Ⅰ FIS —— 已經不再維護的前端構建系統
之前工作一直用到 FIS ， FIS2 和 FIS3 都有用過，現在只是把學習筆記放上來，因為手中實踐的東西較多，之後有時間會進行下一步的整理。
FIS 是網路的前端團隊出款的一種構建系統， FIS 現在也基本沒有團隊維護了，但是我們還需要了解一下他。相比於 grunt 和 gulp ， FIS 的核心特點是 高度集成 。
他把前端日常開發中常見的開發任務和構建任務都集成在了內部，這樣開發者可以通過簡單的配置文件的方式去配置我們構建過程需要的工作。我們不需要在 FIS 中像 grunt 和 gulp 一樣定義任務， FIS 中有一些內置任務，內置任務會根據開發過程自動完成構建任務。 FIS 中也有用於調試的 web-server ，可以很方便的調試構建結果。
裡面的引用資源也變成了絕對定位
使用 fis3 inspect 命令可以看到對哪些文件進行了操作
Ⅱ 如何實現前端模塊化開發
SeaJS 是一個適用於 Web 瀏覽器端的模塊載入器。
使用 SeaJS，可以更好地組織 JavaScript 代碼。
Ⅲ 什麼叫前端模塊化 前端工程化和前端模塊化是什麼意思
模塊化更一種開發規范，比如cmd amd 是為了更好的解藕，比如一個網站，按照不同的模塊來開發，比如你有個評論區，a 項目有，b 項目有，如果僅是單純的模塊開發，這個js 文件你就可以單獨來回引用，
更比如 ，一個頁面 分好多個功能， 這時候你要是都寫在一個js 中 會越來越大，
而你把他分成不同的模塊，
比如評論是一塊
分頁又是一塊，
已經上線，或你不做了，後期別人拉手，或你接手別人的項目， 這時候來個需求讓你把分頁去掉，或修改 你可以清楚的找到對應模塊文件 進行修改 或去掉
模塊是自定義的，
組件，更想當於一個通用的東西，有的分功能組件，有的分業務組件
大圖切換，這種就是單純的一個效果展示，只要調用就ok
一個分頁，也是只單純的調用，
組件更是一個多處都可以使用 ，不需要再單獨開發的
Ⅳ 什麼叫集成電路、集成模塊
一、概述
集成電路（integrated circuit，港台稱之為積體電路）是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然後封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。
集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。
它在電路中用字母「IC」（也有用文字元號「N」等）表示。
[編輯本段]二、集成電路的分類
（一）按功能結構分類
集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/模混合集成電路三大類。
模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號）。
（二）按製作工藝分類
集成電路按製作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。
膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。
（三）按集成度高低分類
集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路、特大規模集成電路和巨大規模集成電路。
（四）按導電類型不同分類
集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數字集成電路.
雙極型集成電路的製作工藝復雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的製作工藝簡單，功耗也較低，易於製成大規模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。
（五）按用途分類
集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。
1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。
2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。
3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。
4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。
（六）按應用領域分
集成電路按應用領域可分為標准通用集成電路和專用集成電路。
(七)按外形分
集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用於大功率)、扁平型(穩定性好,體積小)和雙列直插型.
[編輯本段]三、集成電路發展簡史
1.世界集成電路的發展歷史
1947年：貝爾實驗室肖克萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；
1950年：結型晶體管誕生；
1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；
1951年：場效應晶體管發明；
1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；
1962年：美國RCA公司研製出MOS場效應晶體管；
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路晶元都是基於CMOS工藝；
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；
1966年：美國RCA公司研製出CMOS集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；
1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；
1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；
1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，採用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；
1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之後，IBM基於8088推出全球第一台PC；
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985年：80386微處理器問世，20MHz；
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（ULSI）階段；
1989年：1Mb DRAM進入市場；
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，後來50MHz晶元採用 0.8μm工藝；
1992年：64M位隨機存儲器問世；
1993年：66MHz奔騰處理器推出,採用0.6μm工藝；
1995年:Pentium Pro, 133MHz，採用0.6-0.35μm工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,採用0.25μm工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；
2000年: 1Gb RAM投放市場；
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，採用0.18μm工藝；
2001年：Intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。
2.我國集成電路的發展歷史
我國集成電路產業誕生於六十年代，共經歷了三個發展階段：
1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在「治散治亂」的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。
[編輯本段]四、集成電路的封裝種類
1、BGA(ball grid array)
球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 採用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上晶元封裝，是裸晶元貼裝技術之一，半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上，晶元與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸晶元貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。
9、DFP(al flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
10、DIC(al in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(al in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12、DIP(al in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加 區分， 只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
13、DSO(al small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。
14、DICP(al tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。
15、DIP(al tape carrier package)
同上。日本電子機械工業會標准對DTCP 的命名(見DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。
17、flip-chip
倒焊晶元。裸晶元封裝技術之一，在LSI 晶元的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶元尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數與LSI 晶元不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶元，並使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此名稱。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引腳晶元載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家採用的名稱。
24、LCC(Leadless chip carrier)
無引腳晶元載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
25、LGA(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用於高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻 抗 小，對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作復雜，成本高，現在基本上不怎麼使用 。預計 今後對其需求會有所增加。
26、LOC(lead on chip)
晶元上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處於晶元上方的一種結構，晶元 的 中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶元側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶元達1mm 左右寬度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，晶元用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。
29、MCM(multi-chip mole)
多晶元組件。將多塊半導體裸晶元組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家採用的名稱。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標准對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標准QFP(見QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產 。
33、MSP(mini square package)
QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱(見 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)採用的名稱(見QFN)。引
腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處於開發階段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家採用的名稱。
39、PGA(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。
40、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設 備時用於評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是 定製 品，市場上不怎麼流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料晶元載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ， 是塑料製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用，現在已經 普 及用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑料，後者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑料製作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分
LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
43、QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體製作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家採用的名稱。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由於引腳無突出部分，貼裝佔有面 積小 於QFP。 日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用於微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。
陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機晶元電路。引腳數從32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字 邏輯LSI 電路，而且也用於VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。
日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。
另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機械工業會標准所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小於0.65mm 的QFP(見QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的別稱(見QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標准印刷線路板 。是 比標准DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶元中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。
55、SDIP (shrink al in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小於DIP(2.54 mm)，
因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑
Ⅳ soc是什麼意思
SoC稱為系統級晶元，也有稱片上系統，意指它是一個產品，是一個有專用目標的集成電路，其中包含完整系統並有嵌入軟體的全部內容。同時它又是一種技術，用以實現從確定系統功能開始，到軟/硬體劃分，並完成設計的整個過程。
SoC定義的基本內容主要在兩方面：其一是它的構成，其二是它形成過程。系統級晶元的構成可以是系統級晶元控制邏輯模塊、微處理器/微控制器CPU內核模塊、數字信號處理器DSP模塊、嵌入的存儲器模塊、和外部進行通訊的介面模塊、含有ADC /DAC 的模擬前端模塊、電源提供和功耗管理模塊。
對於一個無線SoC還有射頻前端模塊、用戶定義邏輯(它可以由FPGA或ASIC實現)以及微電子機械模塊，更重要的是一個SoC 晶元內嵌有基本軟體(RDOS或COS以及其他應用軟體)模塊或可載入的用戶軟體等。
(5)高度集成前端模塊擴展閱讀
晶元設計業正面臨著一系列的挑戰，系統晶元SoC已經成為IC設計業界的焦點， SoC性能越來越強，規模越來越大。SoC晶元的規模一般遠大於普通的ASIC，同時由於深亞微米工藝帶來的設計困難等，使得SoC設計的復雜度大大提高。
在SoC設計中，模擬與驗證是SoC設計流程中最復雜、最耗時的環節，約占整個晶元開發周期的50%～80% ，採用先進的設計與模擬驗證方法成為SoC設計成功的關鍵。
SoC技術的發展趨勢是基於SoC開發平台，基於平台的設計是一種可以達到最大程度系統重用的面向集成的設計方法，分享IP核開發與系統集成成果，不斷重整價值鏈，在關注面積、延遲、功耗的基礎上，向成品率、可靠性、電磁干擾（EMI）雜訊、成本、易用性等轉移，使系統級集成能力快速發展。 所謂SoC技術，是一種高度集成化、固件化的系統集成技術。
使用SoC技術設計系統的核心思想，就是要把整個應用電子系統全部集成在一個晶元中。在使用SoC技術設計應用系統，除了那些無法集成的外部電路或機械部分以外，其他所有的系統電路全部集成在一起。
Ⅵ 手錶里小方框中的數字是什麼意思
智能可穿戴市場在近兩年迎來了黃金發展成長期，TWS耳機、智能手錶、智能手環、智能眼鏡等消費類電子產品銷量均在快速增長。
2021年的5月31日，魅族發布了旗下首款智能手錶產品MEIZU全智能手錶。在外觀上以手機標准打造，採用了46mm的大尺寸方形表盤，定製AMOLED屏幕，326 PPI，四邊等寬，搭配2.5D大麴率康寧大猩猩玻璃，呈現極致的全面屏效果。邊框採用6系鋁合金材質，底蓋運用精密陶瓷，具有很強的質感表現。
配置上，魅族全智能手錶搭載高通可穿戴設備平台驍龍Wear 4100旗艦晶元，以及基於安卓系統獨立開發的Flyme for Watch定製系統，提供高效的性能和持久的續航；全系標配eSIM，內置藍牙、NFC模塊，外出運動健身可完全獨立於手機使用；全面的運動健康監測功能，實現24小時無感監測，擁有十幾種主動運動識別，自動記錄運動各項數據。
此前我愛音頻網還拆解過魅族 POP2s 、魅族 POP 2、魅族 POP三款真無線藍牙耳機，以及魅族HD60頭戴降噪藍牙耳機、魅族HD60頭戴式藍牙耳機、魅族 Gravity懸浮音響、魅族HALO激光藍牙耳機、魅族 EP63NC 頸掛式降噪耳機等產品，下面就來看看這款產品的內部結構配置吧~
一、MEIZU WATCH全智能手錶開箱
MEIZU全智能手錶包裝盒採用了採用了天地蓋的結構，黑色背景白色字體，正面展示有產品外觀渲染圖。
包裝盒上標簽信息產品名稱：TD-LTE無線數據終端，產品型號：MOO7W，產品顏色：墨岩，以及內部物品信息等。
包裝盒內配件有充電底座、充電線、表帶和產品說明書。
USB-A to Type-C充電線。
磁吸充電底座正面特寫。
磁吸充電底座背面設置有環形橡膠防滑墊。
側邊有禁止丟棄和可循環利用標志。
Type-C充電介面特寫。
充電底座上的金屬頂針特寫。
包裝盒內標配表帶特寫，採用氟橡膠材質，堅固耐用，觸感細膩。
表帶與表盤連接的金屬卡扣結構特寫。
用於固定表帶的金屬扣，使用非常方便。
表盤正面特寫，尺寸46mm，正面為2.5D康寧大猩猩玻璃。
表盤背面特寫，採用精密陶瓷材質，中間感測器模組略微凸起，四周環形條紋裝飾，設計有「MEIZU WATCH」字樣。
邊框採用了6系鋁合金材質，一側是電源開關和麥克風開孔。
另外一側有麥克風和揚聲器條形開孔。
表盤上固定表帶的金屬結構特寫。
表盤上解扣按鈕，按下後即可輕松取下表帶更換。
MEIZU WATCH全智能手錶整體外觀一覽。
我愛音頻網採用ChargerLAB POWER-Z KM001C攜帶型電源測試儀對MEIZU WATCH智能手錶進行有線充電測試，充電功率約為4.89W。
二、MEIZU WATCH全智能手錶拆解
通過開箱我們已經對MEIZU WATCH全智能手錶的外觀設計有了詳細的了解，並通過外觀結構對內部結構有了初步判斷，下面進入拆解部分。
磁吸充電底座拆解
打開磁吸充電底座腔體，內部僅有一個主板單元和多顆磁鐵。
座艙內部結構特寫，三顆磁鐵用於吸附表盤。
主板正面電路一覽。
主板背面電路一覽。
Type-C充電介面母座特寫。
用於為手錶充電和數據通訊的pogo pin。
SGM聖邦微 SGM2521YS8可編程限流開關。SGM2521是一款結構設計緊湊，功能豐富，具有全套保護功能的電子保險絲。
SGM聖邦微 SGM2521YS8詳細資料圖。
手錶拆解
取掉表盤上固定表帶的金屬結構。
表盤固定表帶的內部結構特寫，可見手錶中框有兩種材質構成，金屬加註塑。
加熱底部蓋板邊緣，小心打開腔體，內部有排線連接。
排線連接器有金屬板固定。
卸掉螺絲挑開連接器，分離底部蓋板與腔體。
蓋板內側元器件一覽，中間位置運動健康監測感測器模組背面由金屬罩覆蓋防護。
打開感測器模組。
感測器模組菲涅爾透鏡結構特寫。
感測器模組特寫，中間位置白色為心率感測器照射燈。
用於接收心率、血氧監測測量光線的感測器，四周總共配備有三顆。
血氧檢測感測器特寫。
絲印UF322的IC。
美信絲印664C的IC。
美信 MAX86141 光學脈搏血氧儀和心率感測器前端，內置三路LED驅動輸出和兩路LED輸入數據採集。
美信 MAX86141 詳細資料。
絲印T12 003的TVS，用於靜電防護。
為手錶充電的金屬觸點，內側有絕緣膠帶覆蓋。
腔體內部元器件一覽，中間大面積被電池占據。
取出電池單元。
腔體內部結構一覽，主板上方有多條排線連接不同組件。左側有條形塑料蓋板通過螺絲固定排線連接器，右側馬達也有螺絲固定。
鋰聚合物電池正面標簽信息型號：BA007，額定電壓：3.87V，額定容量：420mAh/1.61Wh，充電限制電壓：4.45V，珠海市魅族科技有限公司等。
背部絲印信息電池容量1.64Wh，電壓3.87V，來自ATL新能源。
電池配備有電路保護板，負責電池的過充過放過流保護，左側有熱敏電阻檢測電池溫度。
卸掉螺絲，取出主板單元。
主板下方，屏幕的電路設置在FPC板上。
屏幕內側光學感測器開孔。
絲印1551的IC。
絲印523A的顯示屏驅動器。
連接到主板的金屬觸點。
另外一端連接到主板的金屬觸點。
側邊功能按鍵小板特寫，FPC板固定在金屬板上，上方設置有一顆MEMS麥克風和一顆電源開關微動按鍵。
麥克風硅膠墊特寫。
揚聲器和線性馬達單元。
線性馬達底部設置有導電布。
手錶線性馬達側邊特寫，用於震動反饋。
揚聲器單元正面特寫，覆蓋有海綿墊和防塵網。
便便可以看到密封膠圈，提升防水性能。
揚聲器單元結構特寫，左側為揚聲器，右側有泄壓孔和麥克風。
鐳雕P2的麥克風特寫。
來到主板單元，主板背面被大面積屏蔽罩覆蓋，屏蔽罩上設置有散熱墊，以及一顆光學感測器。
光學感測器特寫，用於自動調節屏幕亮度。
主板正面電路一覽。
絲印63E 0B5的IC。
絲印T12 003的TVS，用於靜電保護。
韋爾 WS3210C，5.85V過壓保護開關，用於手錶輸入保護。
韋爾 WS3210C詳細資料圖。
絲印C5的IC。
連接到手錶中框觸點的金屬彈片特寫。
另外一側連接到手錶中框觸點的金屬彈片特寫。
去掉感測器上方的金屬屏蔽罩。
ST意法半導體 LSM6DSOWTR 三軸加速度感測器&陀螺儀，用於運動檢測功能。
絲印H04 003的TVS。
Skyworks思佳訊 SKY77643-21 SkyLiTE 多模多頻段功率放大器模塊，SkyLiTE 是 Skyworks 最新的 LTE 設備系列，它由高度集成的模塊組成，其中包含支持所有主要 FDD/TDD 頻段所需的放大、開關、WiFi 過濾和耦合器功能。擁有兩個 T/R (RX) 埠和 14 個輸出，支持3G/4G PAE，針對 APT DCDC 操作進行了優化。
Skyworks思佳訊 SKY77643-21詳細資料圖。
Skyworks思佳訊SKY77916-21是一種 Tx/Rx 前端模塊 (FEM)，為包括四頻 GSM、GPRS、EDGE 多時隙在內的高級蜂窩設備提供完整的發射 VCO 到天線和天線到接收 SAW 濾波器解決方案操作，以及 TD-SCDMA 和TDD LTE 傳輸。FEM 完全支持寬頻 3G/4G 射頻切換、功率放大器 (PA) 射頻輸入的外向切換、14 個發射/接收(TRx) 天線切換埠和集成定向耦合器。
Skyworks思佳訊SKY77916-21詳細資料圖。
絲印X6CY的IC。
Kingston金士頓 08EP0P08 內存，採用ePoP堆疊封裝，下面是高通Wear4100處理器晶元。
NXP 絲印Q3304的IC。
Qualcomm高通PWM3101 PMIC，用於手錶整機供電。
Awinic艾為 AW8896 數字智能K音頻放大器，集成了自適應升壓轉換器、音質增強演算法和揚聲器保護。由於其26uV 本底雜訊和超低失真，保證了清晰的聆聽。它可以在4.2V的電池電壓下為6Ω揚聲器提供2.62W（RMS，THD+N=1%）的輸出功率。
AW8896採用全新一代前饋多級AGC演算法，可防止削波雜訊並提高音質。AW8896還集成了低音和高音增強功能，用於增加音量和提高音頻信號質量。
Awinic艾為 AW8896詳細資料圖。
絲印KE71的IC。
絲印G48 2027的IC。
awinic艾為AW8624 低功耗 F0 檢測和跟蹤 LRA/ERM 觸覺驅動器，是一款單晶元、低成本的H橋觸覺驅動晶元，集成了可配置的自動超速和制動功能，最高8KB波形存儲器，支持實時回放、記憶回放和硬體觸發回放，啟動時間快。用於線性馬達驅動。
awinic艾為AW8624 詳細資料圖。
絲印Q28938的IC。
MEIZU Watch全智能手錶拆解全家福。
三、我愛音頻網總結
MEIZU Watch全智能手錶在外觀設計上採用了46mm方形表盤，正面搭載康寧大猩猩玻璃，擁有較高的耐磨和耐劃性，2.5D弧度與邊框順滑銜接，視覺上更顯輕薄；內屏為定製AMOLED屏幕，60Hz刷新率與高達326 PPI的視網膜級解析度，觀感細膩，觸控靈敏。底部精密陶瓷材質，觸感親膚舒適；6系鋁合金提升了產品質感和強度。
拆解部分，磁吸充電底座採用了四顆pogo pin為手錶充電，主板上配備了一顆聖邦微 SGM2521可編程限流開關，具有全套的保護功能。
手錶部分，底部蓋板內側運動健康監測感測器模組由金屬罩防護，設置有心率、血氧檢測感測器和三顆用於接收心率、血氧監測測量光線的感測器，配備有美信 MAX86141 光學脈搏血氧儀和心率感測器前端，用於數據採集。
手錶腔體內，集成度較高，組件通過多條排線和BTB連接器連接到主板。內部採用了ATL新能源的420mAh電池為內部元器件供能，韋爾WS3210C過壓保護開關，用於手錶輸入保護，高通PWM3101 PMIC，用於手錶整機供電；通訊模塊採用了思佳訊 SKY77643-21 SkyLiTE多模多頻段功率放大器模塊和SKY77916-21前端模塊的組合，支持3G/4G通訊。
手錶主控採用了高通驍龍4100處理器，配備有一顆金士頓 08EP0P08 內存；其他方面還採用了艾為 AW8896 數字智能K音頻放大器，用於增加音量和提高音頻信號質量，保證揚聲器外放的清晰；ST意法半導體三軸加速度感測器&陀螺儀，用於運動檢測功能等。
來源：我愛音頻網評測室
Ⅶ 常見的前端集成部署方案有哪些各自的優缺點是什麼
前端行業經歷了這么長時間的發展，技術元素非常豐富，這里列舉出一般web團隊需要用到的技術元素：
開發規范：包括開發、部署的目錄規范，編碼規范等。不要小瞧規范的威力，可以極大的提升開發效率，真正優秀的規范不會讓使用者感到約束，而是能幫助他們快速定位問題，提升效率。
模塊化開發：針對js、css，以功能或業務為單元組織代碼。js方面解決獨立作用域、依賴管理、api暴露、按需載入與執行、安全合並等問題，css方面解決依賴管理、組件內部樣式管理等問題。是提升前端開發效率的重要基礎。現在流行的模塊化框架有requirejs、seajs等。
組件化開發：在模塊化基礎上，以頁面小部件(component)為單位將頁面小部件的js、css、html代碼片段放在一起進行開發、維護，組件單元是資源獨立的，組件在系統內可復用。比如頭部(header)、尾部(footer)、搜索框(searchbar)、導航(menu)、對話框(dialog)等，甚至一些復雜的組件比如編輯器(editor)等。通常業務會針對組件化的js部分進行必要的封裝，解決一些常見的組件渲染、交互問題。
組件倉庫：有了組件化，我們希望將一些非常通用的組件放到一個公共的地方供團隊共享，方便新項目復用，這個時候我們就需要引入一個組件倉庫的東西，現在流行的組件庫有bower、component等。團隊發展到一定規模後，組件庫的需求會變得非常強烈。
性能優化：這里的性能優化是指能夠通過工程手段保證的性能優化點。由於其內容比較豐富，就不在這里展開了，感興趣的同學可以閱讀我的這兩篇文章 [1] [2]。性能優化是前端項目發展到一定階段必須經歷的過程。這部分我想強調的一點是性能優化一定是一個工程問題和統計問題，不能用工程手段保證的性能優化是不靠譜的，優化時只考慮一個頁面的首次載入，不考慮全局在宏觀統計上的優化提升也是片面的。
項目部署：部署按照現行業界的分工標准，雖然不是前端的工作范疇，但它對性能優化有直接的影響，包括靜態資源緩存、cdn、非覆蓋式發布等問題。合理的靜態資源資源部署可以為前端性能帶來較大的優化空間。
開發流程：完整的開發流程包括本地開發調試、視覺效果走查確認、前後端聯調、提測、上線等環節。對開發流程的改善可以大幅降低開發的時間成本，工作這些年見過很多獨立的系統（cms系統、靜態資源推送系統）將開發流程割裂開，對前端開發的效率有嚴重的阻礙。
開發工具：這里說的工具不是指IDE，而是工程工具，包括構建與優化工具、開發-調試-部署等流程工具，以及組件庫獲取、提交等相關工具，甚至運營、文檔、配置發布等平台工具。前端開發需要工具支持，這個問題的根本原因來自前端領域語言特性（未來我會單獨寫一篇文章介紹前端領域語言缺陷問題）。前端開發所使用的語言（js、css、html）以及前端工程資源的載入與定位策略決定了前端工程必須要工具支持。由於這些工具通常都是獨立的系統，要想把它們串聯起來，才有了yeoman這樣的封裝。前面提到的7項技術元素都直接或間接的對前端開發工具設計產生一定的影響，因此能否串聯其他技術要素，使得前端開發形成一個連貫可持續優化的開發體系，工具的設計至關重要。
Ⅷ 如何理解前端模塊化
前端模塊化
在JavaScript發展初期就是為了實現簡單的頁面交互邏輯，寥寥數語即可；如今CPU、瀏覽器性能得到了極大的提升，很多頁面邏輯遷移到了客戶端（表單驗證等），隨著web2.0時代的到來，Ajax技術得到廣泛應用，jQuery等前端庫層出不窮，前端代碼日益膨脹
這時候JavaScript作為嵌入式的腳本語言的定位動搖了，JavaScript卻沒有為組織代碼提供任何明顯幫助，甚至沒有類的概念，更不用說模塊（mole）了，JavaScript極其簡單的代碼組織規范不足以駕馭如此龐大規模的代碼
模塊
既然JavaScript不能handle如此大規模的代碼，我們可以借鑒一下其它語言是怎麼處理大規模程序設計的，在Java中有一個重要帶概念——package，邏輯上相關的代碼組織到同一個包內，包內是一個相對獨立的王國，不用擔心命名沖突什麼的，那麼外部如果使用呢？直接import對應的package即可
import java.util.ArrayList;
遺憾的是JavaScript在設計時定位原因，沒有提供類似的功能，開發者需要模擬出類似的功能，來隔離、組織復雜的JavaScript代碼，我們稱為模塊化。
一個模塊就是實現特定功能的文件，有了模塊，我們就可以更方便地使用別人的代碼，想要什麼功能，就載入什麼模塊。模塊開發需要遵循一定的規范，各行其是就都亂套了
規范形成的過程是痛苦的，前端的先驅在刀耕火種、茹毛飲血的階段開始，發展到現在初具規模，簡單了解一下這段不凡的歷程
函數封裝
我們在講函數的時候提到，函數一個功能就是實現特定邏輯的一組語句打包，而且JavaScript的作用域就是基於函數的，所以把函數作為模塊化的第一步是很自然的事情，在一個文件裡面編寫幾個相關函數就是最開始的模塊了
function fn1(){
statement
}
function fn2(){
statement
}
這樣在需要的以後夾在函數所在文件，調用函數就可以了
這種做法的缺點很明顯：污染了全局變數，無法保證不與其他模塊發生變數名沖突，而且模塊成員之間沒什麼關系。
對象
為了解決上面問題，對象的寫法應運而生，可以把所有的模塊成員封裝在一個對象中
var myMole = {
var1: 1,
var2: 2,
fn1: function(){
},
fn2: function(){
}
}
這樣我們在希望調用模塊的時候引用對應文件，然後
myMole.fn2();
這樣避免了變數污染，只要保證模塊名唯一即可，同時同一模塊內的成員也有了關系
看似不錯的解決方案，但是也有缺陷，外部可以隨意修改內部成員
myModel.var1 = 100;
這樣就會產生意外的安全問題
立即執行函數
可以通過立即執行函數，來達到隱藏細節的目的
var myMole = (function(){
var var1 = 1;
var var2 = 2;
function fn1(){
}
function fn2(){
}
return {
fn1: fn1,
fn2: fn2
};
})();
這樣在模塊外部無法修改我們沒有暴露出來的變數、函數
上述做法就是我們模塊化的基礎，目前，通行的JavaScript模塊規范主要有兩種：CommonJS和AMD
CommonJS
我們先從CommonJS談起，因為在網頁端沒有模塊化編程只是頁面JavaScript邏輯復雜，但也可以工作下去，在伺服器端卻一定要有模塊，所以雖然JavaScript在web端發展這么多年，第一個流行的模塊化規范卻由伺服器端的JavaScript應用帶來，CommonJS規范是由NodeJS發揚光大，這標志著JavaScript模塊化編程正式登上舞台。
定義模塊
根據CommonJS規范，一個單獨的文件就是一個模塊。每一個模塊都是一個單獨的作用域，也就是說，在該模塊內部定義的變數，無法被其他模塊讀取，除非定義為global對象的屬性
模塊輸出：
模塊只有一個出口，mole.exports對象，我們需要把模塊希望輸出的內容放入該對象
載入模塊：
載入模塊使用require方法，該方法讀取一個文件並執行，返迴文件內部的mole.exports對象