❶ dell筆記本內存條怎麼選擇購買
分為兩種情況：
在原有內存條基礎上新增內存條：新選擇的內存條需要和原來的大小型號相同，否則會出現不兼容的情況。
更換原來內存條：新選擇的內存條頻率和原來的相同，大小大於原內存條即可。
內存是計算機中重要的部件之一，是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。
內存(Memory)也被稱為內存儲器，其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數據調到內存中進行運算，當運算完成後CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。
內存是由內存晶元、電路板、金手指等部分組成的。
❷ DELL存儲MD3000的戴爾（DELL）存儲器MD3000簡介：
1.DELL MD3000採用直連存儲陣列： PowerVault MD3000模塊化磁碟存儲陣列可支持2個 PowerVaultTM MD3000通過用戶友好的界面、向導工具和基於任務的管理結構，顯著降低了管理復雜性，提供絕好的操作簡易性與安全性。 使用Molar Disk Storage Manager能夠管理一或多個存儲陣列 – 這是一個基於客戶端的Java應用程序，可運行在任何與存儲陣列連接的伺服器上或是網路中的遠程客戶機上。
可選的數據保護功能包括關鍵數據的定期快照，如果文件被意外更改，您可以通過快照及時將PowerVaultTM MD3000恢復到之前的無故障狀態。 這種即時快照不會中斷系統的正常運行，並且只佔用最小的存儲空間。 另外，PowerVaultTM MD3000還可定期對您的數據執行虛擬磁碟復制(VDC)。 與較為簡單的快照相比，VDC更為強大，可為您創建完整全面的源數據復制拷貝。 多達8個VDC復制過程可同時執行，在復制結束前，只會稍延遲正常的I/O操作。
❸ DELL存儲器和伺服器有什麼區別
您好
最大的區別就是：伺服器內存有數據校驗和糾錯功能，而普通內存沒有。
memory是用來存儲程序和數據的部件，通過使用內存，計算機才有了記憶功能。memory種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器。
主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質或光碟，像硬碟,軟盤,磁帶,cd 等能長期保存信息，並且不依賴於電來保存信息, 但是由機械部件帶動, 速度與cpu相比就顯得慢的多。內存指的就是主板上的存儲部件，是cpu直接與之溝通，並對其存儲數據的部件，存放當前正在使用的(即執行中)的數據和程序，它的物理實質就是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路。
1. 內存的分類
主存的分類：主存有許多不同的類別（見圖4.1）。按照存儲信息的功能，內存可分為ram（隨機存取存儲器）和rom（只讀存儲器）。根據信息的可修改性難易，rom也可分為mask rom，prom，flash memory等。現在計算機的發展速度相當快,主板廠商也需經常升級bios, 所以用flash memory存儲bios程序就成為首選, ram即是我們通常所說的內存。 ram的分類 ram主要用來存放各種輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息和作堆棧用。它的存儲單元根據具體需要可以讀出，也可以寫入或改寫。由於ram由電子器件組成，所以只能用於暫時存放程序和數據，一旦關閉電源或發生斷電，其中的數據就會丟失，故屬於易失性元件。
dram的分類：主板上使用的主要內存從以前的dram一直到fpm dram、edo dram、sdram等。 fpm dram即快速頁面模式的dram。是一種改良過的dram，一般為30線或72線（simm）的內存。工作原理大致是，如果系統中想要存取的數據剛好是在同一列地址或是同一頁（page）內，則內存控制器就不會重復的送出列地址，而只需指定下一個行地址就可以了。 edo dram即擴展數據輸出dram。速度比fpm dram快15％~30％。它和fpm dram的構架和運作方式相同，只是縮短了兩個數據傳送周期之間等待的時間，使在本周期的數據還未完成時即可進行下一周期的傳送，以加快cpu數據的處理。 edo dram目前廣泛應用於計算機主板上，幾乎完全取代了fpm dram，工作電壓一般為5v，介面方式為72線（simm），也有168線（dimm）。 bedo dram（burst edo dram），即突發式edo dram。是一種改良式edo dram。它和edo dram不同之處是edo dram一次只傳輸一組數據，而bedo dram則採用了"突發"方式運作，一次可以傳輸"一批"數據，一般bedo dram能夠將edo dram的性能提高40％左右。由於sdram的出現和流行，使bedo dram的社會需求量降低。 sdram（synchronous dram）即同步dram。目前十分流行的一種內存。工作電壓一般為3.3v，其介面多為168線的dimm類型。它最大的特色就是可以與cpu的外部工作時鍾同步，和我們的cpu、主板使用相同的工作時鍾，如果cpu的外部工作時鍾是100mhz，則送至內存上的頻率也是100mhz。這樣一來將去掉時間上的延遲，可提高內存存取的效率。
2. dram相關知識
* 基本工作原理 dram是以邏輯陣列形態的基本儲存單位來保持數據的，因此在存取時必須提供一個行地址和一個位地址來確定數據的正確位置。第一步是由列地址信號啟動，即ras（row address strobe），當此信號啟動時，整列的數據都等待著被輸出或輸入，接著便是由行地址信號啟動，即cas（column address strobe），當行地址信號啟動時，便在之前已選中的該列中挑出包含所匹配的行地址數據的基本儲存單位，並將該數據輸出或輸入到數據匯流排。
* 突發模式 突發模式訪問不同於一般模式訪問，能一次傳輸一批數據。第一次的內存訪問通常要4－7個時鍾周期，這叫做存儲器的反應時間（latency）。如果讀取連續的4個內存地址，則對第2，3，4次的內存訪問就不必再次的提供地址，可以在1－3個時鍾周期內完成，這就是突發模式訪問的原理。如果匯流排寬度為64bit，則一次突發訪問可以依次讀取256bits的數據，系統的二級緩存被設計成使用256bits的寬度來適應這種訪問模式，能夠存儲一次突發訪問中讀取的所有數據位。突發模式的系統定時通常表示成簡寫的形式：x－y－y－y。x代表第一次訪問所需的時鍾周期的數量，y代表進行隨後的訪問所需的時鍾周期的數量。通常fpm的y值為3，edo的y值為2，而sdram的y值只有1。
* 介面類型 simm 是single－in line memory mole的簡寫，即單邊接觸內存模組，其電路板上焊有數目不等的內存ic晶元，即各種dram晶元，此種內存條又分為30個金屬引腳（30線）和72線。 dimm 是al in－line memory mole的簡寫，即雙邊接觸內存模組，也就是說這種類型介面內存的插板的兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，但由於是雙邊的，所以一共有84×2=168線接觸，故而人們經常把這種內存稱為168線內存，而把72線的simm類型內存模組直接稱為72線內存。 edo dram內存既有72線的，也有168線的，而sdram內存通常為168線的。
3. 內存的錯誤更正功能（ecc） ecc（error check & correct）的功能不但使內存具有數據檢查的能力，而且使內存具備了數據錯誤修正的功能，奇偶校驗為系統存儲器提供了一位的錯誤檢測能力，但是不能處理多位錯誤，並且也沒有辦法糾正錯誤。它用一個單獨的位來為8位數據提供保護。ecc用7位來保護64位，它用一種特殊的演算法在這7位中包含了足夠的詳細信息，所以能夠恢復被保護數據中的一個單獨位的錯誤，並且能檢測到2，3甚至4位的錯誤。 大多數支持ecc內存的主板實際上是用標準的奇偶校驗內存模塊來工作在ecc模式。因為64位的奇偶校驗內存實際上是72位寬，所以有足夠的位數來做ecc。ecc需要特殊的晶元組來支持，晶元組將奇偶校驗位組合成ecc所需的7位一組。 晶元組一般允許ecc包含一種向操作系統報告所糾正錯誤的方法，但是並不是所有的操作系統都支持。windows nt和linux會檢測這些信息。
另外，ecc將會使系統略微變慢，原因是ecc的演算法比較復雜，為了糾正一位的錯誤需要消耗一定的時間，通常是在每次存儲器讀時序中增加一個等待狀態，結果是整個系統的性能約下降2－3％。但由於這種dram內存在整個系統中較穩定，所以仍被用於區域網絡的文件伺服器或internet伺服器，其價格較貴。