‘壹’ 那种管子能代换FTP30N20R
这个型号是IPS场效应管，N沟道，可以尝试用IRF3710代换。
‘贰’ 13N50C三极管怎么代换
13N50C三极管可以用EUM091R、EUM092R三极管替换。
13N50C三极管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上。
13N50C三极管由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
(2)FTP14N50C场管替换扩展阅读：
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量。
一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合。
‘叁’ 场效应管的代换原则是什么
根据场效应管相应的一些参数，首先是一些硬性指标，例如DS耐压，和DS所能承受的最大电流，GS耐压。其次考虑Rds，频率，开通关断时间等参数。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconctor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
‘肆’ 电脑长城电源三极管13N50C坏用什么代换
电脑开关电源里面的功率管13N50C，是一只N沟道MOS场效应管，它的主要电参数是：Vdss=500V，Id=13A，Rds(on) max = 0.3 Ω。可以使用FDPF13N50N直接代换，它们的参数一样，只是序号有差别。也可以使用EUM091R、EUM092R直接代换，参数一模一样。
‘伍’ 主板场效应管坏了该怎么替换
CPU供电的场管能替换主板上绝大多数位置的场管，这是饼哥教的
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‘陆’ 场效应管的代换规则是什么呢
在主板上，场效应管的代换规则是:
1、场效应管的代换只需大小相同，分清N沟道和P沟道即可。
2、场效应管的代换中，功率大的场效应管可以代换功率小的场效应管。
3、场效应管的代换中，技嘉主板的场管最好原值代换。
‘柒’ 场效应管STW14NC50 替代
大功率的场效应管很少会有这种问题的，问题应该在不烫的那个管子的电路那里，你可以理解为两个人合作干活，其中一个偷懒不干活，另一个是不是比较累
‘捌’ 场效应管： 谁知道IRF3315、13n50ct的参数及代换元件
您好：
①、这ⅠRF3315属于：N一M0SET功率场效应管其参数如：/耐压：150Ⅴ//电流：27A//功率：136W//
可直接用：ⅠRF3415型场效应管代换。
②、关于13N50T场效应管参数：/耐压：500Ⅴ//
/电流：13.4A//功率：190W// 向这个管可直接用
FQA13N50C代换。
‘玖’ 请教一下各位师傅，在主板中的场效应管，怎么替换
很简单的一般MOS管的特性一样N沟道的换N沟道的。P沟道的换P沟道的一般主板上只有一个P沟道的MOS管其他都是采用N沟道的MOS管的
‘拾’ 场效应管参数及替换
3DJ6是分档的，分别为3DJ6D、33DJ6是分档的，分别为3DJ6D、DJ6E、3DJ6F、3DJ6G、3DJ6H别的参数都差不多，主要是电流，D档为0.3-0.5mA，H档为6-10mA。