❶ 擴散爐的基本結構
擴散爐由控制系統、進出舟系統、爐體加熱系統和氣體控制系統等組成。 控制部分包括：溫控器、功率部件、超溫保護部件、系統控制。
系統控制部分有四個獨立的計算機控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴散/氧化系統的控制中心。
輔助控制系統，包括推舟控制裝置、保護電路、電路轉接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風開關等。
較先進的擴散爐控制系統均已更新或升級到微機控制，管機與主機間通過串口RS232或網線進行通信。控制系統軟體大多基於Windows系統，實用性和可操作性大大提高，能夠實現日誌記錄，曲線記錄，程序編輯，遠程式控制制等多種功能。 水平擴散爐進出舟系統有兩種方式：1）懸臂槳系統；2）軟著陸系統。
懸臂槳系統結構比較簡單，SiC槳攜帶舟和矽片進入石英爐管後，就停留在石英爐管內，直到工藝程序結束，SiC槳就攜帶舟和矽片慢慢回到原位，懸臂槳系統缺點是槳對爐管溫度的均勻性有一定的影響，另外，工藝氣體也會對槳沉積，影響顆粒。
軟著陸系統較懸臂槳系統更加先進，SiC槳進入石英工藝爐管後，槳自動下沉放下石英舟和矽片，然後慢慢運行回原點，最後石英爐管的門自動關閉。軟著陸系統優點是沒有SiC槳對腔體的影響，使得溫度均勻性更好，減少了工藝氣體在SiC槳上的沉積，從而顆粒更少。
推舟凈化櫃的頂部裝有照明燈；正面是水平層流的高效過濾器及四層推舟的絲杠、導軌副傳動系統及SiC懸臂槳座，絲杠的右端安裝有驅動步進電機，導軌的兩端是限位開關。櫃子的下部裝有控制電路轉接板及凈化用風機。 氣源櫃分為五層。頂部設置有排毒口， 用以排除在換源 過程中泄漏的有害氣體。 櫃頂設置有三路工藝氣體及一路壓縮空氣的進氣介面， 介面以下安裝有減壓閥、截止閥， 用以對進氣壓力進行控制及調節。對應於氣路，各層分別裝有相應的電磁閥、 氣動閥、過濾器、單向閥、質量流量控制器、 及DCE源瓶和冷阱等。櫃子的底部裝有質量流量（MFC）控制器電源、控制開關、保險等電路轉接板以及設備總電源進線轉接板。
❷ 溫度保護是怎樣的
過熱保護，指溫度超過某一閥值時就啟動相應的保護功能。電子設備或機械運行中由於能量轉換或者摩擦產生熱量，會導致運行異常或故障。過熱保護採取方式有三種，切斷設備運行、降低設備運行性能或者改善通風散熱條件。
生產中所用的自動車床、電熱烘箱、球磨機等連續運轉的機電設備，以及其它無人職守的設備，因為過熱或溫控器失靈造成的事故時有發生，必須採用相應的保護措施。
一般情況下，使用熱敏感的電子元件來組建過熱保護電路，當熱敏元件監測到主電路設備的溫度升高到一定值，其內部的低熔點金屬就會發生形變，進而推動主電路斷開，達到保護主電路設備的目的;停機散熱一段時間後，熱敏元件監測到主電路設備的溫度降低了，其內部的低熔點金屬恢復原有形狀，進而使主電路接通，主電路設備又可以正常工作。
KI-31系列產品是一種用雙金屬片作為感溫組件的溫控器,電器正常工作時,雙金屬片處於自由狀態,觸點處於閉合/斷開狀態,當溫度達到動作溫度時,雙金屬片受熱產生內應力而迅速動作,打開/閉合觸點,切斷/接通電路,從而起到控溫作用。當電器冷卻到復位溫度時，觸點自動閉合/打開，恢復正常工作狀態。廣泛應用於:飲水機、熱水器、三明治烤麵包機、洗碗機、乾燥機、消毒櫃、微波爐、電熱咖啡壺、電煮鍋、冰箱、空調、過膠機、辦公設備、汽車座位加熱器等電熱器具。
❸ 什麼是擴散爐它有什麼用處
擴散爐是集成電路生產線前工序的重要工藝設備之一，它的主要用途是對半導體進行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴散入矽片，從而改變和控制半導體內雜質的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區域。雖然某些工藝可以使用離子注入的方法進行摻雜，但是熱擴散仍是最主要、最普遍的摻雜方法。硅的熱氧化作用是使矽片表面在高溫下與氧化劑發生反應，生長一層二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氫氧合成）兩種，擴散爐是用這兩種氧化方法制備氧化層的必備設備。擴散爐是半導體集成電路工藝的基礎設備，它與半導體工藝互相依存、互相促進、共同發展。
❹ 有誰知道溫度遠傳儀表的維護和調整需要注意哪些細節呢
由於在設計上已考慮到溫度遠傳儀的長期穩定性，並且溫度遠傳儀出廠前均經過長時間老化和校驗，因此在正常的使用情況下，一般無須特別維護。如經驗證實是儀表故障，可送本公司維修。公司對本系列產品實行終身維修。
如果發現溫度遠傳儀已不能正常工作，儀表輸出電流超過20mA。多數情況是感測器開路所致，也可能是感測器與保護套管的絕緣電阻下降引起（隔離型儀表能防止該故障）。
如果一路輸入短路，不會影響儀表工作。當按鍵選擇該迴路時，輸出電流小於4mA，表頭指示低於零點。
儀表調整步驟：
定期校驗儀表時需要校正儀表誤差，可按下述步驟進行調整：（以四迴路Pt100輸入量程0～150℃為例）
1.打開儀表面板，按圖接通電源。首先在*迴路輸入端接標准電阻箱，並調整到100Ω，其餘迴路輸入端短路。
2.調節電位器W11，使輸出為4mA然後將電阻設置到157.31Ω時再調節W12使輸出為20mA，該步驟要反復多次，直止達到滿意的精度范圍。
3.將標准電阻箱接到第二路，採用步驟2的方法調整調零電位器W21和滿量程電位器W22，使輸出分別為4mA和20mA即可，調整第二迴路時，其餘輸入迴路也應短路。
4.將標准電阻箱分別接到第三、第四迴路，重復步驟2。分別調整電位器W31、W32和W41、W42，則全部四個迴路完成調整。
❺ 擴散爐智能控制系統怎樣用plc設計
擴散爐智能控制系統設計重點有以下幾個方面
總體來說，控制系統的選用，可以PLC+上位機，也可以直接PLC 。
1）溫度控制，一般採用智能溫控儀來控溫，擴散爐分為口、中、尾三段獨立控溫。溫度點可以修正補償。溫控儀最好是通信的，這樣便於集成控制。
2）功率加熱，爐體採用合金爐絲，加熱建議採用可控硅移相的方式。
3）氣體控制，爐體中得通入比例的氣體，這里需要用到MFC精確控溫，可以模擬量控制，也可以選用通信方式的。
4）控制系統，必須有幾十條工藝可以存儲。每條工藝根據需要至少得有10步滿足使用。運行過程中，需要根據客戶設定的時間推移，程序跳步，動態給定口中尾溫度，動態給定氣體流量。
5）安全監測設計，口中尾溫度超溫巡檢，切斷電源等保護措施。歷史事件記錄追溯查詢。
6) 輔助機構的設計，比如進舟機構。
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❻ 什麼是標准氣體什麼是特種氣體
氣體工業名詞術語（標准氣體、高純氣體、特種氣體）
1. 特種氣體(Specialty gases) ：指那些在特定領域中應用的, 對氣體有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質氣體配製的二元或多元混合氣。特種氣體門類繁多, 通常可區分為電子氣體、標准氣、環保氣、醫用氣、焊接氣、殺菌氣等, 廣泛用於電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環境監測、醫學研究及診斷、食品保鮮等領域。
2. 標准氣體(Standard gases) ：標准氣體屬於標准物質。標准物質是高度均勻的、良好穩定和量值)准確的測定標准, 它們具有復現、保存和傳遞量值的基本作用, 在物理、化學、生物與工程測量領域中用於校準測量儀器和測量過程, 評價測量方法的准確度和檢測實驗室的檢測能力, 確定材料或產品的特性量值, 進行量 值仲裁等。大型乙烯廠、合成氨廠及其它石化企業, 在裝置開車、停車和正常生產過程中需要幾十種純氣和幾百種多組分標准混合氣, 用來校準、定標生產過程中使用的在線分析儀器和分析原料及產品質量的儀器。標准氣還可用於環境監測, 有毒的有機物測量, 汽車排放氣測試, 天然氣BTU 測量, 液化石油氣校正標准, 超臨界流體工藝等。標准氣視氣體組分數區分為二元、三元和多元標准氣體; 配氣準度要求以配氣允差和分析允差來表徵;比較通用的有SE2M I 配氣允差標准, 但各公司均有企業標准。組分的最低濃度為10- 6級, 組分數可多達20餘種。配製方法可採用重量法, 然後用色譜分析校核, 也可按標准傳遞程序進行傳遞。
3、電子氣體(Elect ron ic gases) ：半導體工業用的氣體統稱電子氣體。按其門類可分為純氣、高純4 _6 m+ p- _4氣和半導體特殊材料氣體三大類。特殊材料氣體主要用於外延、摻雜和蝕刻工藝；高純氣體主要用作稀釋氣和運載氣。電子氣體是特種氣體的一個重要分支。電子氣體按純度等級和使用場合，可分為電子級、L S I (大規模集成電路) 級、VL S I (超大規模集成電路) 級和UL S I (特大規模集成電路)級。
4. 外延氣體(Cp itax ial gases) ：在仔細選擇的襯底上採用化學氣相淀積(CVD) 的方法生長一層或多層材料所用氣體稱為外延氣體。硅外延氣體有4 種, 即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅, 主要用於外延硅淀積, 多晶硅淀積, 淀積氧化硅膜, 淀積氮化硅膜, 太陽電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長是一種單晶材料淀積並生長在襯底表面上的過程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。
5. 蝕刻氣體(Etch ing gases) ：蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來, 這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線條清晰, 圖形變換差小, 且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無損傷和鑽蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由於蝕刻方向性強、工藝控制精確、方便、無脫膠現象、無基片損傷和沾污, 所以
其應用范圍日益廣泛。
1. 特種氣體(Specialty gases) ：指那些在特定領域中應用的, 對氣體有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質氣體配製的二元或多元混合氣。特種氣體門類繁多, 通常可區分為電子氣體、標准氣、環保氣、醫用氣、焊接氣、殺菌氣等, 廣泛用於電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環境監測、醫學研究及診斷、食品保鮮等領域。
2、 標准氣體(Standard gases) ：標准氣體屬於標准物質。標准物質是高度均勻的、良好穩定和量值准確的測定標准, 它們具有復現、保存和傳遞量值的基本作用, 在物理、化學、生物與工程測量領域中用於校. d( [准測量儀器和測量過程, 評價測量方法的准確度和檢測實驗室的檢測能力, 確定材料或產品的特性量值, 進行量值仲裁等。大型乙烯廠、合成氨廠及其它石化企業, 在裝置開車、停車和正常生產過程中需要幾十種純氣和幾+百種多組分標准混合氣, 用來校準、定標生產過程中使用的在線分析儀器和分析原料及產品質量的儀器。標准氣還可用於環境監測, 有毒的有機物測量, 汽車排放氣測試, 天然氣BTU 測量, 液化石油氣校正標准, 超臨界流體工藝等。標准氣視氣體組分數區分為二元、三元和多元標准氣體; 配氣準度要求以配氣允差和分析允差來表徵;比較通用的有SE2M I 配氣允差標准, 但各公司均有企業標准。組分的最低濃度為10- 6級, 組分數可多達20餘種配製方法可採用重量法, 然後用色譜分析校核, 也可按標准傳遞程序進行傳遞。
3、 電子氣體(Elect ron ic gases) ：半導體工業用的氣體統稱電子氣體。按其門類可分為純氣、高純氣和半導體特殊材料氣體三大類。特殊材料氣體主要用於外延、摻雜和蝕刻工藝；高純氣體主要用作稀釋氣和運載氣。電子氣體是特種氣體的一個重要分支。電子氣體按純度等級和使用場合，可分為電子級、L S I (大規模集成電路) 級、VL S I (超大規模集成電路) 級和UL S I (特大規模集成電路)級。
4. 外延氣體(Cp itax ial gases) ：在仔細選擇的襯底上採用化學氣相淀積(CVD) 的方法生長一層或多層材料所用氣體稱為外延氣體。硅外延氣體有4 種, 即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅, 主要用於外延硅淀積, 多晶硅淀積, 淀積氧化硅膜, 淀積氮化硅膜, 太陽電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長是一種單 晶材料淀積並生長在襯底表面上的過程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。
5. 蝕刻氣體(Etch ing gases) ：蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來, 這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線條清晰, 圖形變換差小, 且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無損傷和鑽蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由於蝕刻方向性強、工藝控制精確、方便、無脫膠現象、無基片損傷和沾污, 所以其應用范圍日益廣泛。
6. 摻雜氣體(Dopant Gases)：在半導體器件和集成電路製造中, 將某種或某些雜質摻入半導體材料內, 以使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率, 用來製造PN結、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣) 在源櫃中混合, 混合後氣流連續流入擴散爐內環繞晶片四周, 在晶片表面沉積上化合物摻雜劑, 進而與硅反應生成摻雜金屬而徙動進入硅。
7. 熏蒸氣體(Sterilizing Gases) ：具有殺菌作用的氣體稱熏蒸氣體。常用的氣體品種有環氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、環氧丙烷等。其滅菌原理是利用烷化作用, 使微生物組織內維持生命不可缺少的物質惰化。最經常使用的是以不同比例配製的環氧乙烷和二氧化碳的混合氣, 根據用途不同, 環氧乙烷的含量可以是10 %、20 %和30 %等。也可採用環氧乙烷和氟利昂12 的混合氣,環氧乙烷與氟利昂11 和氟利昂12 的混合氣等。殺菌效果與各組分濃度、溫度、濕度、時間和壓力等因素有關。熏蒸氣體可以用於衛生材料、醫療器具、化妝品原料、動物飼料、糧食、紙鈔、香辣
8. 焊接保護氣體(Welding Gases)：氣體保護焊由於具有焊接質量好, 效率高, 易實現自動化等優點而得以迅速發展。焊接保護氣體可以是單元氣體, 也有二元、三元混合氣。採用焊接保護氣的目的在於提高焊縫質量, 減少焊縫加熱作用帶寬度, 避免材質氧化。單元氣體有氬氣、二氧化碳, 二元混合氣有氬和氧, 氬和二氧化碳, 氬和氦, 氬和氫混合氣。三元混合氣有氦、氬、二氧化碳混合氣。應用中視焊材不同選擇不同配比的焊接混合氣。
9. 離子注入氣( Gases for Ion Implantation)：離子注入是把離子化的雜質, 例如P + 、B + 、As+加速到高能量狀態,然後注入到預定的襯底上。離子注入技術在控制V th(閾值電壓) 方面應用得最為廣泛。注入的雜質量可通過測量離子束電流而求得。離子注入工藝所用氣體稱離子注入氣, 有磷系、硼系和砷系氣體。
10. 非液化氣體(Nonliquefied Gases)：壓縮氣體依據於一定壓力和溫度下在氣瓶中的物理狀態和沸點范圍可以區分為兩大類, 即液化氣體和非液化氣體。非液化氣體系指除溶解在溶液中的氣體之外, 在2111 ℃和罐裝壓力下完全是氣態的氣體。也可定義為在正常地面溫度和13789～17237kPa 壓力下不液化的氣體。
11. 液化氣體( Liquefied Gases )：在2111 ℃和罐裝壓力下部分液化的氣體。或定義為在正常溫度和172142～17237kPa 壓力下在氣瓶中液化的氣體。壓縮氣體(Compressed Gases) 壓縮氣體是指在2111 ℃下, 在氣瓶中絕對壓力超過27518kPa 的任何氣體或混合物; 或與2111 ℃下的壓力無關, 於5414 ℃下絕對壓力超過717kPa 的任何氣體或混合物; 或於3718 ℃下氣體絕對壓力超27518kPa 的任何液體。
12. 稀有氣體(Rare Gases)：元素周期表最後一族的六種惰性氣體中的任何一種氣體, 即氦、氖、氬、氪、氙、氡。前五種氣體均可以空氣分離方法從空氣中提取。
13. 低壓液化氣體(Low P ressu re L iquef ied Gases) ：臨界溫度大於70℃的氣體。區分為不燃無毒和不燃有毒、酸性腐蝕性氣體; 可燃無毒和可燃有毒、酸性腐蝕性氣體; 易分解或聚合的可燃氣體。此類氣體在充裝時以及在允許的工作溫度下貯運和使用過程中均為液態。包括的氣體品種有一氟二氯甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟環丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光氣、氟化氫、溴化氫、二氧化硫、硫醯氟、二氧化氮、液壓石油氣、丙烷、環丙烷、丙烯、正丁烷、異丁烷、1- 丁烯、異丁烯、順- 2-丁烯、反- 2- 丁烯、R142b、R 143a、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲硫醇、硫化氫、氯甲烷、溴甲烷、砷烷、1, 3—丁二烯、氯乙烯、環氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。
14. 高壓液化氣體(H igh P ressu re L iquef iedGases) ：臨界溫度大於或等於- 10℃且小於或等於70℃的氣體。區分為不燃無毒和不燃有毒氣體; 可燃無毒和自燃有毒氣體; 易分解或聚合的可燃氣體。此類氣體充裝時為液態,但在允許的工作溫度下貯運和使用過程中其蒸汽壓隨溫度的升高而升高, 超過臨界溫度時蒸發為氣體。所包括的氣體品種有一氧化二氮、二氧化碳、三氟甲烷、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、六氟乙烷、六氟化硫、氙、氯化氫、乙烷、乙烯、1, 1- 二氟乙烯、硅烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。
❼ ~鋰電池保護板~的主要技術參數有哪些
1.PCM基本規格
項
目
設
計
值
備
注
1.1尺寸（長×寬×高）
85mm*70mm*12mm
不包含線束
1.2保護板散熱方式
氧化鋁散熱片
1.3充放電迴路是否分開
是
1.4最大持續工作電流
20A
1.5峰值工作電流
40A
持續1分鍾
1.6正常工作導通內阻
≤6mΩ
PCM上B-到P-間
1.7電池組兩級電壓保護
無
1.8電池組平衡管理方式
電阻均衡
1.9充電過流保護恢復方式
無
1.10放電過流保護恢復方式
斷開負載
自動恢復
1.11充電器反接保護
無
1.12負載浪涌吸收保護
無
1.13負載反電動勢吸收保護
無
1.14靜態功耗
<55uA
正常工作時
<30uA
休眠後
1.15工作溫度
-40℃～85℃
1.16存儲溫度
-40℃～125℃
2.基本保護參數
項
目
設計值
備
注
2.1過充電保護檢測電壓（單節）
3.80±0.025V
2.2過充電保護延遲時間
1S
2.3過充電保護恢復電壓（單節）
3.60±0.050V
2.4過放電保護檢測電壓（單節）
2.20±0.080V
2.5過放電保護延遲時間
100mS
2.6過放電保護恢復電壓（單節）
2.50±0.100V
2.7充電過電流保護電流
無
最大充電電流10A
2.8放電過電流保護電流
70A±8A
*1
2.9放電過電流保護延遲時間
20mS
2.10放電短路保護延遲時間
300uS
典型值
2.11充放電高溫保護溫度
無
預留溫度開關介面
2.12充放電高溫保護恢復溫度
無
2.13向0V電池充電功能
有
3.均衡管理參數
項
目
設計值
備
注
3.1均衡起動電壓
3.65V±0.025V
電阻均衡
3.2均衡截止電壓
3.55V±0.050V
電阻均衡
3.3均衡電流
55mA±5mA
電阻均衡
保護板的型號是有區別的
這只是其中的一種
希望對你有用
❽ 乾式變壓器有哪些保護
乾式變壓器有的保護：
1、瓦斯保護。
瓦斯保護是指乾式變壓器發生內部短路（包括匝間短路），但是短路電流達不到電流保護定值時，而使被保護變壓器直接跳閘的一種保護。它屬於乾式變壓器的主保護，正常運行中不能解除。變壓器按照瓦斯繼電器的動作壓力分為輕重兩種情況，重瓦斯動作於跳閘，輕瓦斯根據情況可動作於跳閘，也可動作於信號。
2、溫度保護。
乾式變壓器一般設置了兩個層次的溫度保護：低溫報警、高溫跳閘，具體溫度值的設定可根據變壓器廠家的說明來進行。
知識點延伸：
乾式變壓器就是指鐵芯和繞組不浸漬在絕緣油中的變壓器。乾式變壓器廣泛用於局部照明、高層建築 、機場，碼頭CNC機械設備等場所。
❾ 48所擴散爐出現第一溫區顯示1600度熱電偶為 A短路 B斷路 C無異常
擴散爐出現第一溫區顯示1600度熱電偶為：B斷路。
溫度儀表都有斷路報警，當熱電偶有斷路時，儀表會顯示最高溫度，以引起監盤人員的注意。