㈠ 巨磁电阻效应是什么
巨磁阻效应是指磁性材料友脊的电阻率，在有外磁场作用时较之无外磁场作用时，存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。在室温下具有巨磁电阻效应的巨磁电阻材料目前已有许多种类，例如，多层膜巨磁电阻材料，颗粒型巨磁电阻材料，氧化物型巨磁电阻材料，隧道结型磁电阻材宴告迹料等。
巨磁阻效应的应用
阿尔贝·费尔和彼得·格林晌并贝格尔所发现的巨磁阻效应造就了计算机硬盘存储密度提高50倍的奇迹。单以读出磁头为例，1994年，IBM公司研制成功了巨磁阻效应的读出磁头，将磁盘记录密度提高了17倍。1995年，宣布制成每平方英寸3Gb硬盘面密度所用的读出头，创下了世界记录。硬盘的容量从4GB提升到了600GB或更高。
㈡ 什么是巨磁电阻效应(GMR)效应产生的条件、机理及应用
所谓巨磁阻效应,是指磁性材料的明薯电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象.巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构.这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成.当铁磁层的磁矩相互平行时,载流子与自旋有关的散射最小,材料有最小的电阻.当铁磁层的磁矩为反平行时,与自旋有关的散射最强,材料的电阻最大.
巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象,磁阻效应的一种,可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄野做膜层（几个纳米厚）结构中观察到.这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关,两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值,明显大于磁化方向相同时的电阻值,电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量.巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上,具有重要的商业应用价值.
巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头（Read Head）.这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少,从而使得磁盘的存储能力得到大幅度的提高.第一个商业化生产的数据读取探头是由IBM公司于1997年投放市场的,到目前为止,巨磁阻技术已经成为全世界几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术.
来自剑桥大学的一位物理学家Tony Bland介绍说：“这些材料一开始看起来非常玄妙,但是最后发现它们有非常巨大的应用价值.它们为生产商业化的大容量信息存储器铺平了道路.同时它们也为进一步探索新物理——比如隧穿磁阻效应（TMR:Tunneling Magnetoresistance）、自旋电子学（Spintronics）以及新的传感器技术——奠定了基础.但是大家应该注意到的是：巨磁阻效应已经是一种非常成熟的旧技术了,目前人们感兴趣的问题是如何将隧穿磁阻效应开发为未来的颂槐衡新技术宠儿.
㈢ 磁电阻和巨磁电阻如何应用于传统磁盘读出磁头
利用特殊材料的电阻或世值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据。根据查询巨磁电阻应用方法显示，磁电阻和巨磁电阻利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据，巨磁阻磁头GMR磁头与MR磁头一样，巨磁阻又称特大磁电阻，即GMR比AMR技术磁头灵敏度高2倍以上，GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交衫改肢换层。歼丛
㈣ 巨磁电阻原理是什么其与近期推出的SSD（固态硬盘）有无关系
1.巨磁电阻（GMR）效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显着变化的现象，一般将其定义为gmr＝其中兄做（h）为在磁场h作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。
磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常则梁磁性金属与孙尘运合金材料的磁电阻数值约高10余倍。简而言之,就是电阻值对磁场变化巨敏感的一种电阻材料。
2.无论是那种硬盘,他的核心就是磁效应,只是SSD启动快，没有电机加速旋转的过程。不用磁头，快速随机读取，读延迟极小。相对固定的读取时间。由于寻址时间与数据存储位置无关，因此磁盘碎片不会影响读取时间。
基于DRAM的固态硬盘写入速度极快。无噪音。因为没有机械马达和风扇，工作时噪音值为0分贝。内部不存在任何机械活动部件，不会发生机械故障，也不怕碰撞、冲击、振动。
工作温度范围更大。低容量的固态硬盘比同容量硬盘体积小、重量轻。等等着些优点但其过高的成本,近期将不会成为市场主流