（Personal System 2，第二代個人系統）
PTH（Plated-Through-Hole technology，鍍通孔技術）
RE（Read Enable，可讀取）
QP（Quad-Pumped，四倍泵）
RBB（Rapid BIOS Boot，快速BIOS啟動）
RNG（Random number Generator，隨機數字發生器）
RTC（Real Time Clock，實時時鍾）
KBC（KeyBroad Control，鍵盤控制器）
SAP（Sideband Address Port，邊帶定址埠）
SBA（Side Band Addressing，邊帶定址）
SBC（single board computer，單板計算機）
SBP-2（serial bus protocol 2，第二代串列匯流排協協）
SCI（Serial Communications Interface，串列通訊介面）
SCK (CMOS clock，CMOS時鍾)
SDU（segment data unit，分段數據單元）
SFF（Small Form Factor，小尺寸架構）
SFS（Stepless Frequency Selection，步進頻率選項）
SMA（Share Memory Architecture，共享內存結構）
SMT（Surface Mounted Technology，表面黏貼式封裝）
SPI（Serial Peripheral Interface，串列外圍設備介面）
SSLL（Single Stream with Low Latency，低延遲的單獨數據流傳輸）
STD（Suspend To Disk，磁碟喚醒）
STR（Suspend To RAM，內存喚醒）
SVR（Switching Voltage Regulator，交換式電壓調節）
THT（Through Hole Technology，插入式封裝技術）
UCHI（Universal Host Controller Interface，通用宿主控制器介面）
UPA（Universal Platform Architecture，統一平台架構）
UPDG（Universal Platform Design Guide，統一平台設計導刊）
USART（Universal Synchronous Asynchronous Receiver Transmitter，通用同步非同步接收傳送器）
USB（Universal Serial Bus，通用串列匯流排）
API（Application Programming Interfaces，應用程序介面）
ASCII（American Standard Code for Information Interchange，美國國家標准信息交換代碼）
ATL ActiveX Template Library（ActiveX模板庫）
BASICBeginner's All-purpose Symbolic Instruction Code（初學者通用指令代碼）
COM Component Object Model（組件對象模式）
DNA Distributed Internet Application（分布式網際網路應用程序）
HLL（high level language，高級語言）
HLLCA（High-Level Language Computing Architecture，高級語言計算架構）
MFC Microsoft Foundation Classes（微軟基礎類庫）
NVSDK（nVidia Software Development Kit，nvidia軟體開發工具包）
SDK（Software Development Kit，軟體開發工具包）
STL（Standard Template Library，標准模版庫）
AES（Attachment Execution Service，附件執行服務）
ASF（Advanced Streaming Format，高級數據流格式）
ASP（Active Server Pages，活動服務頁）
BRC（Beta Release Candidate，測試發布候選版0）
CE（Consumer Electronics，消費電子）
COA（Certificate of Authenticity，真品證明書）
DCOM（Distributing Component Object Model，分布式組成物體模塊）
DCE（Desktop Composition Engine，桌面組成引擎）
DEP（data execution prevention，數據執行預防）
DHCP（Dynamic Host Configuration Protocol，動態主機分配協議）
DID（Device ID，設備ID）
dll（dynamic link library，動態鏈接庫）
DMF Distribution Media Format
DMT（Discreet Monitor Timing，智能型顯示器調速）
DOM（Document Object Model，文檔目標模型）
DUN（Dial-Up Networking，撥號網路）
E-WDM（Enhanced Windows Driver Model，增強型視窗驅動程序模塊）
EULA（End-User License Agreement，最終用戶釋放協議）
EPM（enterprise project manage）
ERD（Emergency Repair Disk，應急修理磁碟）
GDI（Graphics Device Interface，圖形設備介面）
GUI（Graphics User Interface，圖形用戶界面）
GPF（General protect fault，一般保護性錯誤）
GTF（General Timing Formula，普通調速方程式）
HCL（Hardware Compatibility List，硬體兼容性列表）
HCRP（Hard Cable Replacement Profile，硬復制電纜復位協議子集）
HE（Home Edition，家庭版）
HTA HyperText Application，超文本應用程序
IAS（Internet Authentication Service，網際網路證明服務）
ICF（Internet Connection Firewall，網際網路連接防火牆）
IIS（Internet Information Server，網際網路信息伺服器）
INF File（Information File，信息文件）
INI File（Initialization File，初始化文件）
IOMON（Intel WDM IO Subsystem Performance Monitor，英特爾WDM輸入輸出子系統性能監視）
LOB（Large Object，大型對象）
MBSA（Microsoft Baseline Security Analyzer，微軟基準安全分析器）
ME（Millennium Edition，千年版）
MMC（Microsoft Management Console，微軟管理控制台）
MMC（MultiMedia Controler，多媒體控制器）
MTP（Microsoft Multimedia Transport Protocol，微軟多媒體傳輸器協議）
MUI（Multilingual User Interface，多語言用戶介面）
NDIS Network Driver Interface Specification，網路驅動程序介面規范
NT（New Technology，新技術）
OLE（Object Linking and Embedding，對象鏈接和嵌入）
OPP（Object Push Profile，物體推拉傳輸協議）
PAN（Personal Area Networking，個人區域網路）
Qos（Quality of Service，服務質量）
RC（Release Candidate，候補釋放版）
RDP（Remote Desktop Protocol，遠程桌面協議）
RMS（Rights Management Services，版權管理服務）
RPC（remote procere calls，遠程程序呼叫）
RRVP Resource ReserVation Protocol（資源保留協議）
RsoP（Resultant Set of Policy，方針結果規定）
RTM（release to manufacture，廠商版，公開發行批量生產）
RTOS（Real Time Operating Systems，實時操作系統）
SBFS Simple Boot Flag Specification，簡單引導標記規范
SDP（Service Discovery Protocol，服務發現協議）
SHS（Shell Scrap Object，外殼剪貼對象）
SID（Subsystem ID，子系統ID）
SIP（Session Initiation Protocol，會議起始協議）
SMS（Systems Management Server，系統管理伺服器）
SP（Service Pack，服務工具包）
SVID（Subsystem Vendor ID，子系統銷售者ID）
VBA（Visual Basic for Applications，應用程序可視化Basic）
VEFAT Virtual File Allocation Table（虛擬文件分配表）
VSDS（Visual Studio development System ，虛擬工作室發展系統）
VxD（Virtual device drivers，虛擬設備驅動程序）
VID（Vendor ID，銷售者ID）
VLK（Volume License，大量授權企業版）
WebDAV（Web-based Distributed Authoring and Versioning，基於網頁的分布式創造和翻譯）
WDM（Windows Driver Model，視窗驅動程序模塊）
WGF（Windows Graphic Foundation，視窗圖形基礎）
Winsock Windows Socket，視窗套介面
WFP（Windows File Protection，視窗文件保護）
WHQL Windows Hardware Quality Labs，Windows硬體質量實驗室
WHS Windows Scripting Host，視窗腳本程序
WMA（Windows Media Audio，視窗媒體音頻）
WMP（Windows Media Player，視窗媒體播放器）
WMS（Windows Media Services，視窗媒體服務）
ZAM Zero Administration for Windows，零管理視窗系統
CSS（Cascading Style Sheets，層疊格式表）
DCD Document Content Description for XML XML文件內容描述
DTD Document Type Definition，文件類型定義
DTXS（Decryption Transform for XML Signature，XML簽名解密轉換）
HTML（HyperText Markup Language，超文本標記語言）
JVM（Java Virtual Machine, Java虛擬機）
OJI Open Java VM Interface，開放JAVA虛擬機介面
SDML（Small Device Markup Language，小型設備標示語言）
SGML Standard Generalized Markup Language，標准通用標記語言
SMIL Synchronous Multimedia Integrate Language（同步多媒體集成語言）
VRML：Virtual Reality Makeup Language，虛擬現實結構化語言
VXML（Voice eXtensible Markup Language，語音擴展標記語言）
XML Extensible Markup Language（可擴展標記語言）
XMLESP（XML Encryption Syntax and Processing，XML加密語法和處理）
XSL（Extensible Style Sheet Language，可擴展設計語言）
XSLT（Extensible Stylesheet Language Transformation，可擴展式表語言轉換）
ABB（Advanced Boot Block，高級啟動塊）
ABP Address Bit Permuting，地址位序列改變
ADT（Advanced DRAM Technology，先進DRAM技術聯盟）
AL（Additive Latency，附加反應時間）
ALDC（Adaptive Lossless Data Compression，適應無損數據壓縮）
APM（Automated Precision Manufacturing，自動化精確生產）
ATC（Access Time from Clock，時鍾存取時間）
ATP（Active to Precharge，激活到預充電）
BEDO（Burst Enhanced Data-Out RAM，突發型數據增強輸出內存）
BPA（Bit Packing Architecture，位封包架構）
AFC media（antiferromagnetically coupled media，反鐵磁性耦合介質）
BLP（Bottom Leaded Package，底部導向封裝）
BSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突發式管道同步靜態存儲器）
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）
CCT（Clock Cycle Time，時鍾周期）
CDRAM（Cache DRAM，附加緩存型DRAM）
CL（CAS Latency，CAS反應時間）
CMR（Colossal Magnetoresistive，巨磁阻抗）
CPA（Close Page Autoprecharge，接近頁自動預充電）
CSP（Chip Size Package，晶元尺寸封裝）
CTR（CAS to RAS，列地址到行地址延遲時間）
DB Deep Buffer（深度緩沖）
DD（Double Side，雙面內存）
DDBGA（Die Dimension Ball Grid Array，內核密度球狀矩陣排列）
DDR（Double Date Rate，上下行雙數據率）
DDR SDRAM（Double Date Rate，上下行雙數據率SDRAM）
DRCG（Direct Rambus Clock Generator，直接RAMBUS時鍾發生器）
DIL（al-in-line）
DIVA（Data IntensiVe Architecture，數據加強架構）
DIMM（Dual In-line Memory Moles，雙重內嵌式內存模塊）
DLL（Delay－Locked Loop，延時鎖定循環電路）
DQS（Bidirectional data strobe，雙向數據濾波）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存儲器）
DRDRAM（Direct RAMBUS DRAM，直接內存匯流排DRAM）
DRSL（Direct RAMBUS Signaling Level，直接RAMBUS信號級）
DRSL（Differential Rambus Signaling Levels，微分RAMBUS信號級）
DSM（Distributed shared memory，分布式共享內存）
ECC（Error Checking and Correction，錯誤檢查修正）
ED（Execution driven，執行驅動）
EDO（Enhanced Data-Out RAM，數據增強輸出內存）
EHSDRAM（Enhanced High Speed DRAM，增強型超高速內存）
EL DDR（Enhanced Latency DDR，增強反應周期DDR內存）
EMS（Enhanced Memory System，增強內存系統）
EMS（Expanded Memory Specification，擴充內存規格）
EOL（End of Life，最終完成產品）
EPROM（erasable, programmable ROM，可擦寫可編程ROM）
EPOC（Elevated Package Over CSP，CSP架空封裝）
EPV（Extended Voltage Proteciton，擴展電壓保護）
ESDRAM（Enhanced SDRAM，增強型SDRAM）
ESRAM（Enhanced SRAM，增強型SRAM）
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，電擦寫可編程只讀存儲器）
FCRAM（Fast Cycle RAM，快周期隨機存儲器）
FEMMA（Foldable Electronic Memory Mole Assembly，折疊電子內存模塊裝配）
FM（Flash Memory，快閃記憶體）
FMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，熒光質只讀存儲器）
FPM（Fast Page Mode，快頁模式內存）
HDSS（ Holographic Data Storage System，全息數據存儲系統）
HMC（holographic media card，全息媒體卡）
HMD（holographic media disk，全息媒體磁碟）
HSDRAM（High Speed DRAM，超高速內存）
LRU（least recently used，最少最近使用）
MADP（Memory Address Data Path，內存地址數據路徑）
MDRAM（Multi Bank Random Access Memory，多儲蓄庫隨機存儲器）
MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性隨機存取存儲器）
ns（nanosecond，納秒，毫微秒，10億分之一秒）
NVRAM（Non-Volatile RAM，非可變性RAM）
NWX（no write transfer，非寫轉換）
ODR（Octal Data Rate，八倍數據率）
ODT（on-die termination，片內終結器）
OP（Open Page，開放頁）
PIROM：Processor Information ROM，處理器信息ROM
PLEDM Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory
PLL（Phase Lock Loop，相位鎖定環）
PRISM（Photorefractive Information Storage Material，攝影折射信息存儲原料）
PROM（Programmable Read Only Memory，可編程只讀存儲器）
PTA（Precharge to Active，預充電到激活）
QBM（Quad Band Memory，四倍邊帶內存）
QRSL（Quad Rambus Signaling Levels，四倍RAMBUS信號級）
RAC（Rambus Asic Cell，Rambus集成電路單元）
RAC（Row Access Time，行存取時間）
RAM（Random Access Memory，隨機存儲器）
RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）
RAT（Precharge to Active Trp，預充電到激活時間）
RCD（Row to Cas Delay，行地址到列地址控制器延遲時間）
RDF（Rambus Developer Forum，RAMBUS發展商論壇）
RDRAM（Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM）
RIMM（RAMBUS In-line Memory Moles，RAMBUS內嵌式內存模塊）
ROM（read-only memory，只讀存儲器）
RRAM（Resistance RAM，非揮發性阻抗存儲器）
RP（RAS Pre-charge Times，行地址預充電時間）
RL（Read Latency，讀取反應時間）
SCP（CHIP SCALE PACKGE，晶元比例封裝）
SD（Single Side，單面內存）
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步動態內存）
SDR（Single Date Rate，單數據率）
SDR SDRAM（Single Date Rate，單數據率SDRAM）
SGRAM（synchronous graphics RAM，同步圖形隨機儲存器）
SIMM（Single Inline Memory Mole，單邊直線內存模塊）
SLM（Spatial Light Molator，空間光線調節器）
SM（Smart Media，智能存儲卡）
SMRAM（System Management RAM，系統管理內存）
SODIMM（Small Outline Dual In-line Memory Moles，小型雙重內嵌式內存模塊）
SPD（Serial Presence Detect，串列存在檢查）
SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機存儲器）
SRAM（single-transistor DRAM，單晶體管DRAM）
SSFDC（Solid State Floppy Disk Card，固態軟盤卡，通常指Smart Media）
SSTL（Stub Series Terminated Logic，殘余連續終結邏輯電路）
TCP（Tape Carrier Packaging，帶載封裝）
TCSR（temperature compensated self refresh，溫度補償自刷新）
TD（Trace driven，追蹤驅動）
TOM（Top of main memory，主內存頂端）
TSOPs（thin small outline packages，小型薄型封裝）
UMA（Upper Memory Area，上部內存區）
ULVS（ultra low voltage signal，超低電壓信號）
USWV（Uncacheable, Speculative, Write-Combining非緩沖隨機混合寫入）
VCRAM（Virtual Channel Memory，虛擬通道內存）
VCMA（Virtual Channel Memory architecture，虛擬通道內存結構）
VCSDRAM（Virtual Channel SDRAM，虛擬通道內存）
VM（Virtual Memory，虛擬存儲器）
VR（Virtual Register，虛擬寄存器）
WBGA（Windows-BGA，WBGA的面積尺寸為傳統TSOP封裝的36.52%，重量為傳統TSOP的23.37%，整個WBGA的面積與內核的比例為128%，也就是說，封裝的面積僅比管芯大28%。
WL（Write Latency，寫反應時間）
WORM（write-onceread many，寫一次讀多次介質）
XDR（eXtreme Data Rate，極速數據率）
XMS（Extended Memory，擴展內存）