當前位置:首頁 » 服務存儲 » 最快的存儲
擴展閱讀
webinf下怎麼引入js 2023-08-31 21:54:13
堡壘機怎麼打開web 2023-08-31 21:54:11

最快的存儲

發布時間: 2022-01-21 07:44:58

㈠ 下列存儲中,存取速度最快的是A軟盤 B硬碟 C內存 D光碟

存儲器中存取速度最快的是內存。

內存又稱主存,是CPU能直接定址的存儲空間,由半導體器件製成。內存的特點是存取速率快。內存是電腦中的主要部件,它是相對於外存而言的。

我們平常使用的程序,如Windows操作系統、打字軟體、游戲軟體等,一般都是安裝在硬碟等外存上的,但僅此是不能使用其功能的,必須把它們調入內存中運行,才能真正使用其功能,我們平時輸入一段文字,或玩一個游戲,其實都是在內存中進行的。

就好比在一個書房裡,存放書籍的書架和書櫃相當於電腦的外存,而我們工作的辦公桌就是內存。通常我們把要永久保存的、大量的數據存儲在外存上,而把一些臨時的或少量的數據和程序放在內存上,當然內存的好壞會直接影響電腦的運行速度。

(1)最快的存儲擴展閱讀:

存儲器的分類:

按存儲介質:

半導體存儲器:用半導體器件組成的存儲器。

磁表面存儲器:用磁性材料做成的存儲器。

按存儲方式:

隨機存儲器:任何存儲單元的內容都能被隨機存取,且存取時間和存儲單元的物理位置無關。

順序存儲器:只能按某種順序來存取,存取時間和存儲單元的物理位置有關。

按讀寫功能:

只讀存儲器(ROM):存儲的內容是固定不變的,只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。

隨機讀寫存儲器(RAM):既能讀出又能寫入的

按信息保存性:

非永久記憶的存儲器:斷電後信息即消失的存儲器。

永久記憶性存儲器:斷電後仍能保存信息的存儲器。

按用途:

根據存儲器在計算機系統中所起的作用,可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。

為了解決對存儲器要求容量大,速度快,成本低三者之間的矛盾,通常採用多級存儲器體系結構,即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。

用途特點:

高速緩沖存儲器Cache 高速存取指令和數據存取速度快,但存儲容量小

主存儲器內存存放計算機運行期間的大量程序和數據存取速度較快,存儲容量不大

外存儲器外存存放系統程序和大型數據文件及資料庫存儲容量大,位成本低

參考資料來源:內存-網路

存儲器-網路


㈡ 讀取速度最快的存儲器

這個只有高級的固態硬碟才能做到 讀取速度可以達到普通硬碟的10倍+
我就一直使用

㈢ 存儲器中存儲速度最快的是

存儲器中存儲速度最快的是寄存器。

在《深入理解計算機系統》一書中有介紹,計算機中存儲速度從快到慢如下:

寄存器>L1高速緩存>L2高速緩存>L3高速緩存>主存>本地二級緩存(本地磁碟)>遠程二級存儲。

如圖所示,展示了一個典型的存儲器層次結構,一般而言,從高往底層走,存儲速度變得更慢,更便宜,更大。在最高層是少量快速的CPU寄存器,CPU可以在一個時鍾周期內訪問他們。

㈣ 以下哪種類型的存儲器速度最快( )。A. DRAMB. ROMC. EPROMD. SRAM

D
RAM>ROM
SRAM>DRAM
SRAM存取速度快於DRAM,但容量小於DRAM

㈤ 選擇題:下列存儲器中,存取速度最快的是()

1、答案:應選擇B

2、解析:

存儲速度從快到慢排列:內存儲器>高速緩沖存儲器>計算機的主存>大容量磁碟

拓展內容:

1、CD-ROM

CD-ROM(Compact Disc Read-Only Memory)即只讀光碟,是一種在電腦上使用的光碟。這種光碟只能寫入數據一次,信息將永久保存在光碟上,使用時通過光碟驅動器讀出信息。CD的格式最初是為音樂的存儲和回放設計的,1985年,由SONY和飛利浦制定的黃皮書標准使得這種格式能夠適應各種二進制數據。有些CD-ROM既存儲音樂,又存儲計算機數據,這種CD-ROM的音樂能夠被CD播放器播放,計算機數據只能被計算機處理。

2、內存儲器

內存儲器是計算機中重要的部件之一,它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存儲器中進行的,因此內存儲器的性能對計算機的影響非常大。內存儲器(Memory)也被稱為內存,其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據,以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中,CPU就會把需要運算的數據調到內存中進行運算,當運算完成後CPU再將結果傳送出來,內存的運行也決定了計算機的穩定運行。 內存是由內存晶元、電路板、金手指等部分組成的。

3、硬碟

硬碟是電腦主要的存儲媒介之一,由一個或者多個鋁制或者玻璃制的碟片組成。碟片外覆蓋有鐵磁性材料。

高速緩沖存儲器是存在於主存與CPU之間的一級存儲器, 由靜態存儲晶元(SRAM)組成,容量比較小但速度比主存高得多, 接近於CPU的速度。在計算機存儲系統的層次結構中,是介於中央處理器和主存儲器之間的高速小容量存儲器。它和主存儲器一起構成一級的存儲器。高速緩沖存儲器和主存儲器之間信息的調度和傳送是由硬體自動進行的。高速緩沖存儲器最重要的技術指標是它的命中率。

參考內容:

1、網路_高速緩沖存儲器

2、網路_CD-ROM

3、網路_內存儲器

4、網路_硬碟

㈥ 下列存儲器中,存取速度最快的是()

D.Cache
cache
高速緩沖存儲器
一種特殊的存儲器子系統,其中復制了頻繁使用的數據以利於快速訪問。存儲器的高速緩沖存儲器存儲了頻繁訪問的
RAM
位置的內容及這些數據項的存儲地址。當處理器引用存儲器中的某地址時,高速緩沖存儲器便檢查是否存有該地址。如果存有該地址,則將數據返回處理器;如果沒有保存該地址,則進行常規的存儲器訪問。因為高速緩沖存儲器總是比主RAM
存儲器速度快,所以當
RAM
的訪問速度低於微處理器的速度時,常使用高速緩沖存儲器

㈦ 下列存儲器中,存取速度最快的是( ) A.軟盤 B.硬碟 C.光碟 D.內存

下列存儲器中,存取速度最快的是( ) A.軟盤 B.硬碟 C.光碟 D.內存
正確答案:D
內存是內部存儲器,其速度最快。

㈧ 計算機中訪問速度最快的存儲器是

內存

瑞薩發布世界上速度最快的快閃記憶體存儲器

目前,瑞薩科技公司宣布開發出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型快閃記憶體存儲器,可以提供世界上最快的10 M位元組/秒編程速度,用於電影和類似應用中的大容量數據的高速記錄。在2004年9月,將從日本開始樣品發貨,隨後在12月將開始批量生產。

R1FV04G13R和R1FV04G14R分別具有´8和´16位配置,可以提供下面的主要性能。

(1) 世界上最快的4千兆位快閃記憶體存儲器(晶元)

作為實現了多級單元技術*2和高速度的第二階段AG-AND型快閃記憶體存儲器,R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下,也能達到10 M位元組/秒的快速編程速度。復制一個2小時的MPEG-4格式的電影,大約需要2分鍾就可以完成錄制。

(2) 小型晶元尺寸

由於使用90 nm工藝和改進的AG-AND快閃記憶體存儲器單元設計,實現了世界上最小的存儲單元。與1千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器相比,每千兆位的晶元面積大約縮小了三分之二。

這些新產品的發布使得電影和音樂等大容量內容的快速下載和傳送成為可能。相應地,其應用領域也從過去僅局限於數碼相機和個人計算機,現在可以擴展到移動終端和數字家用設備,擴大了使用快閃記憶體存儲器作為存儲介質的系統解決方案的應用范圍。

產品背景 >

高密度快閃記憶體存儲器作為一種橋接介質,正在溶入我們的生活之中,尤其是在移動應用方面,可以用作數碼相機和行動電話的圖像存儲存儲器、USB存儲器用作軟盤的替代物。下一代的快閃記憶體存儲卡需要更高的密度和更快的編程速度以處理快速數據下載,可以為大容量、高質量的動畫數據如電影提供便攜性。

為滿足這些需要,目前瑞薩科技大量生產130 nm工藝1千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器,通過使用輔助門(AG)防止單元間的干擾,以及使用公司在常規AND型快閃記憶體領域開發的多級單元技術,可以提供更小的單元面積和高達10 M位元組/秒的高編程速度。

為滿足更高密度的需要,同時又實現高速度,在2003年12月瑞薩科技開發出了第二代AG-AND型快閃記憶體存儲單元,通過改進第一代AG-AND型快閃記憶體存儲器單元的設計和使用90 nm工藝,使存儲器單元面積大約縮小了三分之一。現在瑞薩科技已經完成了R1FV04G13R和R1FV04G14R的商用開發,它們是世界上速度最快的 4千兆位小型AG-AND型快閃記憶體存儲器,使用第二代存儲器單元。

產品詳情 >

使用R1FV04G13R和R1FV04G14R,可以在單個晶元上配置512M位元組的記錄介質,提供的存儲能力大約相當於160分鍾的MPEG-4電影數據,大約等同於130個磁軌的MP3音樂數據,或大約500張4兆象素的數碼相機相片。

R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性總結如下。

(1) 世界上編程速度最快的4千兆位快閃記憶體存儲器(晶元),速度高達10 M位元組/秒。

和1千兆位產品一樣,使用熱電子注入編程方法*3和在單個晶元內同時進行4組編程操作,通過使用多級單元技術,實現了高達10 M位元組/秒的編程速度。

(2) 小型晶元尺寸

通過使用90 nm工藝和改進的第一代AG-AND型快閃記憶體存儲器源-漏*4結構,實現了世界上最小的0.016 μm2存儲單元面積。

與1千兆位 AG-AND型快閃記憶體存儲器相比,每千兆位晶元面積大約縮小了三分之二。

* 源-漏結構的改進:

使用了一種新結構,在AG上加電壓時,硅襯底上形成的逆溫層*5構成了存儲單元晶體管的源和漏。在常規的擴散層*6結構中,源和漏趨向於橫向擴散,但是,由於逆溫層僅在AG下面的襯底的極淺區域形成,因此可以縮小存儲單元的面積。

(3) 支持加電讀出功能(2K位元組大小)

系統加電時,不需要命令或地址輸入,通過控制兩個控制線(/CE 針和/RE針)就可以讀出多達2K位元組的數據。

(4) 在編程操作過程中具有高速緩沖存儲器編程功能,在擦除操作過程中,具有可編程數據輸入功能。

在器件編程過程中,可以對下一步2 K位元組的數據進行高速緩沖存儲器編程的功能,最多可以進行兩次(4 K位元組)。這使得系統可以很容易地分配匯流排進行下一個任務。在器件擦除過程中,可以進行一次高達2 K位元組的下一步數據輸入的功能。

(5) NAND介面

在命令級,R1FV04G13R和R1FV04G14R與NAND型快閃記憶體存儲器兼容,因此,對目前使用NAND型快閃記憶體存儲器的系統進行很少的軟體修改,就可以使用它們。

電源電壓是3.3 V,使用的封裝形式是48針TSOP 1型封裝,與1千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器的封裝尺寸相同。

未來的計劃包括為R1FV04G13R和R1FV04G14R開發控制器,面向高速快閃記憶體卡的應用開發,以及開發2千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器產品和使用新型存儲單元的1.8 V低壓產品。

我們也計劃開發具有兩個層迭4千兆位AG-AND型快閃記憶體存儲器的大容量8千兆位產品,使用新的封裝形式(WFLGA: 超細節距柵格陣列),在2004年12月將開始高密度安裝。

㈨ 存儲速度最快的存儲器是什麼

存貯速度最快的當然是內存,不過存貯速度和介質有關系,具體可以上網搜搜這方面的介紹來看看。