Ⅰ 什麼是射頻前端
射頻前端是射頻收發器和天線之間的一系列組件，主要包括功率放大器(PA)、天線開關(Switch)、濾波器(Filter)、雙工器(Duplexer和Diplexer)和低雜訊放大器(LNA)等，直接影響著手機的信號收發。
其中：
1、功率放大器(PA)用於實現發射通道的射頻信號放大；
2、天線開關(Switch)用於實現射頻信號接收與發射的切換、不同頻段間的切換；
3、濾波器(Filter)用於保留特定頻段內的信號，而將特定頻段外的信號濾除；
4、雙工器(Duplexer和Diplexer)用於將發射和接收信號的隔離，保證接收和發射在共用同一天線的情況下能正常工作；
5、低雜訊放大器(LNA)用於實現接收通道的射頻信號放大。
(1)射頻前端晶元擴展閱讀：
一、射頻前端的作用：
射頻前端晶元是移動智能終端產品的核心組成部分，追求低功耗、高性能、低成本是其技術升級的主要驅動力，也是晶元設計研發的主要方向。
射頻前端晶元與處理器晶元不同，後者依靠不斷縮小製程實現技術升級，而作為模擬電路中應用於高頻領域的一個重要分支，射頻電路的技術升級主要依靠新設計、新工藝和新材料的結合。
二、射頻前端的材料：
行業中普遍採用的器件材料和工藝平台包括 RF CMOS、SOI、砷化鎵、鍺硅以及壓電材料等，逐漸出現的新材料工藝還有氮化鎵、微機電系統等，行業中的各參與者需在不同應用背景下，尋求材料、器件和工藝的最佳組合，以提高射頻前端晶元產品的性能。
三、射頻前端的成本：
一款終端往往需要支持多個頻段，這種頻段的增加直接導致射頻前端設計復雜度的提升，往往方寸之間就要容納上百個元器件。特別是千兆級網路的來臨，多載波、高階的調制、4x4 MIMO等技術的融入令前端設計復雜度直線提升，復雜度的提升直接意味著成本的增加，並在手機BOM成本中佔有越來愈高比例，足見其重要性。
Ⅱ 從手機硬體的哪個部件可以看出支持的網路模式前端晶元射頻收發晶元還是基帶數據機晶元
你說的前端晶元應該就是指射頻收發晶元，總的來說應該是射頻前端晶元。
基帶晶元是合成即將發射的信號和對收到的信號進行解調。
射頻晶元是接收和發射混頻後的信號。
在中國，不同的網路模式使用的射頻頻段不一樣，比如GSM（有900M左右和1800M左右的兩個頻段），3G的三個模式都是在2G左右，但收發頻段各不相同。
所以射頻晶元必然有所區別，除非一種射頻晶元包含多種模式（也即所謂的多模），就可以只用一塊射頻晶元支持多種網路模式
不同的網路模式所使用的制式和標准，所以在基帶解碼和信號處理都不太一樣。對於不同的模式應該也是不同的基帶晶元。除非採用集成的多模晶元，那麼只要一塊就可以處理。
總的來說，不同的網路模式，射頻前端晶元和基帶晶元都是會有所區別，所以應該兩個都看
Ⅲ 各位大蝦救命啊!!!射頻讀寫器的晶元和射頻標簽的晶元是不是一定要一樣的
設備和技術為硅基射頻集成電路進化
摘-器件特徵尺寸與數字器件性能的關系比之無線電頻率(RF) 申請數字比申請要復雜的多. 利用裝置的關鍵射頻電路塊典型收發讓我們回顧和趨勢的生成等特點主動和被動射頻器材. 這些生成等包括過境頻率電流增益、馬克斯在振盪頻率最高權力單位增益 噪音、擊穿電壓、電容密度變容、電感質量 ;我們使用的無線通信系統規格說明不同硅基裝置可達到可接受生成等. 我們關注硅互補金屬氧化物半導體(的CMOS),硅雙極的CMOS、雙極硅裝置,包括硅鍺異質結雙極晶體管、 射頻器件和集成電路(共29個). 我們分析趨勢的生成是為硅基射頻器件和集成電路及說明涉及到這些趨勢 。在2003年國際科技節半導體技術路線. 我們還比較完成最佳性能研究報告及器件製造裝置性能等相關報告,涉及到超過1000個器件.大致有雙極晶體管、手機、通訊網路、場效應晶體管(場效應) 人物優異(生成等)、功率放大器(壩)的CMOS射頻,射頻技術,技術演進、對講機、無線網路.
導言
改善法則:" 以每個系統完全達到設計的成果來衡量所從事的設計. ",英國醫學JOURNAL,1996年3月9日 612-622,http://bmj.bmjjournals.com/cgi/content/full/312/7031/619. 無線的應用很大程度上是基於射頻器件和集成電路技術市場的快速成長。本文是在我們目前的審查和數字技術要求已達到射頻技術符合成功部署無線應用等相關要求下寫的，而這些應用包括手機收發蜂窩基站放大器,無線區域網(區域網) 無線個人區域網路(無線)、汽車雷達、千兆無線網路, 行動電話和無線應用在0.8到10千兆赫頻率范圍. 至於射頻器件基於III-V復合半導體是超出本文范疇的.在2003章射頻交易報告及有關信息[1]-[3]中還討論了射頻技術應用第三至第五化合物半導體. 但是以第四節討論化合物半導體射頻功率放大器為基準的. 關系特徵尺寸器件性能及射頻設備生成等射頻器材比較復雜 這些結論的需要和主流趨勢以及數字電路器件已成功地反映了戈登摩爾定律 [4]. 不過,所展示的只是許多如何使用射頻器材的方法匹配的表現反而對於射頻電路器件、規格及性能必須滿足許多其他參數需要進一步討論。作為主流的CMOS數碼裝置. 例如,射頻電路面積大小不是由活躍裝置而是由被動裝置決定. 其中的例子被動器件確定面積包括:1)配對線路、 2)電容器所需特定功能區、3)穩定性電路(如阻尼共振電路,拒絕供電漣漪). 同樣, 最關鍵參數的壓控振盪器(壓控振盪器)的質量性能因素反作用於箱式電路所需 最VCO的設計. 一個信用反作用於箱式電路是由電感L號電容器三、 電阻、阻抗決定,在其展品有限共振頻率. 我們這里的調查和檢討,往往是那些生成等獨特rfdevices在其使用於典型收發積木圖中所示. 1. 每座都有自己的最佳選擇,顯示結構與電路器件性能,需要依靠雜訊邊緣、調諧范圍或帶寬、功耗、功率附加效率(PAE),共計法案物資. 電路方面的詳細檢查 [5]. 但是簡要積木圖是最重要的是為了把完整性以及把該裝置性能擴展到更廣. 所有結構包括一個共同收發發射機和接收機辦理收支信號. 雙方須同步發送信號、數據處理與在基處理器. 通常,這是實現形成鎖相環(鎖相環). 負責有關的鎖相環相位和頻率的參考信號發送. 也就是用的鎖相環鎖相的基帶處理單元. 最具有挑戰性分在鎖相迴路是電壓控制振盪器(壓控振盪器). 壓控振盪器產生的正弦信號頻率的反饋電壓控制的鎖相迴路. 這是用於正弦信號扎實過硬的信號轉換調制到載波.
關於接收方輸入信號載波頻率是由接收的天線擴增低雜訊放大器(低雜訊放大器),然後由一個帶過濾電路. 接下來,這個信號就是由amixerdownconverted一階電路、againfiltered, 然後放大到最佳的投入水平模數變換器. 其餘方接收信號處理通常是在數字域. 數字信號處理和模數轉換是超出本文所討論的. 上述常常利用射頻功能的CMOS數碼技術為基礎的過程和成果得益於科技數碼 的CMOS工序. 在發射機方面,第一個無線射頻起數模轉換(援). 這是一個模擬信號上轉換了攪拌機的載波頻率. 這里給參考頻率和VCO的相位為載波. 最後功放功效上轉換,通過過濾信號,從而提供一個高功率的信號天線傳送. 這標志著積木列是存在的主要關鍵電路在收發結構. 他們是最關鍵的收發性能. 電路器件性能和關系生成等簡要討論在本節下文. 我們將在本節演示簡化電路仍讓讀者獲得一些基本定理以配合優化電路及器件. 此外,這些器件簡化確定主要參數,完成重要性射頻電路設計.
低雜訊放大器性能的關鍵問題是要送一個需要增益的失真信號有進一步擴增。信號處理大量噪音或失真加單位. 雜訊是由雜訊系數(因子)三階輸入攔截點 (IIP3的)組成的. 許多不同雜訊放大器申請等多方面載波頻帶全球移動通信系統(GSM的) 增強或extendedgsm(egsm)、碼分多址(CDMA系統),widebandcdma(WCDMA系統)、全球定位系統(GPS)、藍牙無線區域網、飾品. somecases班次、操作頻寬[如 超區域網(寬頻)]影響性能的低雜訊放大器和電力消耗. 確定為低雜訊放大器電路和相關設備參數因子 ,並分別獲得：供電電壓、雜訊的低雜訊放大器. 輸入雜訊控制阻抗的天線或傳輸線,因此大多數獨立裝置：雜訊放大器性能取決於增益和熱雜訊晶體管。關於阻抗匹配網路.對於低雜訊放大器的輸出電阻三個因素起決定作用: 1)選擇和負載輸入阻抗(電阻和/或抗) 2)質量的被動反應時間, 3)晶體管輸出電導的用於放大的低雜訊放大器. 它是重要的增益跨導放大器. 有幾個可能的措施可以提高設計性能的低雜訊放大器電路,但權衡各方面的電路, 製造. 基於最後權衡受器材的質量、造價電路. 這是典型的全部射頻電路基礎討論. 該VCO的關鍵部分是一個鎖相環(鎖相環),同步溝通集成電路外面的世界. 有必要減少抖動或相位譜密度雜訊實測功率在頻偏從載頻的波形,對於總輸出電量備忘錄是一種對VCO的 界定[5]. 這一備忘錄的估計是VCO的性能和給出了有關備忘錄(2),就是溫度、質量因素是箱式的VCO的電路的證明. 盡管這一定義忽略頻率和VCO的調諧范圍、 這是可以接受低於10千兆赫的頻率。受噪音和熱噪音主動和被動元件的VCO的相位雜訊影響。VCO的這些組件載波頻率較高沖抵成正比的熱能逆 . 雜訊的VCO的活性成分,也是重要的載波頻率當接近 [5]. 功率放大器必須交付所需傳遞信息的傳輸功率過晶元的天線,減少和鄰接權頻道波段失真. 起碼在某一輸出功率直流電源和頻率要求,特別是對電池操作應用。由於曲線取決於控制層強烈的放大,放大器對於不同級別很難比較.只能估算輸出功率可達到某一頻率和給出。 (3)如果是按雪崩電場, 飽和的速度在各自的母半導體材料， 表現為高阻抗容性射頻頻率輸出裝置,必須嚴加約束為阻抗匹配負荷. 右側(3)對半導體材料的選取取決於參數，這意味著, 其它重要參數,如電力線路、效益直線取決於放大器的拓撲選擇. 線性壁壘和表現也給予了極大的控制和調節. 即不同的通信標准有不同的要求,甚至晶體管壁壘以及可能在同一載頻帶寬.關鍵器件參數,如質量、線性無源器件有源器件更詳細討論會在第二節和第三節展開.因為距離遠近,數據速率、靈敏度需要量化，所以輸出功率無線收發大多訂定規格標准化機構, 其餘由自由競爭無線收發設計參數決定1)成本 2)電量在某一特定頻率及噪音水平, 3)劃分的不同收發方框圖所作的貢獻,在規格方面, 耗電量、雜訊、雜訊邊、線性、動態范圍、頻寬. 必須作出妥協器件性能參數之間以及參數之間的不同對象的收發。
電流增益頻率f與第一章演示的CMOS,SiGeHBT的以及第三至第五HBT三到五個晶體管相關. 2003報告顯示這是第一年從兩個製造與供應單位每一萬個為樣本統計出來的。後者的例子是從進化收發差異為零或低者很底中頻結構轉換得結果。對於GSM網申請，零中頻主要結構都使得數字信號處理功能越來越強[6]. 因此, 高速數字電路結垢至少在這方面發揮作用了很大的作用。雖然例子解釋了射頻技術演進. 但是還應當指出,前端無線對講機將分為模擬或射頻線路. 物理層無線傳輸協議比用數字編碼技術採用模擬技術更有效. 那裡的競爭議題設定界線數碼、射頻、與模擬信號處理技術的表現給予合理的成本提供了靈活性. [5]是通過表現最佳的電路設計來加強。幾年以前，只是討論所有基本電路及技術.像現在如此強烈對比強調科技進步和不斷演變的市場滲透率無線系統在當時還是不可想像的. 在下一節,我們將探討表現活躍射頻器材,隨後在第三節被動裝置. 第四節將專門處理射頻功率放大器。適於在2005年和2003年――2009年為節點CMOS工藝. 活躍收發器--的CMOS和SiGeHBT的雙極硅裝置已接受收發器特性設計頻帶 1至10千兆赫,自90年代初. 結合低成本優勢和綜合功能,將硅CMOS射頻BiCMOS工藝技術選擇 對講機,若與射頻系統設計目標是能夠實現的. 比較競合技術在過去15年. 二載電流增益頻率不斷提高團結的SiGe異質結雙極晶體管 。直到最近，研究(HBT的)的CMOS、磷化銦HBT的、砷化鎵高電子遷移晶體管(晶體管)[7]-[23]. Si/SiGe異質結晶體管的CMOS晶體管在性能方面才有所突破。但現在他們卻採取了SiGeHBT的電流增益超過400千兆赫的電路. 但是,這需要一個需要10納米規格的電路,只達到專業在SiGeHBT的可以在一個面積約100nm的特點方可製成. 而第三至第五的HEMT[10],[20]具有較高的可比性。既容易使Si/SiGe異質結晶體管的CMOS晶體管和集成電路結合數碼功能. 而成本一直並將繼續成為激勵因素,利用射頻CMOS技術. 半導體元件遵循著價格下降和能力逐步提高的過程. 收發器降價及增加頻寬無線通訊、 往往不惜犧牲解決因有線系統總體成本較低的優勢和便利.相對於加工CMOS和BiCMOS工藝技術的晶圓價格[24]. 以較低的性能為代價生產COMS 鍺BiCMOS工藝可實現可表現較低的CMOS幾何、 射頻電路設計。主電感、電容器、 介面可以降低成本、成熟的SiGeBiCMOS工藝過程大約20%甚至更高的要求晶圓形成晶體管. 雖然涉及到晶圓價格和相關費用,但價格依然是敏感的競爭環境及需求的體現, 而依靠開發和製造成本. 將來系統晶元(的SOCS)可能已布置了許多數碼功能,結合了數字大致射頻收發,可以較低價格cmosmay在制度層面解決較先進光刻節點. 定價是與的CMOS射頻到數字的CMOS、 其中一個固定節點跌幅料技術息息相關的,每年盡管有較低的CMOS缺陷密度超過每兩極活躍裝置技術[25]、 但對於模具產量只有大量的SOCS. 例如負責誘捕器和記憶效應電熱反應等非常重要的問題,射頻器材的開發是非常重要的. 最後, 可能市場差異取決於設計師專門設計驗證和重用,或是一種BiCMOS青睞或者是CMOS解決方案. 使得現有的CMOS和BiCMOS工藝技術能夠滿足技術要求。 雖然已經採取的CMOS時間延時成功實施產品設計、 [26]創意設計技術使得顯即指噪音可繞過障礙等與其它因素CJ164-2002收發[6],[27]. 近期工作預計6千兆赫頻率為基礎分別應用240納米130納米為60千兆赫的CMOS設計 規則,〔28〕. 廣泛的分析CMOS射頻 [29]-[38]. 通過不斷改進具有綜合效益的CMOS參數優勢, 佔領來自低成本的數碼電子市場的主導權. 在穩步提高射頻性能的CMOS數碼業績掛鉤,經改進和創新[30]結構, [39]-[46]. 由於所需費用的超常發展,並開始製造新節點光刻、 射頻CMOS器件結構將類似的CMOS數碼. 改裝將限於著重改善特色和顯著獨特射頻性能極限. 由於大部分數字系統需要模擬電路功能和低成本是十分重要的, 增量調整要支持射頻設計過程可能會在有限范圍被動臨界分子例如電感、線性電容. 但是,由於實施需要精密的儀器射頻設計模型[47],[48],[49]具體表徵射頻-[51]、 精確線路設計、 通常在首次推出第一套數字和射頻產品會出現一些延遲之間. 數碼行進中是最適當的長度及射頻產品延遲推出射頻產品需要有更多的了解. 低運行功率(下潛)、高速通路()可能需要射頻設計能力,使高速串列通. 雖然已下行和協上下邏輯器件延遲比低待命功率器件(lstp)由於更大膽溝道長度尺度,多數需要移動射頻應用能力. 機動能力意味著電池電源的消耗，,因為可能偏低活躍時間與待命時間比例，所以lstp路線最合適. 但是越快的數碼分析,可以使下行的表現更廣泛替換模擬電路與數字電路學。該模擬功能. lstp裝置電源電壓高容易使射頻電路設計減少噪音. 隨著技術等級、多重門檻越來越多氧化物厚度普遍. 共同特點是全體共用下行、lstp進程的主要分歧表現正、 邏輯電源、備用電力. 無線收發行來設計射頻得到實施. 在最基層的數字CMOS器件性能成正比[52],[53], 當前就頻率電流增益那裡是有效的,是跨門電容. 對2003交易報告[1] 用數字來計算,從ltsp路線[52]裝置具有下列特點: 其寬度是平版節點的21倍;它的最低門長度;及其外在寄生電容,其中包括,相當於一個電容器電容的額外門就是一個節點光刻寬. 2003年顯示隨著交易報告結果和報告的數據模型[23],[24],[40],[43],[45],[54]-[62]. 增加與減少20納米以下的直接後果是改變了傳統以幾何尺度 結合了幾何尺度與放慢速度有效改善流動性. 這個變化是規定保持上升趨勢數字表現。盡管減緩因就幾何的局限性和隧道閘門絕緣體閾電流[63]. 雖然近期推出加強機動應變技巧等[64]-[66],[67]晶圓方向, [68]這一做法的方法和結果率達到了要求. 不過,應變[69]和高介電常數柵介質[70],可能導致更多噪音依然需要關注. 假設需要額外的頻率進行有效抵抗門源電阻,柵-漏電容、電導、對電容假設會流失1/3面積的閘門，電容加上門至邊緣電容流失. 抗源是取自的CMOS數碼行進. 有效抵抗計算從門柵板假設抵抗一邊接觸電阻器是一個有效途徑〔71〕(6)哪裡是門寬度. 為雙門接觸器,減少了一個因素取決於技術和布局. 相對於2003年5顯示路線. 爭取與頻率為2003年電路示範報告的數據顯示,為爭取自身的影響減小低於45納米. 需要繼續增加趨勢,但重要的是,規模和電極板柵阻力相對固定. 假定一個金屬門電極取代多晶硅超越45納米節點. 對2003年電路設計,可自行計算增益並不大. 這個前提之所以難以實現是因為柵絕緣體厚度與長度增大 [63]由於結構和調制門檻變得越來越更為重要. 這些趨勢將極大地影響雙方的CMOS數碼[72]和RF性能. 修改和優化過程[24],[61],[73],[74]能逐步改善這些趨勢, 但在過程中的步驟和因額外費用妥協的電流驅動器. 5顯示浪潮沖擊與假設DS是長50%相差頻道門檻低偏轉和門檻最高紀錄流失偏轉數碼行進. 最後, 這些額外損失減少到了25%,由路線計算參數的內在裝置. 由此產生的交易報告,高於2003年發現的,與2001年報告電路是一致的。最近的數據顯示：日益減少使電力對於某個頻率有著很大的影響. 而通常與10倍中心頻率范圍有關, 最高尺度計算飽和電流從下列數字路標與實證演算法關系頻率之間選擇. (七)從幾個數據參考最低雜訊系數為5GHz的功能[40], [43],[45],[61],[62],[76],[77],[79],[80]都表明了堅實的圓點. 6. 這些都顯示了一種趨勢,是符合標准模型,顯示了沖線短溝道裝置[75]-[78]. 對於上述情況,即呈報的資料[40],[43],[45],[61],[62],[76],[77],[79], [80]處於頻率以外 6. 最低雜訊系數為12003電路與設計、模型、數據報告為5千兆赫,我們推斷這些回饋為5千兆赫.但這些實測數據差異很大,因為1)有充分證據難以攻克culty在deembedding參數數據等相關應用頻率 2)器件對低頻測試阻抗很大,3)布局 [81]. 參數的反射系數和傳輸微波或事件反映毫米波. 2003報告刊載的因子值固體線. 由於因子大幅降低門偏轉可抵消由於結構與偏轉而產生的電流降低[79]. 作為射頻雜訊將會增加,增加門氧化物泄漏電流 2)上升到基板抵抗[82]、 3),通過更高速度飽和電場[83]. 射頻雜訊處理這個問題是2003年報告電路中體現出來的。限制噪音值最低數字為0.2分貝. 拐角頻率的頻率定義為雜訊振幅相同振幅雜訊. 於是,一個拐角給出頻率次數上的重要性邊界雜訊,尤其線性電路. 拐角頻率最低臨近幾個頻道A-10型裝置的長度在90兆赫納米技術. 即使假設介面技術即將面世，拐角頻率較高頻率還會繼續增加. 我們從簡單的近似小信號分析噪音模範行為,對於分射頻具體應用這可能會引起爭議,在使用雙極晶體管雜訊敏感部分電路部. 雖然有這些小缺點，改善射頻CMOS器件的特點將繼續增加,使射頻設計集成復雜的數字功能. 成熟工序將較低的CMOS比同等的BiCMOS工藝光刻節點的成本. 因此,申請將實施射頻盡快商品化和技術上可行, 重新設計的費用,可降低生產成本.
Ⅳ 5G大發展將會帶給射頻前端晶元領域哪些機遇
你說的前端晶元應該就是指射頻收發晶元，總的來說應該是射頻前端晶元。 基帶晶元是合成即將發射的信號和對收到的信號進行解調。 射頻晶元是接收和發射混頻後的信號。 在中國，不同的網路模式使用的射頻頻段不一樣
Ⅳ 電子標簽的射頻前端電路是模擬還是數字的
RFID標簽晶元的ASK解調電路，採用包絡檢波方式和脈沖調制技術(頻移鍵控FSK和相移鍵控PSK)
概念解析：調制方式按照調制信號的性質分為模擬調制和數字調制兩類；按照載波的形式分為連續波調制和脈沖調制兩類。模擬調制有調幅(AM)、調頻(FM)和調相(PM)。數字調制有振幅鍵控（ASK）、移頻鍵控(FSK)、移相鍵控(PSK)和差分移相鍵控 (DPSK)等。脈沖調制有脈幅調制(PAM)、脈寬調制（PDM）、脈頻調制（PFM）、脈位調制(PPM)、脈碼調制(PCM)和增量調制（ΔM）。
Ⅵ 什麼是GPS射頻和基帶一體化晶元
應該就是射頻前端模塊和基帶處理模塊整合到一起的晶元
Ⅶ 射頻前端收發晶元，什麼是射頻前端收發晶元
靠近線部射頻前端包括發射通路接收通路
發射通路東西功率放、濾波類 般講比較接收通路包括低雜訊放器（LNA）、濾波器等器件包括增益、靈敏度、射頻接收帶寬等指標要根據產品特點進行設計目
Ⅷ 高頻,超高頻RFID讀寫器的射頻模塊用什麼晶元的比較好呢
13.56M的不清楚。但是超高頻915的有多種晶元供選擇，市場上常見的晶元性能從高往低來說有以下幾種：impinj的R2000\R1000\R500系列，奧微的AS3992\AS3991\AS3990系列，WJ的WJC200、韓國Phychips的PR9000,最差的就是PR9000了，做出來的東西只能做最簡單的應用。其中用R1000和R2000開發的讀寫器模塊，數thingmagic公司的M5E和M6E性能最好了，公認的全球第一。