A. 存儲器的技術參數是什麼
記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、MOS電路或電容器等。 位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一個位元組(byte)。當一個數作為一個整體存入或取出時，這個數叫做存儲字。存儲字可以是一個位元組，也可以是若干個位元組。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。 為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。 存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內，各個存儲單元的內容可通過指令隨機訪問，這樣的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。 因於結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等。 存儲器的主要技術指標 存儲器的特性由它的技術參數來描述。 一、存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。主存儲器的容量是指用地址寄存器(MAR)產生的地址能訪問的存儲單元的數量。如N位字長的MAR能夠編址最多達2N個存儲單元。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。 二、存儲周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存儲周期一般為100ns-200ns。 三、存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。 四、性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標