A. 內存的性能指標
內存的性能指標有以下方面。
1、存儲速度：內存的存儲速度用存取一次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速度就越快。
2、容量：內存的容量越大越不容易卡頓，但它要受到主板支持最大容量的限制。單條內存的容量有1GB、2GB、4GB等幾種。主板上通常都至少提供兩個內存插槽，若安有多條內存，則電腦內存的總容量是所有內存容量之和。
3、CL CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在一定頻率下衡量不同規范內存的重要標志之一。
4、SPD晶元 SPD是一個8針256位元組的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 晶元.位置一般處在內存條正面的右側, 裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。
5、工作電壓：由於低電壓內存要低於標准電壓1.5V保證穩定工作，因此生產低電壓內存要求更高的品質，出廠時內存電壓越高就代表內存品質越不好，這也是低電壓內存的優點之一。因此，內存條高低電壓的區別就在於低壓內存條比高壓內存條耗電量低，更加環保。
(1)影響存儲的指標擴展閱讀：
內存的構造和原理。
內存的內部結構是PC晶元中最簡單的，是由許多重復的「單元」——cell組成，每一個cell由一個電容和一個晶體管（一般是N溝道MOSFET）構成，電容可儲存1bit數據量，充放電後電荷的多少（電勢高低）分別對應二進制數據0和1。
由於電容會有漏電現象，因此過一段時間之後電荷會丟失，導致電勢不足而丟失數據，因此必須經常進行充電保持電勢，這個充電的動作叫做刷新，因此動態存儲器具有刷新特性，這個刷新的操作一直要持續到數據改變或者斷電。
而MOSFET則是控制電容充放電的開關。DRAM由於結構簡單，可以做到面積很小，存儲容量很大。
B. 衡量計算機存儲能力的指標是什麼
衡量計算機存儲能力的指標是內存容量。
計算機的內存容量通常是指隨機存儲器的容量，是內存條的關鍵性參數。內存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，內存容量越大越有利於系統的運行。
進入21世紀初期，台式機中主流採用的內存容量為2GB或4GB，512MB、256MB的內存岩豎已較少採用。 系統對內存的識別是以Byte為單位，每個位元組由8位二進制遲棗游數組成，即8bit（比特，也稱「位」）。按照計算機的二進制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。
系統中內存的數量等於插在主板內存插槽上所有內存條容量的總和，內存容量的上限一般由主板晶元組和內存插槽決定。
關於內存的介紹：
內存是計算機的重要部件，也稱內存儲器和主存儲器，它用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。它是外存與CPU進行溝通的橋梁，計算機中所有程序的運行都在內存中進行，內存性能的強弱影碼銷響計算機整體發揮的水平。只要計算機開始運行，操作系統就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算，當運算完成，CPU將結果傳送出來。
我們平時輸入一段文字或玩一個游戲，其實是在內存中進行。好比在一個書房，存放書籍的書架和書櫃相當於電腦的外存，我們工作的辦公桌相當於內存。通常，我們把要永久保存、大量數據存儲在外存上，把一些臨時或少量的數據和程序放在內存上。當然，內存的好壞會直接影響電腦的運行速度。
C. 什麼是存儲器的重要性能指標
簡單的來講，存儲器的重要性能指標就是晶元在設計的時候採用的編程演算法是否是最合邏輯的，最和邏輯就好運算穩定，快捷;還有生產的時候，載體的原材料的規格，加工質量，是否能從散熱以及穩定方面滿足編碼的需求
專業內容如下：存儲器的主要幾項技術指標：
主存儲器的主要幾項技術指標 指標含義表現單位
存儲容量 在一個存儲器中可以容納的存儲單元總數 存儲空間的大小 字數，位元組數
存取時間 啟動到完成一次存儲器操作所經歷的時間 主存的速度 ns
存儲周期 連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間 主存的速度 ns
存儲器帶寬 單位時間里存儲器所存取的信息量, 數據傳輸速率技術指標 位/秒，位元組/秒
主存儲器的性能指標主要是存儲容量、存取時間和存儲周期。
存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應的單元地址叫字地址。而存放一個位元組的單元，稱為位元組存儲單元，相應的地址稱為位元組地址。如果計算機中可編址的最小單位是字存儲單元，則該計算機稱為按字編址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是位元組，則該計算機稱為按位元組編址的計算機。一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的位元組地址。例如，PDP-11系列計算機，一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個位元組，可以按字地址定址，也可以按位元組地址定址。當用位元組地址定址時，16位的存儲單元占兩個位元組地址。
在一個存儲器中容納的存儲單元總數通常稱為該存儲器的存儲容量。存儲容量用字數或位元組數(B)來表示，如64K字，512KB，10MB。外存中為了表示更大的存儲容量，採用MB，GB，TB等單位。其中1KB=2B，1MB=2B，1GB=2B，1TB=2B。B表示位元組，一個位元組定義為8個二進制位，所以計算機中一個字的字長通常為8的倍數。存儲容量這一概念反映了存儲空間的大小。
存儲時間有稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。具體講，從一次讀操作命令發出到該操作完成，將數據讀入數據緩沖寄存器為止所經歷的時間，即為存儲器存取時間。
存儲周期是指連續啟動兩次獨立的存儲器操作(如連續兩次讀操作)所需間隔的最小時間。通常，存儲周期略大於存儲時間，其時間單位為ns
D. 什麼是一般評價存儲器、存儲體系的優劣時的重要因素
度是一股評價存儲器存儲體系的優房時的里要因素之一。衡量存儲器有3個指標：容量、速度、和價格/位。存儲系統的層次結構，存儲器的層次結構 在選取計算機的存儲器時，通常需要考慮的因素是存儲器的讀寫速度、存儲容量、價格。
E. 磁碟存儲器的技術指標有哪些
存儲器的主要技術指標有：
1、存儲器容量：存儲器容量是指存儲器存放信息的總量。以Byte為單位，讀作「位元組」。習慣上使用KB(1KB=1024B)、MB(1MB=1024KB)和GB(1GB=1024MB)。
2、存儲密度：外存儲器軟磁碟按存儲密度不同分為低密度盤(48TPI)和高密度盤(96TPI)。尺寸為5.25英寸的軟盤：低密度盤容量為360KB，高密度盤容量為1.2MB；尺寸為3.5英寸的軟盤：低密度盤容量為720KB，高密度盤容量為1.44MB。
3、存取周期：存取周期是指從存儲器中取出(或存入)一個字到再能取出(或存入)下一個字所需要的時間。以毫微秒(ns)為單位。
F. 1、評價存儲器性能的主要指標有哪些 2、簡述存儲器晶元擴展的基本思路。
當評價存儲器性能時，我們通常關注以下主要指標：
容量：存儲器能夠存儲的數據量。通常以位元組（Bytes）為單位進行衡量。較大的容量意味著可以存儲更多的數據。
速度：包括延遲（Latency）和帶寬（Bandwidth）。延遲是指從發起訪問請求到數據可用之間的時間延遲，而帶寬是指在單位時間內可以傳輸的數據量。較低的延遲和較高的帶寬表示存儲器可以更快地響應請求和傳輸數據。
訪問時間：從發出存儲器訪問請求到數據可用的總時間。它包括延遲以及傳輸和處理數據所需的時間。較低的訪問時間意味著存儲器能夠更快地提供需要的數據。
吞吐量：單位時間內完成的讀取或寫入操作的數量。較高的吞吐量表示存儲器可以處理更多的操作，提高整體性能。
增加晶元的容量：通過提高存儲單元的密度，增加晶元上可容納的存儲單元數量，從而擴展存儲器的容量。
採用新的存儲技術：引入新的存儲技術，如快閃記憶體、相變存儲器（PCM）、磁存儲器等，塵游以提供更高的存儲密度和性能。
堆疊技術：通過將多個存儲層堆疊在一起，形成立體結構，以增加存儲容量。這種技術利用垂直空間，將多個晶元或存儲單元疊放在一起。
存儲器層次結構優化：通過結合不同種類和層次的存儲器，如高速緩存（Cache）、主存儲器（RAM）、輔助存儲器（硬碟、固態硬碟等），實現存困兄正儲器層次結構的優化，提高整體性能和容量。
以上指標綜合考慮可以評估存儲器的性能優劣，根據不同應用的需求選擇合適的存儲器技術和規格。
關於存儲器晶元擴展的基本思路，常見的方式包括：
這些思路都是為了滿足不斷增長的數據存儲需求和提高存儲器汪悔性能的目標，不同的存儲器技術和設計策略會根據需求和技術發展而有所不同。
G. 內存的主要性能和指標有哪些
內存的性能指標包括存儲速度、存儲容量、CAS延遲時間、內存帶寬等，下面對 他們進行一一介紹
1、存儲速度
內存的存儲速度用存取一次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速散謹含度就越快。目前，DDR內存的存取時間一般為6ns，而更快的存儲器多用在顯卡的顯存上，如：5ns、 4ns、 3.6ns、晌拆 3.3ns、 2.8ns、 等。
2、存儲容量
目前常見的內存存儲容量單條為128MB、256MB、512MB，當然也有單條1GB的，內存，不過其價格較高，普通用戶少有使用。就目前的行情來看，配機時盡時使用單條256MB以上的內存，不要選用兩根128MB的方案。 提示：內存存儲容量的換算公式為，1GB=1024MB=1024*1024KB
3、CL
CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在一定頻率下衡量不同規范內存的重要標志之一。對於PC1600和PC2100的內存來說，其規定的CL應該為2，即他讀取數據的延遲時間是兩個時鍾周期。也就是說他必須在CL=2R 情況下穩寰工作的其工作頻率中。
4、SPD晶元
SPD是一個8針256位元組的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 晶元.位置一般處在內存條正面的右側, 裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。
5、奇偶校驗
奇偶校驗就是內存每一個位元組外又額外增加了一位作為錯誤檢測之用。當CPU返回讀顧儲存的數據時，他會再次相加前8位中存儲的數據，計算結果是否與校驗相一致。當CPU發現沖笑二者不同時就會自動處理。
6、內存帶寬
從內存的功能上來看，我們可以將內存看作是內存控制器（一般位於北橋晶元中）與CPU之間的橋梁或倉庫。顯然，內存的存儲容量決定「倉庫」的大小，而內存的帶決定「橋梁的寬窄」，兩者缺一不可。 提示：內存帶寬的確定方式為：B表示帶寬、F表於存儲器時鍾頻率、D表示存儲器數據匯流排位數，則帶寬B=F*D/8
如常見100MHz的SDRAM內存的帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/秒
常見133MHz的SDRAM內存的帶寬133MHz*64bit/8=1064MB/秒