A. 靜態RAM基本存儲電路
那個T3，T4是有源負載，相當於電阻，T3是T1的負載電阻，T4是T2的負載電阻，都是導通的，為T1，T2提供漏極電壓的。而真正導通和截止形成反相的，有兩個穩定狀態的是T1，T2。因為在集成電路內部不方便做電阻，所以，就用這種電路做電阻了。
B. 靜態RAM和動態RAM的優缺點優缺點
靜態RAM的特點：1.速度快；2.價格高；3.電路相對簡單。
靜態RAM 用觸發器作為存儲單元存放1 和0，存取速度快，只要不掉電即可持續保持內容不變。一般靜態RAM的集成度較低，成本較高。靜態RAM的基本存儲電路為觸發器，每個觸發器存放一位二進制信息，由若干個觸發器組成一個存儲單元，再由若干存儲單元組成存儲器矩陣，加上地址解碼器和讀／寫控制電路就組成靜態RAM。與動態RAM相比，靜態RAM無須考慮保持數據而設置的刷新電路，故擴展電路較簡單。但由於靜態RAM是通過有源電路來保持存儲器中的數據，因此，要消耗較多功率，價格也較高。
C. 靜態RAM和動態RAM的區別
在動態RAM晶元內部，每個內存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當然這些部件都非常地小，因此一個內存晶元內可以包含數百萬個。電容器保存信息位——0或1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，能讓內存晶元上的控制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只「桶」的問題在於：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持「1」值。為此，內存控制器會先行讀取存儲器中的數據，再把數據寫回去。這種刷新操作每秒鍾會自動進行數千次。動態RAM正是得名於這種刷新操作。它需要不間斷地進行刷新，否則就會丟失所保存的數據。這一刷新動作的缺點就是費時，並且會降低內存速度。靜態RAM使用了截然相反的技術。靜態RAM用某種形式的觸發器來保存內存的每個位（有關觸發器的詳細信息，請參閱布爾邏輯的應用）。內存單元的觸發器由4個或6個晶體管以及一些線路組成，但從來不需要刷新。這使得靜態RAM比動態RAM要快得多。但是，由於它所含的部件較多，靜態內存單元在晶元上佔用的空間會遠遠超過動態內存單元，使得每個晶元上的內存較小
D. 靜態RAM的某一單元中存放一個數據，如05H,CPU將其取走後，該單元的內容是什麼
。。仍為05H。若CPU需用該存儲單元存放運算數據，內容將被改寫。
E. 靜態RAM的特點是
1、靜態RAM 用觸發器作為存儲單元存放1 和0，存取速度快，只要不掉電即可持續保持內容不變。
2、與動態RAM相比，靜態RAM的集成度較低，並且靜態RAM無須考慮保持數據而設置的刷新電路，故擴展電路較簡單。
3、由於靜態RAM是通過有源電路來保持存儲器中的數據，因此，要消耗較多功率，價格也較高。
(5)靜態ram基本存儲單元擴展閱讀：
1、非揮發性SRAM：非揮發性SRAM（Non-volatile SRAM，nvSRAM）具有SRAM的標准功能，但在失去電源供電時可以保住其數據。非揮發性SRAM用於網路、航天、醫療等需要關鍵場合—保住數據是關鍵的而且不可能用上電池。
2、非同步SRAM：非同步SRAM（Asynchronous SRAM）的容量從4 Kb到64 Mb。SRAM的快速訪問使得非同步SRAM適用於小型的cache很小的嵌入式處理器的主內存，這種處理器廣泛用於工業電子設備、測量設備、硬碟、網路設備等等。
參考資料來源：網路-SRAM
F. 動態RAM與靜態RAM最主要的區別是動態RAM需定期（ ），即給存儲單元充電。
刷新。
一個RAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
G. 計算機中的靜態RAM和動態RAM有什麼區別
內存的物理實質是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路。內存按存儲信息的功能可分為只讀存儲器ROM（Read Only Memory）、可改寫的只讀存儲器EPROM（Erasable Progrmmable ROM）和隨機存儲器RAM（Random Access Memory）。ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用於存放固定的程序。EPROM和一般的ROM不同點在於它可以用特殊的裝置擦除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。RAM就是我們平常所說的內存，主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息。它的存儲單元根據具體需要可以讀出，也可以寫入或改寫。一旦關閉電源或發生斷電，其中的數據就會丟失。現在的RAM多為MOS型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠MOS電路中的柵級電容來記憶信息的。由於電容上的電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用靜態RAM。另外，內存還應用於顯卡，音效卡及CMOS等設備中，用於充當設備緩存或保存固定的程序及數據。
動態RAM按製造工藝的不同，又可分為動態隨機存儲器（Dynamic RAM）、擴展數據輸出隨機存儲器（Extened Data Out RAM）和同步動態隨機存儲器（Sysnchromized Dynamic RAM）。
H. 一個容量為256×8的靜態RAM具有2048個存儲單元，需要多少條地址線和多少條數據線。哪位前輩解答下
我先說你需要看微機原理
再回答你，首先你要確定你數據線寬度。如果寬度時8bit，那麼需要2048/8個地址，每個地址對應一個位元組，你需要256個地址，256= 2^8，所以你需要8個地址
I. 計算機中的靜態RAM和動態RAM有什麼區別
區別：動態RAM會周期性的刷新，靜態RAM不進行刷新
1、靜態RAM，指SRAM：只要有供電，它保存的數據就不會丟失，且為高速存儲器，如CPU中的高速緩存（cache）
2、動態RAM，指DRAM：有供電，還要根據它要求的刷新時間參數，才能保持存儲的數據不丟失，如電腦中的內存條
拓展：
1、靜態隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失。
2、DRAM，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
J. 靜態RAM存儲單元的工作過程
RAM按其結構和工作原理分為靜態RAM即SRAM（static RAM)和動態RAM即DRAM（因此，在動態RAM的使用過程中，必須及時地向保存「1」的那些存儲單元補充電荷