⑴ 韓國目標到2030年實現50%晶元材料供應本土化，難度有多大
難度系數很大，只有30%，實現半導體製造產業鏈中一半的原材料、元器件和設備可以在當地采購。政府加強晶元產業戰略的一部分。擁有全球最大存儲晶元製造商三星和SK海力士的韓國正在尋求加強其供應鏈的資源安全和穩定性，以成為該領域的“超級大國”。據晶元行業估計，韓國約20%的晶元設備和50%的原材料來自當地供應商。
要知道的是對於12英寸矽片來說，由於新廠的產能和矽片材料的新增產能，不存在明顯的時間沖突。材料供應和價格都相對持平。但隨著中國新晶圓廠的建設，這種平衡可能會被打破。同時，如何應對中國國內廠商對就近配套服務的需求，也將成為行業亟待解決的現實問題。在消費電子產業鏈的下游，零部件加工和整機組裝復制了全球最大的廉價產能。將產業鏈上游零部件廠商和材料產能投入中國市場，滿足中國國內市場零部件產能爆發後的配套需求。
⑵ 內存條上有HYNIX和KOREA ，哪個是內存的類型
這是現代內存條，韓國產。
內存容量：256
內存類型：ddr
內存主頻：266mhz
⑶ 韓國晶元庫存增幅創下6年多來最大，這背後代表了什麼
韓國晶元庫存增幅創下6年多來最大，這背後代表了韓國的晶元積壓已經達到了歷史以來的最高點，說明當前的晶元市場需求少，從中也使人們更加擔心未枯搜來的市場前景。韓國的出口數據不佳，從而給全球經濟的前景也增添了一抹濃重陰影。
韓凱念國的統計局公布，自6月份以來，全國的晶元庫存比上一年同期增長了79%，這個數據可以算是2016年以來的最高幅度。當然因為韓國的晶元出口出現了問題，也使國內的出貨量逐漸放慢，主產業的增速也出現了慢速度增長。
和去年的經營狀況相比，今年的晶元下單量逐漸的減少。各家廠商的晶元庫存已經積累到了最頂端，特別是儲存晶元，驅動IC等市場的需求量特別少。積壓不斷的上升，在目前這種情況下，如何銷售廠內的庫存已經成為了各廠商最頭疼的問題。在目前的形勢下，全球經濟緊縮，不管是哪個行業，都或多或少受到了不同程度的影響。這個時候更應該關注市場的變化，時刻緊隨市場行情。
⑷ SK海力士宣布開發出238層快閃記憶體晶元，將於明年量產
SK海力士宣布開發出238層快閃記憶體晶元，將於明年量產
SK海力士宣布開發出238層快閃記憶體晶元，將於明年量產，SK 海力士 238 層 NAND 快閃記憶體在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的面積。SK海力士宣布開發出238層快閃記憶體晶元，將於明年量產。
SK海力士宣布開發出238層快閃記憶體晶元，將於明年量產1
據國外媒體報道，周二，韓國晶元製造商SK海力士宣布，它已開發出238層NAND快閃記憶體晶元。
該公司表示，這款晶元是最小的NAND快閃記憶體晶元，數據傳輸速度與上一代晶元相比提升50%，讀取數據消耗的能量降低21%，將用於PC存儲設備、智能手機和伺服器，計劃在2023年上半年開始批量生產。
去年12月30日，SK海力士宣布完成收購英特爾NAND快閃記憶體及SSD業務的第一階段。在第一階段的交易中，英特爾向SK海力士出售SSD業務（包括轉讓NAND SSD相關的知識產權及員工）和大連的NAND快閃記憶體製造工廠，SK海力士則向英特爾支付70億美元。
這筆收購交易的第二階段預計將在2025年3月及之後進行，屆時SK海力士將向英特爾支付餘下的20億美元。據悉，英特爾出售給SK海力士的相關資產交由後者新設立的子公司Solidigm管理。
由於全球經濟的不確定性正在抑制消費者對電子產品的購買力，SK海力士在7月下旬宣布，將無限期推遲投資33億美元新建存儲晶元工廠的擴張計劃。
據悉，SK海力士決定推遲擴建的工廠是該公司此前決定在清州園區建設的M17存儲晶元工廠，該工廠原本計劃於2023年晚些時候開工建設，預計最早於2025年完工。
外媒報道稱，該公司之所以決定推遲擴建計劃，可能是由於成本上升以及市場對晶元的需求放緩等問題。
SK海力士宣布開發出238層快閃記憶體晶元，將於明年量產2
SK 海力士官宣全球首發 238 層 512Gb TLC 4D NAND 快閃記憶體，將於明年上半年投入量產。現在，SK 海力士官方發文對其最新技術進行了介紹。
據介紹，SK 海力士 238 層 NAND 快閃記憶體在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的面積。
SK 海力士在 2018 年研發的 96 層 NAND 快閃記憶體就超越了傳統的 3D 方式，並導入了 4D 方式。為成功研發 4D 架構的晶元，公司採用了電荷捕獲型技術 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技術。相比 3D 方式，4D 架構具有單元面積更小，生產效率更高的優點。
官方稱，新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產出更多的晶元，因此相比 176 層 NAND 快閃記憶體其生產效率也提高了 34%。
此外，238 層 NAND 快閃記憶體的數據傳輸速度為 2.4Gbps，相比前一代產品提高了 50%，晶元讀取數據時的能源消耗也減少了 21%。
SK 海力士計劃先為 cSSD 供應 238 層 NAND 快閃記憶體，隨後將其導入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的伺服器 SSD 等。SK 海力士還將於明年發布 1Tb 密度的全新 238 層 NAND 快閃記憶體產品。
SK海力士宣布開發出238層快閃記憶體晶元，將於明年量產3
7月26日，美國美光科技表示將開始出貨其最先進的NAND快閃記憶體晶元，也是首家正式宣布將NAND晶元擴展到超過200層的企業；本周三，韓國的SK海力士也宣布開發出一款超過200層的快閃記憶體晶元。
美光的快閃記憶體晶元由232層存儲單元組成，數據傳輸速度將比其上一代176層的晶元快50%，且封裝尺寸比前幾代產品還要小28%。該晶元將主要瞄準人工智慧和機器學習等以數據為中心的領域，滿足其低延遲和高吞吐量的需求。
韓國SK海力士公司今日也宣布，開發出超200層的.NAND快閃記憶體晶元。該款晶元由238層存儲單元組成，比美光的最新晶元還要多裝6層。
據SK海力士稱，238層晶元是其尺寸最小的NAND快閃記憶體晶元，數據傳輸速度和功率比上一代提高了50%，讀取數據消耗的能量也減少了21%。
SK海力士這款最新晶元將在2023年上半年開始量產；而美光則表示將於2022年底開始量產232層NAND。
層數越高越好
NAND快閃記憶體幾乎應用與所有主要的電子終端之中，智能手機、電腦、USB驅動器等都有它的存在。快閃記憶體受不受市場歡迎的兩個重要因素，一是成本，二就是存儲密度。
而自2013年三星設計出垂直堆疊單元技術後，晶元的層數比拼一直是各大NAND快閃記憶體晶元廠商競爭的重點。
與CPU和GPU仍在競爭增大晶體管密度、用更精細的技術大幅提高晶元性能不同，在NAND市場，目前，想要大幅提高存儲密度，增加層數就是關鍵。因此，NAND快閃記憶體從最初的24層一路上升，發展到現在的200多層。
不過也有專家表示，在快閃記憶體晶元領域，各個廠家都有各自的技術架構和演進路線圖，並不完全一致，各家都有各家的技術工藝特色。在低層級的時候，3D堆疊確實能夠顯著提升快閃記憶體的性能，但是隨著層數的增加，性能提升也會遭遇瓶頸，需要在技術、成本和性能之間尋找一個平衡。總體而言，層數的領先並不能代錶快閃記憶體技術上的絕對領先，還是綜合成本和性能來看。
美光232層NAND使用了與三星第七代快閃記憶體相似的「雙堆棧」技術。將232層分為兩部分，每部分116層，從一個深窄的孔開始堆疊。通過導體和絕緣體的交替層蝕刻，用材料填充孔，並加工形成比特存儲部分，從而製造出成品晶元。
而蝕刻和填充穿過所有堆疊層的孔，就成為了NAND快閃記憶體層數增加的技術關卡。
200層的野心
目前，大多數的快閃記憶體晶元仍在生產100+層數的晶元，但眾多生產企業對200層的生產工藝都是躍躍欲試。
早在2019年，SK海力士就做出過大膽假設，在2025年推出500層堆疊產品，並在2032年實現800層以上。
今年稍早，美國西部數據與合作夥伴日本鎧俠稱，將很快推出超過200層的BiCS+內存晶元，預定在2024年正式面世。
參與層數競爭的三星電子也被曝將在今年底推出200層以上的第八代NAND快閃記憶體，業界猜測可達224層，傳輸速度和生產效率將提高30%。
現在全球的快閃記憶體格局，三星電子雖是技術的奠基者並在過去一直領導市場發展，但在200層以上的競爭上，略落後於美光與SK海力士。這兩家公司入局雖晚，但技術演進勢頭很猛，在技術上可能保持領先優勢。
而未來，據歐洲知名半導體研究機構IMEC認為，1000層的NAND快閃記憶體也不是很遠，或在10年內就會出現。層數之爭依舊是NAND快閃記憶體的主旋律，就看能否有人彎道超車了。