A. 單片機 eeprom flash 存儲器 具體區別
eeprom主要是掉電不消失
比如說：
你現在用單片機測量到一個參數，這個數在下次開機後可以用，你就要把它放在eeprom里
B. EPROM和EEPROM，閃速存儲器優缺點比較
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）晶元可重復擦除和寫入，解決了PROM晶元只能寫入一次的弊端。EPROM晶元有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的數據，完成晶元擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往晶元中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12—24V，隨不同的晶元型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶元。EPROM晶元在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。
C. 鐵電存儲器和eeprom的區別
鐵電存貯器（FRAM）快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。
在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗，成本，空間，同時增加了整個系統的可靠性。
最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。
典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。
D. 單片機 eeprom是什麼功能數據存儲程序存儲器求簡介跪求解釋，一定採納
單片機 eeprom是什麼功能？
單片機的EEPROM就是一個存儲用戶數據的單元，用於保存掉電不允許丟失的數據，通常使用IAP對其進行數據的讀寫和存儲。
E. EEpROM數據存儲器的特點是什麼
EEpROM是電可擦寫只讀存儲器的簡稱，幾乎所有的液晶彩電在微控制器的外部都設有一片EEpROM，用來存儲彩電工作時所需的數據（用戶數據、質量控制數據等）。這些數據在斷電時不會消失，但可以通過進入工廠模式或用編程器進行更改。
在遇到彩電軟體故障時，人們經常會提到「擦除冶「編程冶「燒寫冶等概念，其一般針對的都是EEpROM中的數據，而不是程序。「擦除冶「編程冶「燒寫冶的是MCU外部EEpROM數據存儲器中的數據。另外，維修液晶彩電時，經常要進入液晶彩電工廠模式（維修模式）對有關數據進行調整，所調整的數據就是EEpROM中的數據。
F. 單片機中EEPROM,FLASH ROM存儲器與ROM存儲器有什麼區別
嘿嘿 俺來幫你介紹一下各種存儲器的區別吧
1 單片機中存儲器的種類 比較多 常用的有：
ROM 叫掩模程序存儲器 實在生產晶元時 一同將程序固定在晶元中 出廠後不可再改變了
使用起來比較麻煩 現在單片機已經很少使用了
PROM 一次性的 用戶只能燒寫一次 被燒斷的絲 將永久損壞 不可再恢復
EPROM 是紫外線可擦除的 晶元上 帶有一個窗口 可以多次使用 用紫外線照射窗口20分鍾
可以修復被燒的絲 修復後又成為一個空白晶元 可以再次燒寫用戶程序
EEPROM 為電擦除的 不用插拔 可以在線擦除 能夠多次反復使用 可燒寫次數一般達
到1萬 次以上 但擦寫速度要比RAM讀寫存儲器要慢好幾個數量級。
FLASH ROM 實際上就是 RAM存儲器 在晶元中植入一個微型電源 可以像ROM一樣
保證信息不丟失 但由於是RAM 讀寫的速度快 故叫 快閃記憶體
呵呵 滿意 就給加分吧
G. 存儲器EEPROM通俗叫法是什麼
存儲器EEPROM 又叫"E方PROM" 所謂"E方"不是"一方",;兩個E在一起即E的平方,簡稱"E方"也就叫E方PROM!
H. EEPROM存儲器，主要是存放什麼程序或數據呢
存一些代碼運行中要存的可以實時更新的數據，掉電不丟失，也可以Flash模擬eeprom
I. eeprom什麼意思
eeprom是帶電可擦可編程只讀存儲器。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
(9)eeprom存儲器擴展閱讀：
EEPROM的寫入過程，是利用了隧道效應，即能量小於能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。量子力學認為物理尺寸與電子自由程相當時，電子將呈現波動性,這里就是表明物體要足夠的小。
就pn結來看，當p和n的雜質濃度達到一定水平時，並且空間電荷極少時，電子就會因隧道效應向導帶遷移。電子的能量處於某個級別允許級別的范圍稱為「帶」，較低的能帶稱為價帶，較高的能帶稱為導帶。電子到達較高的導帶時就可以在原子間自由的運動，這種運動就是電流。
參考資料來源：網路——EEPROM