A. 铁电存储器的原理
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。
B. 集光,电,机技术为一体的存储器是什么A硬盘、B光盘、C优盘、D内存
肯定是选择b光盘了。
光盘数据读写要用激光技术
数据传输要用电子技术
光驱驱动机构就是电机、托盘要用到机械技术。
(2)电的存储器扩展阅读：
要了解光盘的制造原理，首先就要了解光盘的结构，其结构同制造过程密切相关。
大家都知道，光盘只是一个统称，它分成两类，一类是只读型光盘，其中包括CD-Audio、CD-Video、CD-ROM、DVD-Audio、DVD-Video、DVD-ROM等；另一类是可记录型光盘，它包括CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD+R、DVD+RW、DVD-RAM、Double layer DVD+R等各种类型。
根据光盘结构，光盘主要分为CD、DVD、蓝光光盘等几种类型，这几种类型的光盘，在结构上有所区别，但主要结构原理是一致的。
而只读的CD光盘和可记录的CD光盘在结构上没有区别，它们主要区别在材料的应用和某些制造工序的不同，DVD方面也是同样的道理。我们就以CD光盘为例进行讲解。
我们常见的CD光盘非常薄，它只有1.2mm厚，但却包括了很多内容。从图1中可以看出，CD光盘主要分为五层，其中包括基板、记录层、反射层、保护层、印刷层等。我们分别进行说明。
参考资料来源：网络-光盘
C. 铁电存储器和eeprom的区别
铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。
在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗，成本，空间，同时增加了整个系统的可靠性。
最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。
典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。
D. 什么是电可擦除只读存储器
EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM的一种特殊形式是闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。DRAM断电后存在其中的数据会丢失，而EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失。 另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程。
一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。
E. 铁电存储器的存储结构
FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM每个存储单元使用两个场效应管和两个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简化的2T2C存储单元结构如图2（a）所示。2001年Ramtron设计开发了更先进的"单管单容"（1T1C）存储单元。1T1C的FRAM所有数据位使用同一个参考位，而不是对于每一数据位使用各自独立的参考位。1T1C的FRAM产品成本更低，而且容量更大。简化的1T1C存储单元结构（未画出公共参考位）如图2（b）所示。
F. 铁电存储器有什么特点
相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作
，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM
铁电存贮器（FRAM）的第一个最明显的优点是可以跟随总线速度（busspeed）写入。
铁电存贮器（FRAM）的第二大优点是几乎可以无限次写入。
G. 铁电存储器有无国产品牌
国内没有生产线，也没有国产的品牌。铁电技术原来只有RAMTRON一家掌握，富士通做代工厂后取得了RANTRON铁电的生产权。目前品牌只有RANTRON和富士通两家。不过，RAMTRON自己没有生产线，目前RAMTRON生产的铁电是美国的IMB和TI代工的。2012年9月RAMTRON被塞朴拉斯收购，估计明年就不再用RAMTRON这个厂商名了。
H. 什么是“可掉电存储器”
掉电保护大多数用的是储存芯片at24c02，你可以从网上搜一下资料，大多数程序里都是每个一小段时间把要保存的数据存入这个芯片，实现了掉电保护
I. 具有停电保护功能的数据存储器有哪些各有什么特点
计算机中的存储器，可分为内存和外存。内存，又称为主存储器，可分为随机存储器RAM和只读存储器ROM。随机存储器用于存放正在运行的程序和数据，它的特点是具有可读写性和易丢失性，即其中保存的信息，一旦掉电就会全部丢失。随机存储器又可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM，前者因为制作工艺复杂，价格高昂，只有少量用于高速缓存Cache；后者则是在微机中被称为内存条的东东。只读存储器用于固化一些基本程序，如微机主板中的BIOS（基本输入/输出程序），它的特点是只能读出信息，不能写入信息，即具有只读不写性。外存，又称为辅助存储器。目前微机中标配的硬盘、光盘，以及常用的U盘等，都是常见的外存储器。外存因为存储容量大（内存的存储容量比较有限，且相对外存小得多），而被广泛用于各种程序和数据的存放。但外存中的信息，必须先读入内存后，才能被CPU调用或处理。硬盘和软盘都属于磁盘存储设备，是通过磁性分布来记录信息的，硬盘的存储容量、存取速度均远大于软盘。U盘属于一种闪存设备，因为存储容量大、存取速度快已取代了软盘而被广泛使用。
J. 电存储介质与光存储介质的区别
如果是你指的是电脑数据存储
电存储，通常指U盘（Flash芯片）EEPROM RAM等
主要使用电平信号，或者依赖雪崩注入的MOS开关电路来存储数据
光存储，如光盘，靠激光烧写在光盘染料层的凹坑，来存储数据