『壹』 什麼是寄存器的容量衡量存儲器容量的單位是什麼
介紹一些最新的RAM技術詞彙
CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器
CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器
DRAM-Dynamic RAM——動態存儲器
EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態存儲器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數據模式靜態存儲器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數據模式視頻存儲器
FPM-Fast Page Mode——快速頁模式
FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態存儲器
SRAM-Static RAM——靜態存儲器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器
VRAM-Video RAM——視頻存儲器
WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優於VRAM)
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態存儲器
SGRAM-Signal RAM——單口存儲器
2.存儲器有哪些主要技術指標
存儲器是具有「記憶」功能的設備，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進制數碼「0」和「1」，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、MOS電路或電容器等。位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一個位元組(Byte)，可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。
根據存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數據掉電後就會丟失，而掉電後ROM中的數據可保持不變。因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等。存儲器的特性由它的技術參數來描述。
存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾十M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。
存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。
存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。
性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標。
SDARM能成為下一代內存的主流嗎
快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經過去。隨著高效內存集成電路的出現和為優化Pentium晶元運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯晶元組的支持，人們越來越傾向於採用擴展數據輸出(EDO)DRAM。EDO DRAM採用一種特殊的內存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一個連續地址單元的讀寫周期。從而節省了重選地址的時間，使存儲匯流排的速率提高到40MHz。也就是說，與快頁內存相比，內存性能提高了將近15%～30%，而其製造成本與快頁內存相近。但是EDO內存也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以後市場上主流CPU的主頻將高達200MHz以上。為優化處理器運行效能，匯流排時鍾頻率至少要達到66MHz以上。多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統對內存的要求也越來越高，為緩解瓶頸，只有採用新的內存結構，以支持高速匯流排時鍾頻率，而不至於插入指令等待周期。這樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鍾周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區別，SRAM的全寫是Static RAM即靜態RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存)應運而生，與其它內存結構相比，性能價格比最高，勢必將成為內存發展的主流。
SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據的同時，另一個已准備好讀寫數據。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～8ns，可將Pentium系統性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。在去年初許多DRAM生產廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內存條，但其成本較高。現在每一個內存生產廠家都在擴建SDRAM生產線。預計到今年底和1998年初，隨著64M SDRAM內存條的大量上市，SDRAM將占據主導地位。其價格也將大幅下降。
但是SDRAM的發展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯晶元組的限制。VX晶元組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線內存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板晶元組TX將更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板晶元組TX將更好的支持SDRAM。
SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數據帶寬越寬，同時處理的數據就越多，顯示的信息就越多，顯示質量也就越高。以前用一種可同時進行讀寫的雙埠視頻內存(VRAM)來提高帶寬，但這種內存成本高，應用受很大限制。因此在一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的解析度，而又盡量降低成本，就只能採用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。SDRAM也將應用於共享內存結構(UMA)——一種集成主存和顯示內存的結構。這種結構在很大程度上降低了系統成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內存成本極高，而UMA技術將利用主存作顯示內存，不再需要增加專門顯示內存，因而降低了成本。
什麼是Flash Memory存儲器
介紹關於閃速存儲器有關知識近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫，功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS升級非常方便。Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡，此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。(文章來源：硬體時空)
『貳』 如圖1所示，請回答以下問題：通常半導體存儲器晶元的存儲容量如何表示圖中存儲器晶元的容量是多少
用字數位數表示，以位為單位。也可以用位元組數表示容量。
8位數據匯流排，所以用位元組表示比較方便。12位地址匯流排=2^12=4K
地址范圍：0x000 ~0x3FF
所以存儲容量為4K位元組。
雙解碼方式，適用於存儲容量較大、存儲單元較多的情況下。
『叄』 某存儲器晶元有地址12根，數據線16條。存儲容量是多少怎麼算就步驟
主存容量為8KB。
ram晶元的存儲容量 ＝地址線條數×數據線的條數bit ＝ 字數（返陸蔽存儲單元個數）×字長漏州。
地址線12根，表示能指示2^12個內存單元；而數據線16根，表明通過數據線每次可以傳送16位(每根線每次只能傳送1位)，即2B(16bit= 2*8bit = 2B)，那麼可以理解為內存單元的大小等同於數據線每次的傳送位數，同樣為2B，所以主存容量為2^12*2B=8KB。
(3)寄存器晶元的存儲容量怎麼表示擴展閱讀：
每一千個位元組稱為1KB，注意，這里的「千」不是我們通常意義上的1000，而是指1024。即：1KB=1024B。但如果不要求嚴格計算的話，也可以忽略地認為1K就是1000。 4）。
每1024個KB就是1MB（同樣這里的K是悉扒指1024），即：1MB=1024KB=1024×1024B=1,048,576B這是准確的計算。如果不精確要求的話，也可認為1MB=1,000KB=1,000,000B。
另外需要注意的是，存儲產品生產商會直接以1GB=1000MB，1MB=1000KB ，1KB=1000B的計算方式統計產品的容量，這就是為何買回的存儲設備容量達不到標稱容量的主要原因（如320G的硬碟只有300G左右）
每1024MB就是1GB，即1GB=1024MB，例如一張軟盤是1.44MB、一張CD光碟是650MB、一塊硬碟是120GB。一篇10萬漢字的小說，如果我們把存到磁碟上，需要佔用100,000漢字=200,000B=200,000B÷1024≈195.3KB≈195.3KB÷1024≈0.19MB。
『肆』 SRAM晶元的存儲容量為多少，該晶元的地址線是多少根
SRAM芯和掘片的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線是16根，數據線是16根。
存儲容量的計算公式是：2^n，其中n就表示地址線的數目。2^16=65536，在計算機中就稱其存儲容量最大可擴展為64K。存儲器晶元容量=單元數×數據線位數，因此64k*16位晶元的數據線是16根。
SRAM的中文意思就是靜態隨機存取存儲器，是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。
相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。
(4)寄存器晶元的存儲容量怎麼表示擴展閱讀
SRAM主要用途：
SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。
SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，非同步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突發SRAM），還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。
SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。
SRAM是靜態存儲方式，以雙型皮穩態電路作為存儲單卜棚差元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。
『伍』 怎麼根據晶元的地址范圍求該晶元的存儲容量
用末地址減首地址，加1即為十六進制數，拆橘再用二進制的權位表示即可。所以根據該題中EPROM晶元的地址范圍為：30800H ~ 30FFFH。
可得晶元的存儲容量為2KB。另外EPROM晶元的存儲容量為4KB，再由於無地址重疊，所以晶元存儲容量為2KB。
片容量=2的地址線位數次方乘以數據線位數，比森御謹如地址線8位，數據線4位，晶元容量就是2的8次方乘以4=1024位。
按位計算 (b) ： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長。
按位元組計算(B)： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長 / 8。
存儲單元 ：CPU訪問存儲器的最小單位，每個存儲單元都有一個地址。
存儲字長 ：存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數。
(5)寄存器晶元的存儲容量怎麼表示擴展閱讀：
晶元儲存之間的關系：
存儲單元與地址線的關系： CPU訪問存儲器的最小單位是存儲單元且每個存儲單元都有一個地址，1 根地址線此基可以查找 2 個地址既2個存儲單元，16根地址線則可以查找 2^16個存儲單元。
存儲字長與數據線的關系 ： 存儲字長是指存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數，而二進制代碼的位數是由數據線的根數決定的，也就是說： 存儲字長 = 數據線根數位元組（B）與位(b)的關系 : 計算機里規定 1Byte = 8bit 。
『陸』 存儲器存儲容量的基本單位是什麼
計算機存儲數據的最小單位是位，儲存容量的基本單位是位元組。計算機存儲數據的最小單位，英文名稱bit，又叫比特。
存儲器中所包含存儲單元的數量稱為存儲容量，其計量基本單位是位元組，英文Byte。簡稱B。
8個二進制位稱為1個位元組，此外還有KB、MB、GB、TB等，它們之間的換算關系是1Byte＝8bit，1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB。
存儲容量是指存儲器可以容納的二進制信息量，用存儲器中存儲地址寄存器MAR的編址數與存儲字位數的乘積表示。
存儲容量是指該便攜存儲產品最大所能存儲的數據量，是便攜存儲產品最為關鍵的參數。一般U盤的容量有1GB、2GB、4GB、8GB、16GB、32GB、64GB，還有部分更高容量的產品，但價格已超出了用戶可以接受的地步。其中1GB～2GB的便攜存儲，已基本被市場淘汰。
而4GB～16GB的產品是市場中的主流，價格在普通用戶可以接受的范圍內，也是廠家推出產品類型最多的容量類型；32GB以上的產品，因為價格昂貴，用戶群體較少，產品種類也較少。
『柒』 存儲器晶元的「256k x 16位」是什麼意思這是怎麼命名的
256K是256KB(256千位元組)容量，16位是數據傳輸位寬（既16個數據同時傳輸）。另外對於存儲器技術參數還有頻率，也是相當重要，它決定多少時間傳輸一次（比如問起的256k x 16位，那一次就是16位）數據。
一般存儲器的命名是以存儲器的容量x存儲器位寬（數據線根數）的規則命名。
這樣根據命名就可以看出存儲器的總容量，以及位寬（數據線根數）是多少。位寬越大，每次處理器能一次讀取的數據就越多，這樣訪問速度就越快。
256kx16位，就是存儲器總的容量是256k，也就是256x，256K是存儲器容量。
16位是字長位寬，位寬越大，CPU一次讀取的數據量就越多。
存儲晶元是按模塊存儲的，分多少塊，每塊多少大容量，所說的 256K是每塊存256位元組，那16位是匯流排數理。
(7)寄存器晶元的存儲容量怎麼表示擴展閱讀
存儲器容量計算公式：
按位計算 (b) ： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長；
按位元組計算(B)： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長 / 8。
存儲單元 ：CPU訪問存儲器的最小單位，每個存儲單元都有一個地址。
存儲字長 ：存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數。
例題：一個存儲器有16根地址線，8根數據線，求此存儲器存儲容量?
答：按位求取 2^16 x 8位 =64K x 8位；
按位元組求取 2^16 x 8位/8 = 64K x B = 64kB。
分析：存儲單元與地址線的關系： 我們知道CPU訪問存儲器的最小單位是存儲單元且每個存儲單元都有一個地址，1 根地址線可以查找 2 個地址既2個存儲單元，16根地址線則可以查找 2^16個存儲單元。
存儲字長與數據線的關系 ： 我們知道存儲字長是指存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數，而二進制代碼的位數是由數據線的根數決定的，也就是說： 存儲字長 = 數據線根數位元組（B）與位(b)的關系 : 計算機里規定 1Byte = 8bit 。
所以存儲器容量就有；兩種表示方法 64K x 8位 = 64KB。我們常見的內存容量表示方法 是以位元組為單位的。例如 1GB ,4MB, 512KB
1GB = 10^3MB =10^6KB = 10^9B = 10^9 x 8b 。
『捌』 有關於存儲晶元容量問題
64K和16K可以理解為組數
8，1是這個晶元的位數。存儲晶元一般使用位密度來表示其容量，但那樣看不出單顆粒的位寬。
所以使用用64K*8或16K*1的方式來表達，很明顯的可以看出晶元的位寬，方便拼接應用到它適合的匯流排寬度。32位匯流排上的256Kbyte存儲器，我可以用4個64K*8的晶元拼在一起實現。位元組容量256KB=64k*32位=64K*8位*4片。
現實中沒有1位寬的內存晶元，最小是4位的。
前者只用一個片選，32片*16K*1位=（8片*16K*1位）*4組，組之間共享地址與數據線，要4個片選。