A. 光刻膠的作用
光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。光刻膠的作用就是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法，因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。
光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋於基材表面。當紫外光或電子束的照射時，光刻膠材料本身的特性會發生改變，經過顯影液顯影後，曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面，這樣就將設計的微納結構轉移到了光刻膠上，而後續的刻蝕、沉積等工藝，就可進一步將此圖案轉移到光刻膠下面的襯底上，最後再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。
2. 光刻膠應用范圍
光刻膠廣泛應用於集成電路(IC)，封裝(Packaging)，微機電系統(MEMS)，光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板顯示器(LED,LCD,OLED)，太陽能光伏(Solar PV)等領域。
3.光刻膠分類及類型
光刻膠按其形成圖形的極性可以分為：正性光刻膠和負性光刻膠。
正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子；負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉，因此正膠的曝光部分被去掉，而負膠的曝光部分被保留。
①．紫外光刻膠（Photoresist）：
各種工藝：噴塗專用膠，化學放大膠，lift-off膠，圖形反轉膠，高解析度膠，LIGA用膠等。
各種波長: 深紫外(Deep UV)、I線(i-line)、G線(g-line)、長波(longwave)曝光用光刻膠。
各種厚度: 光刻膠厚度可從幾十納米到上百微米。
②. 電子束光刻膠（電子束抗蝕劑）（E-beam resist）
電子束正膠：PMMA膠，PMMA/MA聚合物， LIGA用膠等。
電子束負膠：高解析度電子束負膠，化學放大膠（高靈敏度電子束膠）等。
③. 特殊工藝用光刻膠（Special manufacture/experimental sample）
電子束曝光導電膠，耐酸鹼保護膠，全息光刻用膠，聚醯亞胺膠（耐高溫保護膠）等特殊工藝用膠。
④．配套試劑（Process chemicals）
顯影液、去膠液、稀釋劑、增附劑（粘附劑）、定影液等。
4.光刻膠成分
光刻膠一般由4部分組成：樹脂型聚合物（resin/polymer），溶劑（solvent），光活性物質（photoactive compound，PAC），添加劑（Additive）。 其中，樹脂型聚合物是光刻膠的主體，它使光刻膠具有耐刻蝕性能；溶劑使光刻膠處於液體狀態，便於塗覆；光活性物質是控制光刻膠對某一特定波長光/電子束/離子束/X射線等感光，並發生相應的化學反應；添加劑是用以改變光刻膠的某些特性，如控制膠的光吸收率/溶解度等。
5.光刻膠的主要技術參數
5.1．靈敏度（Sensitivity）
靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
5.2．解析度（resolution）
區別矽片表面相鄰圖形特徵的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的解析度越好。
光刻膠的解析度是一個綜合指標，影響該指標的因素通常有如下3個方面：
(1) 曝光系統的解析度。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高解析度圖形。
(3) 前烘、曝光、顯影、後烘等工藝都會影響光刻膠的解析度。
5.3．對比度（Contrast）
對比度指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。 對比度越好，越容易形成側壁陡直的圖形和較高的寬高比。
5.4．粘滯性/黏度 （Viscosity）
衡量光刻膠流動特性的參數。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的塗膠厚度。
5.5．抗蝕性（Anti-etching）
光刻膠必須保持它的粘附性，在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
5.6．工藝寬容度（Process latitude）
光刻膠的的前後烘溫度、曝光工藝、顯影液濃度、顯影時間等都會對最後的光刻膠圖形產生影響。每一套工藝都有相應的最佳的工藝條件，當實際工藝條件偏離最佳值時要求光刻膠的性能變化盡量小，即有較大的工藝寬容度。 這樣的光刻膠對工藝條件的控制就有一定的寬容性。
6.特殊光刻膠介紹
6.1. 化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）
化學放大膠中含有一種叫做"光酸酵母"（PAG, Photo Acid Generator）的物質。在光刻膠曝光過程中，PAG分解，首先產生少量的光酸。在曝光後與顯影前經過適當溫度的烘烤，即後烘（PEB, Post Exposure Baking）這些光酸分子又發連鎖反應，產生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻膠的曝光部分變成可溶（正膠）或不可溶（負膠）。 主要的化學反應是在後烘過程中發生的，只需要較低的曝光能量來產生初始的光酸，因此化學放大膠通常有很高的靈敏度。
6.2.灰度曝光（Grey Scale Lithography）
灰度曝光可以產生曲面的光刻膠剖面，是製作三維浮雕結構的光學曝光技術之一。灰度曝光的關鍵在於灰度掩膜板的製作、灰度光刻膠工藝與光刻膠浮雕圖形向襯底材料的轉移。傳統掩膜板只有透光區和不透光區，而灰度掩膜板的透光率則是以灰度等級來表示的。實現灰度掩膜板的方法是改變掩膜的透光點密度。