Ⅰ 求助，switch內存卡是TF卡嗎
switch內存卡是sd卡，說是TF卡也行
就是手機用的那種卡
常見的閃迪就劃分為 Ultra、Extreme 和 Extreme Pro 三種，三星在這方面就簡單的分為 EVO 和 PRO。在同系列中，通常 Pro 系列的性能最強。
如果主卡帶玩家，偶爾存點 DLC 和小游戲，那麼只需認准 Class 10 規格的內存卡，往便宜的買就夠了，畢竟百兆寬頻跑滿也才 10M/s，寫入差不了多少，如果不是遇到較大容量的游戲，基本也沒差多少。
Ⅱ 內存的性能指標
內存的性能指標有以下方面。
1、存儲速度：內存的存儲速度用存取一次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速度就越快。
2、容量：內存的容量越大越不容易卡頓，但它要受到主板支持最大容量的限制。單條內存的容量有1GB、2GB、4GB等幾種。主板上通常都至少提供兩個內存插槽，若安有多條內存，則電腦內存的總容量是所有內存容量之和。
3、CL CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在一定頻率下衡量不同規范內存的重要標志之一。
4、SPD晶元 SPD是一個8針256位元組的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 晶元.位置一般處在內存條正面的右側, 裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。
5、工作電壓：由於低電壓內存要低於標准電壓1.5V保證穩定工作，因此生產低電壓內存要求更高的品質，出廠時內存電壓越高就代表內存品質越不好，這也是低電壓內存的優點之一。因此，內存條高低電壓的區別就在於低壓內存條比高壓內存條耗電量低，更加環保。
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內存的構造和原理。
內存的內部結構是PC晶元中最簡單的，是由許多重復的「單元」——cell組成，每一個cell由一個電容和一個晶體管（一般是N溝道MOSFET）構成，電容可儲存1bit數據量，充放電後電荷的多少（電勢高低）分別對應二進制數據0和1。
由於電容會有漏電現象，因此過一段時間之後電荷會丟失，導致電勢不足而丟失數據，因此必須經常進行充電保持電勢，這個充電的動作叫做刷新，因此動態存儲器具有刷新特性，這個刷新的操作一直要持續到數據改變或者斷電。
而MOSFET則是控制電容充放電的開關。DRAM由於結構簡單，可以做到面積很小，存儲容量很大。
Ⅲ 在計算機中,存儲信息速度最快的設備是
在計算機中，存儲信息速度最快的設備是內存。
存取時間是內存的另一個重要指標，其單位為納秒(ns)，常見的SDRAM有6ns，7ns， 8ns， 10ns等幾種，相應在內存條上標為-6，-7，-8，-10等字樣。這個數值越小，存取速度越快，但價格也越高。在選配內存時，應盡量挑選與CPU的時鍾周期相匹配的內存條，這將有利於最大限度地發揮內存條的效率。
內存慢而主板快，會影響CPU的速度，還有可能導致系統崩潰；內存快而主板慢，結果只能是大材小用造成資源浪費。
當內存的存取時間是10ns時，它的時鍾頻率最高可達100MHz，也就是說可以配合100MHz外頻的主板使用；當存取時間是7ns時，時鍾頻率最高可達142MHz，這時主板的外頻可以上到133MHz以上。
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內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令後的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內存標准中，這個數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對於內存廠商的晶元及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是一個不可不察的因素。
還有另的詮釋：內存延遲基本上可以解釋成是系統進入數據進行存取操作就序狀態前等待內存響應的時間。打個形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜，然後就等待服務員給你上菜。同樣的道理，內存延遲時間設置的越短，電腦從內存中讀取數據的速度也就越快，進而電腦其他的性能也就越高。
這條規則雙雙適用於基於英特爾以及AMD處理器的系統中。由於沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內存標准組織認為以現在的動態內存技術還無法實現0或者1的延遲。
通常情況下，用4個連著的阿拉伯數字來表示一個內存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內存存取數據所需的延遲時間。第二個數字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數字分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數字一般而言是它們中間最大的一個。