1. 計算機內存中只能讀出，不能寫入的存儲器稱為
只能獨處，不能寫入的存儲器為ROM。
只讀存儲器（ROM）是一種在正常工作時其存儲的數據固定不變，其中的數據只能讀出，不能寫入，即使斷電也能夠保留數據，要想在只讀存儲器中存入或改變數據，必須具備特定的條件。
按存取信息的不同方式，存儲器可以分為隨機存取存儲器（RAM）和非隨機存取存儲器。只讀存儲器就屬於非隨機存取存儲器。主要分為掩膜 ROM、PROM、EPROM、EEROM、flash ROM等幾類。
(1)閃速存儲器和flashrom擴展閱讀：
根據編程方式的不同，只讀存儲器共分為以下5種：
1、掩膜工藝 ROM
這種 ROM 是工藝廠家根據客戶所要存儲的信息，設計專用的掩膜板進行生產的。一旦生產出成品後，ROM 中的信息即可被讀出使用，但不能改變。這類 ROM一般用於批量生產，成本比較低。
2、可一次性編程 ROM（PROM）
PROM 是用熔絲（通常用鎳鉻合金、多晶硅或鈦鎢合金製造）製造的，用戶可以燒斷這些熔絲，以實現存儲器存儲元件之間的互聯，從而寫入信息，一旦寫入之後，信息就會永久的固定下來，只可讀出，不可再改變其內容。
3、紫外線擦除可改寫 ROM（EPROM）
EPROM 中的內容可由用戶寫入，也允許用戶反復擦除重新寫入。EPROM 用電信號編程用紫外線擦除，在晶元外殼上方有一個圓形的窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有信息。由於太陽光中含有紫外線，所以當程序寫好後要使用昂貴的帶有石英窗口的陶瓷封裝，避免陽光射入而破壞程序。而且在擦除過程中不能選擇性地擦除存儲字單元，如果用戶需要改程序，必須擦除整個存儲陣列。
4、電擦除可改寫 ROM（EEROM）
EEROM 是 ROM 發展過程中的一個主要進展，它的寫操作採用了熱載流子隧穿，擦除操作採用了熱電子的量子力學隧穿效應。EEPROM 有相當多的優點，如單一的 5V 電壓編程能力、編程之前無需進行擦除操作、位元組模式和頁模式的寫操作、中等的存取時間、低功耗、全軍用工作溫度范圍，以及在嚴峻的環境條件下的不揮發性。
5、快閃 ROM（flash ROM）
在 20 世紀 80 年代中期，人們發現把熱載流子編程和隧穿擦除結合在一起是一種實現一個單管 EPROM 單元的方法，這種新技術被稱為快閃記憶體（flashROM）。這種技術結合了 EPROM 的編程能力和 EEPROM 的擦除能力，讀寫速度都很快。這種晶元的改寫次數最大能達到 100 萬次。
2. 什麼是Flash Memory
快閃記憶體（英語：flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。
這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在計算機與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。
快閃記憶體是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因為快閃記憶體不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以位元組為單位改寫數據，因此不能取代RAM。
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應用前景
「優盤」是快閃記憶體走進日常生活的最明顯寫照，其實早在U盤之前，快閃記憶體已經出現在許多電子產品之中。傳統的存儲數據方式是採用RAM的易失存儲，電池沒電了數據就會丟失。
採用快閃記憶體的產品，克服了這一毛病，使得數據存儲更為可靠。除了快閃記憶體檔，快閃記憶體還被應用在計算機中的BIOS、PDA、數碼相機、錄音筆、手機、數字電視、游戲機等電子產品中。
3. 什麼是閃速存儲器它有哪些特點
90年代INTEL公司發明的一種高密度、非易失性的讀寫半導體存儲器
閃速存儲器的特點
閃速存儲器（Flash Memory）是一類非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關閉後仍能保持片內信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當供電電源關閉時片內信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲器的特點：與EPROM相比較，閃速存儲器具有明顯的優勢——在系統電可擦除和可重復編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲器具有成本低、密度大的特點。其獨特的性能使其廣泛地運用於各個領域，包括嵌入式系統，如PC及外設、電信交換機、蜂窩電話、網路互聯設備、儀器儀表和汽車器件，同時還包括新興的語音、圖像、數據存儲類產品，如數字相機、數字錄音機和個人數字助理（PDA）。