Ⅰ 内存、外存、U盘、Cache这四种存储装置中，访问速度最快的存储器是
cache，这东西叫缓存，一级缓存比二级缓存快N背，是内嵌在cpu中的最快的存储器，但容量很小，由昂贵的sram记忆体制造。
然后依次是内存，外村（硬盘），u盘
个人知识，严打复制
Ⅱ 下列存储器中访问速度最快的是（）
访问速度最快的是[D半导体RAM（内存存储器）]
Ⅲ 选择题：下列存储器中，存取速度最快的是（）
1、答案：应选择B
2、解析:
存储速度从快到慢排列：内存储器＞高速缓冲存储器＞计算机的主存＞大容量磁盘
拓展内容：
1、CD-ROM
CD-ROM（Compact Disc Read-Only Memory）即只读光盘，是一种在电脑上使用的光盘。这种光盘只能写入数据一次，信息将永久保存在光盘上，使用时通过光盘驱动器读出信息。CD的格式最初是为音乐的存储和回放设计的，1985年，由SONY和飞利浦制定的黄皮书标准使得这种格式能够适应各种二进制数据。有些CD-ROM既存储音乐，又存储计算机数据，这种CD-ROM的音乐能够被CD播放器播放，计算机数据只能被计算机处理。
2、内存储器
内存储器是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存储器中进行的，因此内存储器的性能对计算机的影响非常大。内存储器(Memory)也被称为内存，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。
3、硬盘
硬盘是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的盘片组成。盘片外覆盖有铁磁性材料。
高速缓冲存储器是存在于主存与CPU之间的一级存储器， 由静态存储芯片(SRAM)组成，容量比较小但速度比主存高得多， 接近于CPU的速度。在计算机存储系统的层次结构中，是介于中央处理器和主存储器之间的高速小容量存储器。它和主存储器一起构成一级的存储器。高速缓冲存储器和主存储器之间信息的调度和传送是由硬件自动进行的。高速缓冲存储器最重要的技术指标是它的命中率。
参考内容:
1、网络_高速缓冲存储器
2、网络_CD-ROM
3、网络_内存储器
4、网络_硬盘
Ⅳ 在微机中，访问速度最快的存储器是_____。A、硬盘B、软盘C、内存D、光盘
答案：C、内存
Ⅳ 在微机中访问速度最快的存储器是
CPU的缓存---cache
CPU中的一级缓存最快 CPU进行处理的数据信息多是从内存中调取的，但CPU的运算速度要比内存快得多，为此在此传输过程中放置一存储器，存储CPU经常使用的数据
Ⅵ 在微型计算机中，访问速度最快的存储器是什么
在微型计算机中，访问速度最快的存储器是内存。
内存就是存储程序以及数据的地方，比如在使用WPS处理文稿时，当在键盘上敲入字符时，就被存入内存中，当选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。
内存的读写速度是最快的，常见的内存条读写速度一般都在1000MB/s以上，高性能的内存条甚至可以达到10GB/s。
(6)存储访问最快的存储器是扩展阅读：
内存其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。
随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。
内存唯一缺点就是，如果一旦断电，内存里的数据就会全部清空，因此只要是储存在储存器的数据需要随时保存。一般来说内存越大，数据交换也越快，因此很多人在使用电脑时，会存在电脑卡，很有可能就是电脑本身硬盘储存太慢，而外部的内存又没地方储存了。
Ⅶ 在计算机中，访问速度最快的存储器是 A硬盘B U盘C光盘D内存
在计算机中，访问速度最快的存储器是：D内存
Ⅷ 计算机以下几个存储设备中访问速度最快的是 A、硬盘 B、软盘 C、光盘 D、RAM
计算机以下几个存储设备中访问速度最快的是随机存储器；
随机存取存储器（英语：RandomAccessMemory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。
内存储器用来存放计算机当前正在执行的程序和数据，也就是说，计算机执行的所有程序和操作的数据都要先调入内存。因此，内存的工作速度和存储容量对系统的整体性能、系统所能解决问题的规模和效率都有很大的影响。
内存是采用大规模集成电路制成的半导体存储器，可分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM两种。
(8)存储访问最快的存储器是扩展阅读：
RAM中的信息可随机地读出或写入，但信息不能持久保存，一旦关机（断电）后，RAM中的信息不再保存。随机存取存储器所采用的存储单元工作原理的不同又分为静态随机存储器SRAM和静态随机存储器DRAM。
SRAM采用稳态电路（如触发器）作为存储单元，在正常工作状态下信息存入，能够稳定保持，可供多次读取，存取速度比DRAM快，但因单元电路比较复杂，集成度比DRAM低，价格也较高。
DRAM采用电容的充电原理电路作为存储单元，其结构非常简单，集成度高，价格低，但在正常工作状态下，为使写入的信息保持不变，需要定期刷新。主存储器一般采用动态存储器DRAM。
Ⅸ 在计算机的各种存储器中，访问速度最快的是( )。
选择D，磁带存储器。
磁带存储器的记录方式主要以形成不同写入电流波形的方式记录，所以访问速度最快。而且能驱动磁带相对磁头运动，用磁头进行电磁转换，在磁带上顺序地记录或读出数据。
磁带存储器可以通过磁带控制器模型大型机所共享。磁带存储器可以处理最多4Gbps传输速度的光纤连接装置——这是大型机光纤连通道连接专利。磁带存储器控制器也能够支持磁盘驱动或者是光纤通道交换机多达4个标准的8 Gbps传输速度的光纤通道连接。
如果磁带存储器没有足够的FICON与合适长度和类型的光纤通道布线，各驱动、大型机以及存储网络之间的连通性将不能实现。磁带存储器以及控制器也需要软件升级和许可支持。这取决于数据中心当前的操作系统和许可模式。
(9)存储访问最快的存储器是扩展阅读：
磁带机结构原理：
普遍使用的磁带机是快启停式磁带机。它由主动轮和带盘驱动机构、磁带导向和缓冲机构、磁头、读写和驱动控制电路等组成。
磁带传动：以真空缓冲箱式磁带机为例，磁带由供带盘经右缓冲箱、磁头、主动轮、左缓冲箱到卷带盘。
磁带读写：磁带运动时与磁头接触。磁头线圈中通有电流时，磁头间隙附近产生磁场，将磁带上一个很小区域磁化。
数据组织：一盘磁带有始端标记(BOT)和尾端标记(EOT)，中间可记若干个文件。每个文件由1至若干个数据块组成，两个文件之间有带标隔开。
磁带控制器：一个磁带控制器可联数台磁带机，控制磁带机执行写、读、进退文件、进退数据块等操作。
参考资料来源：网络-磁带存储器
Ⅹ 计算机中访问速度最快的存储器是
内存
瑞萨发布世界上速度最快的闪存存储器
目前，瑞萨科技公司宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型闪存存储器，可以提供世界上最快的10 M字节/秒编程速度，用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。在2004年9月，将从日本开始样品发货，随后在12月将开始批量生产。
R1FV04G13R和R1FV04G14R分别具有´8和´16位配置，可以提供下面的主要性能。
(1) 世界上最快的4千兆位闪存存储器（芯片）
作为实现了多级单元技术*2和高速度的第二阶段AG-AND型闪存存储器，R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下，也能达到10 M字节/秒的快速编程速度。复制一个2小时的MPEG-4格式的电影，大约需要2分钟就可以完成录制。
(2) 小型芯片尺寸
由于使用90 nm工艺和改进的AG-AND闪存存储器单元设计，实现了世界上最小的存储单元。与1千兆位AG-AND型闪存存储器相比，每千兆位的芯片面积大约缩小了三分之二。
这些新产品的发布使得电影和音乐等大容量内容的快速下载和传送成为可能。相应地，其应用领域也从过去仅局限于数码相机和个人计算机，现在可以扩展到移动终端和数字家用设备，扩大了使用闪存存储器作为存储介质的系统解决方案的应用范围。
产品背景 >
高密度闪存存储器作为一种桥接介质，正在溶入我们的生活之中，尤其是在移动应用方面，可以用作数码相机和移动电话的图像存储存储器、USB存储器用作软盘的替代物。下一代的闪存存储卡需要更高的密度和更快的编程速度以处理快速数据下载，可以为大容量、高质量的动画数据如电影提供便携性。
为满足这些需要，目前瑞萨科技大量生产130 nm工艺1千兆位AG-AND型闪存存储器，通过使用辅助门(AG)防止单元间的干扰，以及使用公司在常规AND型闪存领域开发的多级单元技术，可以提供更小的单元面积和高达10 M字节/秒的高编程速度。
为满足更高密度的需要，同时又实现高速度，在2003年12月瑞萨科技开发出了第二代AG-AND型闪存存储单元，通过改进第一代AG-AND型闪存存储器单元的设计和使用90 nm工艺，使存储器单元面积大约缩小了三分之一。现在瑞萨科技已经完成了R1FV04G13R和R1FV04G14R的商用开发，它们是世界上速度最快的 4千兆位小型AG-AND型闪存存储器，使用第二代存储器单元。
产品详情 >
使用R1FV04G13R和R1FV04G14R，可以在单个芯片上配置512M字节的记录介质，提供的存储能力大约相当于160分钟的MPEG-4电影数据，大约等同于130个磁道的MP3音乐数据，或大约500张4兆象素的数码相机相片。
R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性总结如下。
(1) 世界上编程速度最快的4千兆位闪存存储器（芯片），速度高达10 M字节/秒。
和1千兆位产品一样，使用热电子注入编程方法*3和在单个芯片内同时进行4组编程操作，通过使用多级单元技术，实现了高达10 M字节/秒的编程速度。
(2) 小型芯片尺寸
通过使用90 nm工艺和改进的第一代AG-AND型闪存存储器源－漏*4结构，实现了世界上最小的0.016 μm2存储单元面积。
与1千兆位 AG-AND型闪存存储器相比，每千兆位芯片面积大约缩小了三分之二。
* 源－漏结构的改进：
使用了一种新结构，在AG上加电压时，硅衬底上形成的逆温层*5构成了存储单元晶体管的源和漏。在常规的扩散层*6结构中，源和漏趋向于横向扩散，但是，由于逆温层仅在AG下面的衬底的极浅区域形成，因此可以缩小存储单元的面积。
(3) 支持加电读出功能（2K字节大小）
系统加电时，不需要命令或地址输入，通过控制两个控制线（/CE 针和/RE针）就可以读出多达2K字节的数据。
(4) 在编程操作过程中具有高速缓冲存储器编程功能，在擦除操作过程中，具有可编程数据输入功能。
在器件编程过程中，可以对下一步2 K字节的数据进行高速缓冲存储器编程的功能，最多可以进行两次（4 K字节）。这使得系统可以很容易地分配总线进行下一个任务。在器件擦除过程中，可以进行一次高达2 K字节的下一步数据输入的功能。
(5) NAND接口
在命令级，R1FV04G13R和R1FV04G14R与NAND型闪存存储器兼容，因此，对目前使用NAND型闪存存储器的系统进行很少的软件修改，就可以使用它们。
电源电压是3.3 V，使用的封装形式是48针TSOP 1型封装，与1千兆位AG-AND型闪存存储器的封装尺寸相同。
未来的计划包括为R1FV04G13R和R1FV04G14R开发控制器，面向高速闪存卡的应用开发，以及开发2千兆位AG-AND型闪存存储器产品和使用新型存储单元的1.8 V低压产品。
我们也计划开发具有两个层迭4千兆位AG-AND型闪存存储器的大容量8千兆位产品，使用新的封装形式（WFLGA: 超细节距栅格阵列），在2004年12月将开始高密度安装。