A. 做手機CPU(晶元)的A股的A股的上市公司上市公司有哪些
1、全志科技：
經營范圍公司經營范圍包括電子元器件、軟體的研發及銷售；系統集成。(依法須經批準的項目等。旗下產品全志A80採用了big.LITTLE雙架構方案，集成四個Cortex-A15、四個Cortex-A7 CPU核心，並且支持HPM，全部八個核心可以同時運行。
2、中穎電子：
中穎電子股份有限公司是一家專注於MCU及鋰電池管理晶元領域的晶元設計公司，是首
批被中國工業及信息化部，及上海市信息化辦公室認定的，集成電路設計企業，也是上海市企業
技術中心、高新技術企業、國家認定的重點集成電路設計企業。
3、通富微電：
南通富士通微電子股份有限公司於於1994年2月4日成立於江蘇南通。是一家以研究半導體聞名的國家、省高新技術企業。公司成立於1997年10月。作為國家、省高新技術企業，南通富士通始終站在行業科技發展前沿，堅持以科技促發展。
(1)西安芯盤存儲和上海疊芯擴展閱讀
通富微電(002156)
公司成立於1997年10月，現有員工4000多人。作為國家、省高新技術企業，南通富士通始終站在行業科技發展前沿，堅持以科技促發展。多年來，公司先後承擔並完成了多項國家級、省級技術改造項目，有力推動了我國先進封裝測試技術的產業化。在行業內率先通過ISO9001、ISO14001及 ISO/TS16949三項國際管理體系認證。
公司設有省級技術中心，有強大的研發團隊，先後開發的LQFP、TSSOP、MEMS、MCM、QFN、汽車電子等新產品在國內領先，BGA、CSP等新產品正在開發中。公司擁有專利11項。
公司具有較強的海外市場開發能力和競爭力，出口佔比60%。主要客戶為世界半導體知名企業，摩托羅拉、西門子、東芝等世界排名前十。
B. 國產芯伺服器存儲哪家產品好
、浪潮的好！
浪潮是專業從事伺服器開發和提供解決方案的，做伺服器最早（1993年），其他的國產品牌都是半路出家，有了名氣再投入到伺服器的研發的，是靠宣傳吃飯的（如聯想……）。而浪潮從不做廣告也不做宣傳，因為是靠真才實干吃飯的，伺服器穩定而且真正達到國際先進水平，不是吹的。現在其8路伺服器已經研製成功打破了國外壟斷，正向32路挺進呢，伺服器也出口到國外16個國家，其他的國產伺服器就只能在中國買賣了。
曙光在這些真正的高端技術上就差太遠了，不過曙光也很悲劇，為了弄個虛名不惜代價，什麼曙光5000曙光6000首次使用了國產晶元之類的，曙光就是國家政府為了虛名而設立的機構，只是個工具，所以賺不賺錢就不是很重要了。為國家爭虛名最重要嘛！
在中國正真研製伺服器的廠家只有浪潮——inspur！
當然和IBM、HP還是有點差距的畢竟人家已經領航伺服器行業多年了，不僅體現在資金方面，還有國際影響力，人才的培養。技術可能能不相伯仲但前面提到的這些可不是一朝一夕就能顛覆的。希望這種差距能越來越小。
2、華為製作路由器等網路設備，而伺服器屬於存儲設備。
3、伺服器世界品牌：IBM、惠普、sun（已被Oracle收購）。要買外國品牌那最好的當然是大名鼎鼎的IBM，伺服器穩定性能卓著，技術先進。
C. 長電科技——半導體晶元封裝和設計龍頭企業
長電 科技 是全球領先的集成電路製造和技術服務提供商，提供全方位的晶元成品製造一站式服務，包括集成電路的系統集成、設計模擬、技術開發、產品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統級封裝測試、晶元成品測試並可向世界各地的半導體客戶提供直運服務。
通過高集成度的晶圓級（WLP）、2.5D/3D、系統級（SiP）封裝技術和高性能的倒裝晶元和引線互聯封裝技術，長電 科技 的產品、服務和技術涵蓋了主流集成電路系統應用，包括網路通訊、移動終端、高性能計算、車載電子、大數據存儲、人工智慧與物聯網、工業智造等領域。長電 科技 在全球擁有23000多名員工，在中國、韓國和新加坡設有六大生產基地和兩大研發中心，在逾22個國家和地區設有業務機構，可與全球客戶進行緊密的技術合作並提供高效的產業鏈支持。
隨著市場對攜帶型移動數據訪問設備的需求快速增長，市場對功能融合和封裝復雜性的要求也在提升。同時對更高集成度，更好電氣性能、更低時延，以及更短垂直互連的要求，正在迫使封裝技術從 2D 封裝向更先進的 2.5D 和 3D 封裝設計轉變。為了滿足這些需求，各種類型的堆疊集成技術被用於將多個具有不同功能的晶元集中到越來越小的尺寸中。
長電 科技 積極推動傳統封裝技術的突破，率先在晶圓級封裝、倒裝晶元互連、硅通孔(TSV)等領域中採用多種創新集成技術，以開發差異化的解決方案，幫助客戶在其服務的市場中取得成功。
3D 集成技術正在三個領域向前推進：封裝級集成、晶圓級集成和硅級集成。
• 封裝級集成
利用常規的焊線或倒裝晶元工藝進行堆疊和互連，以構建傳統的堆疊晶元和堆疊封裝結構，包括：
堆疊晶元 (SD) 封裝 ，通常在一個標准封裝中使用焊線和倒裝晶元連接，對裸片進行堆疊和互連。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。
層疊封裝(PoP) ，通常對經過全面測試的存儲器和邏輯封裝進行堆疊，消除已知合格晶元 (KGD) 問題，並提供了組合 IC 技術方面的靈活度。倒裝晶元 PoP 選項包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。
封裝內封裝 (PiP) ，封裝內封裝 (PiP) 通常將已封裝晶元和裸片堆疊到一個 JEDEC 標准 FBGA 中。經過預先測試的內部堆疊模塊 (ISM) 接點柵格陣列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探測合格晶元 (KGD)，通過線焊進行堆疊和互連，然後模塑形成一個與常規FBGA封裝相似的 CSP。
3D 晶圓級集成 (WLP) 使用再分布層和凸塊工藝來形成互連。晶圓級集成技術涵蓋創新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 選項，包括：
嵌入式晶圓級 BGA(eWLB) - 作為一種多功能的扇出型嵌入式晶圓級 BGA 平台，eWLB 靈活的重建製造工藝可以降低基板的復雜性和成本，同時在一系列可靠、低損耗的 2D、2.5D 和 3D 解決方案中實現高性能、小尺寸和非常密集的互連。長電 科技 的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解決方案包括多個嵌入式無源和有源元器件，提供面對背、面對面選項，以及單面、1.5 面、雙面超薄 PoP 配置。對於需要全 3D 集成的應用，長電 科技 的面對面 eWLB PoP 配置通過 eWLB 模塑層，在應用處理器和存儲器晶元之間提供直接的垂直互連，以實現高帶寬、極細間距的結構，其性能不遜色於 TSV 技術。
包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一種創新的 FIWLP 封裝，採用扇出型工藝，也稱為 FlexLine 方法，來構建這種創新、可靠的包封 WLCSP 封裝。
WLCSP - 標准晶圓級 CSP 封裝。隨著各種工藝技術的發展，例如低固化溫度聚合物、將銅材料用於凸塊下金屬化 (UBM) 和 RDL，我們可以實現更高的密度，提高 WLCSP 封裝的可靠性。
在真正的 3D IC 設計中，目標是將一個晶元貼合在另一個晶元上，兩者之間沒有任何間隔（無中介層或基材）。目前，「接近 3D」的集成通常也稱為 2.5D 集成，其實現方法是使用薄的無源中介層中的硅通孔 (TSV)，在封裝內部連接晶元。晶元之間的通信通過中介層上的電路進行。FOWLP 工藝還可以產生一種被稱為2.5D eWLB的創新過渡技術，在這種技術中，使用薄膜扇出型結構來實現高密度互連。長電 科技 的硅級集成產品組合包括：
2.5D / 擴展 eWLB - 長電 科技 基於 eWLB 的中介層可在成熟的低損耗封裝結構中實現高密度互連，提供更高效的散熱和更快的處理速度。3D eWLB 互連（包括硅分割）是通過獨特的面對面鍵合方式實現，無需成本更高的 TSV 互連，同時還能實現高帶寬的 3D 集成。基於 eWLB 的中介層簡化了材料供應鏈，降低了整體成本，為客戶提供了一個強大的技術平台和路徑，幫助客戶將器件過渡到更先進的 2.5D 和 3D 封裝。
MEOL集成的2.5D封裝 - 作為首批在2.5D 封裝領域擁有成熟 MEOL TSV 集成經驗的 OSAT 之一，長電 科技 在這個新興互連技術領域扮演著重要角色，專注於開發經濟高效的高產量製造能力，讓 TSV 成為具有商業可行性的解決方案。長電 科技 還與眾多的客戶、研究機構和領先代工廠開展協作，為集成式 3D 封裝解決方案開發有效的商業模式。
2.5/3D集成技術圓片級與扇出封裝技術系統級封裝技術倒裝封裝技術焊線封裝技術MEMS與感測器
長電 科技 為以下封裝選項提供晶圓級技術：
• eWLB（嵌入式晶圓級球柵陣列）
• eWLCSP（包封晶圓級晶元尺寸封裝）
• WLCSP（晶圓級晶元尺寸封裝）
• IPD（集成無源器件）
• ECP（包封晶元封裝）
• RFID（射頻識別）
當今的消費者正在尋找性能強大的多功能電子設備，這些設備不僅要提供前所未有的性能和速度，還要具有小巧的體積和低廉的成本。這給半導體製造商帶來了復雜的技術和製造挑戰，他們試圖尋找新的方法，在小體積、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。長電 科技 在提供全方位的晶圓級技術解決方案平台方面處於行業領先地位，提供的解決方案包括扇入型晶圓級封裝 (FIWLP)、扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)、集成無源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封晶元封裝 (ECP)、射頻識別 (RFID)。
突破性的 FlexLineTM 製造方法
我們的創新晶圓級製造方法稱為 FlexLineTM 方法，為客戶提供了不受晶圓直徑約束的自由，同時實現了傳統製造流程無法實現的供應鏈簡化和成本的顯著降低。FlexLine 製造方法是不同於常規晶圓級製造的重大範式轉變，它為扇入型和扇出型晶圓級封裝提供了很高的靈活性和顯著的成本節省。
FlexLine方法，為客戶提供了不受晶圓直徑約束的自由，同時實現了傳統製造流程無法實現的供應鏈簡化和成本的顯著降低。
用於 2.5D 和 3D 集成的多功能技術平台
FlexLine方法，為客戶提供了不受晶圓直徑約束的自由，同時實現了傳統製造流程無法實現的供應鏈簡化和成本的顯著降低。
半導體公司不斷面臨復雜的集成挑戰，因為消費者希望他們的電子產品體積更小、速度更快、性能更高，並將更多功能集成到單部設備中。半導體封裝對於解決這些挑戰具有重大影響。當前和未來對於提高系統性能、增加功能、降低功耗、縮小外形尺寸的要求，需要一種被稱為系統集成的先進封裝方法。
系統集成可將多個集成電路 (IC) 和元器件組合到單個系統或模塊化子系統中，以實現更高的性能、功能和處理速度，同時大幅降低電子器件內部的空間要求。
什麼是系統級封裝？
系統級封裝 (SiP) 是一種功能電子系統或子系統，包括兩個或更多異構半導體晶元（通常來自不同的技術節點，針對各自的功能進行優化），通常搭載無源元器件。SiP 的物理形式是模塊，根據最終應用的不同，模塊可以包括邏輯晶元、存儲器、集成無源器件 (IPD)、射頻濾波器、感測器、散熱片、天線、連接器和/或電源晶元。
先進 SiP 的優勢
為了滿足用戶提高集成度、改善電氣性能、降低功耗、加快速度、縮小器件尺寸的需求，以下幾大優勢促使業界轉向先進的SiP 解決方案：
• 比獨立封裝的元器件更薄/更小的外形尺寸
• 提高了性能和功能集成度
• 設計靈活性
• 提供更好的電磁干擾 (EMI) 隔離
• 減少系統佔用的PCB面積和復雜度
• 改善電源管理，為電池提供更多空間
• 簡化 SMT 組裝過程
• 經濟高效的「即插即用」解決方案
• 更快的上市時間 (TTM)
• 一站式解決方案 – 從晶圓到完全測試的 SiP 模塊
應用
當前，先進的 SiP 和微型模塊正被應用於移動設備、物聯網 (IoT)、可穿戴設備、醫療保健、工業、 汽車 、計算和通信網路等多個市場。每種先進 SiP 解決方案的復雜程度各不相同，這取決於每種應用需要的元器件的數量和功能。
以下是高級 SiP 應用的一些示例：
根據應用需求和產品復雜度，我們提供多種先進 SiP 配置，從帶有多個有源和無源元件、通過倒裝晶元、引線鍵合和SMT進行互連的傳統2D 模塊，到更復雜的模塊，如封裝內封裝 (PiP)、層疊封裝 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解決方案。先進的SiP 模塊配置 (2D/2.5D/3D) 針對特定終端應用進行定製，旨在充分發揮它們的潛在優勢，包括性能、成本、外形尺寸和產品上市時間 (TTM)。
在倒裝晶元封裝中，硅晶元使用焊接凸塊而非焊線直接固定在基材上，提供密集的互連，具有很高的電氣性能和熱性能。倒裝晶元互連實現了終極的微型化，減少了封裝寄生效應，並且實現了其他傳統封裝方法無法實現的晶元功率分配和地線分配新模式。
長電 科技 提供豐富的倒裝晶元產品組合，從搭載無源元器件的大型單晶元封裝，到模塊和復雜的先進 3D 封裝，包含多種不同的低成本創新選項。長電 科技 的豐富倒裝晶元產品組合包括：
FCBGA 和 fcCSP 都使用錫球來提供第二級 (BGA) 互連。
顛覆性的低成本倒裝晶元解決方案：fcCuBE
長電 科技 還提供名為「fcCuBE 」的創新低成本倒裝晶元技術。fcCuBE 是一種低成本、高性能的先進倒裝晶元封裝技術，其特點是採用銅 (Cu) 柱凸塊、引線焊接 (BOL) 互連以及其他增強型組裝工藝。顧名思義，fcCuBE 就是採用銅柱、BOL 和增強工藝的倒裝晶元。fcCuBE 技術適用於各種平台。自 2006 年獲得首個與 fcCuBE 相關的創新 BOL 工藝專利以來，長電 科技 投入大量資金，將這一變革性技術發展成為引人注目的倒裝晶元解決方案，廣泛應用於從低端到高端的移動市場以及中高端消費和雲計算市場的終端產品。
fcCuBE 的優勢是推動來自成本敏感型市場，如移動和消費類市場，以及網路和雲計算市場的客戶廣泛採用這種封裝，因為在這些市場上，布線密度和性能的增加是必然趨勢。fcCuBE 的獨特 BOL 互連結構可擴展到非常細的凸塊間距，實現高 I/O 吞吐量，同時緩解與應力相關的晶元與封裝之間的交互作用 (CPI)，而這種現象通常與無鉛和銅柱凸塊結構相關。這對於中高端的網路和消費類應用而言尤其重要。
長電 科技 提供全方位一站式倒裝晶元服務
憑借在晶圓級封裝、晶圓探針和最終測試方面的強勁實力，長電 科技 在為客戶提供全方位一站式服務方面獨具優勢。長電 科技 提供從涉及到生產的全方位一站式倒裝晶元服務，包括高速、高引腳數的數字和射頻測試。
焊線形成晶元與基材、基材與基材、基材與封裝之間的互連。焊線被普遍視為最經濟高效和靈活的互連技術，目前用於組裝絕大多數的半導體封裝。
長電 科技 的多種封裝方法都採用焊線互連：
銅焊線
作為金線的低成本替代品，銅線正在成為焊線封裝中首選的互連材料。銅線具有與金線相近的電氣特性和性能，而且電阻更低，在需要較低的焊線電阻以提高器件性能的情況下，這將是一大優勢。長電 科技 可以提供各類焊線封裝類型，並最大程度地節省物料成本，從而實現最具成本效益的銅焊線解決方案。
層壓封裝
基於層壓的球柵陣列 (BGA) 互連技術最初推出的目的是滿足高級半導體晶元不斷增長的高引線數要求。BGA 技術的特點是將引線以小凸塊或焊球的形式置於封裝的底面，具有低阻抗、易於表面安裝、成本相對較低和封裝可靠性高等特點。長電 科技 提供全套的基於層壓的 BGA 封裝，包括細間距、超薄、多晶元、堆疊和熱增強配置。
除了標准層壓封裝之外，長電 科技 還提供多種先進堆疊封裝選項，包括一系列層疊封裝 (PoP) 和封裝內封裝 (PiP) 配置。
引線框架封裝
引線框架封裝的特點是晶元包封在塑料模塑復合物中，金屬引線包圍封裝周邊。這種簡單的低成本封裝仍然是很多應用的最佳解決方案。長電 科技 提供全面的引線框架封裝解決方案，從標准引線框架封裝到小巧薄型熱增強封裝，包括方形扁平封裝 (QFP)、四邊/雙邊無引腳、扁平封裝 (QFN/DFN)、薄型小外型封裝 (TSOP)、小外形晶體管 (SOT)、小外形封裝 (SOP)、雙內聯封裝 (DIP)、晶體管外形 (TO)。
存儲器器件
除了增值封裝組裝和測試服務之外，長電 科技 還提供 Micro-SD 和 SD-USB 這兩種格式的存儲卡封裝。Micro-SD 是集成解決方案，使用 NAND 和控制器晶元，SD-USB 則是裸片和搭載 SMT 元器件的預封裝晶元。長電 科技 的存儲卡解決方案採用裸片級別組裝、預封裝晶元組裝，或者兩者結合的方式。
全方位服務封裝設計
我們在晶元和封裝設計方面與客戶展開合作，提供最能滿足客戶對性能、質量、周期和成本要求的產品。長電 科技 的全方位服務封裝設計中心可以幫助客戶確定適用於復雜集成電路的最佳封裝，還能夠幫助客戶設計最適合特定器件的封裝。
2.5/3D集成技術圓片級與扇出封裝技術系統級封裝技術倒裝封裝技術焊線封裝技術MEMS與感測器
MEMS and Sensors
隨著消費者對能夠實現感測、通信、控制應用的智能設備的需求日益增長，MEMS 和感測器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成為一種非常關鍵的封裝方式。MEMS 和感測器可廣泛應用於通信、消費、醫療、工業和 汽車 市場的眾多系統中。
感測器
感測器是一種能夠檢測/測量物理屬性，然後記錄並報告數據和/或響應信號的裝置或系統。感測器通常組裝在模塊中，這些模塊能夠基於模擬或感測器饋送信號來作出響應。感測器有很多不同的類型和應用，例如壓力感測器、慣性感測器、話筒、接近感測器、指紋感測器等
微機電系統 (MEMS)
MMEMS 是一種專用感測器，它將機械和電氣原件通過分立或模塊方式組合起來。MEMS是典型的多晶元解決方案，例如感應晶元與專用集成電路 (ASIC) 配對使用。MEMS 器件可以由機械元件、感測器、致動器、電氣和電子器件組成，並置於一個共同的硅基片上。在消費、 汽車 和移動應用中使用基於 MEMS 的感測器具備一些優勢，包括體積小、功耗低、成本低等。
集成一站式解決方案
憑借我們的技術組合和專業 MEMS 團隊，長電 科技 能夠提供全面的一站式解決方案，為您的量產提供支持，我們的服務包括封裝協同設計、模擬、物料清單 (BOM) 驗證、組裝、質量保證和內部測試解決方案。長電 科技 能夠為客戶的終端產品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解決方案。我們的創新集成解決方案能夠幫助您的企業實現 MEMS 和感測器應用的尺寸、性能和成本要求。
1. 嵌入式晶圓級球柵陣列 (eWLB) - 單晶元、多晶元和堆疊的層疊封裝配置
2. 晶圓級晶元尺寸封裝 (WLCSP) - 非常小的單晶元
3. 倒裝晶元晶元尺寸封裝 (fcCSP)- 單晶元或多晶元的倒裝晶元配置
4. 細間距球柵陣列 (FBGA) - 單晶元或多晶元配置
5. 接點柵格陣列 (FBGA) - 單晶元或多晶元配置
6. 四邊扁平無引腳 (FBGA) - 單晶元或多晶元配置
長電 科技 提供全方位一站式倒裝晶元服務
憑借在晶圓級封裝、晶圓探針和最終測試方面的強勁實力，長電 科技 在為客戶提供全方位一站式處理方面獨具優勢。長電 科技 提供從設計到生產的全方位一站式倒裝晶元服務，包括高速、高引腳數的數字和射頻測試。
全方位一站式解決方案的優勢
• 縮短產品上市時間
• 提升整體流程效率
• 提高質量
• 降低成本
• 簡化產品管理
長電 科技 位於中國、新加坡、韓國和美國的全球特性分析團隊，致力於為全球客戶提供先進的封裝表徵服務，確保客戶擁有高質量、高性能、可靠和高性價比的封裝設計，以滿足他們的市場需求。
晶圓凸塊技術可以在半導體封裝中提供顯著的性能、外形尺寸和成本優勢。晶圓凸塊是一種先進的製造工藝，在切割之前就在半導體晶圓表面形成金屬焊球或凸塊。晶圓凸塊實現了器件中的晶元與基材或印刷電路板之間的互連。焊球的成分和尺寸取決於多種因素，例如半導體器件的外形尺寸、成本以及電氣、機械和熱性能要求。
長電 科技 在晶圓凸塊的眾多合金材料和工藝方面擁有豐富的經驗，包括採用共晶、無鉛和銅柱合金的印刷凸塊、錫球和電鍍技術。我們的晶圓凸塊產品包括 200mm 和 300mm 晶圓尺寸的晶圓凸塊和再分配，以提供完整的一站式先進倒裝晶元封裝和晶圓級封裝解決方案。
長電 科技 的認證質量測試中心，提供多種可靠性試驗，包括環境可靠性測試、使用壽命可靠性測試、板級可靠性試驗，和全方位的故障分析服務。
封測市場高景氣，公司治理和業務協同不斷強化，業績實現高速增長： 公司 2020 年歸母凈利潤同比+1371.17%，業績實現高速增長，主要得益 於公司進一步深化海內外製造基地資源整合、提高營運效率、改善財務 結構，大幅度提高了經營性盈利能力。2020 年，公司海外並購的新加坡 星科金朋實現營業收入 13.41 億美元，同比增長 25.41%，凈利潤從 2019 年的虧損 5,431.69 萬美元到 2020 年的盈利 2,293.99 萬美元，實現全面 扭虧為盈。另外，收購後，子公司長電國際利用星科金朋韓國廠的技術、 廠房等新設立的長電韓國工廠（JSCK）在 2020 年實現營業收入 12.35 億美元，同比增長 64.97%；凈利潤 5,833.49 萬美元，同比增長 669.97%。 2021 年第一季度，公司業績延續高增長趨勢，歸母凈利潤同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，凈利率 5.76%，同比+3.41pct。
公司可為客戶提 供從設計模擬到中後道封測、系統級封測的全流程技術解決方案，已成 為中國第一大和全球第三大封測企業。公司產能全球布局，各產區的配 套產能完善，隨著產能利用率的持續提升，公司生產規模優勢有望進一 步凸顯，同時，各產區互為補充，各具技術特色和競爭優勢，完整覆蓋 了低、中、高端封裝測試領域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封裝等先進封 裝領域優勢明顯。公司聚焦 5G 通信、高性能計算、 汽車 電子、高容量 存儲等關鍵應用領域，大尺寸 FC BGA、毫米波天線 AiP、車載封測方 案和 16 層存儲晶元堆疊等產品方案不斷突破，龍頭地位穩固。
用戶資源和 高附加價值產品項目，加強星科金朋等工廠的持續盈利能力。目前，公 司國內工廠的封測服務能力持續提升，車載涉安全等產品陸續量產，同 時，韓國廠的 汽車 電子、5G 等業務規模不斷擴大，新加坡廠管理效率 和產能利用率持續提升，盈利能力穩步改善。隨著公司各項業務和產線 資源整合的推進，公司盈利能力有望持續提升，未來業績增長動能充足。
D. 晶元龍頭股排名前十
1、同方國芯-NAND快閃記憶體技術擁有西安華芯51%的所有權，擁有華芯自主品牌大容量DRAM內存產品
2、國民技術-射頻晶元移動支付限制域通信RCC技術
3、景嘉微-軍用GPU(JM5400型圖形晶元)
4、全志科學技術-a股唯一獨立IP核心晶元設計公司(類似大型ARM)
5、艾派克-通用印刷消耗品晶元。
6、大唐電信-子公司聯芯科學技術(LC1860晶元-中低端產品)、恩智浦(燈調節器晶元、門驅動晶元、電池管理晶元)、大唐微電子(金融IC卡-國內唯一模塊包裝生產線的晶元公司)
7、歐元-SOC、晶元衛星等國內航空宇宙控制晶元(S698系列芯)
8、北京君正-自主創新的XBurstCPU核心技術-MIPS結構M200晶元
9、匯兌技術-世界領先的單層多點觸摸晶元，世界首個觸摸屏近場通信技術GoodixLink，世界首個Android手機正面應用的指紋識別晶元，世界首個InvisibleFingerprintSensor(IFS)
10、士蘭微-完全自主IP的單晶元MEMS高性能六軸慣性感測器
11、盈方微-合作開發騰訊Ministation晶元
12、上海貝嶺-BL6523單相計量晶元;
13、中穎電子-AMOLED驅動IC唯一的批量製造商
14、兆易創新-NANDFlash
15、三安光電-LED晶元領袖
16、芯鵬微-電池管理晶元
17、鼎龍株式會社-旗捷科技印刷消耗品晶元
18、紫光國芯-長江存儲3DNANDFPGA
19、三毛派神-北大眾志芯科學技術國產自主控制CPU
20、長盈精密-納芯威的電源管理晶元
21、中興通訊-中興微電子
22、東軟載波-上海海爾集成電路物聯網晶元
23、光速技術-光晶元
24、振芯技術-飛晶元
25、海特高新技術-嘉石科學技術(軍工高級晶元）
E. 國內晶元龍頭公司有哪些
1、中環股份
天津中環半導體股份有限公司成立於1999年，前身為1969年組建的天津市第三半導體器件廠，2004年完成股份制改造，2007年4月在深圳證券交易所上市，股票簡稱「中環股份」，代碼為002129。
是生產經營半導體材料和半導體集成電路與器件的高新技術企業，公司注冊資本482,829,608元，總資產達20.51 億。
F. 集成電路產業這十城最有競爭力：上海居榜首，江蘇三地入選
集成電路作為新一代信息技術的基礎，經過多年部署，我國目前主要有四個產業集聚區，分別是以上海為中心的長三角、以北京為中心的環渤海、以深圳為中心的泛珠三角和以武漢、成都為代表的中西部區域。
在上述四個區域中，不僅有上海、北京、無錫這類已經布局多年的城市，也有南京等後發奮起的城市。
隨著集成電路新政的出台，產業再度迎來利好，下一步區域和城市產業發展過程中該如何協同？
四個區域十大城市
由於集成電路產業對當地的資源稟賦條件要求很高，因此目前國內集成電路產業基本都分布在省會城市或沿海的計劃單列市，並基本呈現「一軸一帶」的分布特徵。
「這種『一軸一帶』是十幾年前就有的布局，沿江發展軸是從成都、重慶、西安、武漢、合肥，一直到南京、上海；沿海發展帶是從大連、北京、天津、青島再到廈門、福州、深圳、廣州，呈現一個燕翅型的布局。其中，以上海為中心的長三角是燕頭，珠三角、京津環渤海是兩個翅膀，中西部是燕子的尾巴。」賽迪顧問副總裁李珂告訴第一 財經 記者。
根據芯思想研究院2020年中國大陸城市集成電路競爭力排行榜，前10強中，長三角地區佔五席，分別是上海、無錫、合肥、南京、蘇州，珠三角地區深圳入圍，環渤海北京入選，中西部有成都、西安、武漢入選。
這個排名，其實也和我國已有的集成電路產業格局相符。「集成電路產業並不是一個新興的朝陽產業，一投入就能看到效果，它從政策、資金、產業基礎、上下游的配套再到人才，都需要長期投入才能慢慢看到成效。」李珂說。
具體來看，上海排在榜單首位，集成電路是其三大重點產業之一，已覆蓋設計、製造、封裝測試、裝備材料等各環節領域。根據上海集成電路行業協會的數據，2019年上海集成電路產業規模已經超過1700億元，其中設計業715億元，製造業389億元，封測業382億元，設備材料業218億元。
在企業方面，上海僅浦東張江就集聚了中芯國際、華虹宏力、華力微電子、華大半導體、紫光展銳、上海微電子裝備、盛美半導體等多家知名企業；在設計領域，上海一些集成電路企業的研發能力已達到7納米，其中紫光展銳在全球手機晶元市場份額位列第三；在製造領域，中芯國際、華虹集團的年銷售額在國內位居前兩位。
在今年1~5月各個領域受到挑戰的情況下，上海集成電路產業仍逆勢增長，銷售收入實現38.7%的增長。
作為國內綜合科研實力最強的地區，北京規劃到2020年建成具有國際影響力的集成電路產業技術創新基地，且北京的產業規模多年來一直位居前三，並在技術研發、集成電路設計、晶元製造、封裝測試、設備和材料方面都有良好基礎。
而深圳作為珠三角地區集成電路規模最大的城市，規劃到2023年建成具有國際競爭力的集成電路產業集群，集成電路產業規模達2000億元，其中設計業銷售收入突破1600億元。
另外在十強城市中，江蘇有三個城市上榜，分別是無錫、南京、蘇州。其中既有布局多年的無錫和蘇州，也有近幾年開始發力的南京。
無錫是江蘇集成電路產業最發達的城市。2018年和2019年，無錫集成電路產業規模均超過1000億元，其中，2019年的產值達1178.3億元，增長8.3%，位於江蘇省第一，佔比超過50%；在全國居第二，佔比超過10%。
近兩年，華虹半導體無錫基地（一期）12英寸生產線、中環領先大矽片、海力士二工廠、聯動天翼新能源一期等重大項目在無錫竣工投產。就在8月5日，無錫市政府與江蘇省產業技術研究院全面合作共建的江蘇集成電路應用技術創新中心正式簽約，落戶錫山經濟技術開發區。創新中心建成後，將形成3個以上行業級集成電路應用測試平台。該項目整體團隊規模預計達130人以上，計劃培養、引進大型公司高管等高層次人才20人以上，引進博士級別專業人才60人以上。
集成電路產業覆蓋設計、晶元製造、封裝與測試、裝備與材料和EDA等多個領域。李珂對記者表示，我國集成電路產業四個主要區域，發展的重點有所不同。在長三角地區，製造環節是最核心的，無論是上海的晶元製造和設計，還是整個江蘇的封裝測試、晶元製造，都是這個區域的最大優勢。而北京是集成電路設計領域最突出，比如全國前十大的IC設計公司，北京佔了超過一半。珠三角則是在集成電路的應用領域比較突出，包括中興、華為，以及下游的整機廠商、解決方案提供商。而中西部則處在趕超的狀態，比如西安的三星、武漢的長江存儲。
中國半導體行業協會統計顯示，2019年，中國集成電路產業銷售額為7562.3億元，同比增長15.8%。其中，設計業銷售額為3063.5億元，同比增長21.6%；製造業銷售額為2149.1億元，同比增長18.2%；封裝測試業銷售額2349.7億元，同比增長7.1%。
15.8%的增長率雖然比以往低，但相比2019年全球半導體市場同比下滑12.1%的情況，中國半導體市場仍是逆勢上揚。
要在整個產業鏈突破
值得注意的是，雖然我國的集成電路產業經過20年發展，在設計等領域取得不小進步，但是在製造、上游裝備等領域，依然和發達國家存在較大差距。
8月7日，華為消費者業務CEO余承東在中國信息化百人會2020峰會上表示，盡管華為在晶元里的 探索 從十幾年前的嚴重落後經歷了「比較落後、有點落後、趕上來再到領先」的過程，但由於製造環節的缺失，讓華為即將發布的5G晶元麒麟9000很可能成為麒麟高端晶元的最後一代。他還呼籲，半導體產業鏈上的夥伴應該全方位紮根。
在早些時候的8月4日，國務院公布了《關於新時期促進集成電路產業和軟體產業高質量發展若干政策的通知》（下稱「新政」）。這份新政也被業內人士看作是力度最大以及覆蓋范圍最廣的文件，包括財稅、投融資、研究開發、進出口、人才、知識產權、市場應用、國際合作等八個方面。
其中最引人注意的是減稅相關內容，第一條就是針對製造企業。比如，國家鼓勵的集成電路線寬小於28納米（含），且經營期在15年以上的集成電路生產企業或項目，第一年至第十年免徵企業所得稅。
李珂對記者表示，如果說以往集成電路產業發展的最大瓶頸是資金，現在不管是國家大基金的設立，還是科創板支持集成電路企業上市，都很大程度上解決了資金問題，所以當前的關鍵是技術領域的突破。「過去我們談產業鏈上的重點突破，選幾個領域先突破。現在和以往不同，需要在整個產業鏈全面突破。」
按照以往經驗，國務院發布文件以後，各部委和一線城市都會發布更具體的政策。李珂說，相比此前的《國務院關於印發鼓勵軟體產業和集成電路產業發展若干政策的通知》（國發〔2000〕18號）出台後少數城市略顯蜂擁的布局，本次新政出台的背景是，各地政府對集成電路產業發展的積極性仍然很高，但是更重要的是已經認清自己的城市稟賦，因此在承接項目時會更加理性。
李珂還認為，從產業發展來看，不管是經濟強省還是信息產業強省，發展集成電路雖然各有側重，但是否擁有一條12英寸的集成電路生產線是一個關鍵。「比如廣州去年有了第一條12英寸生產線，杭州今年的重點項目也有12英寸集成電路製造項目。」
對於近年開始發力集成電路產業的後起之秀南京，還有中西部產業規模靠前的成都，李珂認為，這些地方要繼續發揮自己的城市優勢，比如成都要利用好自身的高校資源（電子 科技 大學），另外還要加快布局12英寸的生產線，打造完整的產業生態。