❶ RAM的特點
RAM的特點（B、可隨機讀寫數據，斷電後數據將全部丟失）。
RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。
隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。
(1)靜態存儲單元構成擴展閱讀：
當電源關閉時，RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。RAM的工作特點是通電後，隨時可在任意位置單元存取數據信息，斷電後內部信息也隨之消失。
在計算機中，RAM 、ROM都是數據存儲器。RAM 是隨機存取存儲器，它的特點是易揮發性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲器，它的特點與RAM 相反。舉個例子來說也就是，如果突然停電或者沒有保存就關閉了文件，那麼ROM可以隨機保存之前沒有儲存的文件但是RAM會使之前沒有保存的文件消失。
❷ 五、畫出MOS六管靜態和動態存儲單元的電路原理圖，並簡述信息寫入、讀出的工作過程。
寫「1」：
在I/O線上輸入高電位，在I/O線上輸入高電位，
把高、低電位分別加在A，B點，
使T1管截止，T2管導通，
至此「1」寫入存儲元。
寫「0」：
在I/O線上輸入低電位，在I/O線上輸入高電位，
把低、高電位分別加在A，B點，
使T1管導通，T2管截止，
至此「0」寫入存儲元。
❸ 基本的靜態存儲元陣列學習過程中需要掌握哪些重點
掌握存儲介質，存儲位元，存儲單元。
存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。存儲介質：目前主要採用半導體器件和磁性材料。存儲位元：一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，均可以存儲一位二進制代碼。這個二進制代碼位是存儲器中最小的存儲單位，稱為存儲位元。存儲單元：由若干個存儲位元組成一個存儲單元。由許多存儲單元組成一個存儲器。
❹ 動態MOS存儲器與靜態MOS存儲器各有哪些特點
現在的RAM多為MOS型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。具有靜態存儲信息功能的MOS隨機存儲器,其存儲單元的核心部分是雙穩電路。只要電源不斷，在單元內的信息便能長期保存，不需要對所存儲的信息作周期性的刷新。
一位靜態存儲單元是由 6個MOS晶體管組成的一位靜態存儲單元。由增強型和耗盡型 MOS晶體管T□～T□連接成雙穩態電路，T□和T□組成向單元存信息或取信息的控制門。由輸入地址信號經解碼後而選出相應的靜態存儲單元。為了把存儲在單元中的信號寫入和讀出，還必須配有一套靜態讀出和寫入電路(讀寫電路)，以及功能控制電路。因此,MOS靜態隨機存儲器在結構上主要包括存儲單元陣列、地址緩沖解碼器、讀出和寫入電路（讀寫電路），以及讀出和寫入控制電路（讀寫控制電路）四個部分
❺ RAM是什麼意思
RAM稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。
存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（英文：Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM)。
(5)靜態存儲單元構成擴展閱讀
根據存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態RAM和動態RAM。
靜態隨機存儲器(SRAM)
靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。
動態隨機存儲器(DRAM)
動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由於柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等於0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。
通常把這種操作稱為「刷新」或「再生」，因此DRAM內部要有刷新控制電路，其操作也比靜態RAM復雜。盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構能做得非常簡單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產品。
❻ ram的特點是什麼
ram的特點如下：1、隨機存取。當存儲器中的消息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。2、易失性。RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失。 3、高訪問速度。 現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的。4、對靜電敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。
RAM類別有哪些：
1、靜態隨機存儲器(SRAM)
靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。
2、動態隨機存儲器(DRAM)
動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由於柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等於0，所以電荷保存的時間有限。
RAM和ROM的區別
1、ROM和RAM都是一種存儲技術，只是兩者原理不同。RAM為隨機存儲，掉電不會保存數據，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數據。ROM這種存儲器只能讀，不能寫。而RAM則可以隨機讀寫。
2、在電腦中，大家都知道有內存和硬碟之說，其實內存就是一種RAM技術，而ROM則類似於硬碟技術，兩者都是存儲器，只是RAM的速度要遠遠高於ROM的速度。
3、在手機中，RAM是指手機內存，屬於手機內部存儲器，屬於隨機存儲，速度高於ROM，對於手機配置性能起著重要的決定性。
❼ ram原理圖
我們很多的Chip中都有ram作為存儲器，存儲器是能存儲數據，並當給出地址碼時能讀出數據的裝置。根據存儲方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（ram）和只讀存儲器（rom）兩大類。
ram的原意是不管對於哪一個存儲單元，都可以以任意的順序存取數據，而且存取所花的時間都相等。即使不能完全達到以任意的順序存取，凡是能以相同的動作順序和相同的動作時間進行存入和讀出的半導體存儲器都包括在ram中。
按照存放信息原理的不同，隨機存儲器又可分為靜態和動態兩種。靜態ram是以雙穩態元件作為基本的存儲單元來保存信息的，因此，其保存的信息在不斷電的情況下，是不會被破壞的；而動態ram是靠電容的充、放電原理來存放信息的，由於保存在電容上的電荷，會隨著時間而泄露，因而會使得這種器件中存放的信息丟失，必須定時進行刷新。
一般一個存儲器系統由以下幾部分組成。
1．基本存儲單元
一個基本存儲單元可以存放一位二進制信息，其內部具有兩個穩定的且相互對立的狀態，並能夠在外部對其狀態進行識別和改變。不同類型的基本存儲單元，決定了由其所組成的存儲器件的類型不同。靜態ram的基本存儲單元是由兩個增強型的nm0s反相器交叉耦合而成的觸發器，每個基本的存儲單元由六個mos管構成，所以，靜態存儲電路又稱為六管靜態存儲電路。
圖為六管靜態存儲單元的原理示意圖。其中t1、t2為控制管，t3、t4為負載管。這個電路具有兩個相對的穩態狀態，若tl管截止則a＝「l」(高電平)，它使t2管開啟，於是b＝「0」(低電平)，而b＝「0」又進一步保證了t1管的截止。所以，這種狀態在沒有外觸發的條件下是穩定不變的。同樣，t1管導通即a＝「0」(低電平)，t2管截止即b＝「1」(高電平)的狀態也是穩定的。因此，可以用這個電路的兩個相對穩定的狀態來分別表示邏輯「1」和邏輯「0」。
當把觸發器作為存儲電路時，就要使其能夠接收外界來的觸發控制信號，用以讀出或改變該存儲單元的狀態，這樣就形成了如下右圖所示的六管基本存儲電路。其中t5、t6為門控管。
(a) 六管靜態存儲單元的原理示意圖 (b) 六管基本存儲電路
圖 六管靜態存儲單元（我們常看到的還有把t3&t1的gate連到一起，把t2&t4的gate連到一起）
當x解碼輸出線為高電平時，t5、t6管導通，a、b端就分別與位線d0及 相連；若相應的y解碼輸出也是高電平，則t7、t8管(它們是一列公用的，不屬於某一個存儲單元)也是導通的，於是d0及 (這是存儲單元內部的位線)就與輸入/輸出電路的i/o線及 線相通。
寫入操作：寫入信號自i/o線及 線輸入，如要寫入「1」，則i/o線為高電平而 線為低電平，它們通過t7、t8管和t5、t6管分別與a端和b端相連，使a=「1」，b=「0」，即強迫t2管導通，tl管截止，相當於把輸入電荷存儲於tl和t2管的柵級。當輸入信號及地址選擇信號消失之後，t5、t6、t7、t8都截止。由於存儲單元有電源及負載管，可以不斷地向柵極補充電荷，依靠兩個反相器的交叉控制，只要不掉電，就能保持寫入的信息「1」，而不用再生(刷新)。若要寫入「0」，則 線為低電乎而i/o線為高電平，使tl管導通，t 2管截止即a=「0」，b=「1」。
讀操作：只要某一單元被選中，相應的t5、t6、t7、t8均導通，a點與b點分別通過t5、t6管與d0及 相通，d0及 又進一步通過t7、t8管與i/o及 線相通，即將單元的狀態傳送到i/o及 線上。
由此可見，這種存儲電路的讀出過程是非破壞性的，即信息在讀出之後，原存儲電路的狀態不變。
❽ ram有哪幾類各有什麼優缺點
根據存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態RAM和動態RAM。
靜態隨機存儲器(SRAM)
靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。
動態隨機存儲器(DRAM)
動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由於柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等於0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。通常把這種操作稱為「刷新」或「再生」，因此DRAM內部要有刷新控制電路，其操作也比靜態RAM復雜。盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構能做得非常簡單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產品。
❾ 電腦內存條分幾種 如何分辨
根據存儲單元的工作原理不同，電腦內存條RAM分為靜態RAM和動態RAM。
1、靜態隨機存儲器（SRAM）
靜態存儲單元為在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。SRAM存放的信息在不停電的情況下能長時間保留，狀態穩定，不需外加刷新電路，從而簡化了外部電路設計。但由於SRAM的基本存儲電路中所含晶體管較多，故集成度較低，且功耗較大。
2、動態隨機存儲器（DRAM）
DRAM利用電容存儲電荷的原理保存信息，電路簡單，集成度高。由於任何電容都存在漏電，因此，當電容存儲有電荷時，過一段時間由於電容放電會導致電荷流失，使保存信息丟失。
解決的辦法是每隔一定時間（為2ms）須對DRAM進行讀出和再寫入，使原處於邏輯電平「l」的電容上所泄放的電荷又得到補充，原處於電平「0」的電容仍保持「0」，這個過程叫DRAM的刷新。
分辨方法：SRAM存儲原理：由觸發器存儲數據。單元結構：六管NMOS或OS構成。優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache。缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大。
DRAM存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之後：單管基本單元）。刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作。
(9)靜態存儲單元構成擴展閱讀
內存採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。
（synchronous）SDRAM同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。
SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。
DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
❿ 計算機突然停電,什麼數據會丟失
電腦斷電後,隨機存取存儲器(RAM)中的信息會全部丟失。 隨機訪問存儲器是內存的一種。 內存是電腦的記憶部件，用於存放電腦運行中的原始數據、中間結果以及指示電腦工作的程序。
當歷做畝電源關閉時，RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬胡晌盤）。
RAM的工作特點是通電後，隨時可在任意位置單元存取數據信息，斷電後內部信息也隨之消失。
(10)靜態存儲單元構成擴展閱讀：
根據存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態RAM和動態RAM。
靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。SRAM存放的信息在不停電的情況下能長時間保留，狀態穩定，不需外加刷新電路，從而簡化了外部電路設計。但由於SRAM的基本存儲電路中所含晶體管較多，故集成度較低，且功耗較大。
DRAM利用電容存儲電荷的原理保存信息，電路簡單，集成度高。由於任何電容都存在漏電，因此，當電容存儲有電荷時，過一段時間由於電容放電會導致電荷流失，使保肢森存信息丟失。
解決的辦法是每隔一定時間（一般為2ms）須對DRAM進行讀出和再寫入，使原處於邏輯電平「l」的電容上所泄放的電荷又得到補充，原處於電平「0」的電容仍保持「0」，這個過程叫DRAM的刷新。