㈠ 動態MOS存儲器與靜態MOS存儲器各有哪些特點
現在的RAM多為MOS型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。具有靜態存儲信息功能的MOS隨機存儲器,其存儲單元的核心部分是雙穩電路。只要電源不斷，在單元內的信息便能長期保存，不需要對所存儲的信息作周期性的刷新。
一位靜態存儲單元是由 6個MOS晶體管組成的一位靜態存儲單元。由增強型和耗盡型 MOS晶體管T□～T□連接成雙穩態電路，T□和T□組成向單元存信息或取信息的控制門。由輸入地址信號經解碼後而選出相應的靜態存儲單元。為了把存儲在單元中的信號寫入和讀出，還必須配有一套靜態讀出和寫入電路(讀寫電路)，以及功能控制電路。因此,MOS靜態隨機存儲器在結構上主要包括存儲單元陣列、地址緩沖解碼器、讀出和寫入電路（讀寫電路），以及讀出和寫入控制電路（讀寫控制電路）四個部分
㈡ 什麼是動態存儲結構，簡明明了說明一下，。謝謝。
鏈表就是動態存儲結構，不僅在尾部可以增加數據，在中間位置也可以任意增加和刪除！
線性表的鏈式存儲結構，簡稱鏈表，是用一組任意的存儲單元（這組存儲單元可以是連續的，也可以是不連續的）存儲線性表中的數據元素。
因此，為了表示每個數據元素ai與其直接後繼數據元素ai+1之間的邏輯關系，對數據元素ai來說，除了存儲其本身的信息之外，還需存儲一個指示其直接後繼的信息（即直接後繼的存儲位置）。
由分別表示a1,a2,…,an,
的n
個結點依次相鏈構成的鏈表，稱為線性表的鏈式存儲表示，由於此類鏈表的每個結點中只包含一個指針域，故稱為單鏈表或線性鏈表。
㈢ 動態RAM的特點有什麼
存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。
隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。
存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（英文：Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM)。
㈣ 靜態存儲和動態存儲的區別
1. 靜態內存
靜態內存是指在程序開始運行時由編譯器分配的內存，它的分配是在程序開始編譯時完成的，不佔用CPU資源。
程序中的各種變數，在編譯時系統已經為其分配了所需的內存空間，當該變數在作用域內使用完畢時，系統會
自動釋放所佔用的內存空間。
變數的分配與釋放，都無須程序員自行考慮。
基本類型，數組
2. 動態內存
用戶無法確定空間大小，或者空間太大，棧上無法分配時，會採用動態內存分配。
處理器不工作,電腦什麼都做不了。
處理器的工作就是處理指令（多條指令就構成一個程序）。
處理器從內存中取指令集（程序）。
問題是如果斷電的話，內存中的指令就會丟失。因而內存歸類為「易失性」介質。
所以我們要把程序、數據存儲在不易失性的介質中，比如硬碟和光碟。
㈤ 動態存儲區與靜態存儲區的區別
我理解吧，這個動態跟靜態主要是針對指針而言的。而且對於單個變數來說，動態跟靜態的概念體現的不是特別清楚，下面主要介紹數組吧。
如果你聲明一個數組int a[100]，那麼這個數組的大小就是100，在內存中的位置也固定，如果後來發現數組不夠大，你就只能重新定義一個更大的數組，而不能直接改變數組a的大小。這就是靜態存儲。
如果你聲明一個指針int *p，一開始你想開辟一個100的數組，就寫p = new int[100]，後面發現100不夠大，你可以先delete []p，把原來的空間釋放掉，然後讓p = new int[200]，p就會指向一個大小為200的數組，這個數組的大小以及在內存中的位置可以根據需要不斷變化。這就是動態存儲。