1. 笔记本安装固态硬盘的三种方法
方法一
首先查看笔记本的配置说明书，或者上网搜索笔记本的配置信息，查看是否有预留接口，可连接固态硬盘的接口有M.2(又名NGFF)、MSATA、SATA等。
M.2(NGFF)分2242、2260、2280，前面的22表示宽22mm，后面的表示长度，要先在配置中查看笔记本是否预留有足够空间支持此接口。
方法二
如果找不到笔记本的配置说明或者笔记本没有预留固态硬盘的接口，那我们可以使用较为通用的方法，就是将光驱取出，使用光驱的SATA接口，因为现在的光驱使用频率很低，重装系统也可以用U盘搞定，所以拆除光驱对电脑的.使用影响不大。若要使用硬盘光驱托架，购买时需要注意光驱位置的尺寸。
方法三
将机械硬盘拆除，只使用固态硬盘，这虽然是个很爽的方法，但是同容量的固态硬盘价钱比机械硬盘贵得多，如果你使用的固态硬盘太小，很容易出现容量不足的情况，因此使用此法前需要认真考虑得失。
以上就是笔记本安装固态硬盘的三种方法，比起扩展内存和升级CPU等措施，加装固态硬盘是性价比最高的升级电脑方法，可以感受到最明显的性能提升。
2. 笔记本扩展固态硬盘，是把dvd光驱拆掉装好还是转msata好呢
笔记本扩展固态硬盘如果有msata接口的话，还是用msata比较好。
3. 笔记本如何升级固态硬盘
具体操作方法如下：
1、要打开电脑的后盖，用十字的螺丝钉将后盖这三个位置的螺丝卸下，螺丝都旋松后，将盖板打开，这个螺丝是拿不出来的，旋转到感觉松了就可以了。
(3)扩固态硬盘扩展阅读：
笔记本升级固态硬盘的注意事项
一、确认需要的SSD类型
1、升级SSD最重要的就是先确定自己的笔记本能升级哪种SSD。目前市面上主要存在两种接口的SSD，即传统SATA接口和M.2接口。
2、二者不仅接口不同，通常M.2接口的SSD速度也要更快一些(当然也要更贵一些)。所以，如果条件允许的话还是推荐直接升级M.2接口的SSD，而如果没有M.2接口或者预算不足的话，就只能升级SATA接口的了。
二、选购产品
在确认了自己的电脑所能升级的SSD类型后，接下来就要着手准备购买了。值得一提的是，不同SSD的性能也是有不同的。就比如MLC的一般要比TLC的寿命好，PCIE协议的一般要比SATA协议的速度快，当然性能越好额产品价格自然也就越贵，所以还是直接根据自身预算来选择容量和型号比较好。
三、着手准备拆机
由于每台电脑的设计不一样，所以拆机步骤也是不尽相同的，只要你的本子不是特小众的那种，那网上一般就可以查到相关的拆机教程。而大多数国外品牌如戴尔，在其官网上也能查询到相关的拆机手册(用户手册)，解释的也很清楚明白，只要有一点动手能力和一把螺丝刀，就可以直接完成拆机了。
四、安装SSD
1、相比拆机，安装就简单多了。如果你要安装的是M.2接口SSD的话，直接将它插在相应的接口上并且上好螺丝即可。而SATA接口的SSD安装起来也很简单，首先当然也是找到硬盘位，只要你仔细地将其固定螺丝一一取下便可拔下硬盘，然后将新买的SSD装上即可。
2、需要注意的是，安装硬盘后需要拧紧螺丝，以防硬盘脱落。同时也需要注意，SATA硬盘大多数是插拔式的，安装时请勿从根部向上提起，以免损坏接口。
五、安装系统
由于新安装的硬盘里面是没有任何东西的，所以我们要先给它装个系统才能正常的开机。
4. 如何扩展电脑硬盘
扩展电脑硬盘分为两种，一种是直接再加一块硬盘，另一种就是把老硬盘拆下来，数据拷贝到新硬盘上换新硬盘。
5. 固态硬盘如何扩展容量
现在，越来越多移动设备和电子设备连接到互联网，据可靠的预测显示，到2020年， 连接到互联网的电子设备将达到500亿台。这个世界因此在经历着前所未有的数据爆炸，和设备连接到互联网，世界正在经历数据爆炸时代，对数据储存的逐年增长的需要驱动着半导体行业飞速的发展。
为了跟上时代的发展，企业数据中心和终端客户都需要有一个全新的储存时代。在这个过程中，NAND闪存是储存的核心。我们之前最熟悉的摩尔定律在发展到10nm左右就出现了无法延续的尴尬。传统的2D NAND闪存，也即平面型闪存，已经无法满足用户对固态硬盘容量的要求。所以寻求新的突破才是正道。
不负众望，国际储存巨头纷纷发布了新一代的3D NAND闪存。比如，英特尔/美光发布的基于浮栅原理的3D NAND闪存，西数/闪迪发布的BICS 3D NAND，以及三星发布的V-NAND。除了3D NAND，英特尔/美光还发布了近十年来的革新技术3D Xpoint, 威力比3D NAND还要强大数十倍。不过，我们本文不介绍3D Xpoint哦，本文主要学习一下三星的V-NAND技术。
我们先来看看V-NAND长什么样子以及和2D NAND之间的分别，如下图：
上图左边是平面NAND的截面图，从"平面"这个字眼，我们不难理解，NAND闪存储存单元都是沿着平面的方向扩展，大容量的闪存颗粒就需要很大的面积。现实中，我们都知道，地皮很贵，房子贵的大家都买不起了。同样，在便携式电子设备越来越多的情况下，一味的增大储存芯片的面积，只能被时代淘汰。
上图右是3D NAND的截面图。之所以被称为3D，主要是因为，储存单元的扩展主要沿着竖直方向延伸，就像，我们盖高楼大厦一样，占用很小的地皮资源，通过增加楼层就可以容纳更多的人，同理，3D NAND在有限的面积上，通过增加在垂直方向增加储存单元，就可以实现大容量的储存，符合时代的需要，也将会被时代选择。
与2D NAND相比，V-NAND的储存单元间隔更大。在2D NAND中，两个cell之间的距离一般在15nm左右，而在V-NAND中，两个cell之间的距离可以到40nm。那这个cell之间的距离有什么影响呢?在NAND闪存中，cell离得很近时，会带来比较大的干扰，当cell之间距离变大之后，负面的干扰就会减少很多，这样一来，我们也可以明白，V-NAND的可靠性要比2D NAND强。