❶ 有關計算機組成原理的題目，我想問一下「512K×8位」指的是什麼K和位、位元組、MB不是可以轉化的嗎
512Kx8位表示晶元的容量。512K表示晶元的定址范圍可以達到512K，8位表示系統數據匯流排有8位。
1KB=1024Bytes=2的10次方Bytes
1MB=1024KB=2的20次方Bytes
1GB=1024MB=2的30次方Bytes
1TB=1024GB=2的40次方Bytes
(1)8位存儲器有哪些擴展閱讀：
根據計算機的不同，字長有固定的和可變的兩種。固定字長，即字長度不論什麼情況都是固定不變的；可變字長，則在一定范圍內，其長度是可變的。
計算的字長是指它一次可處理的二進制數字的數目。計算機處理數據的速率，自然和它一次能加工的位數以及進行運算的快慢有關。如果一台計算機的字長是另一台計算機的兩倍，即使兩台計算機的速度相同，在相同的時間內，前者能做的工作是後者的兩倍。
一般地，大型計算機的字長為32-64位，小型計算機為12-32位，而微型計算機為4-16位。字長是衡量計算機性能的一個重要因素。
❷ 在AT89C51系列單片機內有幾類存儲器存儲容量分別是多少
MCS-51單片機在物理結構上有四個存儲空間： 1、片內程序存儲器 2、片外程序存儲器 3、片內數據存儲器 4、片外數據存儲器 但在邏輯上，即從用戶的角度上，8051單片機有三個存儲空間： 1、片內外統一編址的64K的程序存儲器地址空間（MOVC） 2、256B的片內數據存儲器的地址空間（MOV） 3、以及64K片外數據存儲器的地址空間（MOVX） 在訪問三個不同的邏輯空間時，應採用不同形式的指令以產生不同的存儲器空間的選通信號。程序ROM 定址范圍：0000H ~ FFFFH 容量64KB EA = 1，定址內部ROM；EA = 0，定址外部ROM 地址長度：16位 作用： 存放程序及程序運行時所需的常數 數據存儲器片內數據存儲器為8位地址，所以最大可定址的范圍為256個單元地址，對片外數據存儲器採用間接定址方式，R0、R1和DPTR都可以做為間接定址寄存器，R0、R1是8位的寄存器，即R0、R1的定址范圍最大為256個單元，而DPTR是16位地址指針，定址范圍就可達到64KB。也就是說在定址片外數據存儲器時，定址范圍超過了256B，就不能用R0、R1做為間接定址寄存器，而必須用DPTR寄存器做為間接定址寄存器。其中片內數據存儲器分為兩部分，地址從00H—7FH單元（共128個位元組）為用戶數據RAM，從80H—FFH地址單元（也是128個位元組）為特殊寄存器（SFR）單元。
❸ 設有一個具有24位地址和8位字長的存儲器,問:該存儲器能夠存儲多少位元組的信息
該存儲器能夠存儲16MB的信息。
因為存儲器具有24位地址線，而且採用8位字長的存儲器，存儲空間的大小等於存儲單元的個數乘以存儲單元的長度。根據題目可以得出存儲單元的長度為8位轉化成位元組為1位元組=（1B），地址線為24位所以存儲單元的個數為2^24個。
存儲器的長度=2^24*1B=2^24B=16MB。
(3)8位存儲器有哪些擴展閱讀：
存儲器的分類：
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。
1、按存儲介質分類
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
2、按存儲方式分類
隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間與存儲單元的物理位置有關。
3、按存儲器的讀寫功能分類
只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
4、按信息的可保存性分類
非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。
主要採用三級層次結構來構成存儲系統，由高速緩沖存儲器Cache、主存儲器和輔助存儲器組成。圖中自上向下容量逐漸增大，速度逐級降低，成本則逐次減少。
參考資料來源：網路-存儲器
❹ 某靜態存儲器的存儲容量是2048×8位它的地址線有多少條
這種標示方法，通常表示該存儲器可以存儲8位數據2048個，那麼地址線的數量必須保證可定址2048個，2048=2^11，也就是以2進制遞進定址，需要11條地址線。
❺ 某ROM晶元有8個地址輸入端和8個數據輸入端，該晶元的存儲容量是多少盡量說下計算方法，多謝各位了！
這個不難請聽我道來。首先有8位數據線，可知此存儲器為八位存儲器。然後有八條地址線可定址2^8=256個的單元。所以可見存儲器有256個存儲單元，而每個單元又是8位，所以存儲容量是256*8bit即256B。
動態RAM ,靜態RAM可隨時存儲。SRAM（靜態RAM）不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（動態RAM)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。PROM，一次性編程寫入，不可再改。EPROM，可擦除的可編程只讀存儲器。擦除條件比較特殊。例如12V高壓，或者光照一類。參看http://..com/question/505537932.html?oldq=1