❶ 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力
長鑫是內存，長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失，快閃記憶體斷電數據依然在，技術層面，快閃記憶體技術難度更高！另外長鑫是買的國外底層技術，然後升級優化發展，發展有一定局限性，且與世界一流水平有2-3代的差距！而長存完全自主研發，技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看，內存技術有天花板，需求市場幾乎停止增長，而快閃記憶體技術革新空間很大，市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大！
兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲；長江存儲以研發可寫存儲。
長江存儲屬於國家隊，合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來，長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別，而長江存儲還需時日。
另外，眾所周知，玩存儲晶圓是個燒錢項目，風險變數極大，所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢，是國家傾盡全力打造的存儲之都；合肥近幾年靠集成晶元（京東方）實實在在是掙到百千億的，夾持國家科學中心名頭不可小覷！
綜敘，潛力誰大不好說，一個是小獅子，逐漸霸氣側漏想挑戰王位；一個是小老虎，虎虎生威欲佔山為王！
沖出重圍千億起步，強敵環伺巨頭統治。
存儲晶元的前景如何展望？
合肥長鑫，成立於2016年5月， 專注於DRAM領域 ，整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元，19nm8GbDDR4已實現量產，產能已達到2萬片/月，預計2020年一季度末達4萬片/月，三期完成後產能為36萬片/月， 有望成為全球第四大DRAM廠商。
長江存儲，成立於2016年7月， 專注於3DNANDFlash領域 ，整體投資額240億美元，目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據，2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月，到2020年底有望擴產至7萬片/月，2023年目標擴產至30萬片/月產能， 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。
最近利基型內存（Specialty DRAM）的價格大漲，我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼？
Dynamic Random Access Memory，縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器，作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡，來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂，聽不懂沒關系，你只需要知道，它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存，計算機、手機中得有它，你可能沒聽說過DRAM，但你一定知道內存條， 沒錯，DRAM的最常見出現形式就是內存條。
近幾年的全球DRAM市場，呈現巨頭壟斷不變，市場規模多變的局面。
全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光，分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。
2019年市場銷售額為620億美元，同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一，中國佔比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場，手機/移動端佔比40%，伺服器佔比34%。
總結來說，巨頭壟斷，使得中國企業沒有議價權，DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域，但未來隨著數據向雲端轉移，市場會逐步向伺服器傾斜。
未來，由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化，微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後，製造難度越來越高，廠商對工藝的定義已不再是具體線寬，而是要在具體製程范圍內提升技術，提高存儲密度。
當前供需狀況，由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期，國內DRAM企業發展得到有利發展。
合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司，都在各自的賽道中沖刺，希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。
看哪家產品已經銷售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥長鑫優勢明顯
合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力？快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節，都是要在國外壟斷企業口裡奪食，如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言，合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。
這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域，長江存儲以NAND FLAH領域，而且投資都相當巨大，都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外，還有湖北地方產業基金，另外還有國家集成電路產業投資基金的介入，顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主，從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。
不管時快閃記憶體還是內存，目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷，價格的漲跌幾乎都已經被操縱，國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光，NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等，包括其他晶元一起，國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金，並且一直往上攀升。
這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域，但短時間之內要改變這種態勢還很難，一個是技術實力落後，另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右，況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放，在市場應用上的差距就更為懸殊。
從市場應用上來看，各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展，內存的應用地方相當多，甚至不可缺少，這帶來極大的需求量。相對而言，快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點，但需求同樣龐大。
國外三星、海力士等處於極強的強勢地位，而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾，相信這兩家未來都有不錯的前景，一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。
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理論上說長江存儲潛力更大，技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距，另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。
市場來說長鑫的dram內存價值更大。
但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的，所以誰錢多誰潛力大。
合肥長鑫是國產晶元的代表企業，主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元，目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊，員工總數超過 2700 人，核心技術人員超過 500。
長江存儲成立於2016年7月，總部位於武漢，是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人，其中資深研發工程師約 2200人，已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功，且進入加速擴產期，目前產能約 7.5 萬片/月，擁有業界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
存儲晶元行業屬於技術密集型產業，中國存儲晶元行業起步晚，缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。
誰先做出產品誰就有潛力，兩家現在主要方向也不一樣，一個nand一個dram，也得看技術和頂級玩家三星的差距
當然是長江存儲更有潛力，長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台，是國家存儲產業基地，長鑫買的外國專利授權，發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域，而長鑫卻沒有可能進入nand領域。
❷ 長鑫存儲二期什麼時候投產
長鑫存儲二期2023年投產核李。與長江存儲的擴張步伐類似，生產DRAM存儲晶元的合肥拿鎮長鑫也已在2021年就已籌建二期項目，並且擴張腳步比長江存儲更快，業內人改敏遲士指合肥長鑫預計二期項目最快在2023年就將投產，如此DRAM存儲晶元產能將從當前的月產4萬片猛增至12.5萬片。
❸ 國產存儲晶元開始提速，兩大喜訊接連傳來，實現從0到1突破
全球存儲晶元的格局非常明確，以韓國三星，SK海力士和美國美光這三大巨頭為主，在各大存儲晶元領域中占據核心技術和市場份額的主要優勢。常見的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨頭手中。
但其實國產存儲晶元已經開始提速了，兩大喜訊接連傳來，完成了從0到1的關鍵突破。具體是怎樣的喜訊呢？國產存儲晶元產業格局如何？
存儲晶元的重要性是顯而易見的，手機，電腦設備想要運行文件，存儲數據，那麼存儲晶元將會是不可或缺的存在。
根據存儲晶元種類的不同，賽道競爭程度也不一樣。有些存儲晶元巨頭已經將工藝做到了使用EUV光刻機的程度，而有些企業能在某個細分存儲晶元領域取得一席之地，就已經是很大的突破了。
國外巨頭因為起步時間早，有龐大的資本開支優勢，再加上產業鏈發展完善，取得領先也是能理解的。但後來居上，實現反超的例子也不是沒有，國產存儲晶元傳來兩大喜訊，已經在彎道超車了。具體有怎樣的喜訊呢？
第一大喜訊：昕原半導體建成28/22nm ReRAM生產線
對存儲晶元有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是發展了幾十年的存儲晶元，已經發展出完整的全球化產業鏈，相關的技術，配套設施和人才儲備也十分完善。
可是在人工智慧，雲計算等日益發展迅速的新基建領域， 探索 新型存儲晶元也成為了一種趨勢。而ReRAM這種阻變存儲器就是新型存儲晶元，它的優勢體現在讀取速度快，功耗低，應用范圍廣闊。
昕原半導體就是發展ReRAM存儲晶元的國產公司，其成立於2019年，在今年2月中旬正式傳來消息，建成了中國首條28nm/22nm的ReRAM生產線。
基於這座生產線，昕原半導體可以更快將研究成果落地，補充完善國產存儲晶元產業的生產供應鏈。
值得一提的是，在新型的ReRAM阻變存儲器產業中，入局的玩家還不是很多，而建成相關生產線的企業更是少之又少。放眼國外，昕原半導體的這一生產線建設成果都是領先的。這也意味著，中國已經在ReRAM新型阻變存儲器中把握住了先手機會，未來可期。
第二大喜訊：曝合肥長鑫今年投產17nm製程的DDR5 內存晶元
相較於昕原半導體大力發展新型阻變存儲器，合肥長鑫這家存儲巨頭則在傳統賽道上持續攻克難關。有消息爆料稱，合肥長鑫會在今年投產17nm製程工藝的DDR5內存晶元，成為國內首個參與DDR5內存晶元市場的中國企業。
DDR5是計算機內存規格的晶元，相比於DDR4等前幾代內存條，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是當下主流的高性能，高品質內存晶元。
DDR5的市場份額一直把控在三星、SK海力士、美光這三大巨頭手中，製造出的DDR5被各國客戶爭相下單采購，國內也一直存在DDR5內存晶元的空白。
然而喜訊傳來，消息爆料合肥長鑫會在今年進行DDR5內存晶元的投產，且還是17nm的工藝製程。在這一領域內，17nm已經是非常先進高端的水準了。
若爆料消息無誤，則說明國產DDR5晶元已經迎來有望參與全球市場的發展能力。除了投產DDR5晶元之外，合肥長鑫也一直在努力提升產能，得益於背後資本的支持，合肥長鑫計劃在今年實現每月12萬片晶圓的目標，而2年前合肥長鑫的產能水準還停留在每月4.5萬片。
以上兩個關於國產存儲晶元的喜訊接踵而至，一個是昕原半導體在新型ReRAM阻變存儲器建成生產線，為國產新型存儲晶元產業發展提供更多的可能性。
另一個是合肥長鑫計劃今年投產DDR5內存晶元，在17nm工藝的支持下，將有望拿下DDR5市場的一席之地，打破海外巨頭單一市場壟斷的局面。
不難發現，這兩個喜訊都是實現了從0到1的突破，昕原半導體的ReRAM生產線是國內首條，合肥長鑫投產DDR5也是國內首個參與者，可見國產存儲晶元已經開始提速。
其實不只是這兩大國產存儲晶元巨頭，在其餘的長江存儲，福建晉華等等存儲公司的參與下，構建了如今存儲晶元產業快速破局的格局。他們要麼是興建生產線，要麼加快技術研發突破，齊聚力量之下，相信定能為國產存儲晶元創造全新的未來。
海外巨頭長期耕耘技術研發和產業發展，國產企業要想加速進步，還得一步一個腳印。首先要樹立發展目標，其次包括人才資源，緊接著努力將研究成果落地產業。正所謂一分耕耘一分收獲，希望國產企業的耕耘都能得到應有的收獲。
對國產存儲晶元的兩個喜訊你有什麼看法呢？
❹ 北京長鑫儲存真的很差勁嗎
北京長鑫儲存不差勁。根據查詢相關信息顯示，長鑫存儲是中國大陸規模最大、技術最先進的DRAM設計製造一體化企業。在2020年開始啟動6萬片/月產能建設，實現了從投產到量產再到批量銷售的關汪顫鍵困指敗跨越。國產存儲實現了從無到有的突破，打破了長期被壟斷的局面，開創了國產存逗鄭儲的新局面。
❺ 北京長鑫儲存真的很差勁嗎
北京長鑫儲存不差圓基神橘虧。
長鑫存儲的事業開始於2016年，是一家正規公司，依法經營，擁有一套完善的管理制度且運營平穩，晉升空間大，發展前景很好。鋒毀
北京長鑫儲存經營范圍包括技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；集成電路設計；集成電路製造；集成電路晶元及產品製造；集成電路晶元設計及服務等。
❻ 長鑫存儲和兆易創新的關系 簽訂大訂單形成互利合作
近日兆易創新和合肥長鑫簽了生產晶元的合同，以促近雙方的發展，下面我們深挖一下長鑫存儲和兆易創新兩企業間有什麼合作關系。
長鑫存儲成立於2017年11月，注冊資本1億元，由睿力集成電路有限公司100%持股，目前已建成第一座12英寸晶圓廠並投產。DRAM產品廣泛應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域，市場需求巨大並持續增長。
2020年6月，該公司定增募資43.24億元，主要就是投向於DRAM晶元研發及產業化項目。此前兆易創新曾在公告中稱，將與長鑫存儲發揮優勢互補，探討在 DRAM產品銷售、代工、以及工程端的多種合作模式。
在股權合作方面，兆易創新擬出資3億元，與長鑫集成、石溪集電、大基金二期等多名投資人共同參與存儲器項目公司睿力集成的增資。本次增資完成後，公司將持有睿力集成約0.85%股權。
在業務合作層面，公司與睿力集成全資子公司長鑫存儲技術有限公司簽署了《框架采購協議》、《代工服務協議》、《產品聯合開發平台合作協議》及與此相關的補充協議，公司與長鑫存儲在產品代銷、代工服務、產品聯合開發層面開展業務合作。
今年2月8日，兆易創新發布公告，由於市場需求旺盛，該公司備貨水平相應提高，預計2021年度將從長鑫存儲采購3億美元（約合人民幣19.3億元）DRAM產品，產品聯合開發平台合作額度為3000萬元。
公告顯示，2020年，兆易創新全資子公司芯技佳易從長鑫存儲（香港）采購DRAM產品的金額為人民幣3.73億元；兆易創新與長鑫存儲開展產品聯合開發平台合作實際發生額為1966.68萬元。
企業與企業間的互利發展很重要，雙方在代銷代生產等方面上，有著多種的合作模式。
❼ 長鑫存儲是騙局嗎
不是騙局。根據企查查官網公開銀鏈悶顯示：長鑫存儲技術有限公司成立於安徽合肥，地址喚鏈在合肥市經濟技術開發區空港工業園興鋒彎業大道388號，成立日期2017年11月16日是一家正規公司。公司目前依法經營，擁有一套完善的管理制度且運營平穩，晉升空間大，發展前景很好從這些方面來看，長鑫存儲並不是騙局。
❽ 國產內存或將突破，中企有望躋身全球第四，明年量產17nm晶元
在DRAM內存晶元領域我國與其他國家一直都存在著較大的差距，中國台灣的南亞 科技 所生產的內存所佔有的市場份額，遠低於其他國家的內存晶元。中國自主生產的優質內存是中國高 科技 產業存在的一個短板之一。這一直都是中國之痛，但如今我國國內自主研發生產的內存終於迎來了新的希望，中國企業合肥長鑫有希望進入全球晶元內存市場的前四，合肥長鑫計劃在明年量產17nm的內存晶元，並有望超越南亞 科技 ，這是一件值得國人共同慶賀的好消息，是中國國產晶元內存的一大進步。
話題討論：國產內存或將突破，中企有望躋身全球第四，明年量產17nm晶元
對中國 科技 領域有一定了解的小夥伴，一定知道在DRAM內存晶元領域占據了壟斷性地位的企業便是來自韓國的企業。三星、SK海力士以及美光這僅僅三家企業就已經占據了全球市場內存晶元領域超過95%的市場份額，排名第四的則是中國台灣的南亞 科技 。雖說是排名第四的企業，但是其所佔有的市場份額卻只有僅僅的3.2%。通過這幾個數字，我們就可以明顯感覺到我國國產內存與外國企業所存在的巨大差距。不過即便如此，即便我國在國產內存領域遠遠落後於他人，我國國內的內存廠商也永不言棄，依舊鍥而不舍地加強進行自主研發。其中，中國合肥的長鑫企業就終於成功實現了DDR內存的量產。
首先先給大家介紹一下這一個後起之秀——合肥長鑫。長鑫企業在2016年的時候成立，長鑫儲存是一家一 體化的儲存器製造商，其擁有了自主設計、研發、生產與銷售DRAM的能力。長鑫存儲的DRAM產品應用領域非常廣泛，在電腦、移動終端和互聯網等領域都能見到他的身影。根據相關報道顯示，如今的長鑫存儲企業依舊在不斷地進行擴產，將有希望超過台灣的南亞 科技 ，成功進入全球內存晶元市場排行榜的第四位。長鑫存儲在默默的積蓄力量，以待成效之日。
在今年的上半年，長鑫存儲就取得了非常優異的成績。長鑫存儲所自主研發的19nm DRAM工藝終於成功上市了，並且其量產也從兩萬片跨越到了四萬片。這是一個非常良好的開端，長鑫存儲的市場份額在不斷提高，其知名度也在不斷的提升，越來越多的人意識到了合肥長鑫的存在。不僅如此根據Digtime公布的消息來看，在今年的年末，長鑫存儲的晶元量產有望增長三倍，也就是12萬片。而12萬片的量產片就足以讓超越產量不足7萬片的南亞 科技 。因此在今年年末，中國企業長鑫 科技 有望進入全球第四。相信短時間內，長鑫存儲在業界的知名度將會又有一個大的提升。
但是就算是有著不錯的成績，但是長鑫存儲在DRAM晶元內存領域與國際市場的三大巨頭三星、SK海力士和美光這三家企業還是有著很懸殊的實力差距。無論在市場份額的佔有上，還是在晶元的製造工藝上都與這三大業界巨頭存在著很大的距離。我們都知道長鑫存儲目前生產的內存晶元主要是19nm，和國際其他企業存在較大的差距，我國晶元內存製造的工藝技術水平落後於其他國外企業足足有大約兩三年的時間。不過，有差距也就有了追趕的動力。據相關人士透露，長鑫存儲在2021年的時候，將實現17nm的內存晶元的量產，我國國產的內存晶元存儲密度又有了一個提升，這就是一種良好的發展態勢。這意味著我國在內存晶元的生產技術上，將會再一次縮小與其他外國企業的距離。
長鑫企業的擴產一直在進行當中。合肥總投資高達2200 億元的集成電路製造基地項目終於在2019年成功啟動。這個項目的佔地面積非常廣，足足達到了15.2平方公里。這個基地一共設立了三大片區，分別是空港國際小鎮、空港集成電路配套產業園以及長興12英寸存儲器晶圓製造基地。如今，合肥已經集結了多達200多家的上下游企業，看來合肥專注於創造一座IC城市。
在這么多家企業當中，長鑫存儲就是其中的黑馬。這個集成電路製造基地項目總投資2200 億元，其中長鑫的12英寸存儲器晶圓製造基地項目就佔了1500億元了。這是安徽合肥單體投資最大的工業項目，可以說創造合肥的 歷史 記錄。正是因為國家對長鑫存儲寄予了厚望，所以才會如此大的資金投入到長鑫存儲的量產當中， 如今的長鑫存儲已經成為了國內晶元內存的領軍企業，大家都對其滿懷期待，相信它也不會讓大家失望。長鑫企業一直在用實際行動證明著自己。
國產內存因為長鑫存儲等內存製造企業的崛起而擁有了希望。根據相關的報導，安徽的半導體行業也將在短時間內進入高速發展的階段，新的低耗能高速率內存產品將在這幾年的推出，各大企業將專注於產品的產業化。各大企業並沒有因為落後於外國企業而氣餒，反正更加充滿干勁。來日方長，我國國產晶元未來的發展還是非常值得期待的。
寫在最後
沒有什麼企業產品是能夠一蹴而就的，特別是在高新 科技 領域，尤其需要時間去發展生長。在我國晶元內存領域空白的那幾年裡，拉開了我國晶元內存生產技術與其他外國企業之間所存在的距離。在這十幾年的時間里，我國一直致力於科學技術的自主研發，我國在 科技 領域的成果大家也有目共睹。 任何事情都不能操之過急，需要一步一個腳印的前進。雖然目前我國在內存晶元領域依舊有著很大的進步空間，但相信在我國企業的不斷努力之下，總有一天我國在這一個領域也會取得耀眼的成績。