1. 存儲器讀寫是什麼意思
問題一：讀寫是什麼意思 讀寫。如果是指電腦類。通常是指對存儲器的的數據的讀出（把存儲器的數據讀出來）與寫入（把要存儲的數據寫入存儲器）。
問題二：存儲器的讀寫過程是什麼樣的？ 首頁 采購專區 供應專區 技術資料 環保電子 商情資訊 我的B2BIC
5.1 存儲器系統基本知識
作者： 時間： 2008-04-10 來源：
5.1.1存儲器的分類
按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。
這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。
按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）
1.只讀存儲器（ROM）
ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：
(1)掩模工藝ROM
這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。
(2)可一次性編程ROM（PROM）
為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。
(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）
可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。
(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）
這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。
(5)快擦寫ROM（flash ROM）
E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。
2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）
讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。
(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。
(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MO......>>
問題三：存儲器的讀寫 20分 RAM、硬碟、光碟、儲蓄器
問題四：按內容訪問的存儲器是什麼 相聯存儲器是一種按內容訪問的存儲器，每個存儲單元有匹配電梗，可用於cache中查找數據，整個存儲器陣列同時進行數據的匹配操作。
問題五：4. 存儲器的讀寫操作是怎樣的 1.存儲器通過加法處理器對CS:IP進行處理,得到一個物理地址;
2.通過地址績線在內存中找到物理地址,在物理地址內存中找到對應的機器碼即匯編指令
3.機器碼通過數據匯流排到達指令緩沖器
4.執行機器碼
至於是讀還是寫就要看匯編指令是怎麼的了
問題六：讀寫平台是什麼意思 現代的內存儲器多半是半導體存儲器，採用大規模集成電路或超大規模集成電路器件。內存儲器按其工作方式的不同，可以分為隨機存取存儲器（簡稱隨機存儲器或RAM）和只讀存儲器（簡稱ROM）
問題七：手機儲存和內置儲存是什麼意思 5分 手機存儲，就是指手機的「內置存儲」與「外置存儲」。外置就是我們用戶加上去的所謂擴展的D卡，4G，8G,等。總之除SD卡，就是手機的內置存儲，一般手機只有幾百兆，好的手機可能大些，這生產廠家在工廠做了的，我們不能改變的。
問題八：存儲讀取數據的緩沖區是什麼意思 緩沖區: 讀取的數據暫時存放的位置,便於後續處理
起始偏移量: 從什麼位置開始存儲, 如果緩沖區的數據位null, 起始偏移量為0;如果緩沖區已經有數據並且要把心的數據追加到原數據之後, 那麼就要找到第一個為null的數據, byte的初始值是0
阻塞: 在這個方法操作緩沖區時, 不能被其他的非同步線程調用
希望能幫助你
問題九：幾種存儲器讀寫速度關系 存儲器大體分為兩種：只讀存儲器ROM和隨機存儲器RAM。ROM用得比較多的是NANDFLASH和NOR FLASH，寫入速度NAND比NOR快，讀取速度NOR比NAND快。隨機存儲器分為靜態RAM（SRAM）和動態RAM（DRAM），速度是SR暢M>DDR3>DDR2>DDR>SDRAM.
問題十：cpu對存儲器的讀寫操作是按什麼進行的?是地址嗎? 記得微機原理這本書有詳細的解釋的，應該是根據邏輯地址and物理地址去讀寫數據的
2. 計算機內存讀取寫入原理
當系統需要讀取主存時，則將地址信號放到地址匯流排上傳給主存，主存讀到地址信號後，解析信號並定位到指定存儲單元，然後將此存儲單元數據放到數據匯流排上，供其它部件讀取。
寫主存的過程類似，系統將要寫入單元地址和數據分別放在地址匯流排和數據匯流排上，主存讀取兩個匯流排的內容，做相應的寫操作。
這里可以看出，主存存取的時間僅與存取次數呈線性關系，因為不存在機械操作，兩次存取的數據的「距離」不會對時間有任何影響，例如，先取A0再取A1和先取A0再取D3的時間消耗是一樣的。
(2)地址寫入存儲器和數據寫入存儲器擴展閱讀
對於選擇內存來說，最重要的是穩定性和性能，而內存的做工水平直接會影響到性能、穩定以及超頻。
內存顆粒的好壞直接影響到內存的性能，可以說也是內存最重要的核心元件。所以大家在購買時，盡量選擇大廠生產出來的內存顆粒，一般常見的內存顆粒廠商有三星、現代、鎂光、南亞、茂矽等，它們都是經過完整的生產工序，因此在品質上都更有保障。
而採用這些頂級大廠內存顆粒的內存條品質性能，必然會比其他雜牌內存顆粒的產品要高出許多。
內存PCB電路板的作用是連接內存晶元引腳與主板信號線，因此其做工好壞直接關系著系統穩定性。
主流內存PCB電路板層數一般是6層，這類電路板具有良好的電氣性能，可以有效屏蔽信號干擾。而更優秀的高規格內存往往配備了8層PCB電路板，以起到更好的效能。
3. 存儲器由哪幾部分組成，如何使用
存儲器由存儲體、地址解碼器和控制電路組成。
1)存儲體是存儲數據信息的載體。由一系列存儲單元組成，每個存儲單元都有確定的地址。存儲單元通常按位元組編址，一個存儲單元為一個位元組，每個位元組能存放一個8位二進制數。就像一個大倉庫，分成許多房間，大倉庫相當於存儲體，房間相當於位元組，房間都有編號，編號就是地址。
2)地址解碼器將CPU發出的地址信號轉換為對存儲體中某一存儲單元的選通信號。相當於CPU給出地址，地址解碼器找出相應地址房間的鑰匙。通常地址是8位或1 6位，輸入到地址解碼器，產生相應的選通線，8位地址能產生28=256根選通線，即能選通256位元組。16位地址能產生216=65536=64K根選通線，即能選通64K位元組。當然要產生65536根選通線是很難想像的，實際上它是分成256根行線和256根列線，256 X 256=65536，合起來能選通65536個存儲單元。
3)存儲器控制電路包括片選控制、讀／寫控制和帶三態門的輸入／輸出緩沖電路。
①片選控制確定存儲器晶元是否工作。
②讀/寫控制確定數據傳輸方向；若是讀指令，則將已被選通的存儲單元中的內容傳送到數據匯流排上；若是寫指令，則將數據匯流排上的數據傳送到已被選通的存儲單元中。
③帶三態門的輸入/輸出緩沖電路用於數據緩沖和防止匯流排上數據競爭。數據匯流排相當於一條車流頻繁的大馬路，必須在綠燈條件下，車輛才能進入這條大馬路，否則要撞車發生交通事故。同理，存儲器的輸出端是連接在數據匯流排上的，存儲器中的數據是不能隨意傳送到數據匯流排上的。例如，若數據匯流排上的數據是「1」(高電平5V)，存儲器中的數據是「0」(低電平OV)，兩種數據若碰到一起就會發生短路而損壞單片機。因此，存儲器輸出埠不僅能呈現「1」和「O」兩種狀態，還應具有第三種狀態「高阻"態。呈「高阻"態時，它們的輸出埠相當於斷開，對數據匯流排不起作用，此時數據匯流排可被其他器件佔用。當其他器件呈「高阻"態時，存儲器在片選允許和輸出允許的條件下，才能將自己的數據輸出到數據匯流排上。
單片機學習需要理論結合實際，最好有自己的單片機開發板輔助，看視頻教程，目前主流的有吳鑒鷹單片機開發板
4. 單片機裡面CPU讀寫存儲器的步驟過程
1)存儲器的讀操作。例如，若要將存儲器40H中的內容50H讀出，其過程如下：
①CPU將地址碼40H送到地址匯流排上，經存儲器地址解碼器選通地址為40H的存儲單元：
②CPU發出「瀆」信號，存儲器讀/寫控制開關將數據傳輸方向撥向「讀」；
③存儲器將地址為40H的存儲單元中的內容50H送到數據匯流排上；
④CPU將數據匯流排上的數據50H讀人指定的某一寄存器。
對存儲單元的讀操作，不會破壞其原來的內容。相當於復制。
2)存儲器的寫操作。例如，若要將數據ABH寫入存儲器地址為CDH的存儲單元中，其過程如下： 內容來自單片機之家www.dpj100.com
①CPU將地址碼CDH送到地址匯流排上，經存儲器地址解碼器選通地址為CDH的存儲單元；
②CPU將數據ABH送到數據匯流排上；
③CPU發出「寫」信號，存儲器讀／寫控制開關將數據傳送方向撥向「寫」；
④存儲器將數據匯流排上的數據ABH送人已被選中的地址為CDH的存儲單元中。