㈠ FRAM存储器/MB85RC16PNF-G-JNERE1元器件有什么用途，在立创商城中的MB85RC16PNF-G-JNERE1好不好
品牌： FUJITSU(富士通）
厂家型号： MB85RC16PNF-G-JNERE1
供应商：拍明芯城
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.000314 KG
属性： 参数值
商品目录： FRAM存储器
存储器构架(格式)： FRAM
存储器接口类型： I2C
存储器容量： 16Kb (2K x 8)
工作电压 ：2.7V ~ 3.6V
存储器类型： Non-Volatile
㈡ FRAM和EEPROM的区别,可以共用吗
非易失性铁电存储器 (FRAM) 和集成半导体产品供应商Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性FRAM器件——FM25L512，带有高速串行外设接口(SPI)。该款器件采用8管脚微型封装，能够提高数据采集和存储能力，并且削减应用成本和PCB空间，应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。
Ramtron 副总裁Mike Alwais称：“FM25L512为我们的256Kb 串行FRAM用户在相同的小占位面积中提供双倍的存储容量。这样，系统设计人员在下一代的打印机和电机控制设计中，无需增大线路板面积便可提高数据采集能力。”
Ramtron 的FM25L512是带有工业兼容SPI接口的512Kb非易失性FRAM，充分发挥了FRAM技术的高速写入能力。该硬件上可以直接替代相应的EEPROM，而且性能更佳，并能以高达20MHz的总线速度执行无延时的读写操作，同时提供10年的数据保存能力，以及几乎无限的读写次数和极低的工作电流。FM25L512 器件的工作电压为3.0 到 3.6V，可在 -40 ℃ 至 +85℃ 的工业温度范围内操作。
对于那些需要频繁且快速写入操作及/或低功耗工作的应用而言，FM25L512的性能凌驾同类的非易失性存储器解决方案。这些应用包括从先进的数据采集 (该应用中读写寿命非常重要) 到要求严苛的工业控制 (该应用中较长得写入等待时间和较短得读写寿命会导致数据丢失) 等各种应用。与串行EEPROM 不同，FM25L512能以总线速度执行无等待写入操作，而且功耗更低。
Ramtron目前提供8管脚“绿色”/RoHS TDFN (薄型双排引脚扁平无铅) 封装的FM25L512样件，与SOIC-8封装管脚兼容，订购1万片的起价为每片7.61美元。
㈢ 常见的非易失性存储器有哪几种
常见的非易失性存储器有以下几种：
一、可编程只读内存：PROM（Programmable read-only memory）
其内部有行列式的镕丝，可依用户（厂商）的需要，利用电流将其烧断，以写入所需的数据及程序，镕丝一经烧断便无法再恢复，亦即数据无法再更改。
二、电可擦可编程只读内存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
电子抹除式可复写只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可编程只读内存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高电压将数据编程写入，但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间，数据始可被清空，再供重复使用。因此，在封装外壳上会预留一个石英玻璃所制的透明窗以便进行紫外线曝光。
四、电可改写只读内存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
内部所用的芯片与写入原理同EPROM，但是为了节省成本，封装上不设置透明窗，因此编程写入之后就不能再抹除改写。
五、闪存：Flash memory
是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。
㈣ FRAM铁电存储器较EEPROM有什么优势
FRAM与工业标准EEPROM完全兼容；性能比EEPROM更加突出；读写次数超过1万亿次（5V）、无限次（3.3V），写速度快，没有写等待，按字节操作；操作更省电，写入功耗仅为EEPROM的1/20
㈤ FRAM和EEPROM关系
FRAM即铁电存储器，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，其的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如EEPROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
㈥ 铁电存储器FRAM的FRAM优势
FRAM有三种不同的特性使其优于浮栅技术器件：
1. 快速写入
2. 高耐久性
3. 低功耗
以下列举了FRAM在一些行业应用领域中与其他存储器相比较的主要优势：
频繁掉电环境
任何非易失性存储器可以保留配置。可是，配置更改或电源失效情况随时可能发生，因此，更高写入耐性的FRAM允许无任何限制的变更记录。任何时间系统状态改变，都将写入新的状态。这样可以在电源关闭可用的时间很短或立即失效时状态被写入存储器。
高噪声环境
在嘈杂的环境下向EEPROM写数据是很困难的。在剧烈的噪音或功率波动情况下，EEPROM的写入时间过长会出现漏洞（以毫秒衡量），在此期间写入可能被中断。错误的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的写入执行窗口少于200ns。
RFID系统
在非接触式存储器领域里，FRAM提供一个理想的解决方案。低功耗访问在RFID系统中至关重要，因为，能源消耗是以距离成指数下降的。想要以最小的能耗读写标签数据就必须保持标签有足够近的距离。通过对射频发射机和接收机改进写入距离，降低运动的灵敏性（区域内的时间）以及降低射频（RF）功率需求，使需要写入的应用（i.e.借记卡，在生产工序中使用的标签）获得优势。
诊断和维护系统
在一个复杂的系统里，记录系统失效时的操作历史和系统状态是非常宝贵的。如果没有这些数据，能够准确的解决或执行需求指令是很困难的。由于FRAM具备高耐久性的特点，可以生成一个理想的系统日志。从计算机工作站到工业过程控制不同的系统，都能从FRAM中获益。
㈦ 谁能给我讲讲FRAM产品是容量越大越好吗最好能举个例子对照着给我讲！
FRAM就是铁电存储器，运用了铁电效应，是一种高性能的非易失性存储器，结合了传统非易失性存储器（闪存和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的优点, 在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。
以富士通的V系列的FRAM产品MB85RC256V为例:
256Kb存储容量基本能满足很多领域的要求,不过具体选用多大容量的FRAM要看每种领域的具体要求；1012次的读写次数，这个是凸显它的卓越的读写能力的，比较适合需要频繁更新数据的领域, 1012 次读写次数基本上已经能满足当今所有领域的要求；+85度数据能保存10年，这个应该说是FRAM的一个亮点，比较适合需要长期存储数据的领域；每一个FRAM都会有电压范围，不同电压范围适合不同领域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作电压范围就比较适合工业控制领域。
当然在这里不能给你一一举例子，相信随着你的学习，你会发现FRAM其实是个很简单的东西，知道原理后，做应用就会变得很容易。
㈧ 铁电存储器FRAM的SRAM的取代和扩展
铁电存贮器（FRAM） 快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。
在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗, 成本, 空间，同时增加了整个系统的可靠性。最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。
典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。
㈨ 铁电存储器有无国产品牌
国内没有生产线，也没有国产的品牌。铁电技术原来只有RAMTRON一家掌握，富士通做代工厂后取得了RANTRON铁电的生产权。目前品牌只有RANTRON和富士通两家。不过，RAMTRON自己没有生产线，目前RAMTRON生产的铁电是美国的IMB和TI代工的。2012年9月RAMTRON被塞朴拉斯收购，估计明年就不再用RAMTRON这个厂商名了。
㈩ 在立创商城中的FRAM存储器有哪些品牌
FUJITSU(富士通)；
RAMTRON；
CYPRESS(赛普拉斯)；
他们的FRAM存储器就这3个品牌